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      液晶顯示元件的制作方法

      文檔序號:11851148閱讀:349來源:國知局
      本發(fā)明涉及一種液晶顯示元件、所述元件中使用的介電各向異性為負的液晶組合物、以及液晶取向膜。特別是涉及具有扭轉(zhuǎn)向列(twistednematic,TN)、光學補償彎曲(opticallycompensatedbend,OCB)、共面切換(in-planeswitching,IPS)、垂直取向(verticalalignment,VA)、邊緣場切換(fringefieldswitching,F(xiàn)FS)、電場感應光反應取向(field-inducedphoto-reactivealignment,F(xiàn)PA)等模式的液晶顯示元件。本發(fā)明還涉及一種聚合物穩(wěn)定取向型的液晶顯示元件。
      背景技術
      :液晶顯示元件中,基于液晶分子的運作模式的分類為:相變(phasechange,PC)、扭轉(zhuǎn)向列(twistednematic,TN)、超扭轉(zhuǎn)向列(supertwistednematic,STN)、電控雙折射(electricallycontrolledbirefringence,ECB)、光學補償彎曲(opticallycompensatedbend,OCB)、共面切換(in-planeswitching,IPS)、垂直取向(verticalalignment,VA)、邊緣場切換(fringefieldswitching,F(xiàn)FS)、電場感應光反應取向(field-inducedphoto-reactivealignment,F(xiàn)PA)等模式。基于元件的驅(qū)動方式的分類為無源矩陣(passivematrix,PM)與有源矩陣(activematrix,AM)。PM被分類為靜態(tài)式(static)、多路復用式(multiplex)等,AM被分類為薄膜晶體管(thinfilmtransistor,TFT)、金屬-絕緣體-金屬(metalinsulatormetal,MIM)等。TFT的分類為非晶硅(amorphoussilicon)及多晶硅(polycrystalsilicon)。后者根據(jù)制造步驟而分類為高溫型及低溫型?;诠庠吹姆诸悶槔米匀还獾姆瓷湫?、利用背光的透過型、以及利用自然光及背光此兩者的半透過型。液晶顯示元件含有具有向列相的液晶組合物。所述組合物具有適當?shù)奶匦?。通過提高所述組合物的特性,可獲得具有良好特性的AM元件。將兩者的特性中的關聯(lián)歸納于下述表1中?;谑惺鄣腁M元件來對組合物的特性進行進一步的說明。向列相的溫度范圍與元件可使用的溫度范圍相關聯(lián)。向列相的優(yōu)選上限溫度為約70℃以上,而且向列相的優(yōu)選下限溫度為約-10℃以下。組合物的粘度與元件的響應時間相關聯(lián)。為了以元件顯示動態(tài)圖像,優(yōu)選為響應時間短。理想為短于1毫秒的響應時間。因此,優(yōu)選為組合物中的粘度小。更優(yōu)選為低溫下的粘度小。表1.組合物與AM元件的特性組合物的光學各向異性與元件的對比度比相關聯(lián)。根據(jù)元件的模式,而需要大的光學各向異性或者小的光學各向異性,即適當?shù)墓鈱W各向異性。組合物的光學各向異性(Δn)與元件的單元間隙(d)的積(Δn×d)被設計成使對比度比為最大。適當?shù)姆e的值依存于運作模式的種類。在TN之類的模式的元件中,所述值為約0.45μm,在VA模式的元件中,所述值為約0.30μm至約0.40μm的范圍,在IPS模式或FFS模式的元件中,所述值為約0.20μm至約0.30μm的范圍。這些情況下,對單元間隙小的元件而言優(yōu)選為具有大的光學各向異性的組合物。組合物中的大的介電各向異性有助于元件中的低閾電壓、小的消耗電力與大的對比度比。因此,優(yōu)選為大的介電各向異性。組合物對紫外線及熱的穩(wěn)定性與元件的壽命相關聯(lián)。所述穩(wěn)定性高時,元件的壽命長。此種特性對于液晶投影儀、液晶電視等中使用的AM元件而言優(yōu)選。聚合物穩(wěn)定取向(PSA;polymersustainedalignment)型的液晶顯示元件中,使用含有聚合體的液晶組合物。首先,將添加有少量聚合性化合物的組合物注入至元件中。繼而,一邊對所述元件的基板之間施加電壓,一邊對組合物照射紫外線。聚合性化合物進行聚合而在組合物中生成聚合體的網(wǎng)眼結構。所述組合物中,可利用聚合體來控制液晶分子的取向,因此元件的響應時間縮短,圖像的殘像得到改善。在具有TN、ECB、OCB、IPS、VA、FFS、FPA之類的模式的元件中可期待聚合體的所述效果。若長時間使用液晶顯示元件,則有時會在顯示畫面上產(chǎn)生閃爍(flicker)。經(jīng)推定:所述閃爍與圖像的殘像相關聯(lián),且當以交流來驅(qū)動時,通過在正圖框(frame)的電位與負圖框的電位之間產(chǎn)生差而產(chǎn)生所述閃爍。為了減少閃爍的產(chǎn)生,就元件的結構或組合物的成分的觀點而言來嘗試改良。具有TN模式的AM元件中使用具有正的介電各向異性的組合物。具有VA模式的AM元件中使用具有負的介電各向異性的組合物。具有IPS模式或FFS模式的AM元件中使用具有正或負的介電各向異性的組合物。聚合物穩(wěn)定取向(PSA;polymersustainedalignment)型的AM元件中使用具有正或負的介電各向異性的組合物。具有負的介電各向異性的液晶組合物的例子揭示于下述專利文獻1中。為了使這些液晶顯示元件具有均勻的顯示特性,需要控制液晶分子的排列。具體而言,使基板上的液晶分子在一個方向上均勻取向,使液晶分子自基板面起具有一定的傾斜角(預傾角)等。擔負此種作用的是液晶取向膜。液晶取向膜是與液晶顯示元件的顯示品質(zhì)有關的重要要素之一,隨著顯示元件的高品質(zhì)化,液晶取向膜的作用逐年變得重要。液晶取向膜是使用液晶取向劑而形成。所謂主要使用的液晶取向劑,是使聚酰胺酸或可溶性的聚酰亞胺溶解于有機溶劑中而成的溶液(清漆)。將所述溶液涂布于基板上后,通過加熱等手段而成膜,形成聚酰亞胺系液晶取向膜。作為對所述膜賦予使液晶分子取向的功能的(取向處理)方法,目前在工業(yè)上使用的是摩擦法。摩擦法為使用植毛有尼龍、人造絲、聚酯等纖維的布,將液晶取向膜的表面向一個方向擦拭的處理,由此可獲得液晶分子的一致取向。另一方面,提出有對光反應性的膜照射光來實施取向處理的光取向法,所述方法中包含光分解、光異構化、光二聚化、光交聯(lián)等(例如參照非專利文獻1及專利文獻2至專利文獻6)。與摩擦法相比,光取向法的取向的均勻性高,而且是非接觸的取向法,因此具有不會對膜造成損傷,可減少發(fā)塵或靜電等產(chǎn)生液晶顯示元件的顯示不良的原因等優(yōu)點。對光反應性的液晶取向膜(以下有時略記為“光取向膜”)中使用的原料也進行了大量研究。經(jīng)報告:將四羧酸二酐、特別是環(huán)丁烷四羧酸二酐用于原料的聚酰亞胺可使液晶分子均勻且穩(wěn)定地取向(例如參照專利文獻2)。其是通過對形成于基板上的膜照射紫外線等,使聚酰亞胺產(chǎn)生化學變化而賦予使液晶分子在一定方向上取向的功能的方法。然而,利用此種方式的光取向膜與利用摩擦法的取向膜相比,存在雜質(zhì)離子的量增加而電壓保持率下降等電特性劣化的可能性。為了解決所述問題,對構成聚酰亞胺的分子結構進行了各種研究(例如參照專利文獻2及專利文獻3)。與摩擦法相比,光取向法的錨固能量小,液晶分子的取向性差,因此被指出引起液晶顯示元件的響應速度的下降或殘像的可能性。我們發(fā)現(xiàn)如下方法,即,例如以專利文獻5中記載的方式,將聚酰胺酸涂布于基板上后,進行光照射,然后進行煅燒的方法,并且利用所述方法而獲得具有大的錨固能量的光取向膜。然而,使用了將具有偶氮基的二胺作為原料來制造的聚酰胺酸的光取向膜存在光的透過率低、液晶顯示元件的亮度下降的可能性。現(xiàn)有技術文獻專利文獻專利文獻1:國際公開2012-053323號專利文獻2:日本專利特開平9-297313號公報專利文獻3:日本專利特開2004-206091號公報專利文獻4:國際公開2005-083504號專利文獻5:日本專利特開2005-275364號公報專利文獻6:日本專利特開2006-171304號公報非專利文獻非專利文獻1:《液晶》,第3卷第4號第262頁,1999年技術實現(xiàn)要素:發(fā)明要解決的問題本發(fā)明的其中一個目的為一種液晶顯示元件,其具有短的響應時間、大的電壓保持率、低的閾電壓、大的對比度比、長的壽命、小的閃爍率等特性。另一目的為一種此種元件中使用的液晶組合物。另一目的為一種液晶組合物,其在向列相的高的上限溫度、向列相的低的下限溫度、小的粘度、適當?shù)墓鈱W各向異性、大的負向介電各向異性、大的比電阻、對紫外線的高穩(wěn)定性、對熱的高穩(wěn)定性、大的彈性常數(shù)等特性中,滿足至少一種特性。又一目的為關于至少兩種特性而具有適當平衡的液晶組合物。解決問題的技術手段本發(fā)明涉及一種液晶顯示元件、所述元件中所含的液晶組合物、所述元件中所含的液晶取向膜,所述液晶顯示元件包含:電極組群,形成于經(jīng)對向配置的一對基板的其中一個或兩個上;多個有源元件,與所述電極組群連接;液晶取向膜,形成于所述一對基板各自的對向的面上;以及液晶組合物,夾持于所述一對基板間。發(fā)明的效果本發(fā)明的一個優(yōu)點為一種液晶顯示元件,其具有短的響應時間、大的電壓保持率、低的閾電壓、大的對比度比、長的壽命、小的閃爍率等特性。另一優(yōu)點為此種元件中使用的液晶組合物。另一優(yōu)點為一種液晶組合物,其在向列相的高的上限溫度、向列相的低的下限溫度、小的粘度、適當?shù)墓鈱W各向異性、大的負介電各向異性、大的比電阻、對紫外線的高穩(wěn)定性、對熱的高穩(wěn)定性、大的彈性常數(shù)等特性中,滿足至少一種特性。又一優(yōu)點為一種關于至少兩種特性而具有適當平衡的液晶組合物。具體實施方式所述說明書中的用語的使用方法如下所述。有時將“液晶組合物”及“液晶顯示元件”的用語分別簡稱為“組合物”以及“元件”。“液晶顯示元件”為液晶顯示面板以及液晶顯示模塊的總稱?!耙壕曰衔铩笔蔷哂邢蛄邢?、層列相等液晶相的化合物,以及雖不具有液晶相,但出于調(diào)節(jié)向列相的溫度范圍、粘度、介電各向異性之類的特性的目的而混合于組合物中的化合物的總稱。所述化合物具有例如1,4-亞環(huán)己基或1,4-亞苯基之類的六元環(huán),且分子結構為棒狀(rodlike)?!熬酆闲曰衔铩笔浅鲇谑菇M合物中生成聚合體的目的而添加的化合物。液晶組合物是通過將多種液晶性化合物進行混合來制備。液晶性化合物的比例(含量)是由基于所述液晶組合物的重量的重量百分率(重量%)所表示。在所述液晶組合物中視需要添加光學活性化合物、抗氧化劑、紫外線吸收劑、色素、消泡劑、聚合性化合物、聚合引發(fā)劑、聚合抑制劑之類的添加物。添加物的比例(添加量)是與液晶性化合物的比例同樣地,由基于液晶組合物的重量的重量百分率(重量%)所表示。有時也使用重量百萬分率(ppm)。聚合引發(fā)劑以及聚合抑制劑的比例是例外地基于聚合性化合物的重量來表示。有時將“向列相的上限溫度”簡稱為“上限溫度”。有時將“向列相的下限溫度”簡稱為“下限溫度”。“電壓保持率大”是指元件在初始階段中不僅在室溫下,而且在接近于向列相的上限溫度的溫度下也具有大的電壓保持率,并且在長時間使用后,不僅在室溫下,而且在接近于向列相的上限溫度的溫度下也具有大的電壓保持率。在介電各向異性為正的組合物時,“提高介電各向異性”的表述是指其值正向地增加,在介電各向異性為負的組合物時,“提高介電各向異性”的表述是指其值負向地增加。“至少一個‘A’可經(jīng)‘B’所取代”的表述是指‘A’的數(shù)量為任意。當‘A’的數(shù)量為1個時,‘A’的位置為任意,當‘A’的數(shù)量為2個以上時,它們的位置也可無限制地選擇。所述規(guī)則也適用于“至少一個‘A’經(jīng)‘B’所取代”的表述。例如,“烷基中,至少一個-CH2-可經(jīng)-O-或-S-所取代”的表述中,包含-OCH3、-CH2OCH3、-CH2OCH2CH2OCH3、-SCH2CH2CH3、-CH2CH2SCH3、-CH2OCH2CH2SCH3等基團。式(1)至式(3)中,由六角形包圍的A、B、C等記號分別與環(huán)A、環(huán)B、環(huán)C等相對應。式(3)中,將環(huán)F的六角形橫切的斜線是指P1-Sp1基可任意地選擇環(huán)上的鍵結位置。所述規(guī)則也適用于環(huán)G等的P2-Sp2基等。e等下標表示與環(huán)F等鍵結的基團的數(shù)量。當e為2時,在環(huán)F上存在2個P1-Sp1基。P1-Sp1所表示的2個基團可相同,或者也可不同。所述規(guī)則也適用于e大于2時的任意2個。所述規(guī)則也適用于其他基團。有時將式(1)所表示的化合物簡稱為化合物(1)。所述略記也適用于式(2)等所表示的化合物。化合物(1)是指式(1)所表示的1種化合物或者2種以上的化合物。成分化合物的化學式中,將末端基R1的記號用于多種化合物。這些化合物中,任意的2個R1所表示的2個基團可相同,或者也可不同。例如,有化合物(1-1)的R1為乙基,且化合物(1-2)的R1為乙基的情況。也有化合物(1-1)的R1為乙基,且化合物(1-2)的R1為丙基的情況。所述規(guī)則也適用于其他末端基等的記號。式(1)中,當a為2時,存在2個環(huán)A。所述化合物中,2個環(huán)A所表示的2個環(huán)可相同,或者也可不同。當a大于2時,所述規(guī)則也適用于任意的2個環(huán)A。所述規(guī)則也適用于Z1、環(huán)C等記號。2-氟-1,4-亞苯基是指下述2種二價基?;瘜W式中,氟可為朝左(L),也可為朝右(R)。所述規(guī)則也適用于四氫吡喃-2,5-二基之類的非對稱的二價基。所述規(guī)則也適用于羰基氧基(-COO-及-OCO-)之類的鍵結基。本發(fā)明的液晶顯示元件中使用的液晶取向膜含有具有光反應性基的聚合體。聚合體為聚酰胺酸、其衍生物等。為了將光反應性基導入聚合物中,而將具有光反應性基的四羧酸二酐或者具有光反應性基的二胺中的至少一個作為必需成分。其他成分為其他四羧酸二酐或者其他二胺。其他四羧酸二酐可列舉:脂肪族四羧酸二酐、脂環(huán)式四羧酸二酐、芳香族四羧酸二酐等。其他二胺可列舉:非側(cè)鏈型二胺、側(cè)鏈型二胺、酰肼。聚酰胺酸的衍生物可列舉:可溶性聚酰亞胺、聚酰胺酸酯、聚酰肼酸、聚酰胺酸酰胺、聚酰肼酸-酰胺酸等。更具體而言,可列舉:1)通過聚酰胺酸的所有氨基與羧基進行脫水閉環(huán)反應而生成的聚酰亞胺;2)通過聚酰胺酸進行部分脫水閉環(huán)反應而生成的部分聚酰亞胺;3)聚酰胺酸的羧基轉(zhuǎn)變?yōu)轷ザ傻木埘0匪狨ィ?)通過使四羧酸二酐與有機二羧酸的混合物進行反應而獲得的聚酰胺酸-聚酰胺共聚物;以及5)通過使所述聚酰胺酸-聚酰胺共聚物的一部分或者全部進行脫水閉環(huán)反應而生成的聚酰胺酰亞胺等。聚酰胺酸或其衍生物可為1種化合物,也可為2種以上的化合物的混合物。有時將由具有光反應性基的聚酰胺酸或其衍生物(或者具有光反應性基的二胺)所形成的取向膜僅表示為“光取向膜”。“四羧酸二酐”可為1種化合物,或者也可為2種以上的四羧酸二酐的混合物。所述規(guī)則也適用于二胺。本發(fā)明為下述項等。項1.一種液晶顯示元件,其包含:電極組群,形成于經(jīng)對向配置的一對基板的其中一個或兩個上;多個有源元件,與所述電極組群連接;液晶取向膜,形成于所述一對基板各自的對向的面上;以及液晶組合物,夾持于所述一對基板間。項2.根據(jù)項1所述的液晶顯示元件,其中液晶組合物含有選自式(1)所表示的化合物的組群中的至少一種化合物作為第一成分,式(1)中,R1及R2獨立地為碳數(shù)1至12的烷基、碳數(shù)1至12的烷氧基、碳數(shù)2至12的烯基、碳數(shù)2至12的烯基氧基、或者至少一個氫經(jīng)鹵素所取代的碳數(shù)1至12的烷基;環(huán)A及環(huán)C獨立地為1,4-亞環(huán)己基、1,4-亞環(huán)己烯基、1,4-亞苯基、至少一個氫經(jīng)氟或氯所取代的1,4-亞苯基或四氫吡喃-2,5-二基;環(huán)B為2,3-二氟-1,4-亞苯基、2-氯-3-氟-1,4-亞苯基、2,3-二氟-5-甲基-1,4-亞苯基、3,4,5-三氟萘-2,6-二基、或者7,8-二氟色原烷-2,6-二基;Z1及Z2獨立地為單鍵、亞乙基、羰基氧基、或者亞甲基氧基;a為0、1、2或3;b為0或1;而且,a及b的和為3以下。項3.根據(jù)項2所述的液晶顯示元件,其中第一成分為選自式(1-1)至式(1-20)所表示的化合物的組群中的至少一種化合物,式(1-1)至式(1-20)中,R1及R2獨立地為碳數(shù)1至12的烷基、碳數(shù)1至12的烷氧基、碳數(shù)2至12的烯基、碳數(shù)2至12的烯基氧基、或者至少一個氫經(jīng)鹵素所取代的碳數(shù)1至12的烷基。項4.根據(jù)項1至項3中任一項所述的液晶顯示元件,其中基于液晶組合物的重量,第一成分的比例為10重量%至90重量%的范圍。項5.根據(jù)項1至項4中任一項所述的液晶顯示元件,其中液晶組合物含有選自式(2)所表示的化合物的組群中的至少一種化合物作為第二成分,式(2)中,R3及R4獨立地為碳數(shù)1至12的烷基、碳數(shù)1至12的烷氧基、碳數(shù)2至12的烯基、至少一個氫經(jīng)鹵素所取代的碳數(shù)1至12的烷基、或者至少一個氫經(jīng)鹵素所取代的碳數(shù)2至12的烯基;環(huán)D及環(huán)E獨立地為1,4-亞環(huán)己基、1,4-亞苯基、2-氟-1,4-亞苯基、或者2,5-二氟-1,4-亞苯基;Z3為單鍵、亞乙基或者羰基氧基;c為1、2或3。項6.根據(jù)項5所述的液晶顯示元件,其中第二成分為選自式(2-1)至式(2-13)所表示的化合物的組群中的至少一種化合物,式(2-1)至式(2-13)中,R3及R4獨立地為碳數(shù)1至12的烷基、碳數(shù)1至12的烷氧基、碳數(shù)2至12的烯基、至少一個氫經(jīng)鹵素所取代的碳數(shù)1至12的烷基、或者至少一個氫經(jīng)鹵素所取代的碳數(shù)2至12的烯基。項7.根據(jù)項5或項6所述的液晶顯示元件,其中基于液晶組合物的重量,第二成分的比例為10重量%至90重量%的范圍。項8.根據(jù)項1至項7中任一項所述的液晶顯示元件,其中液晶組合物含有選自式(3)所表示的化合物的組群中的至少一種聚合性化合物作為添加物成分,式(3)中,環(huán)F及環(huán)I獨立地為環(huán)己基、環(huán)己烯基、苯基、1-萘基、2-萘基、四氫吡喃-2-基、1,3-二惡烷-2-基、嘧啶-2-基、或者吡啶-2-基,這些環(huán)中,至少一個氫可經(jīng)鹵素、碳數(shù)1至12的烷基、碳數(shù)1至12的烷氧基、或者至少一個氫經(jīng)鹵素所取代的碳數(shù)1至12的烷基所取代;環(huán)G為1,4-亞環(huán)己基、1,4-亞環(huán)己烯基、1,4-亞苯基、萘-1,2-二基、萘-1,3-二基、萘-1,4-二基、萘-1,5-二基、萘-1,6-二基、萘-1,7-二基、萘-1,8-二基、萘-2,3-二基、萘-2,6-二基、萘-2,7-二基、四氫吡喃-2,5-二基、1,3-二惡烷-2,5-二基、嘧啶-2,5-二基、或者吡啶-2,5-二基,這些環(huán)中,至少一個氫可經(jīng)鹵素、碳數(shù)1至12的烷基、碳數(shù)1至12的烷氧基、或者至少一個氫經(jīng)鹵素所取代的碳數(shù)1至12的烷基所取代;Z4及Z5獨立地為單鍵或者碳數(shù)1至10的亞烷基,所述亞烷基中,至少一個-CH2-可經(jīng)-O-、-CO-、-COO-或-OCO-所取代,至少一個-CH2-CH2-可經(jīng)-CH=CH-、-C(CH3)=CH-、-CH=C(CH3)-、或-C(CH3)=C(CH3)-所取代,這些基團中,至少一個氫可經(jīng)氟或氯所取代;P1、P2及P3獨立地為聚合性基;Sp1、Sp2及Sp3獨立地為單鍵、或者碳數(shù)1至10的亞烷基,所述亞烷基中,至少一個-CH2-可經(jīng)-O-、-COO-、-OCO-或-OCOO-所取代,至少一個-CH2-CH2-可經(jīng)-CH=CH-或-C≡C-所取代,這些基團中,至少一個氫可經(jīng)氟或氯所取代;d為0、1或2;e、f及g獨立地為0、1、2、3或4;而且e、f及g的和為1以上。項9.根據(jù)項8所述的液晶顯示元件,其中式(3)中,P1、P2及P3獨立地為選自式(P-1)至式(P-6)所表示的基團的組群中的聚合性基,式(P-1)至式(P-6)中,M1、M2及M3獨立地為氫、氟、碳數(shù)1至5的烷基、或者至少一個氫經(jīng)鹵素所取代的碳數(shù)1至5的烷基;式(3)中,e個P1以及g個P3全部為式(P-4)所表示的基團時,e個Sp1以及g個Sp3的至少一個為至少一個-CH2-經(jīng)-O-、-COO-、-OCO-、或-OCOO-所取代的亞烷基。項10.根據(jù)項8或項9所述的液晶顯示元件,其中添加物成分為選自式(3-1)至式(3-27)所表示的化合物的組群中的至少一種聚合性化合物,式(3-1)至式(3-27)中,P4、P5及P6獨立地為選自式(P-1)至式(P-3)所表示的基團的組群中的聚合性基:式(P-1)至式(P-3)中,M1、M2及M3獨立地為氫、氟、碳數(shù)1至5的烷基、或者至少一個氫經(jīng)鹵素所取代的碳數(shù)1至5的烷基;式(3-1)至式(3-27)中,Sp1、Sp2及Sp3獨立地為單鍵、或者碳數(shù)1至10的亞烷基,所述亞烷基中,至少一個-CH2-可經(jīng)-O-、-COO-、-OCO-或-OCOO-所取代,至少一個-CH2-CH2-可經(jīng)-CH=CH-或-C≡C-所取代,這些基團中,至少一個氫可經(jīng)氟或氯所取代。項11.根據(jù)項8至項10中任一項所述的液晶顯示元件,其中基于液晶組合物的重量,添加物成分的比例為0.03重量%至10重量%的范圍。項12.根據(jù)項1至項11中任一項所述的液晶顯示元件,其中液晶取向膜含有具有光反應性基的聚合體。項13.根據(jù)項12所述的液晶顯示元件,其中聚合體為聚酰胺酸、聚酰亞胺、聚酰胺酸酯、或者這些的混合物。項14.根據(jù)項12或項13所述的液晶顯示元件,其中聚合體是由以下化合物所衍生,所述化合物為選自偶氮苯衍生物、二苯乙烯(stilbene)衍生物、二苯乙炔(tolan)衍生物、二苯基丁二炔(diphenylbutadiyne)衍生物、螺吡喃(spiropyran)衍生物、螺苯并吡喃(spirobenzopyran)衍生物、α-芳基-β-酮酸(α-aryl-β-ketoacid)衍生物、α-亞肼基-β-酮酸(α-hydrazono-β-ketoacid)衍生物、查耳酮(chalcone)衍生物、偶氮衍生物、亞芐基鄰苯二甲酰亞胺(benzylidenephthalimidine)衍生物、半硫靛(hemithioindigo)衍生物、硫靛衍生物、螺惡嗪(spirooxazine)衍生物、桂皮醛(cinnamaldehyde)衍生物、視黃醛(retinal)衍生物、俘精酸酐(fulgide)衍生物、二芳基乙烯(diarylethene)衍生物、聚次甲基系化合物、苯并噻唑啉并螺吡喃(benzothiazolino-spiropyran)衍生物、苯并噻喃(benzothiopyran)系螺吡喃衍生物、以及這些衍生物的異構體或者雜原子取代體的組群中的至少一種化合物。項15.根據(jù)項12至項14中任一項所述的液晶顯示元件,其中聚合體是由具有選自式(I)至式(VII)所表示的基團的組群中的光反應性基的化合物所衍生,-C≡C-(I)-C≡C-C≡C-(II)-C≡C-CH=CH-(III)-C≡C-R7-C≡C-(IV)-C≡C-R7-CH=CH-(V)-CH=CH-(VI)-N=N-(VII)式(IV)及式(V)中,R7為具有芳香環(huán)的二價有機基。項16.根據(jù)項1至項11中任一項所述的液晶顯示元件,其中液晶取向膜含有由如下四羧酸二酐以及二胺的至少一個衍生而成的聚合體,所述四羧酸二酐以及二胺具有選自式(I)至式(VII)所表示的基團的組群中的光反應性基,-C≡C-(I)-C≡C-C≡C-(II)-C≡C-CH=CH-(III)-C≡C-R7-C≡C-(IV)-C≡C-R7-CH=CH-(V)-CH=CH-(VI)-N=N-(VII)式(IV)及式(V)中,R7為具有芳香環(huán)的二價有機基。項17.根據(jù)項16所述的液晶顯示元件,其中液晶取向膜含有由式(PAN-1)或式(PAN-2)所表示的化合物衍生而成的聚合體,項18.根據(jù)項16所述的液晶顯示元件,其中液晶取向膜含有由選自式(PDI-1)至式(PDI-8)所表示的化合物中的至少一種化合物衍生而成的聚合體,式(PDI-1)至式(PDI-8)中,鍵結位置并不固定于構成環(huán)的任一碳原子上的基團表示所述環(huán)中的鍵結位置為任一碳原子;R8為-CH3、-OCH3、-CF3、或-COOCH3;h為0至2的整數(shù)。項19.根據(jù)項16所述的液晶顯示元件,其中液晶取向膜含有由式(PDI-6-1)或式(PDI-7-1)所表示的化合物衍生而成的聚合體,項20.根據(jù)項16至項19中任一項所述的液晶顯示元件,其中液晶取向膜含有進而使用選自式(AN-I)至式(AN-VII)所表示的化合物的組群中的至少一種化合物來衍生而成的聚合體,式(AN-I)至式(AN-VII)中,X為單鍵或-CH2-;G為單鍵、碳數(shù)1至20的亞烷基、-CO-、-O-、-S-、-SO2-、-C(CH3)2-、或-C(CF3)2-;Y為選自下述三價基的組群中的1個:這些基團中,至少一個氫可經(jīng)甲基、乙基或苯基所取代;環(huán)J為碳數(shù)3至10的單環(huán)式烴的基團或者碳數(shù)6至30的縮合多環(huán)式烴的基團,這些基團中,至少一個氫可經(jīng)甲基、乙基或苯基所取代,懸掛于環(huán)上的結合鍵與構成環(huán)的任一碳連結,兩根結合鍵也可連結于同一碳上;X10為碳數(shù)2至6的亞烷基;Me為甲基;Ph為苯基;G10為-O-、-COO-、或-OCO-;i為0或1。項21.根據(jù)項16至項19中任一項所述的液晶顯示元件,其中液晶取向膜含有進而使用選自式(AN-1-1)、式(AN-1-13)、式(AN-2-1)、式(AN-3-1)、式(AN-3-2)、式(AN-4-5)、式(AN-4-17)、式(AN-4-21)、式(AN-4-28)、式(AN-4-29)、式(AN-7-2)、式(AN-10)、以及式(AN-11-3)所表示的化合物的組群中的至少一種化合物來衍生而成的聚合體,式(AN-4-17)中,j為1至12的整數(shù)。項22.根據(jù)項16至項20中任一項所述的液晶顯示元件,其中液晶取向膜含有進而使用選自式(DI-1)至式(DI-15)所表示的化合物的組群中的至少一種化合物來衍生而成的聚合體,式(DI-1)至式(DI-7)中,k為1至12的整數(shù);G21為單鍵、-NH-、-O-、-S-、-S-S-、-SO2-、-CO-、-CONH-、-CON(CH3)-、-NHCO-、-C(CH3)2-、-C(CF3)2-、-(CH2)m-、-O-(CH2)m-O-、-N(CH3)-(CH2)n-N(CH3)-、或-S-(CH2)m-S-;m為1至12的整數(shù);n為1至5的整數(shù);G22為單鍵、-O-、-S-、-CO-、-C(CH3)2-、-C(CF3)2-、或者碳數(shù)1至10的亞烷基;環(huán)己烷環(huán)或苯環(huán)的至少一個氫可經(jīng)氟、-CH3、-OH、-CF3、-CO2H、-CONH2、或者芐基所取代,此外,式(DI-4)中,苯環(huán)的至少一個氫可經(jīng)下述式(DI-4-a)至式(DI-4-c)所取代;R9為氫或-CH3;鍵結位置并不固定于構成環(huán)的任一碳原子上的基團表示所述環(huán)中的鍵結位置為任一碳原子,-NH2在環(huán)己烷環(huán)或苯環(huán)上的鍵結位置是除G21或G22的鍵結位置以外的任一位置,式(DI-8)至式(DI-12)中,R10及R11獨立地為碳數(shù)1至3的烷基或者苯基;G23為碳數(shù)1至6的亞烷基、亞苯基或者至少一個氫經(jīng)烷基取代的亞苯基;p為1至10的整數(shù);R12為碳數(shù)1至5的烷基、碳數(shù)1至5的烷氧基或者氯;q為0至3的整數(shù);r為0至4的整數(shù);R13為氫、碳數(shù)1至4的烷基、苯基或芐基;G24為-CH2-或-NH-;G25為單鍵、碳數(shù)2至6的亞烷基或者1,4-亞苯基;s為0或1;鍵結位置并不固定于構成環(huán)的任一碳原子上的基團表示所述環(huán)中的鍵結位置為任一碳原子;與苯環(huán)鍵結的-NH2的鍵結位置為任一位置,式(DI-13)至式(DI-15)中,G31為單鍵、碳數(shù)1至20的亞烷基、-CO-、-O-、-S-、-SO2-、-C(CH3)2-、或-C(CF3)2-;環(huán)K為環(huán)己烷環(huán)、苯環(huán)、或者萘環(huán),這些基團中,至少一個氫可經(jīng)甲基、乙基或苯基所取代;環(huán)L為環(huán)己烷環(huán)、或者苯環(huán),這些基團中,至少一個氫可經(jīng)甲基、乙基或苯基所取代。項23.根據(jù)項16至項20中任一項所述的液晶顯示元件,其中液晶取向膜含有進而使用選自式(DI-1-3)、式(DI-4-1)、式(DI-5-1)、式(DI-5-5)、式(DI-5-9)、式(DI-5-12)、式(DI-5-22)、式(DI-5-28)、式(DI-5-30)、式(DI-5-31)、式(DI-7-3)、式(DI-9-1)、式(DI-13-1)、式(DI-13-2)、式(DI-14-1)、以及式(DI-14-2)所表示的化合物的組群中的至少一種化合物來衍生而成的聚合體,式(DI-1-3)、式(DI-4-1)、式(DI-5-1)、式(DI-5-5)、式(DI-5-9)、式(DI-5-12)、式(DI-5-22)、式(DI-5-28)、式(DI-5-30)、式(DI-5-31)、式(DI-7-3)、式(DI-9-1)、式(DI-13-1)、式(DI-13-2)、式(DI-14-1)、以及式(DI-14-2)中,m為1至12的整數(shù);n為1至5的整數(shù);t為1或2。項24.根據(jù)項1至項23中任一項所述的液晶顯示元件,其中液晶顯示元件的運作模式為VA模式、ECB模式、OCB模式、IPS模式、FFS模式、PSA模式、或者FPA模式,液晶顯示元件的驅(qū)動方式為有源矩陣方式。項25.根據(jù)項1至項24中任一項所述的液晶顯示元件,其中液晶顯示元件的運作模式為IPS模式或者FFS模式,液晶顯示元件的驅(qū)動方式為有源矩陣方式。項26.一種液晶組合物,其用于根據(jù)項2至項11中任一項所述的液晶顯示元件。項27.根據(jù)項26所述的液晶組合物,其25℃下的彈性常數(shù)(K11)為11pN以上,彈性常數(shù)(K33)為11pN以上。項28.一種液晶顯示元件,其含有根據(jù)項26或項27所述的液晶組合物,且25℃下的閃爍率為0%至1%的范圍。項29.一種液晶取向膜,其用于根據(jù)項12至項23中任一項所述的液晶顯示元件。項30.根據(jù)項29所述的液晶取向膜,其25℃下的體積電阻率(ρ)為1.0×1014Ωcm以上。項31.根據(jù)項29所述的液晶取向膜,其25℃下的介電常數(shù)(ε)為3至5的范圍。本發(fā)明還包括以下各項。(a)所述組合物,其還含有光學活性化合物、抗氧化劑、紫外線吸收劑、色素、消泡劑、聚合性化合物、聚合引發(fā)劑、聚合抑制劑等添加物的至少一種。(b)一種AM元件,其含有所述組合物。(c)還含有聚合性化合物的所述組合物、以及含有所述組合物的聚合物穩(wěn)定取向(PSA)型的AM元件。(d)一種聚合物穩(wěn)定取向(PSA)型的AM元件,其含有所述組合物,且所述組合物中的聚合性化合物進行聚合。(e)一種元件,其含有所述組合物,而且具有PC、TN、STN、ECB、OCB、IPS、VA、FFS、或者FPA的模式。(f)一種透過型的元件,其含有所述組合物。(g)將所述組合物作為具有向列相的組合物的用途。(h)通過在所述組合物中添加光學活性化合物而作為光學活性組合物的用途。本發(fā)明還包括以下各項。(i)一種液晶顯示元件,其含有所述液晶組合物,且含有選自式(1-1)至式(1-20)所表示的化合物的組群中的至少一種化合物作為第一成分,而且基于第一成分的重量,式(1-1)、式(1-2)、式(1-3)、式(1-5)、式(1-7)、式(1-8)、式(1-10)、式(1-14)、式(1-17)、式(1-18)所表示的化合物的合計比例為50重量%至100重量%的范圍。(j)一種液晶顯示元件,其含有所述液晶組合物,且基于液晶組合物的重量,式(1-1)、式(1-2)、式(1-3)、式(1-5)、式(1-7)、式(1-8)、式(1-10)、式(1-14)、式(1-17)、式(1-18)所表示的化合物的合計比例為10重量%至90重量%的范圍。(k)一種液晶顯示元件,其含有所述液晶組合物,且基于液晶組合物的重量,式(1-1)、式(1-2)、式(1-3)、式(1-5)、式(1-7)、式(1-8)、式(1-10)、式(1-14)、式(1-17)、式(1-18)所表示的化合物的合計的比例為20重量%至85重量%的范圍。以如下順序?qū)Ρ景l(fā)明的液晶顯示元件中的液晶組合物進行說明。第一,對組合物中的成分化合物的構成進行說明。第二,對成分化合物的主要特性、以及所述化合物給組合物帶來的主要效果進行說明。第三,對組合物中的成分的組合、成分的優(yōu)選比例及其根據(jù)進行說明。第四,對成分化合物的優(yōu)選形態(tài)進行說明。第五,示出優(yōu)選的成分化合物。第六,對可添加于組合物中的添加物進行說明。第七,對成分化合物的合成方法進行說明。第八,對組合物的用途進行說明。以如下順序?qū)σ壕∠蚰みM行說明。第九,對具有光反應性基的聚酰胺酸或其衍生物、以及具有光反應性基的二胺進行說明。第十,對其他四羧酸二酐進行說明。第十一,對其他二胺進行說明。第十二,對液晶取向劑進行說明。第十三,對液晶取向膜進行說明。第一,對組合物中的成分化合物的構成進行說明。本發(fā)明的組合物被分類為組合物A及組合物B。組合物A除了含有選自化合物(1)及化合物(2)中的液晶性化合物以外,也可還含有其他的液晶性化合物、添加物等?!捌渌囊壕曰衔铩笔桥c化合物(1)及化合物(2)不同的液晶性化合物。此種化合物是出于進一步調(diào)整特性的目的而混合于組合物中。添加物為光學活性化合物、抗氧化劑、紫外線吸收劑、色素、消泡劑、聚合性化合物、聚合引發(fā)劑、聚合抑制劑等。組合物B實質(zhì)上僅包含選自化合物(1)及化合物(2)中的液晶性化合物?!皩嵸|(zhì)上”是指組合物雖可含有添加物,但不含其他的液晶性化合物。與組合物A相比較,組合物B的成分的數(shù)量少。就降低成本的觀點而言,組合物B優(yōu)于組合物A。就可通過混合其他的液晶性化合物來進一步調(diào)整特性的觀點而言,組合物A優(yōu)于組合物B。第二,對成分化合物的主要特性、以及所述化合物給組合物的特性帶來的主要效果進行說明。基于本發(fā)明的效果,將成分化合物的主要特性歸納于表2中。表2的記號中,L是指大或高,M是指中等程度的,S是指小或低。記號L、M、S是基于成分化合物之間的定性比較的分類,0(零)是指值為零,或者值接近于零。表2.化合物的特性化合物化合物(1)化合物(2)上限溫度S~MS~L粘度LS~M光學各向異性M~LS~L介電各向異性L1)0比電阻LL1)介電各向異性的值為負,記號表示絕對值的大小。當將成分化合物混合于組合物中時,成分化合物給組合物的特性帶來的主要效果如下所述?;衔?1)提高介電各向異性,而且降低下限溫度?;衔?2)降低粘度,或者提高上限溫度?;衔?3)通過聚合來提供聚合體,所述聚合體縮短元件的響應時間,而且改善圖像的殘像。第三,對組合物中的成分的組合、成分化合物的優(yōu)選比例以及其根據(jù)進行說明。組合物中的成分的優(yōu)選組合為第一成分+第二成分、第一成分+添加物成分、或者第一成分+第二成分+添加物成分。進而優(yōu)選的組合為第一成分+第二成分或者第一成分+第二成分+添加物成分。為了提高介電各向異性,第一成分的優(yōu)選比例為約10重量%以上,為了降低下限溫度,第一成分的優(yōu)選比例為約90重量%以下。進而優(yōu)選的比例為約20重量%至約85重量%的范圍。特別優(yōu)選的比例為約30重量%至約85重量%的范圍。為了提高上限溫度,或者為了降低粘度,第二成分的優(yōu)選比例為約10重量%以上,為了提高介電各向異性,第二成分的優(yōu)選比例為約90重量%以下。進而優(yōu)選的比例為約15重量%至約75重量%的范圍。特別優(yōu)選的比例為約15重量%至約60重量%的范圍。化合物(3)是出于適合于聚合物穩(wěn)定取向型的元件的目的而添加至組合物中。基于液晶組合物的重量,為了使液晶分子取向,所述添加物的優(yōu)選比例為約0.03重量%以上,為了防止元件的顯示不良,所述添加物的優(yōu)選比例為約10重量%以下。進而優(yōu)選的比例為約0.1重量%至約2重量%的范圍。特別優(yōu)選的比例為約0.2重量%至約1重量%的范圍。第四,對成分化合物的優(yōu)選形態(tài)進行說明。式(1)及式(2)中,R1及R2獨立地為碳數(shù)1至12的烷基、碳數(shù)1至12的烷氧基、碳數(shù)2至12的烯基、碳數(shù)2至12的烯基氧基、或者至少一個氫經(jīng)鹵素所取代的碳數(shù)1至12的烷基。為了提高穩(wěn)定性,優(yōu)選的R1或R2為碳數(shù)1至12的烷基,為了提高介電各向異性,優(yōu)選的R1或R2為碳數(shù)1至12的烷氧基。R3及R4獨立地為碳數(shù)1至12的烷基、碳數(shù)1至12的烷氧基、碳數(shù)2至12的烯基、至少一個氫經(jīng)鹵素所取代的碳數(shù)1至12的烷基、或者至少一個氫經(jīng)鹵素所取代的碳數(shù)2至12的烯基。為了降低粘度,優(yōu)選的R3或R4為碳數(shù)2至12的烯基,為了提高穩(wěn)定性,優(yōu)選的R3或R4為碳數(shù)1至12的烷基。烷基為直鏈狀或者分支狀,不包含環(huán)狀烷基。直鏈狀烷基優(yōu)于分支狀烷基。這些情況對于烷氧基、烯基等的末端基也同樣。優(yōu)選的烷基為:甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基或辛基。為了降低粘度,進而優(yōu)選的烷基為乙基、丙基、丁基、戊基或庚基。至少一個氫經(jīng)鹵素所取代的烷基的優(yōu)選例為:氟甲基、2-氟乙基、3-氟丙基、4-氟丁基、5-氟戊基、6-氟己基、7-氟庚基或8-氟辛基。為了提高介電各向異性,進而優(yōu)選例為2-氟乙基、3-氟丙基、4-氟丁基或5-氟戊基。優(yōu)選的烷氧基為:甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基或庚氧基。為了降低粘度,進而優(yōu)選的烷氧基為甲氧基或者乙氧基。優(yōu)選的烯基為:乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、1-戊烯基、2-戊烯基、3-戊烯基、4-戊烯基、1-己烯基、2-己烯基、3-己烯基、4-己烯基或5-己烯基。為了降低粘度,進而優(yōu)選的烯基為乙烯基、1-丙烯基、3-丁烯基或3-戊烯基。這些烯基中的-CH=CH-的優(yōu)選立體構型依存于雙鍵的位置。出于為了降低粘度等原因,在1-丙烯基、1-丁烯基、1-戊烯基、1-己烯基、3-戊烯基、3-己烯基之類的烯基中優(yōu)選為反式構型。在2-丁烯基、2-戊烯基、2-己烯基之類的烯基中優(yōu)選為順式構型。優(yōu)選的烯基氧基為:乙烯基氧基、烯丙基氧基、3-丁烯基氧基、3-戊烯基氧基或4-戊烯基氧基。為了降低粘度,進而優(yōu)選的烯基氧基為烯丙基氧基或者3-丁烯基氧基。至少一個氫經(jīng)鹵素所取代的烯基的優(yōu)選例為:2,2-二氟乙烯基、3,3-二氟-2-丙烯基、4,4-二氟-3-丁烯基、5,5-二氟-4-戊烯基、或者6,6-二氟-5-己烯基。為了降低粘度,進而優(yōu)選例為2,2-二氟乙烯基或者4,4-二氟-3-丁烯基。環(huán)A及環(huán)C獨立地為1,4-亞環(huán)己基、1,4-亞環(huán)己烯基、1,4-亞苯基、至少一個氫經(jīng)氟或氯所取代的1,4-亞苯基或四氫吡喃-2,5-二基?!爸辽僖粋€氫經(jīng)氟或氯所取代的1,4-亞苯基”的優(yōu)選例為:2-氟-1,4-亞苯基、2,3-二氟-1,4-亞苯基、或者2-氯-3-氟-1,4-亞苯基。為了降低粘度,優(yōu)選的環(huán)A或者環(huán)C為1,4-亞環(huán)己基,為了提高介電各向異性,優(yōu)選的環(huán)A或者環(huán)C為四氫吡喃-2,5-二基,為了提高光學各向異性,優(yōu)選的環(huán)A或者環(huán)C為1,4-亞苯基。為了提高上限溫度,與1,4-亞環(huán)己基有關的立體構型為是反式構型優(yōu)于順式構型。四氫吡喃-2,5-二基為或者優(yōu)選為環(huán)B為2,3-二氟-1,4-亞苯基、2-氯-3-氟-1,4-亞苯基、2,3-二氟-5-甲基-1,4-亞苯基、3,4,5-三氟萘-2,6-二基、或者7,8-二氟色原烷-2,6-二基。為了降低粘度,優(yōu)選的環(huán)B為2,3-二氟-1,4-亞苯基,為了降低光學各向異性,優(yōu)選的環(huán)B為2-氯-3-氟-1,4-亞苯基,為了提高介電各向異性,優(yōu)選的環(huán)B為7,8-二氟色原烷-2,6-二基。環(huán)D及環(huán)E獨立地為1,4-亞環(huán)己基、1,4-亞苯基、2-氟-1,4-亞苯基、或者2,5-二氟-1,4-亞苯基。為了降低粘度,或者為了提高上限溫度,優(yōu)選的環(huán)D或者環(huán)E為1,4-亞環(huán)己基,為了降低下限溫度,優(yōu)選的環(huán)D或者環(huán)E為1,4-亞苯基。Z1及Z2獨立地為單鍵、亞乙基、羰基氧基、或者亞甲基氧基。為了降低粘度,優(yōu)選的Z1或Z2為單鍵,為了降低下限溫度,優(yōu)選的Z1或Z2為亞乙基,為了提高介電各向異性,優(yōu)選的Z1或Z2為亞甲基氧基。Z3為單鍵、亞乙基或者羰基氧基。為了提高穩(wěn)定性,優(yōu)選的Z3為單鍵。a為0、1、2或3,b為0或1,而且,a與b的和為3以下。為了降低粘度,優(yōu)選的a為1,為了提高上限溫度,優(yōu)選的a為2或3。為了降低粘度,優(yōu)選的b為0,為了降低下限溫度,優(yōu)選的b為1。c為1、2或3。為了降低粘度,優(yōu)選的c為1,為了提高上限溫度,優(yōu)選的c為2或3。式(3)中,P1、P2及P3獨立地為聚合性基。優(yōu)選的P1、P2或P3為選自式(P-1)至式(P-6)所表示的基團的組群中的聚合性基。進而優(yōu)選的P1、P2或P3為基團(P-1)或者基團(P-2)。特別優(yōu)選的基團(P-1)為-OCO-CH=CH2或-OCO-C(CH3)=CH2?;鶊F(P-1)至基團(P-6)的波形線表示所鍵結的部位。基團(P-1)至基團(P-6)中,M1、M2及M3獨立地為氫、氟、碳數(shù)1至5的烷基、或者至少一個氫經(jīng)鹵素所取代的碳數(shù)1至5的烷基。為了提高反應性,優(yōu)選的M1、M2或M3為氫或者甲基。進而優(yōu)選的M1為甲基,進而優(yōu)選的M2或M3為氫。當e個P1、d×f個P2及g個P3中的至少兩個為基團(P-1)時,P1、P2及P3中的任意2個M1、M2或M3可相同,或者也可不同。在基團(P-2)或者基團(P-3)時也同樣。當e個P1以及g個P3全部為基團(P-4)時,e個Sp1以及g個Sp3中的至少一個為至少一個-CH2-經(jīng)-O-、-COO-、-OCO-、或-OCOO-所取代的亞烷基。即,e個P1以及g個P3不會全部為1-丙烯基之類的烯基。式(3-1)至式(3-27)中,P4、P5及P6獨立地為式(P-1)至式(P-3)所表示的基團。優(yōu)選的P4、P5或P6為基團(P-1)或者基團(P-2)。進而優(yōu)選的基團(P-1)為-OCO-CH=CH2或-OCO-C(CH3)=CH2?;鶊F(P-1)至基團(P-3)的波形線表示所鍵結的部位。當1個或2個P4、1個或2個P5、以及1個或2個P6中的至少兩個為基團(P-1)時,P4、P5及P6中的任意2個M1、M2或M3可相同,或者也可不同。在基團(P-2)或者基團(P-3)時也同樣。式(3)中,Sp1、Sp2及Sp3獨立地為單鍵或者碳數(shù)1至10的亞烷基,所述亞烷基中,至少一個-CH2-可經(jīng)-O-、-COO-、-OCO-或-OCOO-所取代,至少一個-CH2-CH2-可經(jīng)-CH=CH-或-C≡C-所取代,這些基團中,至少一個氫可經(jīng)氟或氯所取代。優(yōu)選的Sp1、Sp2或Sp3為單鍵。環(huán)F及環(huán)I獨立地為環(huán)己基、環(huán)己烯基、苯基、1-萘基、2-萘基、四氫吡喃-2-基、1,3-二惡烷-2-基、嘧啶-2-基、或者吡啶-2-基,這些環(huán)中,至少一個氫可經(jīng)鹵素、碳數(shù)1至12的烷基、碳數(shù)1至12的烷氧基、或者至少一個氫經(jīng)鹵素所取代的碳數(shù)1至12的烷基所取代。優(yōu)選的環(huán)F及環(huán)I為苯基。環(huán)G為1,4-亞環(huán)己基、1,4-亞環(huán)己烯基、1,4-亞苯基、萘-1,2-二基、萘-1,3-二基、萘-1,4-二基、萘-1,5-二基、萘-1,6-二基、萘-1,7-二基、萘-1,8-二基、萘-2,3-二基、萘-2,6-二基、萘-2,7-二基、四氫吡喃-2,5-二基、1,3-二惡烷-2,5-二基、嘧啶-2,5-二基、或者吡啶-2,5-二基,這些環(huán)中,至少一個氫可經(jīng)鹵素、碳數(shù)1至12的烷基、碳數(shù)1至12的烷氧基、或者至少一個氫經(jīng)鹵素所取代的碳數(shù)1至12的烷基所取代。優(yōu)選的環(huán)G為1,4-亞苯基、或者2-氟-1,4-亞苯基。Z4及Z5獨立地為單鍵或者碳數(shù)1至10的亞烷基,所述亞烷基中,至少一個-CH2-可經(jīng)-O-、-CO-、-COO-或-OCO-所取代,至少一個-CH2-CH2-可經(jīng)-CH=CH-、-C(CH3)=CH-、-CH=C(CH3)-、或-C(CH3)=C(CH3)-所取代,這些基團中,至少一個氫可經(jīng)氟或氯所取代。優(yōu)選的Z4或Z5為單鍵、-CH2CH2-、-CH2O-、-OCH2-、-COO-、或-OCO-。進而優(yōu)選的Z4或Z5為單鍵。d為0、1或2。優(yōu)選的d為0或1。e、f及g獨立地為0、1、2、3或4,而且e、f及g的和為1以上。優(yōu)選的e、f或g為1或2。第五,示出優(yōu)選的成分化合物。第一成分是介電各向異性為負的大的化合物(1)。優(yōu)選的化合物(1)為項3中記載的化合物(1-1)至化合物(1-20)。就降低元件的閃爍率的觀點而言,優(yōu)選的化合物如下所述。具有單鍵或者亞乙基的化合物優(yōu)于具有亞甲基氧基的化合物。具有1,4-亞環(huán)己基或者1,4-亞苯基的化合物優(yōu)于具有四氫吡喃-2,5-二基的化合物。具體而言,進而優(yōu)選的化合物為:化合物(1-1)、化合物(1-2)、化合物(1-3)、化合物(1-5)、化合物(1-7)、化合物(1-8)、化合物(1-10)、化合物(1-14)、化合物(1-17)、或者化合物(1-18)?;诘谝怀煞值闹亓?,這些化合物的合計比例優(yōu)選為50重量%至100重量%的范圍。基于液晶組合物的重量,這些化合物的合計比例優(yōu)選為10重量%至90重量%的范圍。基于液晶組合物的重量,這些化合物的合計比例進而優(yōu)選為20重量%至85重量%的范圍。第二成分為介電各向異性小的化合物(2)。優(yōu)選的化合物(2)為項6中記載的化合物(2-1)至化合物(2-13)。這些化合物中,優(yōu)選為第二成分的至少一個為化合物(2-1)、化合物(2-3)、化合物(2-5)、化合物(2-6)、或者化合物(2-7)。優(yōu)選為第二成分的至少兩個為化合物(2-1)及化合物(2-3)、或者化合物(2-1)及化合物(2-5)的組合。優(yōu)選的化合物(3)為項10中記載的化合物(3-1)至化合物(3-27)。這些化合物中,優(yōu)選為添加物成分的至少一個為化合物(3-1)、化合物(3-2)、化合物(3-24)、化合物(3-25)、化合物(3-26)、或者化合物(3-27)。優(yōu)選為添加物成分的至少兩個為化合物(3-1)及化合物(3-2)、化合物(3-1)及化合物(3-18)、化合物(3-2)及化合物(3-24)、化合物(3-2)及化合物(3-25)、化合物(3-2)及化合物(3-26)、化合物(3-25)及化合物(3-26)、或者化合物(3-18)及化合物(3-24)的組合?;鶊F(P-1)至基團(P-3)中,優(yōu)選的M1、M2或M3為氫或者甲基。優(yōu)選的Sp1、Sp2或Sp3為單鍵、-CH2CH2-、-CH2O-、-OCH2-、-COO-、-OCO-、-CO-CH=CH-、或-CH=CH-CO-。第六,對可添加于組合物中的添加物進行說明。此種添加物為光學活性化合物、抗氧化劑、紫外線吸收劑、色素、消泡劑、聚合性化合物、聚合引發(fā)劑、聚合抑制劑等。出于對液晶分子引起螺旋結構而賦予扭轉(zhuǎn)角的目的,將光學活性化合物添加于組合物中。此種化合物的例子為化合物(4-1)至化合物(4-5)。光學活性化合物的優(yōu)選比例為約5重量%以下。進而優(yōu)選的比例為約0.01重量%至約2重量%的范圍。為了在長時間使用元件后,不僅在室溫下,而且在接近于上限溫度的溫度下也維持大的電壓保持率,而將抗氧化劑添加于組合物中。抗氧化劑的優(yōu)選例是z為1至9的整數(shù)的化合物(5)等?;衔?5)中,優(yōu)選的z為1、3、5、7或9。進而優(yōu)選的z為7。z為7的化合物(5)由于揮發(fā)性小,故而對于在長時間使用元件后,不僅在室溫下,而且在接近于上限溫度的溫度下也維持大的電壓保持率而言有效。為了獲得所述效果,抗氧化劑的優(yōu)選比例為約50ppm以上,為了不降低上限溫度,或者為了不提高下限溫度,抗氧化劑的優(yōu)選比例為約600ppm以下。進而優(yōu)選的比例為約100ppm至約300ppm的范圍。紫外線吸收劑的優(yōu)選例為:二苯甲酮衍生物、苯甲酸酯衍生物、三唑衍生物等。另外,具有位阻的胺之類的光穩(wěn)定劑也優(yōu)選。為了獲得所述效果,這些吸收劑或穩(wěn)定劑的優(yōu)選比例為約50ppm以上,為了不降低上限溫度,或者為了不提高下限溫度,這些吸收劑或穩(wěn)定劑的優(yōu)選比例為約10000ppm以下。進而優(yōu)選的比例為約100ppm至約10000ppm的范圍。為了適合于賓主(guesthost,GH)模式的元件,而將偶氮系色素、蒽醌系色素等之類的二色性色素(dichroicdye)添加于組合物中。色素的優(yōu)選比例為約0.01重量%至約10重量%的范圍。為了防止鼓泡,而將二甲基硅酮油、甲基苯基硅酮油等消泡劑添加于組合物中。為了獲得所述效果,消泡劑的優(yōu)選比例為約1ppm以上,為了防止顯示不良,消泡劑的優(yōu)選比例為約1000ppm以下。進而優(yōu)選的比例為約1ppm至約500ppm的范圍。為了適合于聚合物穩(wěn)定取向(PSA)型的元件而使用聚合性化合物?;衔?3)適合于所述目的。也可將與化合物(3)不同的聚合性化合物和化合物(3)一并添加于組合物中。此種聚合性化合物的優(yōu)選例為丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、乙烯基化合物、乙烯基氧基化合物、丙烯基醚、環(huán)氧化合物(氧雜環(huán)丙烷、氧雜環(huán)丁烷)、乙烯基酮等化合物。進而優(yōu)選例為丙烯酸酯或者甲基丙烯酸酯的衍生物?;诰酆闲曰衔锏目傊亓浚衔?3)的優(yōu)選比例為10重量%以上。進而優(yōu)選的比例為50重量%以上。特別優(yōu)選的比例為80重量%以上。最優(yōu)選的比例為100重量%。化合物(3)之類的聚合性化合物通過紫外線照射而聚合。也可在光聚合引發(fā)劑等適當?shù)囊l(fā)劑存在下進行聚合。用以進行聚合的適當條件、引發(fā)劑的適當類型、以及適當?shù)牧恳褳楸绢I域技術人員所知,并記載于文獻中。例如作為光引發(fā)劑的艷佳固(Irgacure)651(注冊商標;巴斯夫(BASF))、艷佳固(Irgacure)184(注冊商標;巴斯夫(BASF))、或者德牢固(Darocure)1173(注冊商標;巴斯夫(BASF))適合于自由基聚合。基于聚合性化合物的總重量,光聚合引發(fā)劑的優(yōu)選比例為約0.1重量%至約5重量%的范圍。進而優(yōu)選的比例為約1重量%至約3重量%的范圍。保管化合物(3)之類的聚合性化合物時,為了防止聚合,也可添加聚合抑制劑。聚合性化合物通常是以未去除聚合抑制劑的狀態(tài)添加于組合物中。聚合抑制劑的例子為:對苯二酚、甲基對苯二酚之類的對苯二酚衍生物、4-叔丁基鄰苯二酚、4-甲氧基苯酚、吩噻嗪等。第七,對成分化合物的合成方法進行說明。這些化合物可利用已知的方法來合成。例示合成方法。化合物(1-7)是利用日本專利特開2000-53602號公報中記載的方法來合成。化合物(2-1)是利用日本專利特開昭59-176221號公報中記載的方法來合成。式(5)的z為1的化合物可自西格瑪奧德里奇(Sigma-AldrichCorporation)獲取。z為7的化合物(5)等可利用美國專利3660505號說明書中記載的方法來合成。未記載合成方法的化合物可利用以下成書中記載的方法來合成:《有機合成》(OrganicSyntheses,約翰威立父子出版公司(JohnWiley&Sons,Inc))、《有機反應》(OrganicReactions,約翰威立父子出版公司(JohnWiley&Sons,Inc))、《綜合有機合成》(ComprehensiveOrganicSynthesis,培格曼出版公司(PergamonPress))、新實驗化學講座(丸善)等。組合物是利用公知的方法,由以所述方式獲得的化合物來制備。例如,將成分化合物進行混合,然后通過加熱而使其相互溶解。第八,對組合物的用途進行說明。所述組合物主要具有約-10℃以下的下限溫度、約70℃以上的上限溫度、以及約0.07至約0.20的范圍的光學各向異性。含有所述組合物的元件具有大的電壓保持率。所述組合物適合于AM元件。所述組合物特別適合于透過型的AM元件。也可通過控制成分化合物的比例,或者通過混合其他的液晶性化合物,來制備具有約0.08至約0.25的范圍的光學各向異性的組合物。通過所述方法,也可制備具有約0.10至約0.30的范圍的光學各向異性的組合物。所述組合物可用作具有向列相的組合物,且可通過添加光學活性化合物而用作光學活性組合物。所述組合物可用于AM元件。進而也可用于PM元件。所述組合物可用于具有PC、TN、STN、ECB、OCB、IPS、FFS、VA、FPA等模式的AM元件或者PM元件。特別優(yōu)選為用于具有TN模式、OCB模式、IPS模式、或者FFS模式的AM元件。具有IPS模式或者FFS模式的AM元件中,當未施加電壓時,相對于玻璃基板,液晶分子的排列可為平行,或者也可為垂直。這些元件可為反射型、透過型或者半透過型。優(yōu)選為用于透過型元件。也可用于非晶硅-TFT元件或者多晶硅-TFT元件。還可用于將所述組合物進行微膠囊化而制作的向列曲線排列相(nematiccurvilinearalignedphase,NCAP)型元件、或使組合物中形成有三維網(wǎng)狀高分子的聚合物分散(polymerdispersed,PD)型的元件。第九,對具有光反應性基的聚酰胺酸或其衍生物、以及具有光反應性基的二胺進行說明。優(yōu)選的液晶取向膜是由含有具有光反應性基的聚合體的液晶取向劑來制備。優(yōu)選的光反應性基為源自如下化合物的基團,所述化合物為選自偶氮苯衍生物、二苯乙烯衍生物、二苯乙炔衍生物、二苯基丁二炔衍生物、螺吡喃衍生物、螺苯并吡喃衍生物、α-芳基-β-酮酸衍生物、α-亞肼基-β-酮酸衍生物、查耳酮衍生物、偶氮衍生物、亞芐基鄰苯二甲酰亞胺衍生物、半硫靛衍生物、硫靛衍生物、螺惡嗪衍生物、桂皮醛衍生物、視黃醛衍生物、俘精酸酐衍生物、二芳基乙烯衍生物、聚次甲基系化合物、苯并噻唑啉并螺吡喃衍生物、苯并噻喃系螺吡喃衍生物、以及這些衍生物的異構體或者雜原子取代體的組群中的至少一種化合物。所謂雜原子取代體是至少一個碳原子經(jīng)取代為雜原子的化合物。具有光反應性基的聚酰胺酸或其衍生物是通過將具有例如選自下述式(I)至式(VII)所表示的基團的組群中的至少一種光反應性基的四羧酸二酐或者二胺的至少一個用于原料而獲得。-C≡C-(I)-C≡C-C≡C-(II)-C≡C-CH=CH-(III)-C≡C-R7-C≡C-(IV)-C≡C-R7-CH=CH-(V)-CH=CH-(VI)-N=N-(VII)式(IV)及式(V)中R7為具有芳香環(huán)的二價有機基。就原料的獲取或合成的容易度的觀點而言,優(yōu)選為具有光反應性基的二胺。就特性的觀點而言,優(yōu)選為具有光反應性基的四羧酸二酐。將具有選自式(I)至式(VII)所表示的基團的組群中的光反應性基的四羧酸二酐或者二胺的至少一個用于原料的光取向膜具有良好的感光性。具有適宜的光反應性基的四羧酸二酐的例子可列舉下述式(PAN-1)或者式(PAN-2)的化合物。具有適宜的光反應性基的二胺的例子可列舉下述式(PDI-1)至式(PDI-8)的化合物。式(PDI-1)至式(PDI-8)中,鍵結位置并不固定于構成環(huán)的任一碳原子上的基團表示所述環(huán)中的鍵結位置為任一碳原子;R8為-CH3、-OCH3、-CF3、或-COOCH3;h為0至2的整數(shù)。就反應性或者感光性的方面而言,更優(yōu)選為下述式(PDI-6-1)或式(PDI-7-1)的化合物。第十,對其他的四羧酸二酐進行說明。制造聚酰胺酸或其衍生物時,可進而使用具有光反應性基的四羧酸二酐以外的四羧酸二酐,可自公知的四羧酸二酐中無限制地選擇。此種四羧酸二酐可為屬于在芳香環(huán)上直接鍵結有-CO-O-CO-的芳香族系(包含雜芳香環(huán)系)、以及在芳香環(huán)未直接鍵結有-CO-O-CO-的脂肪族系(包含雜環(huán)系)的任一組群中。就原料獲取的容易度、或聚合物聚合時的容易度、膜的電特性的方面而言,此種四羧酸二酐的例子可列舉式(AN-I)至式(AN-VII)所表示的四羧酸二酐。式(AN-I)至式(AN-VII)中,X為單鍵或-CH2-;G為單鍵、碳數(shù)1至20的亞烷基、-CO-、-O-、-S-、-SO2-、-C(CH3)2-、或-C(CF3)2-;Y為選自下述三價基的組群中的1種。這些基團中,至少一個氫可經(jīng)甲基、乙基或苯基所取代;環(huán)J為碳數(shù)3至10的單環(huán)式烴的基團或者碳數(shù)6至30的縮合多環(huán)式烴的基團,這些基團中,至少一個氫可經(jīng)甲基、乙基或者苯基所取代,懸掛于環(huán)上的結合鍵與構成環(huán)的任一碳連結,兩根結合鍵也可連接于同一碳上;X10為碳數(shù)2至6的亞烷基;Me為甲基;Ph為苯基;G10為-O-、-COO-或-OCO-;i為0或1。進而詳細地列舉以下的式(AN-1)至式(AN-16-14)所表示的四羧酸二酐。式(AN-1)中,G11為單鍵、碳數(shù)1至12的亞烷基、1,4-亞苯基或1,4-亞環(huán)己基。X11為單鍵或-CH2-。G12為下述三價基的任一個。當G12為CH時,CH的氫可經(jīng)取代為-CH3。當G12為N時,G11不會為單鍵或-CH2-,且X11不會為單鍵。而且R14為氫或-CH3。式(AN-1)所表示的四羧酸二酐的例子可列舉下述式所表示的化合物。式(AN-1-2)及式(AN-1-14)中,u為1至12的整數(shù)。式(AN-2)中,R15為氫、-CH3、-CH2CH3、或者苯基。式(AN-2)所表示的四羧酸二酐的例子可列舉下述式所表示的化合物。式(AN-3)中,環(huán)J11為環(huán)己烷環(huán)或苯環(huán)。式(AN-3)所表示的四羧酸二酐的例子可列舉下述式所表示的化合物。式(AN-4)中,G13為單鍵、碳數(shù)1至12的亞烷基、-O-、-S-、-C(CH3)2-、-SO2-、-CO-、-C(CF3)2-、或者下述式(G13-1)所表示的二價基。式(G13-1)中的亞苯基優(yōu)選為1,4-亞苯基或者1,3-亞苯基。環(huán)J11為環(huán)己烷環(huán)或苯環(huán)。G13可鍵結于環(huán)J11的任一位置。式(AN-4)所表示的四羧酸二酐的例子可列舉下述式所表示的化合物。式(AN-4-17)中,u為1至12的整數(shù)。式(AN-5)中,R14為氫或-CH3。鍵結位置并不固定于構成苯環(huán)的碳原子上的R14表示苯環(huán)中的鍵結位置為任一碳原子。式(AN-5)所表示的四羧酸二酐的例子可列舉下述式所表示的化合物。式(AN-6)中,X11為單鍵或-CH2-。X12為-CH2-、-CH2CH2-或-CH=CH-。v為1或2。式(AN-6)所表示的四羧酸二酐的例子可列舉下述式所表示的化合物。式(AN-7)中,X11為單鍵或-CH2-。式(AN-7)所表示的四羧酸二酐的例子可列舉下述式所表示的化合物。式(AN-8)中,X11為單鍵或-CH2-。R16為氫、-CH3、-CH2CH3、或者苯基,環(huán)J12為環(huán)己烷環(huán)或者環(huán)己烯環(huán)。式(AN-8)所表示的四羧酸二酐的例子可列舉下述式所表示的化合物。式(AN-9)中,w為0或1。式(AN-9)所表示的四羧酸二酐的例子可列舉下述式所表示的化合物。式(AN-10)所表示的化合物為下述四羧酸二酐。式(AN-11)中,環(huán)J11為環(huán)己烷環(huán)或苯環(huán)。式(AN-11)所表示的四羧酸二酐的例子可列舉下述式所表示的化合物。式(AN-12)中,環(huán)J11為環(huán)己烷環(huán)或苯環(huán)。式(AN-12)所表示的四羧酸二酐的例子可列舉下述式所表示的化合物。式(AN-13)中,X10為碳數(shù)2至6的亞烷基,Ph為苯基。式(AN-13)所表示的四羧酸二酐的例子可列舉下述式所表示的化合物。下述式中,Ph為苯基。式(AN-14)中,G10獨立地為-O-、-COO-或-OCO-,i為0或1。式(AN-14)所表示的四羧酸二酐的例子可列舉下述式所表示的化合物。式(AN-15)中,x為1至10的整數(shù)。式(AN-15)所表示的四羧酸二酐的例子可列舉下述式所表示的化合物。所述以外的四羧酸二酐的例子可列舉下述化合物。在重視提高液晶顯示元件的取向性的情況下,所述酸二酐中,特別優(yōu)選為式(AN-1-1)、式(AN-1-13)、式(AN-2-1)、式(AN-3-1)、式(AN-4-17)、式(AN-4-28)、或者式(AN-4-29)所表示的化合物。在重視提高液晶顯示元件的透過率的情況下,所述酸二酐中,特別優(yōu)選為式(AN-1-1)、式(AN-1-13)、式(AN-2-1)、式(AN-3-1)、式(AN-4-28)、式(AN-4-29)、式(AN-7-2)、或者式(AN-10)所表示的化合物。在重視提高液晶顯示元件的電特性的情況下,所述酸二酐中,特別優(yōu)選為式(AN-3-2)、式(AN-4-5)、式(AN-4-17)、式(AN-4-21)、式(AN-7-2)、式(AN-10)、或者式(AN-11-3)所表示的化合物。第十一,對其他二胺進行說明。制造本發(fā)明的聚酰胺酸或其衍生物時,可進而使用具有光反應性基的二胺以外的二胺,可自公知的二胺中無限制地選擇。二胺可根據(jù)其結構而分為2種。即,當將連結2個氨基的骨架視為主鏈時,所述二胺為具有自主鏈上分支的基團、即側(cè)鏈基的二胺以及不具有側(cè)鏈基的二胺。所述側(cè)鏈基是具有增大預傾角的效果的基團。具有此種效果的側(cè)鏈基必須為碳數(shù)3以上的基團,具體例可列舉:碳數(shù)3以上的烷基、碳數(shù)3以上的烷氧基、碳數(shù)3以上的烷氧基烷基或具有類固醇骨架的基團。具有1個以上的環(huán)的基團,且其末端的環(huán)具有碳數(shù)1以上的烷基、碳數(shù)1以上的烷氧基、以及碳數(shù)2以上的烷氧基烷基的任一個作為取代基的基團也具有作為側(cè)鏈基的效果。以下的說明中,有時將具有此種側(cè)鏈基的二胺稱為“側(cè)鏈型二胺”。而且,有時將不具有此種側(cè)鏈基的二胺稱為“非側(cè)鏈型二胺”。通過將非側(cè)鏈型二胺與側(cè)鏈型二胺適當?shù)胤珠_使用,可獲得所需的預傾角。非側(cè)鏈型二胺或者側(cè)鏈型二胺可出于提高垂直取向性、電壓保持率、圖像的殘像、取向性之類的特性的目的來使用。側(cè)鏈型二胺優(yōu)選為以不損及本發(fā)明的特性的程度來并用。對非側(cè)鏈型二胺進行說明。已知的非側(cè)鏈型二胺可列舉以下的式(DI-1)至式(DI-12)的二胺、或式(DI-13)至式(DI-15)的二酰肼。此處,二酰肼也包含于二胺中。式(DI-1)至式(DI-7)中,k為1至12的整數(shù);G21為單鍵、-NH-、-O-、-S-、-S-S-、-SO2-、-CO-、-CONH-、-CON(CH3)-、-NHCO-、-C(CH3)2-、-C(CF3)2-、-(CH2)m-、-O-(CH2)m-O-、-N(CH3)-(CH2)n-N(CH3)-、或-S-(CH2)m-S-;m為1至12的整數(shù);n為1至5的整數(shù);G22為單鍵、-O-、-S-、-CO-、-C(CH3)2-、-C(CF3)2-、或者碳數(shù)1至10的亞烷基;環(huán)己烷環(huán)或苯環(huán)的至少一個氫可經(jīng)氟、-CH3、-OH、-CF3、-CO2H、-CONH2、或者芐基所取代,此外,式(DI-4)中,苯環(huán)的至少一個氫可經(jīng)下述式(DI-4-a)至式(DI-4-c)所取代。鍵結位置并不固定于構成環(huán)的碳原子上的基團表示所述環(huán)中的鍵結位置為任一碳原子。而且,-NH2在環(huán)己烷環(huán)或苯環(huán)上的鍵結位置為除了G21或G22的鍵結位置以外的任一位置。式(DI-4-a)及式(DI-4-b)中,R9為氫或-CH3。式(DI-8)至式(DI-12)中,R10及R11獨立地為碳數(shù)1至3的烷基或者苯基;G23為碳數(shù)1至6的亞烷基、亞苯基或者經(jīng)烷基取代的亞苯基;p為1至10的整數(shù);R12為碳數(shù)1至5的烷基、碳數(shù)1至5的烷氧基或者氯;q為0至3的整數(shù);r為0至4的整數(shù);R13為氫、碳數(shù)1至4的烷基、苯基或芐基;G24為-CH2-或-NH-;G25為單鍵、碳數(shù)2至6的亞烷基或者1,4-亞苯基;s為0或1;鍵結位置并不固定于構成環(huán)的任一碳原子上的基團表示所述環(huán)中的鍵結位置為任一碳原子;鍵結于苯環(huán)上的-NH2的鍵結位置為任一位置。式(DI-13)至式(DI-15)中,G31為單鍵、碳數(shù)1至20的亞烷基、-CO-、-O-、-S-、-SO2-、-C(CH3)2-、或-C(CF3)2-;環(huán)K為環(huán)己烷環(huán)、苯環(huán)或者萘環(huán),這些基團中,至少一個氫可經(jīng)甲基、乙基或苯基所取代;環(huán)L為環(huán)己烷環(huán)或苯環(huán),這些基團中,至少一個氫可經(jīng)甲基、乙基或苯基所取代。所述式(DI-1)至式(DI-15)的非側(cè)鏈型二胺的具體例可列舉以下的式(DI-1-1)至式(DI-15-6)的二胺。以下示出式(DI-1)至式(DI-3)所表示的二胺的例子。以下示出式(DI-4)所表示的二胺的例子。以下示出式(DI-5)所表示的二胺的例子。式(DI-5-1)中,m為1至12的整數(shù)。式(DI-5-12)及式(DI-5-13)中,m為1至12的整數(shù)。式(DI-5-16)中,y為1至6的整數(shù)。式(DI-5-30)中,n為1至5的整數(shù)。以下示出式(DI-6)所表示的二胺的例子。以下示出式(DI-7)所表示的二胺的例子。式(DI-7-3)及式(DI-7-4)中,m為1至12的整數(shù),t為1或2。以下示出式(DI-8)所表示的二胺的例子。以下示出式(DI-9)所表示的二胺的例子。以下示出式(DI-10)所表示的二胺的例子。以下示出式(DI-11)所表示的二胺的例子。以下示出式(DI-12)所表示的二胺的例子。以下示出式(DI-13)所表示的二胺的例子。式(DI-13-2)中,t為1至12的整數(shù)。以下示出式(DI-14)所表示的二胺的例子。以下示出式(DI-15)所表示的二胺的例子。對側(cè)鏈型二胺進行說明。側(cè)鏈型二胺的側(cè)鏈基可列舉以下基團。作為側(cè)鏈基,首先可列舉:烷基、烷基氧基、烷基氧基烷基、烷基羰基、烷基羰基氧基、烷基氧基羰基、烷基氨基羰基、烯基、烯基氧基、烯基羰基、烯基羰基氧基、烯基氧基羰基、烯基氨基羰基、炔基、炔基氧基、炔基羰基、炔基羰基氧基、炔基氧基羰基或炔基氨基羰基等。這些基團中,烷基、烯基及炔基均為碳數(shù)3以上的基團。但,烷基氧基烷基中,只要基團整體中的碳數(shù)3為以上即可。這些基團可為直鏈狀,也可為分支鏈狀。繼而,以末端的環(huán)具有碳數(shù)1以上的烷基、碳數(shù)1以上的烷氧基或者碳數(shù)2以上的烷氧基烷基作為取代基的情況為條件,可列舉:苯基、苯基烷基、苯基烷基氧基、苯基氧基、苯基羰基、苯基羰基氧基、苯基氧基羰基、苯基氨基羰基、苯基環(huán)己基氧基、碳數(shù)3以上的環(huán)烷基、環(huán)己基烷基、環(huán)己基氧基、環(huán)己基氧基羰基、環(huán)己基苯基、環(huán)己基苯基烷基、環(huán)己基苯基氧基、雙(環(huán)己基)氧基、雙(環(huán)己基)烷基、雙(環(huán)己基)苯基、雙(環(huán)己基)苯基烷基、雙(環(huán)己基)氧基羰基、雙(環(huán)己基)苯基氧基羰基或者環(huán)己基雙(苯基)氧基羰基等環(huán)結構的基團。進而可列舉:具有2個以上的苯環(huán)的基團;具有2個以上的環(huán)己烷環(huán)的基團;或者環(huán)集合基,其是由苯環(huán)及環(huán)己烷環(huán)所構成的2環(huán)以上的基團,并且鍵結基獨立地為單鍵、-O-、-COO-、-OCO-、-CONH-、或者碳數(shù)1至3的亞烷基,且末端的環(huán)具有碳數(shù)1以上的烷基、碳數(shù)1以上的氟取代烷基、碳數(shù)1以上的烷氧基或者碳數(shù)2以上的烷氧基烷基作為取代基。具有類固醇骨架的基團也作為側(cè)鏈基而有效。側(cè)鏈型二胺可列舉以下的式(DI-16)至式(DI-20)所表示的化合物。式(DI-16)中,G26為單鍵、-O-、-COO-、-OCO-、-CO-、-CONH-、-CH2O-、-OCH2-、-CF2O-、-OCF2-、或-(CH2)A-,A為1至12的整數(shù)。G26的優(yōu)選例為單鍵、-O-、-COO-、-OCO-、-CH2O-、或者碳數(shù)1至3的亞烷基,特別優(yōu)選例為單鍵、-O-、-COO-、-OCO-、-CH2O-、-CH2-、或-CH2CH2-。R17為碳數(shù)3至30的烷基、苯基、具有類固醇骨架的基團或者下述式(DI-16-a)所表示的基團。所述烷基中,至少一個氫可經(jīng)氟所取代,而且至少一個-CH2-可經(jīng)-O-、-CH=CH-、或-C≡C-所取代。所述苯基的氫可經(jīng)氟、-CH3、-OCH3、-OCH2F、-OCHF2、-OCF3、碳數(shù)3至30的烷基或者碳數(shù)3至30的烷氧基所取代。鍵結于苯環(huán)上的-NH2的鍵結位置為所述環(huán)中的任一位置。優(yōu)選的鍵結位置為間位或者對位。即,優(yōu)選為當將基團“R17-G26-”的鍵結位置設為1位時,2個鍵結位置為3位與5位或者2位與5位。式(DI-16-a)中,G27、G28及G29為鍵結基,這些基團獨立地為單鍵、或者碳數(shù)1至12的亞烷基,所述亞烷基中,至少一個-CH2-可經(jīng)-O-、-COO-、-OCO-、-CONH-、-CH=CH-所取代。環(huán)B21、環(huán)B22、環(huán)B23及環(huán)B24獨立地為1,4-亞苯基、1,4-亞環(huán)己基、1,3-二惡烷-2,5-二基、嘧啶-2,5-二基、吡啶-2,5-二基、萘-1,5-二基、萘-2,7-二基或者蒽-9,10-二基,環(huán)B21、環(huán)B22、環(huán)B23、及環(huán)B24中,至少一個氫可經(jīng)氟或-CH3所取代,D、E及F獨立地為0至2的整數(shù),這些的合計為1至5。當D、E或F為2時,各個括弧內(nèi)的2個鍵結基可相同也可不同,而且,2個環(huán)可相同也可不同。R18為氟、-OH、碳數(shù)1至30的烷基、碳數(shù)1至30的氟取代烷基、碳數(shù)1至30的烷氧基、-CN、-OCH2F、-OCHF2、或-OCF3,所述碳數(shù)1至30的烷基的至少一個-CH2-可經(jīng)下述式(DI-16-b)所表示的二價基所取代。式(DI-16-b)中,R19及R20獨立地為碳數(shù)1至3的烷基,G為1至6的整數(shù)。R18的優(yōu)選例為碳數(shù)1至30的烷基以及碳數(shù)1至30的烷氧基。式(DI-17)及式(DI-18)中,G30為單鍵、-CO-或-CH2-,R21為氫或-CH3,R22為氫、碳數(shù)1至20的烷基或者碳數(shù)2至20的烯基。式(DI-18)中的苯環(huán)的1個氫可經(jīng)碳數(shù)1至20的烷基或者苯基所取代。而且,鍵結位置并不固定于構成環(huán)的任一碳原子上的基團表示所述環(huán)中的鍵結位置為任一碳原子。優(yōu)選為式(DI-17)中的2個基團“-亞苯基-G30-O-”的其中一個鍵結于類固醇核的3位上,另一個鍵結于類固醇核的6位上。式(DI-18)中的2個基團“-亞苯基-G30-O-”在苯環(huán)上的鍵結位置優(yōu)選為相對于類固醇核的鍵結位置而為間位或者對位。式(DI-17)及式(DI-18)中,鍵結于苯環(huán)上的-NH2的鍵結位置為任一位置。式(DI-19)及式(DI-20)中,G31獨立地為-O-或者碳數(shù)1至6的亞烷基,G32為單鍵或者碳數(shù)1至3的亞烷基。R23為氫或者碳數(shù)1至20的烷基,所述烷基的至少一個-CH2-可經(jīng)-O-、-CH=CH-或-C≡C-所取代。R24為碳數(shù)6至22的烷基,R25為氫或者碳數(shù)1至22的烷基。環(huán)B25為1,4-亞苯基或者1,4-亞環(huán)己基,H為0或1。而且鍵結于苯環(huán)上的-NH2在所述環(huán)中的鍵結位置為任一碳原子。各-NH2優(yōu)選為相對于G31的鍵結位置而為間位或者對位。以下例示側(cè)鏈型二胺的具體例。所述式(DI-16)至式(DI-20)的側(cè)鏈型二胺可列舉下述式(DI-16-1)至式(DI-20-3)所表示的化合物。以下示出式(DI-16)所表示的化合物的例子。式(DI-16-1)至式(DI-16-11)中,R26為碳數(shù)1至30的烷基或者碳數(shù)1至30的烷氧基,優(yōu)選為碳數(shù)5至25的烷基或者碳數(shù)5至25的烷氧基。R27為碳數(shù)1至30的烷基或者碳數(shù)1至30的烷氧基,優(yōu)選為碳數(shù)3至25的烷基或者碳數(shù)3至25的烷氧基。式(DI-16-12)至式(DI-16-17)中,R28為碳數(shù)4至30的烷基,優(yōu)選為碳數(shù)6至25的烷基。R29為碳數(shù)6至30的烷基,優(yōu)選為碳數(shù)8至25的烷基。式(DI-16-18)至式(DI-16-43)中,R30為碳數(shù)1至20的烷基或者碳數(shù)1至20的烷氧基,優(yōu)選為碳數(shù)3至20的烷基或者碳數(shù)3至20的烷氧基。R31為氫、氟、碳數(shù)1至30的烷基、碳數(shù)1至30的烷氧基、-CN、-OCH2F、-OCHF2或-OCF3,優(yōu)選為碳數(shù)3至25的烷基或者碳數(shù)3至25的烷氧基。而且G33為碳數(shù)1至20的亞烷基。式(DI-16-44)至式(DI-16-50)為具有類固醇骨架的化合物的例子。以下示出式(DI-17)所表示的化合物的例子。以下示出式(DI-18)所表示的化合物的例子。以下示出式(DI-19)所表示的化合物的例子。式(DI-19-1)至式(DI-19-12)中,R32為氫或者碳數(shù)1至20的烷基、優(yōu)選為氫或者碳數(shù)1至10的烷基,而且R33為氫或者碳數(shù)1至12的烷基。以下示出式(DI-20)所表示的化合物的例子。式(DI-20-1)至式(DI-20-3)中,R29為碳數(shù)6至30的烷基,R33為氫或者碳數(shù)1至12的烷基。本發(fā)明中的二胺還可使用所述式(PDI-1)至式(PDI-8)所表示的感光性二胺以及式(DI-1-1)至式(DI-20-3)所表示的二胺以外的二胺。此種二胺例如可列舉式(DI-16-1)至式(DI-20-3)以外的側(cè)鏈型二胺。例如可列舉下述式(DI-21-1)至式(DI-21-8)所表示的化合物。式(DI-21-1)至式(DI-21-8)中,R34表示碳數(shù)3至30的烷基。各二胺中,單胺相對于二胺的比率為40摩爾%以下的范圍,二胺的一部分也可經(jīng)取代為單胺。此種取代由于引起生成聚酰胺酸時的聚合反應的終止,故而可抑制聚合反應的進行。由于可控制所得的聚合體(聚酰胺酸或其衍生物)的分子量,故而可在不損及本發(fā)明的效果的情況下改善液晶取向劑的涂布特性。單胺只要不損及本發(fā)明的效果,則可為一種,也可為兩種以上。單胺例如可列舉:苯胺、4-羥基苯胺、環(huán)己基胺、正丁基胺、正戊基胺、正己基胺、正庚基胺、正辛基胺、正壬基胺、正癸基胺、正十一烷基胺、正十二烷基胺、正十三烷基胺、正十四烷基胺、正十五烷基胺、正十六烷基胺、正十七烷基胺、正十八烷基胺、或者正二十烷基胺。制造聚酰胺酸或其衍生物時,也可在原料中添加單異氰酸酯化合物。通過將單異氰酸酯化合物添加于原料中,則所得的聚酰胺酸或其衍生物的末端得到修飾,分子量得到調(diào)節(jié)。通過使用所述末端修飾型的聚酰胺酸或其衍生物,則例如可在不損及本發(fā)明的效果的情況下改善液晶取向劑的涂布特性。就所述觀點而言,相對于原料的二胺以及四羧酸二酐的總量,原料中的單異氰酸酯化合物的含量優(yōu)選為1摩爾%至10摩爾%。單異氰酸酯化合物例如可列舉異氰酸苯酯、或者異氰酸萘酯。所述二胺的具體例中,在重視進一步提高液晶分子的取向性的情況下,二胺優(yōu)選為式(DI-1-3)、式(DI-5-1)、式(DI-5-12)、式(DI-7-3)、式(DI-13-2)、式(DI-14-1)或者式(DI-14-2)所表示的二胺。所述二胺的具體例中,在重視進一步提高反應性、感光性的情況下,二胺優(yōu)選為式(DI-1-4)、式(DI-4-1)、式(DI-5-1)、式(DI-5-12)、式(DI-5-28)、式(DI-5-30)、式(DI-9-1)、式(DI-13-1)、式(DI-13-2)、式(DI-14-1)或者式(DI-14-2)所表示的二胺。所述二胺的具體例中,在重視進一步提高透過率的情況下,二胺優(yōu)選為式(DI-1-3)、式(DI-1-4)、式(DI-13-1)、(式(DI-13-2)、式(DI-14-1)或者式(DI-14-2)所表示的二胺。所述二胺的具體例中,在重視進一步提高電特性的情況下,二胺優(yōu)選為式(DI-4-1)、式(DI-5-5)、式(DI-5-9)、式(DI-5-21)、式(DI-5-28)、式(DI-5-30)、式(DI-5-31)、式(DI-9-1)、式(DI-14-1)、或者式(DI-14-2)所表示的二胺。第十二,對液晶取向劑進行說明。用以制造本發(fā)明使用的取向膜的液晶取向劑中所使用的聚酰胺酸是通過使酸二酐與二胺在溶劑中進行反應而獲得。所述合成反應中,除了原料的選擇以外不需要特別的條件,可直接應用通常的聚酰胺酸合成中的條件。下文對所使用的溶劑進行說明。液晶取向劑可為所謂的摻合類型,也可還含有聚酰胺酸或其衍生物,也可還含有聚酰胺酸或其衍生物以外的其他成分。其他成分可為1種,也可為2種以上。液晶取向劑也可在不損及本發(fā)明的效果的范圍(優(yōu)選為聚酰胺酸或其衍生物的20重量%以內(nèi)的量)內(nèi),還含有丙烯酸聚合物、丙烯酸酯聚合物、四羧酸二酐、作為二羧酸或其衍生物與二胺的反應產(chǎn)物的聚酰胺酰亞胺等其他聚合物成分。聚酰胺酸或其衍生物可以與聚酰亞胺的膜的形成中所使用的公知的聚酰胺酸或其衍生物相同的方式來制造。四羧酸二酐的總加入量優(yōu)選為設為與二胺的總摩爾數(shù)大致為等摩爾(以摩爾比計為約0.9至約1.1)。聚酰胺酸或其衍生物的分子量以聚苯乙烯換算的重量平均分子量(Mw)計,優(yōu)選為10,000至500,000,進而優(yōu)選為20,000至200,000。聚酰胺酸或其衍生物的分子量可通過利用凝膠滲透色譜(gelpermeationchromatography,GPC)法進行測定而求出。聚酰胺酸或其衍生物可通過利用紅外線(infrared,IR)、核磁共振(nuclearmagneticresonance,NMR),對利用大量的不良溶劑使其沉淀而獲得的固體成分進行分析,來確認其存在。另外,通過氣相色譜(gaschromatography,GC)、高效液相色譜(highperformanceliquidchromatography,HPLC)或者氣相色譜-質(zhì)譜(gaschromatographymassspectrometry,GC-MS),對利用有機溶劑,將由KOH或NaOH等強堿性水溶液而得的聚酰胺酸或其衍生物的分解物進行萃取而得的萃取物進行分析,由此可確認所使用的原料。視需要也可含有經(jīng)烯基取代的納迪克酰亞胺化合物、具有自由基聚合性不飽和雙鍵的化合物、惡嗪化合物、惡唑啉化合物、環(huán)氧化合物、硅烷偶合劑之類的添加物。關于此種添加物,詳細記載于日本專利特開2013-242526號公報的段落0120至段落0231。就液晶取向劑的涂布性或聚酰胺酸或其衍生物的濃度的調(diào)整的觀點而言,液晶取向劑也可還含有溶劑。溶劑只要是具有將高分子成分溶解的能力的溶劑,則可無特別限制地應用。溶劑廣泛包含在聚酰胺酸、可溶性聚酰亞胺等高分子成分的制造步驟或用途方面通常使用的溶劑,可根據(jù)使用目的來適當選擇。溶劑可為1種,也可為2種以上的混合溶劑。溶劑可列舉:聚酰胺酸或其衍生物的母溶劑、或以涂布性改善作為目的其他溶劑。相對于聚酰胺酸或其衍生物而言為母溶劑的非質(zhì)子性極性有機溶劑可列舉:N-甲基-2-吡咯烷酮、二甲基咪唑烷酮、N-甲基己內(nèi)酰胺、N-甲基丙酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、二甲基亞砜、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二乙基甲酰胺、二乙基乙酰胺、γ-丁內(nèi)酯等內(nèi)酯。以涂布性改善等作為目的其他溶劑的例子可列舉:乳酸烷基酯、3-甲基-3-甲氧基丁醇、四氫萘、異佛爾酮、乙二醇單丁醚等乙二醇單烷基醚、二乙二醇單乙醚等二乙二醇單烷基醚、乙二醇單烷基或苯基乙酸酯、三乙二醇單烷基醚、丙二醇單甲醚、丙二醇單丁醚等丙二醇單烷基醚、丙二酸二乙酯等丙二酸二烷基酯、二丙二醇單甲醚等二丙二醇單烷基醚、這些乙酸酯類等的酯化合物。這些中,溶劑特別優(yōu)選為:N-甲基-2-吡咯烷酮、二甲基咪唑烷酮、γ-丁內(nèi)酯、乙二醇單丁醚、二乙二醇單乙醚、丙二醇單丁醚、丙二醇單甲醚、或者二丙二醇單甲醚。液晶取向劑中的聚酰胺酸的濃度優(yōu)選為0.1重量%至40重量%。將所述取向劑涂布于基板上時,為了調(diào)整膜厚,有時需要預先利用溶劑將所含有的聚酰胺酸進行稀釋的操作。取向劑中的固體成分濃度并無特別限定,只要根據(jù)下述各種涂布法來選擇最佳的值即可。通常,為了抑制涂布時的不均或針孔等,相對于清漆重量,所述固體成分濃度優(yōu)選為0.1重量%至30重量%,更優(yōu)選為1重量%至10重量%。第十三,對液晶取向膜進行說明。液晶取向膜是通過對液晶取向劑的涂膜進行加熱而形成。液晶取向膜可利用由液晶取向劑來制作液晶取向膜的通常方法而獲得。例如,液晶取向膜可通過經(jīng)過形成液晶取向劑的涂膜的步驟、進行加熱干燥的步驟、以及進行加熱煅燒的步驟而獲得。視需要,也可在涂膜步驟、加熱干燥步驟之后照射光,或者在加熱煅燒步驟之后照射光,來賦予各向異性。涂膜可通過在液晶顯示元件的基板上涂布液晶取向劑而形成?;宓睦又锌闪信e:可設置有氧化銦錫(IndiumTinOxide,ITO)電極、氧化銦鋅(IndiumZincOxide,IZO)(In2O3-ZnO)電極、IGZO(In-Ga-ZnO4)電極或彩色濾光片等的玻璃制基板。將液晶取向劑涂布于基板上的方法通常已知:旋轉(zhuǎn)器法、印刷法、浸漬法、滴加法、噴墨法等。加熱干燥步驟通常已知:在烘箱或者紅外爐中進行加熱處理的方法、在熱板上進行加熱處理的方法等。加熱干燥步驟優(yōu)選為在溶劑可蒸發(fā)的范圍內(nèi)的溫度下實施,更優(yōu)選為在與加熱煅燒步驟中的溫度相比而言比較低的溫度下實施。具體而言,加熱干燥溫度優(yōu)選為30℃至150℃的范圍,進而優(yōu)選為50℃至120℃的范圍。加熱煅燒步驟可在對聚酰胺酸或其衍生物呈現(xiàn)出脫水·閉環(huán)反應而言所必需的條件下進行。涂膜的煅燒已知:在烘箱或者紅外爐中進行加熱處理的方法、在熱板上進行加熱處理的方法等。通常優(yōu)選為在100℃至300℃左右的溫度下進行1分鐘至3小時,更優(yōu)選為120℃至280℃,進而優(yōu)選為150℃至250℃。利用光取向法的液晶取向膜的形成方法如下所述??赏ㄟ^對液晶取向劑的涂膜進行加熱干燥后,照射放射線的直線偏光或者無偏光,來對涂膜賦予各向異性,然后通過對所述涂膜進行加熱煅燒而形成膜?;蛘?,可通過對涂膜進行加熱干燥,且進行加熱煅燒后,照射放射線的直線偏光或者無偏光而形成膜。就取向性的方面而言,放射線的照射步驟優(yōu)選為在加熱煅燒步驟前進行。通過光照射來對取向膜賦予液晶取向能力的順序如下所述。將本發(fā)明的液晶取向劑涂布于基板上,通過預加熱而使其干燥后,若隔著偏光板來照射紫外線的直線偏光,則與偏光方向大致平行的聚合物鏈上的反應性基產(chǎn)生光異構化(或者光二聚化)。由此,聚合物鏈中,成為決定性的是相對于所照射的紫外線的偏光方向而大致朝向直角方向的成分。對基板進行加熱,使聚酰胺酸進行脫水·閉環(huán)而形成聚酰亞胺膜后,使用所述基板來組裝元件。若在所述元件中注入液晶組合物,則液晶分子排列于聚合物鏈的方向。因此,液晶分子相對于偏光方向而在直角的方向上使長軸一致來取向。對膜照射紫外線的直線偏光的步驟可為用以進行聚酰亞胺化的加熱步驟之前,也可為進行加熱而進行聚酰亞胺化之后。進而,為了提高液晶取向膜的液晶取向能力,還可一邊對涂膜進行加熱一邊照射放射線的直線偏光或者無偏光。放射線的照射可在對涂膜進行加熱干燥的步驟中、或者進行加熱煅燒的步驟中進行,也可在加熱干燥步驟與加熱煅燒步驟之間進行。所述步驟中的加熱干燥溫度優(yōu)選為30℃至150℃的范圍,進而優(yōu)選為50℃至120℃的范圍。另外,所述步驟中的加熱煅燒溫度優(yōu)選為30℃至300℃的范圍,進而優(yōu)選為50℃至250℃的范圍。放射線可使用包含例如150nm至800nm的波長的光的紫外線或者可見光,但優(yōu)選為包含300nm至400nm的光的紫外線。另外,可使用直線偏光或者無偏光。這些光只要是可對涂膜賦予液晶取向能力的光,則并無特別限定,但在欲對液晶表現(xiàn)出強的取向控制力的情況下,優(yōu)選為直線偏光。液晶取向膜即便在低能量的光照射下也可顯示出高的液晶取向能力。放射線照射步驟中的直線偏光的照射量優(yōu)選為0.05J/cm2至20J/cm2,更優(yōu)選為0.5J/cm2至10J/cm2。另外,直線偏光的波長優(yōu)選為200nm至400nm,更優(yōu)選為300nm至400nm。直線偏光對膜表面的照射角度并無特別限定,但在欲表現(xiàn)出對液晶的強的取向控制力的情況下,就縮短取向處理時間的觀點而言,優(yōu)選為相對于膜表面而盡可能垂直。液晶取向膜可通過照射直線偏光,而相對于直線偏光的偏光方向,在垂直的方向上使液晶分子取向。在欲表現(xiàn)出預傾角的情況下對膜照射的光與所述同樣地,可為直線偏光,也可為無偏光。光的照射量優(yōu)選為0.05J/cm2至20J/cm2,特別優(yōu)選為0.5J/cm2至10J/cm2,所述波長優(yōu)選為250nm至400nm,特別優(yōu)選為300nm至380nm。光對膜表面的照射角度并無特別限定,就縮短取向處理時間的觀點而言,優(yōu)選為30度至60度。照射步驟中使用的光源中,可無限制地使用:超高壓水銀燈、高壓水銀燈、低壓水銀燈、深紫外線(DeepUV)燈、鹵素燈、金屬鹵化物燈、高功率金屬鹵化物燈、氙燈、水銀氙燈、準分子燈、KrF準分子激光、熒光燈、發(fā)光二極管(LightEmittingDiode,LED)燈、鈉燈、微波激發(fā)無電極燈等。液晶取向膜的膜厚并無特別限定,優(yōu)選為10nm至300nm,更優(yōu)選為30nm至150nm。所述膜厚可利用階差計或橢偏儀等公知的膜厚測定裝置來測定。取向膜的特征在于具有特別大的取向的各向異性。此種各向異性的大小可利用日本專利特開2005-275364等中記載的偏光紅外法進行評價。另外,如以下的實施例所示,也可利用橢圓偏振法(ellipsometry)進行評價。具有更大的膜的各向異性的取向膜被認為對液晶組合物具有更大的取向控制力。液晶層是以利用形成有液晶取向膜的面對向的一對基板而夾持有液晶組合物的形式來形成。液晶層的形成中,視需要可使用微粒子或樹脂片等介于一對基板之間而形成適當?shù)拈g隔的間隔物。實施例通過實施例來對本發(fā)明進一步進行詳細說明。本發(fā)明不受這些實施例的限制。本發(fā)明包含組成例M1的組合物與組成例M2的組合物的混合物。本發(fā)明還包含將組成例的組合物的至少兩種混合而成的混合物。所合成的化合物是通過NMR分析等方法來鑒定?;衔铩⒔M合物、以及元件的特性是利用下述記載的方法來測定。NMR分析:測定時使用布魯克拜厄斯賓(BrukerBioSpin)公司制造的DRX-500。1H-NMR的測定中,使試樣溶解于CDCl3等氘化溶媒中,在室溫下以500MHz、累計次數(shù)16次的條件進行測定。使用四甲基硅烷作為內(nèi)部標準。19F-NMR的測定中,使用CFCl3作為內(nèi)部標準,以累計次數(shù)24次進行。核磁共振光譜的說明中,s是指單峰(singlet),d是指雙重峰(doublet),t是指三重峰(triplet),q是指四重峰(quartet),quin是指五重峰(quintet),sex是指六重峰(sextet),m是指多重峰(multiplet),br是指寬峰(broad)。氣相色譜分析:測定時使用島津制作所制造的GC-14B型氣相色譜儀。載體氣體為氦氣(2mL/min)。將試樣氣化室設定為280℃,將檢測器(火焰離子化檢測器(flameionizationdetector,F(xiàn)ID))設定為300℃。成分化合物的分離時使用安捷倫科技有限公司(AgilentTechnologiesInc.)制造的毛細管柱DB-1(長度30m、內(nèi)徑0.32mm、膜厚0.25μm;固定液相為二甲基聚硅氧烷;無極性)。所述管柱在200℃下保持2分鐘后,以5℃/min的比例升溫至280℃。將試樣制備成丙酮溶液(0.1重量%)后,將其中的1μL注入至試樣氣化室中。記錄計為島津制作所制造的C-R5A型色譜儀組件(Chromatopac)、或者其同等品。所得的氣相色譜圖表示與成分化合物相對應的峰值的保持時間以及峰值的面積。用以稀釋試樣的溶媒可使用氯仿、己烷等。為了將成分化合物分離,可使用如下的毛細管柱。安捷倫科技有限公司(AgilentTechnologiesInc.)制造的HP-1(長度30m、內(nèi)徑0.32mm、膜厚0.25μm)、瑞斯泰克公司(RestekCorporation)制造的Rtx-1(長度30m、內(nèi)徑0.32mm、膜厚0.25μm)、澳大利亞SGE國際公司(SGEInternationalPty.Ltd)制造的BP-1(長度30m、內(nèi)徑0.32mm、膜厚0.25μm)。出于防止化合物峰值的重疊的目的,可使用島津制作所制造的毛細管柱CBP1-M50-025(長度50m、內(nèi)徑0.25mm、膜厚0.25μm)。組合物中所含有的液晶性化合物的比例可利用如下所述的方法來算出。利用氣相色譜儀(FID)對液晶性化合物(混合物)進行檢測。氣相色譜圖中的峰值的面積比相當于液晶性化合物的比例(重量比)。使用上文記載的毛細管柱時,可將各種液晶性化合物的修正系數(shù)視為1。因此,液晶性化合物的比例(重量%)可根據(jù)峰值的面積比來算出。測定試樣:測定組合物或者元件的特性時,將組合物直接用作試樣。測定化合物的特性時,通過將所述化合物(15重量%)混合于母液晶(85重量%)中來制備測定用的試樣。根據(jù)由測定而得的值,利用外推法來算出化合物的特性值。(外推值)={(試樣的測定值)-0.85×(母液晶的測定值)}/0.15。當在所述比例下,層列相(或者結晶)在25℃下析出時,將化合物與母液晶的比例以10重量%:90重量%、5重量%:95重量%、1重量%:99重量%的順序進行變更。利用所述外推法來求出與化合物相關的上限溫度、光學各向異性、粘度、以及介電各向異性的值。使用下述母液晶。成分化合物的比例是以重量%表示。測定方法:利用下述方法來進行特性的測定。這些方法大多是社團法人電子信息技術產(chǎn)業(yè)協(xié)會(JapanElectronicsandInformationTechnologyIndustriesAssociation;以下稱為JEITA)所審議制定的JEITA標準(JEITA·ED-2521B)中記載的方法、或者將其加以修飾而成的方法。用于測定的TN元件上未安裝薄膜晶體管(ThinFilmTransistor,TFT)。(1)向列相的上限溫度(NI;℃):在具備偏光顯微鏡的熔點測定裝置的熱板上放置試樣,以1℃/min的速度進行加熱。測定試樣的一部分自向列相變化為各向同性液體時的溫度。有時將向列相的上限溫度簡稱為“上限溫度”。(2)向列相的下限溫度(TC;℃):將具有向列相的試樣放入玻璃瓶中,在0℃、-10℃、-20℃、-30℃及-40℃的冷凍器中保管10天后,觀察液晶相。例如,當試樣在-20℃下為向列相的狀態(tài),而在-30℃下變化為結晶或者層列相時,將TC記載為<-20℃。有時將向列相的下限溫度簡稱為“下限溫度”。(3)粘度(體積粘度;η;在20℃下測定;mPa·s):測定時使用東京計器股份有限公司制造的E型旋轉(zhuǎn)粘度計。(4)粘度(旋轉(zhuǎn)粘度;γ1;在25℃下測定;mPa·s):依據(jù)M.今井(M.Imai)等人的《分子晶體與液晶(MolecularCrystalsandLiquidCrystals)》第259期第37頁(1995)中記載的方法來進行測定。在兩塊玻璃基板的間隔(單元間隙)為20μm的VA元件中放入試樣。對所述元件在39伏特至50伏特的范圍內(nèi),以1伏特為單位來階段性地施加電壓。不施加電壓0.2秒后,以僅施加1個矩形波(矩形脈沖;0.2秒)與不施加電壓(2秒)的條件反復施加。測定通過所述施加而產(chǎn)生的暫態(tài)電流(transientcurrent)的峰值電流(peakcurrent)及峰值時間(peaktime)。由這些測定值與M.今井等人的論文中第40頁的計算式(8)來獲得旋轉(zhuǎn)粘度的值。所述計算所需要的介電各向異性是在(6)項中測定。(5)光學各向異性(折射率各向異性;Δn;在25℃下測定):使用波長為589nm的光,利用在接目鏡上安裝有偏光板的阿貝折射計來進行測定。將主棱鏡的表面向一個方向摩擦后,將試樣滴加于主棱鏡上。折射率n∥是在偏光的方向與摩擦的方向平行時進行測定。折射率n⊥是在偏光的方向與摩擦的方向垂直時進行測定。光學各向異性的值是根據(jù)Δn=n∥-n⊥的式子來計算。(6)介電各向異性(Δε;在25℃下測定):根據(jù)Δε=ε∥-ε⊥的式子來計算介電各向異性的值。以如下方式測定介電常數(shù)(ε∥及ε⊥)。1)介電常數(shù)(ε∥)的測定:在經(jīng)充分洗滌的玻璃基板上涂布十八烷基三乙氧基硅烷(0.16mL)的乙醇(20mL)溶液。利用旋轉(zhuǎn)器使玻璃基板旋轉(zhuǎn)后,在150℃下加熱1小時。在兩塊玻璃基板的間隔(單元間隙)為4μm的VA元件中放入試樣,利用以紫外線進行硬化的粘接劑將所述元件密封。對所述元件施加正弦波(0.5V、1kHz),2秒后測定液晶分子的長軸方向的介電常數(shù)(ε∥)。2)介電常數(shù)(ε⊥)的測定:在經(jīng)充分洗滌的玻璃基板上涂布聚酰亞胺溶液。將所述玻璃基板進行煅燒后,對所得的取向膜進行摩擦處理。在兩塊玻璃基板的間隔(單元間隙)為9μm且扭轉(zhuǎn)角為80度的TN元件中放入試樣。對所述元件施加正弦波(0.5V、1kHz),2秒后測定液晶分子的短軸方向的介電常數(shù)(ε⊥)。(7)閾電壓(Vth;在25℃下測定;V):測定時使用大冢電子股份有限公司制造的LCD5100型亮度計。光源為鹵素燈。在兩塊玻璃基板的間隔(單元間隙)為4μm且摩擦方向為反平行的常黑模式(normallyblackmode)的VA元件中放入試樣,使用以紫外線進行硬化的粘接劑將所述元件密封。對所述元件施加的電壓(60Hz、矩形波)是以0.02V為單位,自0V階段性地增加至20V。此時,自垂直方向?qū)υ丈涔?,測定透過元件的光量。制成當所述光量達到最大時透過率為100%,且當所述光量為最小時透過率為0%的電壓-透過率曲線。閾電壓是由透過率達到10%時的電壓來表示。(8)電壓保持率(VHR-1;在25℃下測定;%):用于測定的TN元件具有聚酰亞胺取向膜,而且兩塊玻璃基板的間隔(單元間隙)為5μm。加入試樣后,利用以紫外線進行硬化的粘接劑將所述元件密封。對所述TN元件施加脈沖電壓(5V、60微秒)來充電。利用高速電壓計在16.7毫秒之間測定所衰減的電壓,求出單位周期中的電壓曲線與橫軸之間的面積A。面積B為未衰減時的面積。電壓保持率是由面積A相對于面積B的百分率來表示。(9)電壓保持率(VHR-2;在80℃下測定;%):除了代替25℃而在80℃下進行測定以外,以與所述相同的程序來測定電壓保持率。將所得的值以VHR-2來表示。(10)電壓保持率(VHR-3;在25℃下測定;%):照射紫外線后,測定電壓保持率,來評價對紫外線的穩(wěn)定性。用于測定的TN元件具有聚酰亞胺取向膜,而且單元間隙為5μm。在所述元件中注入試樣,照射光20分鐘。光源為超高壓水銀燈USH-500D(牛尾(Ushio)電機制造),元件與光源的間隔為20cm。VHR-3的測定中,在16.7毫秒之間測定所衰減的電壓。具有大的VHR-3的組合物對紫外線具有大的穩(wěn)定性。VHR-3優(yōu)選為90%以上,更優(yōu)選為95%以上。(11)電壓保持率(VHR-4;在25℃下測定;%):將注入有試樣的TN元件在80℃的恒溫槽內(nèi)加熱500小時后,測定電壓保持率,來評價對熱的穩(wěn)定性。VHR-4的測定中,在16.7毫秒之間測定所衰減的電壓。具有大的VHR-4的組合物對熱具有大的穩(wěn)定性。(12)響應時間(τ;在25℃下測定;ms):測定時使用大冢電子股份有限公司制造的LCD5100型亮度計。光源為鹵素燈。低通濾波器(Low-passfilter)設定為5kHz。在后述實施例中制作的FFS元件中放入試樣。使用以紫外線進行硬化的粘接劑將所述元件密封。對所述元件施加透過元件的光量達到最大的電壓的矩形波(60Hz、0.5秒)。此時,自垂直方向?qū)υ丈涔?,測定透過元件的光量。當所述光量達到最大時視為透過率100%,當所述光量為最小時視為透過率0%。響應時間是以透過率自10%變化至90%所需要的時間(上升時間;risetime;毫秒)與透過率自90%變化至10%所需要的時間(下降時間;falltime;毫秒)的和來表示。響應時間優(yōu)選為60ms以下,進而優(yōu)選為40ms以下。(13)彈性常數(shù)(K11:擴展(spray)彈性常數(shù),K33:彎曲(bend)彈性常數(shù);在25℃下測定;pN):測定時使用東陽特克尼卡(ToyoTechnica)股份有限公司制造的EC-1型彈性常數(shù)測定器。在兩塊玻璃基板的間隔(單元間隙)為20μm的垂直取向單元中放入試樣。對所述單元施加20伏特至0伏特電荷,測定靜電電容及施加電壓。使用《液晶裝置手冊》(日刊工業(yè)新聞公司)第75頁的式(2.98)、式(2.101),將所測定的靜電電容(C)與施加電壓(V)的值進行擬合,由式(2.100)來獲得彈性常數(shù)的值。(14)比電阻(ρ;在25℃下測定;Ωcm):在具備電極的容器中注入試樣1.0mL。對所述容器施加直流電壓(10V),測定10秒后的直流電流。根據(jù)下式來算出比電阻。(比電阻)={(電壓)×(容器的電容)}/{(直流電流)×(真空的介電常數(shù))}。(15)閃爍率(在25℃下測定;%):測定時使用橫河電機(股)制造的多媒體顯示器測試儀(multimediadisplaytester)3298F。光源為LED。在后述實施例中制作的FFS元件中放入試樣。使用以紫外線進行硬化的粘接劑將所述元件密封。對所述元件施加電壓,測定透過元件的光量達到最大的電壓。一邊對元件施加所述電壓,一邊使傳感器部接近元件,讀取所顯示的閃爍率。閃爍率優(yōu)選為2%以下,進而優(yōu)選為1%以下。(16)重量平均分子量(Mw)聚酰胺酸的重量平均分子量是通過使用2695分離模塊·2414示差折射計(沃特斯(Waters)制造),利用GPC法來測定,且進行聚苯乙烯換算來求出。利用磷酸-DMF混合溶液(磷酸/DMF=0.6/100:重量比),以聚酰胺酸濃度成為約2重量%的方式將所得的聚酰胺酸進行稀釋。管柱是使用HSPgelRTMB-M(沃特斯(Waters)制造),將所述混合溶液作為展開劑,以管柱溫度50℃、流速0.40mL/min的條件進行測定。標準聚苯乙烯是使用東曹(股)制造的TSK標準聚苯乙烯。(17)預傾角預傾角的測定時使用分光橢偏儀M-2000U(J.A.沃蘭姆有限公司(J.A.WoollamCo.Inc.)制造)。(18)AC殘像(亮度變化率)測定后述液晶顯示元件的亮度-電壓特性(B-V特性),將其作為應力施加前的亮度-電壓特性:B(之前)。繼而,對元件施加4.5V、60Hz的交流20分鐘后,短路1秒,再次測定亮度-電壓特性(B-V特性)。將其作為應力施加后的亮度-電壓特性:B(之后)。根據(jù)這些值,使用下式來算出亮度變化率ΔB(%)。ΔB(%)=[B(之后)-B(之前)]/B(之前)(式1)所述測定是以國際公開2000-43833號為參考來進行。電壓0.75V下的ΔB(%)的值越小,可以說AC殘像的發(fā)生越少。(19)取向穩(wěn)定性(液晶取向軸穩(wěn)定性)對后述液晶顯示元件的電極側(cè)的液晶取向軸的變化進行評價。測定應力施加前的電極側(cè)的液晶取向角度φ(之前),然后,對元件施加20分鐘的矩形波4.5V、60Hz后,短路1秒,在1秒后以及5分鐘后再次測定電極側(cè)的液晶取向角度φ(之后)。根據(jù)這些值,使用下式來算出1秒后以及5分鐘后的液晶取向角度的變化Δφ(deg.)。Δφ(deg.)=φ(之后)-φ(之前)(式2)這些測定是以J.希爾菲克(J.Hilfiker)、B.喬司(B.Johs)、C.赫辛格(C.Herzinger)、J.F.埃爾曼(J.F.Elman)、E.蒙巴齊(E.Montbach)、D.布賴恩特(D.Bryant)及P.J.博斯(P.J.Bos)的《薄固體膜(ThinSolidFilms)》455-456(2004)596-600為參考來進行。Δφ小者的液晶取向軸的變化率小,可以說液晶取向軸的穩(wěn)定性良好。(20)體積電阻率(ρ;在25℃下測定;Ω·cm)在帶有全面ITO的玻璃基板上成膜為聚酰亞胺膜,在所述基板的取向膜面蒸鍍Al,作為上部電極(電極面積0.23cm2)。在ITO電極與上部電極之間施加3V的電壓,根據(jù)300秒后的電流值來算出體積電阻率。(21)介電常數(shù)(ε;在25℃下測定)在帶有全面ITO的玻璃基板上成膜為聚酰亞胺膜,在所述基板的取向膜面蒸鍍Al,作為上部電極(電極面積0.23cm2)。在ITO電極與上部電極之間施加1V·頻率1kHz的交流電壓,測定所述膜的電容(C)。根據(jù)所述值,使用以下的式子來計算所述膜的介電常數(shù)(ε)。ε=(C×d)/(ε0×S)(式3)此處,d為聚酰亞胺膜的膜厚,ε0為真空的介電常數(shù),S為電極面積。(22)簡稱實施例中使用的溶劑、添加劑的簡稱如下所述。<溶劑>NMP:N-甲基-2-吡咯烷酮BC:丁基溶纖劑(乙二醇單丁醚)<添加劑>添加劑(Ad1):雙[4-(烯丙基雙環(huán)[2.2.1]庚-5-烯-2,3-二羧基酰亞胺)苯基]甲烷添加劑(Ad2):N,N,N',N'-四縮水甘油基-4,4'-二氨基二苯基甲烷添加劑(Ad3):3-氨基丙基三乙氧基硅烷添加劑(Ad4):2-(3,4-環(huán)氧環(huán)己基)乙基三甲氧基硅烷實施例中的化合物是基于下述表3的定義,利用記號來表示。表3中,與1,4-亞環(huán)己基有關的立體構型為反式構型。位于記號后的括弧內(nèi)的編號與化合物的編號相對應。(-)的記號是指其他的液晶性化合物。液晶性化合物的比例(百分率)是基于液晶組合物的重量的重量百分率(重量%)。最后,歸納組合物的特性值。表3.使用記號的化合物的表述方法R-(A1)-Z1-·····-Zn-(An)-R'[組成例M1]NI=89.4℃;Tc<-30℃;Δn=0.109;Δε=-3.8;Vth=2.24V;η=24.6mPa·s;VHR-1=99.2%;VHR-2=98.1%;VHR-3=97.9%。[組成例M2]NI=72.5℃;Tc<-20℃;Δn=0.112;Δε=-3.9;Vth=2.14V;η=22.8mPa·s。[組成例M3]NI=87.7℃;Tc<-30℃;Δn=0.129;Δε=-4.4;Vth=2.17V;η=26.2mPa·s。[組成例M4]NI=78.2℃;Tc<-30℃;Δn=0.109;Δε=-3.3;Vth=2.08V;η=16.3mPa·s。[組成例M5]NI=98.5℃;Tc<-30℃;Δn=0.112;Δε=-3.2;Vth=2.47V;η=23.5mPa·s。[組成例M6]NI=78.2℃;Tc<-30℃;Δn=0.084;Δε=-2.6;Vth=2.45V;η=22.5mPa·s。[組成例M7]NI=87.5℃;Tc<-30℃;Δn=0.115;Δε=-2.0;Vth=2.82V;η=17.2mPa·s。[組成例M8]NI=70.9℃;Tc<-20℃;Δn=0.129;Δε=-4.4;Vth=1.74V;η=27.2mPa·s。[組成例M9]NI=81.5℃;Tc<-30℃;Δn=0.122;Δε=-4.7;Vth=1.76V;η=31.8mPa·s。[組成例M10]NI=93.6℃;Tc<-30℃;Δn=0.125;Δε=-3.9;Vth=2.20V;η=29.9mPa·s。[組成例M11]NI=92.8℃;Tc<-20℃;Δn=0.126;Δε=-4.4;Vth=2.19V;η=26.0mPa·s。[組成例M12]NI=81.7℃;Tc<-20℃;Δn=0.110;Δε=-3.2;Vth=2.12V;η=15.8mPa·s。[組成例M13]NI=76.0℃;Tc<-30℃;Δn=0.107;Δε=-3.2;Vth=2.08V;η=16.0mPa·s。<1.聚酰胺酸溶液(成分[A])的制備>[合成例1]在具備溫度計、攪拌機、原料投入加入口、以及氮氣導入口的50mL的褐色四口燒瓶中加入二胺(DI-5-1,m=2)0.2102g、二胺(DI-9-1)0.0664g、二胺(PDI-6-1)0.2082g、二胺(PDI-7-1)0.5778g、以及脫水NMP18.5g,在干燥氮氣流下攪拌溶解。繼而加入酸二酐(AN-1-13)0.1268g、酸二酐(AN-4-17,j=8)1.8106g、以及脫水NMP18.5g,在室溫下繼續(xù)攪拌24小時。在所述反應溶液中添加10.0g的BC,獲得聚合物固體成分濃度為6重量%的聚酰胺酸溶液。將所述聚酰胺酸溶液作為PA1。PA1中所含的聚酰胺酸的重量平均分子量為39,400。[合成例2至合成例8]除了變更四羧酸二酐及二胺的種類以外,依據(jù)合成例1來制備聚合物固體成分濃度為6重量%的聚酰胺酸溶液(PA2)至聚酰胺酸溶液(PA8)。將聚酰胺酸溶液(PA1)至聚酰胺酸溶液(PA8)稱為成分[A]。將結果歸納于表4中。表4聚酰胺酸溶液(PA1)至聚酰胺酸溶液(PA8)的制備<2.聚酰胺酸溶液(成分[B])的制備>[合成例9]在具備溫度計、攪拌機、原料投入加入口、以及氮氣導入口的50mL的褐色四口燒瓶中加入二胺(DI-4-1)0.7349g以及脫水NMP18.5g,在干燥氮氣流下攪拌溶解。繼而加入酸二酐(AN-1-1)0.6732g、酸二酐(AN-4-28)1.5918g、以及脫水NMP18.5g,在室溫下繼續(xù)攪拌24小時。在所述反應溶液中添加BC10.0g,獲得聚合物固體成分濃度為6重量%的聚酰胺酸溶液。將所述聚酰胺酸溶液作為PA9。PA9中所含的聚酰胺酸的重量平均分子量為51,500。[合成例10至合成例24]除了變更四羧酸二酐及二胺的種類以外,依據(jù)合成例7來制備聚合物固體成分濃度為6重量%的聚酰胺酸溶液(PA10)至聚酰胺酸溶液(PA24)。將聚酰胺酸溶液(PA9)至聚酰胺酸溶液(PA24)稱為成分[B]。將結果歸納于表5中。表5.聚酰胺酸溶液(PA9)至聚酰胺酸溶液(PA24)的制備將作為成分[A]的合成例1中合成的聚酰胺酸(PA1)、與作為成分[B]的合成例9中合成的聚酰胺酸(PA9)以重量比[A]/[B]=3.0/7.0進行混合,制成PA25。通過變更成分[A]與成分[B]的種類以及[A]/[B]混合比來制備聚合物固體成分濃度為6重量%的聚酰胺酸溶液(PA26)至聚酰胺酸溶液(PA43)。將結果歸納于表6中。表6.聚酰胺酸溶液(PA26)至聚酰胺酸溶液(PA43)在合成例3中制備的聚合物固體成分濃度為6重量%的聚酰胺酸溶液(PA3)中,基于聚合物固體成分的重量而以5重量%的比例添加添加劑(Ad1)。將所得的聚酰胺酸溶液作為PA44。將添加劑(Ad2)至添加劑(Ad4)添加于聚酰胺酸溶液中來制備聚酰胺酸溶液(PA45)至聚酰胺酸溶液(PA48)。將結果歸納于表7中。此外,Ad1之類的添加劑的簡稱已在項(22)中進行說明。表7.包含添加劑的聚酰胺酸溶液(PA45)至聚酰胺酸溶液(PA48)聚酰胺酸編號聚酰胺酸溶液添加劑添加量(重量%)PA44PA3Ad15PA45PA30Ad25PA46PA35Ad34PA47PA37Ad43PA48PA41Ad40.5<3.液晶顯示元件的制作>[實施例1]取向膜的形成在合成例1中制備的聚合物固體成分濃度為6重量%的聚酰胺酸溶液(PA1)中添加NMP/BC=4/1(重量比)的混合溶劑,稀釋至聚合物固體成分濃度4重量%而制成液晶取向劑。利用旋轉(zhuǎn)器(米卡薩(Mikasa)股份有限公司制造,旋轉(zhuǎn)涂布機(1H-DX2)),將液晶取向劑涂布于帶有管柱間隔物的玻璃基板及帶有ITO電極的玻璃基板上。此外,還包括以下的實施例、比較例在內(nèi),根據(jù)液晶取向劑的粘度來調(diào)整旋轉(zhuǎn)器的旋轉(zhuǎn)速度,使取向膜成為下述膜厚。將所述涂膜在熱板(亞速旺(ASONE)股份有限公司制造,EC熱板(EC-1200N))上,以70℃加熱干燥80秒。繼而,使用牛尾(Ushio)電機(股)制造的多光源燈(Multi-Light)ML-501C/B,自鉛直方向,隔著偏光板對基板照射紫外線的直線偏光。此時的曝光能量是使用牛尾(Ushio)電機(股)制造的紫外線累計光量計UIT-150(光接收器UVD-S365)來測定光量,以在波長365nm下成為2.0±0.1J/cm2的方式調(diào)整曝光時間。繼而,在潔凈烘箱(愛斯佩克(Espec)股份有限公司制造,潔凈烘箱(PVHC-231))中以230℃加熱處理15分鐘,形成膜厚100±10nm的取向膜。元件的制作以紫外線的偏光方向成為平行的方式將以取向膜的面作為內(nèi)側(cè)的兩塊基板貼合,組裝成基板的間隔為4μm的FFS元件。液晶的注入口設置于液晶的流動方向成為與紫外線的偏光方向大致平行的位置。在所述FFS元件中真空注入組成例M1的液晶組合物,測定響應時間以及閃爍率。將結果歸納于表8中。[實施例2至實施例21]在聚合物固體成分濃度為6重量%的聚酰胺酸溶液PA2、聚酰胺酸溶液PA25至聚酰胺酸溶液PA39以及聚酰胺酸溶液PA44至聚酰胺酸溶液PA47的各自中,添加NMP/BC=4/1(重量比)的混合溶劑,稀釋至聚合物固體成分濃度4重量%而制成液晶取向劑。使用所得的液晶取向劑,利用依據(jù)實施例1的方法來制作FFS液晶顯示元件。在所述元件中注入組成例M2至組成例M13中制備的液晶組合物,測定響應時間以及閃爍率。結果歸納于表8中。[實施例22]取向膜的形成在聚合物固體成分濃度為6重量%的聚酰胺酸溶液(PA27)中添加NMP/BC=4/1(重量比)的混合溶劑,稀釋至聚合物固體成分濃度4重量%而制成液晶取向劑。利用旋轉(zhuǎn)器(米卡薩(Mikasa)股份有限公司制造,旋轉(zhuǎn)涂布機(1H-DX2)),將液晶取向劑涂布于帶有管柱間隔物的玻璃基板及帶有ITO電極的玻璃基板上。將所述涂膜在熱板(亞速旺(ASONE)股份有限公司制造,EC熱板(EC-1200N))上,以70℃加熱干燥80秒。使用牛尾(Ushio)電機(股)制造的多光源燈(Multi-Light)ML-501C/B,自鉛直方向,隔著偏光板對基板照射紫外線的直線偏光。此時的曝光能量是使用牛尾(Ushio)電機(股)制造的紫外線累計光量計UIT-150(光接收器UVD-S365)來測定光量,以在波長365nm下成為0.7±0.1J/cm2的方式調(diào)整曝光時間。在紫外線曝光中,將基板加熱至50℃。將裝置整體以防紫外線膜覆蓋,在室溫、空氣中進行紫外線的照射。繼而,在潔凈烘箱(愛斯佩克(Espec)股份有限公司制造,潔凈烘箱(PVHC-231))中,以230℃加熱處理15分鐘,形成膜厚為100±10nm的取向膜。元件的制作以紫外線的偏光方向成為平行的方式將以取向膜的面作為內(nèi)側(cè)的兩塊基板貼合,組裝成基板的間隔為4μm的FFS元件。液晶的注入口設置于液晶的流動方向與紫外線的偏光方向大致平行的位置。在所述FFS元件中真空注入組成例M9的液晶組合物,測定響應時間以及閃爍率。將結果歸納于表8中。[實施例23至實施例25]在聚合物固體成分濃度為6重量%的聚酰胺酸溶液(PA40)、聚酰胺酸溶液(PA42)及聚酰胺酸溶液(PA48)中添加NMP/BC=4/1(重量比)的混合溶劑,稀釋至聚合物固體成分濃度4重量%而制成液晶取向劑。使用所得的液晶取向劑,利用依據(jù)實施例22的方法來制作液晶顯示元件。在所述元件中注入組成例M10至組成例M13中制備的液晶組合物,測定響應時間以及閃爍率。結果歸納于表8中。[實施例26]取向膜的形成在聚合物固體成分濃度為6重量%的聚酰胺酸溶液(PA34)中添加NMP/BC=4/1(重量比)的混合溶劑,稀釋至聚合物固體成分濃度4重量%而制成液晶取向劑。利用旋轉(zhuǎn)器(米卡薩(Mikasa)股份有限公司制造,旋轉(zhuǎn)涂布機(1H-DX2)),將液晶取向劑涂布于帶有管柱間隔物的玻璃基板及帶有ITO電極的玻璃基板上。將所述涂膜在熱板(亞速旺(ASONE)股份有限公司制造,EC熱板(EC-1200N))上,以70℃加熱干燥80秒。使用牛尾(Ushio)電機(股)制造的UV燈(UVL-1500M2-N1),自鉛直方向,隔著偏光板對基板照射紫外線的直線偏光。此時的曝光能量是使用牛尾(Ushio)電機(股)制造的紫外線累計光量計UIT-150(光接收器UVD-S365)來測定光量,以在波長365nm下成為1.0±0.1J/cm2的方式調(diào)整曝光時間。將裝置整體以抗紫外線膜覆蓋,在室溫、空氣中進行紫外線的照射。繼而,在潔凈烘箱(愛斯佩克(Espec)股份有限公司制造,潔凈烘箱(PVHC-231))中,以230℃加熱處理15分鐘,形成膜厚為100±10nm的取向膜。元件的制作以紫外線的偏光方向成為平行的方式將以取向膜的面作為內(nèi)側(cè)的兩塊基板貼合,組裝成基板的間隔為4μm的FFS元件。液晶的注入口設置于液晶的流動方向與紫外線的偏光方向大致平行的位置。在所述FFS元件中真空注入組成例M13的液晶組合物,測定響應時間以及閃爍率。將結果歸納于表8中。[實施例27、實施例28]在聚合物固體成分濃度為6重量%的聚酰胺酸溶液(PA41)及聚酰胺酸溶液(PA43)中添加NMP/BC=4/1(重量比)的混合溶劑,稀釋至聚合物固體成分濃度4重量%而制成液晶取向劑。使用所得的液晶取向劑,利用依據(jù)實施例26的方法來制作液晶顯示元件。在所述元件中注入組成例M10至組成例M13中制備的液晶組合物,測定響應時間以及閃爍率。結果歸納于表8中。[實施例29]取向膜的形成在聚合物固體成分濃度為6重量%的聚酰胺酸溶液(PA33)中添加NMP/BC=4/1(重量比)的混合溶劑,稀釋至聚合物固體成分濃度4重量%而制成液晶取向劑。使用旋轉(zhuǎn)器(米卡薩(Mikasa)股份有限公司制造,旋轉(zhuǎn)涂布機(1H-DX2)),將液晶取向劑涂布于帶有管柱間隔物的玻璃基板及帶有ITO電極的玻璃基板各1塊上。將所述涂膜在熱板(亞速旺(ASONE)股份有限公司制造,EC熱板(EC-1200N))上,以70℃加熱干燥80秒。使用牛尾(Ushio)電機(股)制造的多光源燈(Multi-Light)ML-501C/B,自鉛直方向,隔著偏光板對基板照射紫外線的直線偏光。此時的曝光能量是使用牛尾(Ushio)電機(股)制造的紫外線累計光量計UIT-150(光接收器UVD-S365)來測定光量,以在波長365nm下成為2.0±0.1J/cm2的方式調(diào)整曝光時間。繼而,在潔凈烘箱(愛斯佩克(Espec)股份有限公司制造,潔凈烘箱(PVHC-231))中,以230℃加熱處理15分鐘,形成膜厚為100±10nm的取向膜。元件的制作以紫外線的偏光方向成為平行的方式將以取向膜的面作為內(nèi)側(cè)的兩塊基板貼合,組裝成基板的間隔為4μm的FFS元件。液晶的注入口設置于液晶的流動方向與紫外線的偏光方向大致平行的位置。在所述FFS元件中真空注入組成例M3的液晶組合物,測定響應時間以及閃爍率。將結果歸納于表8中。[實施例30至實施例34]在聚合物固體成分濃度為6重量%的聚酰胺酸溶液(PA41)、聚酰胺酸溶液(PA44)、聚酰胺酸溶液(PA44)、聚酰胺酸溶液(PA41)、聚酰胺酸溶液(PA33)、以及聚酰胺酸溶液(PA43)的各自中,添加NMP/BC=4/1(重量比)的混合溶劑,稀釋至聚合物固體成分濃度4重量%而制成液晶取向劑。使用所得的液晶取向劑,利用依據(jù)實施例1的方法來制作FFS液晶顯示元件。在所述元件中注入組成例M4至組成例M8中制備的液晶組合物,測定響應時間以及閃爍率。結果歸納于表8中。表8.響應時間及閃爍率在表8的第三欄中記錄注入至FFS元件中的液晶組合物的種類。這些為組成例M1至組成例M13中制備的液晶組合物。這些組合物中,上限溫度(NI)為70.9℃至98.5℃的范圍。光學各向異性(Δn)為0.084至0.129的范圍。介電各向異性(Δε)為-2.0至-4.7的范圍。粘度(η)為15.8mPa·s至29.9mPa·s的范圍。如此,將特性不同的13種液晶組合物注入至具有種類不同的取向膜的液晶顯示元件中,測定元件的響應時間及閃爍率。液晶顯示元件中,響應時間優(yōu)選為短。響應時間優(yōu)選為60ms以下,進而優(yōu)選為40ms以下。閃爍率優(yōu)選為小。閃爍率優(yōu)選為2%以下,進而優(yōu)選為1%以下。實施例1至實施例34的響應時間為29.9ms至59.4ms的范圍,閃爍率為0.24%至0.75%的范圍。這些值在進而優(yōu)選的范圍內(nèi)。根據(jù)所述結果可知,在液晶組合物以及取向膜中,即便成分的種類非常不同,也可將響應時間及閃爍率的值處于所述最佳的范圍內(nèi)。這是值得特別寫出的本發(fā)明的第一特征。實施例7、實施例20及實施例33的元件中,閃爍率為0.7%以上。這些元件的響應時間分別為31.3ms、30.4ms及31.7ms。這些結果表示,在具有短的響應時間的元件中,閃爍率也小。這是值得特別寫出的本發(fā)明的第二特征。產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明的液晶顯示元件具有短的響應時間、大的電壓保持率、低的閾電壓、大的對比度比、長的壽命、小的閃爍率等特性。因此,所述元件可用于液晶投影儀、液晶電視等。當前第1頁1 2 3 
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