本揭露內(nèi)容是有關(guān)于一種感光材料的顯影方法與光刻裝置。

背景技術(shù)：

集成芯片在半導(dǎo)體制造設(shè)施或工廠中制造。工廠包含處理裝置，其為用以于半導(dǎo)體基板(例如，硅芯片)進(jìn)行處理步驟(例如，蝕刻步驟、光刻步驟、沉積步驟等)。光刻法是通常使用的制造程序，其為通過使用電磁輻射照射具有圖案的光罩，藉以將圖案轉(zhuǎn)移至覆于基板上的感光材料。接著，可以根據(jù)圖案化的感光材料處理基底的選擇性部分。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

于部分實(shí)施方式中，其特征在于，本揭露內(nèi)容與一種感光材料的顯影方法相關(guān)。顯影方法包含在基板上方形成感光材料。顯影方法更包含使用電磁輻射對感光材料之多個(gè)聚焦深度處進(jìn)行曝光，聚焦深度處分別跨越該感光材料內(nèi)的不同區(qū)域。使用電磁輻射曝光感光材料修改感光材料內(nèi)的曝光區(qū)域的溶解度。顯影方法更包含對感光材料進(jìn)行顯影，以移除可溶解區(qū)域。

于其他的實(shí)施方式中，其特征在于，本揭露內(nèi)容與一種感光材料的顯影方法相關(guān)。顯影方法包含在基板上方形成感光材料。顯影方法更包含于第一時(shí)間點(diǎn)，將電磁輻射聚焦在第一影像面。第一影像面位于感光材料的上表面下方的第一深度。顯影方法更包含于第二時(shí)間點(diǎn)，將電磁輻射聚焦在第二影像面。第二影像面位于感光材料的上表面下方的第二深度。使用電磁輻射曝光感光材料修改感光材料的曝光區(qū)域的溶解度。

于另外的實(shí)施方式中，其特征在于，本揭露內(nèi)容與一種光刻裝置相關(guān)。光刻裝置包含照射源，照射源用以產(chǎn)生電磁輻射。光學(xué)投射件用以依據(jù)光罩上的圖案，而將電磁輻射聚焦在覆于基板上的感光材料上。動(dòng)態(tài)焦距元件用以于曝光感光材料期間動(dòng)態(tài)地改變光學(xué)投射件的焦距。

以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對本發(fā)明的限定。

附圖說明

細(xì)讀以下詳細(xì)敘述并搭配對應(yīng)的附圖，可了解到本揭露的多個(gè)態(tài)樣。須注意的是，圖中的多個(gè)特征并未依照該業(yè)界領(lǐng)域之標(biāo)準(zhǔn)作法繪制實(shí)際比例。事實(shí)上，為了討論的清楚，所述的特征的尺寸可以任意的增加或減少。

圖1為依照動(dòng)態(tài)曝光感光材料的方法的部分實(shí)施方式所繪示的剖面示意圖，其中動(dòng)態(tài)曝光感光材料的方法為對感光材料的多個(gè)聚焦深度處之上進(jìn)行曝光，且聚焦深度處分別跨越感光材料內(nèi)的不同區(qū)域。

圖2為依照動(dòng)態(tài)曝光感光材料的方法的部分實(shí)施方式所繪示的流程圖，其中動(dòng)態(tài)曝光感光材料的方法為對感光材料之多個(gè)聚焦深度處之上進(jìn)行曝光，且聚焦深度處分別跨越感光材料內(nèi)的不同區(qū)域。

圖3至圖6為依照動(dòng)態(tài)曝光感光材料的方法的部分實(shí)施方式所繪示的剖面示意圖，其中動(dòng)態(tài)曝光感光材料的方法為對感光材料的多個(gè)聚焦深度處之上進(jìn)行曝光，其中，圖4a(t＝1)表示進(jìn)行曝光時(shí)于第一時(shí)間點(diǎn)的剖面示意圖、圖4b(t＝2)表示進(jìn)行曝光時(shí)于第二時(shí)間點(diǎn)的剖面示意圖、圖4c(t＝3)表示進(jìn)行曝光時(shí)于第三時(shí)間點(diǎn)的剖面示意圖、圖4d(t＝4)表示進(jìn)行曝光時(shí)于第四時(shí)間點(diǎn)的剖面示意圖。

圖7a至圖7b為繪示動(dòng)態(tài)光刻曝光裝置的部分實(shí)施方式，其中動(dòng)態(tài)光刻曝光裝置用以對感光材料的多個(gè)聚焦深度處之上進(jìn)行曝光。

圖8繪示動(dòng)態(tài)光刻曝光裝置于部分額外實(shí)施方式的方框圖。

圖9繪示動(dòng)態(tài)光刻曝光裝置于部分額外實(shí)施方式的方框圖。

圖10繪示動(dòng)態(tài)光刻曝光裝置于部分實(shí)施方式的方框圖，其中動(dòng)態(tài)光刻曝光裝置為使用于極紫外光(extremeultraviolet；euv)光刻系統(tǒng)。

圖11繪示動(dòng)態(tài)光刻曝光裝置于部分額外實(shí)施方式的方框圖，其中動(dòng)態(tài)光刻曝光裝置為使用于極紫外光光刻系統(tǒng)。

其中，附圖標(biāo)記

100、300、400、404、412、414、718、802、906動(dòng)態(tài)焦距元件

500、600剖面示意圖720示意圖

102、602基板724第二聚焦深度

104、302、506感光材料726累積的聚焦深度

104u上表面804數(shù)據(jù)庫

104l下表面904可移動(dòng)式投射元件

106可溶解區(qū)域908致動(dòng)器

108、710電磁輻射910控制單元

108a、108b、806a、806b、806c路912方向

徑1002極紫外光輻射源

110a、408a第一影像面1004a極紫外光輻射

110b、408b第二影像面1004b反射的極紫外光輻射

112a、410a、722第一聚焦深度1006極紫外光光罩

112b、410b、724第二聚焦深度1008極紫外光分隔層

114漸增的聚焦深度1009低熱膨脹材料

116光刻裝置1010反射層

118、706光罩1012間隔層

200方法1014圖案化吸收材料

202、204、206、208、210、212、2141016表層

動(dòng)作1102主激光

402、716、808晶圓座1104主激光光束

406a第一路徑組1106油滴產(chǎn)生器

406b第二路徑組1108油滴

406c第三路徑組1110電漿

408c第三影像面1112面鏡

410c第三聚焦深度1114、1126、1128極紫外光輻

416未曝光區(qū)域射

418曝光區(qū)域1116中繼焦距單元

502開口1120光學(xué)聚焦件

504化學(xué)顯影劑1122a第一表面

604蝕刻劑1122b第二表面

700、800、900、1000、1100動(dòng)態(tài)1124反射器

光刻曝光裝置1130a、1130b、1130c、1130d面

702照射源鏡

704光學(xué)聚光件1132半導(dǎo)體物件

708、902、1130光學(xué)投射件sctrl控制訊號

712、914影像面di、do距離

714聚焦深度d1第一深度

d2第二深度

d3第三深度

具體實(shí)施方式

本揭露將提供許多個(gè)實(shí)施方式或?qū)嵤┓椒ㄒ詫?shí)現(xiàn)本揭露的多個(gè)不同的特征。許多元件與排列將以特定實(shí)施方法在以下敘述以簡化本揭露。當(dāng)然，這些敘述僅止于范例，且不應(yīng)用以限制本揭露。舉例而言，敘述「第一特征形成于第二特征上」包含多種實(shí)施方式，其中涵蓋第一特征與第二特征直接接觸，以及額外的特征形成于第一特征與第二特征之間而使兩者不直接接觸。此外，本揭露在多個(gè)范例中會(huì)重復(fù)參考號碼與字母。這樣的重復(fù)方式是為了簡單與明了的目的而其本身并不會(huì)決定多個(gè)范例以及/或所討論的配置之間的關(guān)系。

此外，方位相對詞匯，如「在...之下」、「下面」、「下」、「上方」或「上」或類似詞匯，在本文中為用來便于描述繪示于圖中的一個(gè)元件或特征至另外的元件或特征之關(guān)系。方位相對詞匯除了用來描述裝置在圖中的方位外，其包含裝置于使用或操作下的不同的方位。當(dāng)裝置被另外設(shè)置(旋轉(zhuǎn)90度或者其他面向的方位)，本文所用的方位相對詞匯同樣可以相應(yīng)地進(jìn)行解釋。

在半導(dǎo)體工業(yè)的歷史上，集成芯片內(nèi)的元件的最小特征尺寸通常會(huì)被減小。通過改善用于產(chǎn)生這種特征的光刻裝置的分辨率，已大幅地實(shí)現(xiàn)了可形成較小的最小特征尺寸。然而，藉由縮減光刻裝置的焦距，并隨著光刻裝置的分辨率改善了由光刻裝置產(chǎn)生的電磁輻射的聚焦深度，已可得知，隨著聚焦深度縮減，將會(huì)使光刻裝置的處理窗口產(chǎn)生縮減。而如果光致抗蝕劑層的曝光設(shè)置在光刻裝置的處理窗口之外，則部分的光致抗蝕劑層可能無法充分地被曝光，并且相應(yīng)的特征也可能無法被適當(dāng)?shù)禺a(chǎn)生打印。

本揭露內(nèi)容為關(guān)于動(dòng)態(tài)光刻曝光方法及與其關(guān)聯(lián)的裝置，其可于對感光材料進(jìn)行曝光的期間改變電磁輻射的焦距(例如影像面的位置或聚焦深度的位置等)。于對感光材料進(jìn)行曝光的期間改變電磁輻射的焦距可致使電磁輻射具有多個(gè)分別跨越感光材料內(nèi)的不同區(qū)域的多個(gè)聚焦深度。藉由漸增的聚焦深度，其中漸增的聚焦深度大于原本不同的聚焦深度，可使不同的聚焦深度共同地對感光材料進(jìn)行曝光，因此將導(dǎo)致產(chǎn)生較大的光刻處理窗口，并改善感光材料的曝光制程。

圖1為依照部分實(shí)施方式繪示動(dòng)態(tài)曝光感光材料的剖面示意圖100，其中動(dòng)態(tài)曝光感光材料為對感光材料之多個(gè)聚焦深度處之上進(jìn)行曝光，且聚焦深度處分別跨越感光材料內(nèi)的不同區(qū)域。

如剖面示意圖100所示，感光材料104(例如，光阻)形成在基板102之上。感光材料104可通過使用光刻裝置116所產(chǎn)生的電磁輻射108而選擇地進(jìn)行曝光，以修改曝光區(qū)域的溶解度，并定義出可溶解區(qū)域106，其中可溶解區(qū)域106具有對應(yīng)光罩118的圖案。于曝光期間，電磁輻射108為動(dòng)態(tài)地聚焦，且其聚焦位置為沿多個(gè)不同路徑108a-108b，其中不同路徑108a-108b對應(yīng)位于不同縱向位置的影像面110a-110b(沿影像被投射之面)。

舉例而言，于第一時(shí)間點(diǎn)(t＝1)時(shí)，光刻裝置116可將電磁輻射108沿第一路徑108a聚焦，其中第一路徑108a對應(yīng)第一影像面110a，且第一影像面110a位于感光材料104的上表面104u之下的第一深度。于第二時(shí)間點(diǎn)(t＝2)時(shí)，光刻裝置116可將電磁輻射108沿第二路徑108b聚焦，其中第二路徑108b對應(yīng)第二影像面110b，且第二影像面110b位于感光材料104的上表面104u之下的第二深度。于部分實(shí)施方式中，形成在第一影像面110a及第二影像面110b上的影像可以在縱向方向上偏移，并實(shí)質(zhì)上于橫向方向上對準(zhǔn)(在平行感光材料104的上表面的方向上延伸)。于部分實(shí)施方式中，光刻裝置116通過將電磁輻射108聚焦，而可單調(diào)地提升感光材料104內(nèi)的影像面的深度(例如，使得影像面的深度會(huì)隨時(shí)間加大)。

多個(gè)影像面110a-110b具有不同的聚焦深度112a-112b(即曝光感光材料104的距離，其為自影像面往相對的方向延伸，且影像面為位于具有可接受的光學(xué)性質(zhì)的投影影像內(nèi)，光學(xué)性質(zhì)像是焦距、劑量等)。不同的聚焦深度112a-112b于感光材料104內(nèi)分別跨越不同區(qū)域。舉例而言，第一影像面110a具有第一聚焦深度112a，且第一聚焦深度112a自感光材料104的上表面104u延伸至感光材料104內(nèi)的第一位置。第二影像面110b具有第二聚焦深度112b，且第二聚焦深度112b自感光材料104內(nèi)的第一位置延伸至感光材料104內(nèi)的第二位置。

于部分實(shí)施方式中，多個(gè)聚焦深度112a-112b可以連續(xù)地延伸于感光材料104的上表面104u與感光材料104的下表面104l之間。舉例而言，多個(gè)聚焦深度112a-112b可以沿縱向方向連續(xù)地出現(xiàn)，其中縱向方向?yàn)榇怪庇诟泄獠牧?04的上表面?；蚴牵鄠€(gè)聚焦深度112a-112b可與其中另一者在縱向方向上重疊。

動(dòng)態(tài)地聚焦電磁輻射108在多個(gè)影像面110a-110b上會(huì)使電磁輻射108在漸增的聚焦深度114上延展，其中漸增的聚焦深度114大于原本不同的聚焦深度112a-112b，且聚焦深度112a-112分別與不同的影像面110a-110b有所關(guān)聯(lián)。由于聚焦深度定義出對感光材料104的曝光位置，其中曝光位置位于具有可接受的光學(xué)性質(zhì)(例如，焦距、劑量等)的投影影像內(nèi)，故漸增的聚焦深度114會(huì)提供光刻裝置116更大的處理窗口。舉例而言，于部分實(shí)施方式中，光刻裝置116的處理窗口可以在固定的聚焦深度下被提升超過30％(例如，電磁輻射108的漸增的聚焦深度可以自大約0.2微米提升至0.3微米)。除此之外，通過使用動(dòng)態(tài)曝光方法，由于動(dòng)態(tài)曝光可隨著光刻裝置116的光學(xué)元件串來補(bǔ)償光學(xué)元件(例如，透鏡組或是面鏡組)的衰減，故光刻裝置116的壽命可被延長。

圖2為依照動(dòng)態(tài)曝光感光材料的方法200的部分實(shí)施方式所繪示的流程圖，其中動(dòng)態(tài)曝光感光材料為對感光材料之多個(gè)聚焦深度處之上進(jìn)行曝光，且聚焦深度處分別跨越感光材料內(nèi)的不同區(qū)域。

雖有繪示及以一系列的執(zhí)行動(dòng)作或事件描述方法200，應(yīng)當(dāng)了解，于所執(zhí)行動(dòng)作或事件中，不應(yīng)局限所繪示的說明順序。舉例而言，于自此所繪示且/或描述的內(nèi)容中，有些執(zhí)行動(dòng)作可能發(fā)生在不同順序或是與其他執(zhí)行動(dòng)作或事件同時(shí)發(fā)生。此外，于在此的描述內(nèi)容中，非所有繪示的執(zhí)行動(dòng)作為必須執(zhí)行的一或多個(gè)面向或?qū)嵤┓绞健４送?，在此的?zhí)行動(dòng)作中的一或多個(gè)描述可以發(fā)生在一或多個(gè)分開的執(zhí)行動(dòng)作且/或階段。

于動(dòng)作202，將感光材料形成在基板之上。于部分實(shí)施方式，感光材料可包含正光阻或負(fù)光阻。圖3為對應(yīng)動(dòng)作202繪示部分實(shí)施方式的剖面示意圖300。

于動(dòng)作204，使用電磁輻射對感光材料內(nèi)的圖案進(jìn)行曝光，同時(shí)改變電磁輻射的焦距。使用電磁輻射曝光感光材料修改感光材料內(nèi)的曝光區(qū)域的溶解度，以定義感光材料內(nèi)的可溶解區(qū)域。于部分實(shí)施方是，動(dòng)作204可根據(jù)動(dòng)作206-208而進(jìn)行。

于動(dòng)作206，將電磁輻射聚焦在第一影像面上，且第一影像面為位于感光材料的上表面下方的第一深度。第一影像面具有第一聚焦深度，第一聚焦深度跨越感光材料內(nèi)的第一區(qū)域。

于動(dòng)作208，將電磁輻射聚焦在第二影像面上，且第二影像面為位于感光材料的上表面下方的第二深度。第二影像面具有第二聚焦深度，第二聚焦深度跨越感光材料內(nèi)的第二區(qū)域。

于部分實(shí)施方式中，動(dòng)作206與208所使用的電磁輻射的聚焦位置可以是自第一影像面漸推進(jìn)至第二影像面，并在推進(jìn)過程連續(xù)地聚焦在第一影像面與第二影像面之間存在的其他影像面。換句話說，動(dòng)作206所描述的第一影像面及動(dòng)作208所述的第二影像面可分別視為一個(gè)區(qū)域內(nèi)的影像面變動(dòng)起點(diǎn)及同一個(gè)區(qū)域內(nèi)的影像面變動(dòng)終點(diǎn)，且第一影像面與第二影像面之間可存在超過一個(gè)的影像面。于部分實(shí)施方式中，于將電磁輻射聚焦在第一影像面上的步驟與將電磁輻射聚焦在第二影像面上的步驟之間，也可將電磁輻射聚焦在第一影像面與第二影像面之間存在的其他影像面，且自將電磁輻射聚焦在第一影像面上的步驟至將電磁輻射聚焦在第二影像面上的步驟期間，將電磁輻射聚焦在不同影像面的動(dòng)作可以是連續(xù)的。

改變電磁輻射的焦距可改變電磁輻射的影像面的位置，因此也可改變電磁輻射的聚焦深度的位置。改變電磁輻射的聚焦深度將導(dǎo)致電磁輻射可提供多個(gè)聚焦深度，且多個(gè)聚焦深度分別跨越感光材料的不同區(qū)域。焦距的改變通常在原本位置(其改變發(fā)生在尚未對曝光程序的處理腔體進(jìn)行破真空)。圖4a(t＝1)至圖4d(t＝4)為對應(yīng)動(dòng)作204繪示部分實(shí)施方式的剖面示意圖。

于動(dòng)作210，對感光材料進(jìn)行顯影，以移除可溶解區(qū)域，并于感光材料內(nèi)定義出開口。圖5為對應(yīng)動(dòng)作210繪示部分實(shí)施方式的剖面示意圖500。

于動(dòng)作212，于部分實(shí)施方式中，對位于開口下的基板進(jìn)行處理。圖6為對應(yīng)動(dòng)作212繪示部分實(shí)施方式的剖面示意圖600。

于動(dòng)作214，將感光材料自基板上移除。

應(yīng)當(dāng)理解，方法200可以是反復(fù)地進(jìn)行，以在基板之上形成感光材料的連續(xù)的層狀物。感光材料的連續(xù)的層狀物可以包含不同的圖案。舉例而言，于部分實(shí)施方式中，于感光材料的第一層狀物被移除后(例如，依據(jù)動(dòng)作214)，感光材料的第二層狀物可以形成在基板之上(例如，依據(jù)動(dòng)作202)。第二圖案可以在感光材料的第二層狀物內(nèi)被曝光，并于同時(shí)改變電磁輻射的焦距，藉以使用電磁輻射對感光材料的第二層狀物的多個(gè)不同的聚焦深度處進(jìn)行曝光，不同的聚焦深度處分別跨越感光材料的第二層狀物內(nèi)的不同區(qū)域(例如，依據(jù)動(dòng)作204)?？梢砸佬虻貙Ω泄獠牧系牡诙訝钗镞M(jìn)行顯影，以于感光材料的第二層狀物內(nèi)定義出開口(例如，依據(jù)動(dòng)作210)。

圖3至圖6為依照動(dòng)態(tài)曝光感光材料的方法的部分實(shí)施方式所繪示的剖面示意圖，其中動(dòng)態(tài)曝光感光材料的方法為對感光材料之多個(gè)聚焦深度處之上進(jìn)行曝光。

如圖3的剖面示意圖300所示，感光材料302為形成在基板102之上。于多個(gè)實(shí)施方式中，基板102可以包含任何類型的半導(dǎo)體本體(例如，硅/塊狀cmos、鍺化硅、絕緣體上硅基板)，像是半導(dǎo)體晶圓或是附有一或多個(gè)晶胞的晶圓，也可以是任意類型的磊晶層、介電層，以及/或形成在其上的金屬互連接層，以及/或其他與其關(guān)聯(lián)物。感光材料302為具有化學(xué)性質(zhì)以使其在受電磁輻射曝光時(shí)產(chǎn)生改變(例如，感光材料的分子鏈可以在受電磁輻射曝光時(shí)成為網(wǎng)狀連結(jié))。于多數(shù)個(gè)實(shí)施方式中，感光材料302可包含感光聚合物，像是正光阻或負(fù)光阻。

于部分實(shí)施方式中，感光材料302可以通過旋涂程序而形成在基板102上。旋涂程序可將液態(tài)狀的感光材料302沉積在基板102上，并接著依序以高轉(zhuǎn)速的方式轉(zhuǎn)動(dòng)基板102(例如，介于1000與1000rpm之間)，以給予感光材料302的層狀物有均勻的厚度。于其他實(shí)施方式中，感光材料302可以通過其他制程(例如，氣相沉積制程)而形成在基板102之上。

圖4a(t＝1)至圖4d(t＝4)為繪示使用電磁輻射對感光材料302的多個(gè)聚焦深度處之上進(jìn)行動(dòng)態(tài)曝光，其中聚焦深度處分別跨越感光材料302內(nèi)的不同區(qū)域。對感光材料302進(jìn)行的動(dòng)態(tài)曝光致使感光材料302產(chǎn)生分割，以實(shí)現(xiàn)對單一化學(xué)顯影劑的不同溶解度。雖圖4a(t＝1)至圖4d(t＝4)繪示的實(shí)施方式表示感光材料302的曝光區(qū)域成為可溶解(例如為使用正光阻)，應(yīng)當(dāng)理解，本揭露內(nèi)容不應(yīng)因此實(shí)施方式而局限。相較于此，于其他實(shí)施方式中，感光材料302的曝光區(qū)域可成為不可溶解的，而感光材料302的未曝光區(qū)域?yàn)榫S持可溶解(例如為使用負(fù)光阻)。

如圖4a(t＝1)的剖面示意圖400所示，于第一時(shí)間點(diǎn)(t＝1)，光罩118為與基板102對準(zhǔn)。于部分實(shí)施方式中，所進(jìn)行的對準(zhǔn)可以是由移動(dòng)晶圓座402(例如，真空晶圓盤)完成，且晶圓座402夾持基板102，以將光罩118向?qū)?zhǔn)標(biāo)記對準(zhǔn)，且對其標(biāo)記為位于基板102上以及/或基板102內(nèi)。

如圖4b(t＝2)的剖面示意圖404所示，一旦對準(zhǔn)完成后，依據(jù)光罩118所定義的圖案，電磁輻射會(huì)自光刻裝置116有選擇地提供至感光材料302。于第二時(shí)間點(diǎn)(t＝2)，電磁輻射會(huì)沿第一路徑組406a聚焦，其中第一路徑組406a會(huì)沿第一影像面408a收斂。于部分實(shí)施方式中，第一影像面408a會(huì)位于感光材料302的上表面下方的第一深度d1。于其他實(shí)施方式中，第一影像面408a會(huì)位在感光材料302的上表面或是位于感光材料302的上表面之上。第一影像面408a提供電磁輻射第一聚焦深度410a，且第一聚焦深度410a跨越感光材料302內(nèi)的第一區(qū)域。

如圖4c(t＝3)的剖面示意圖412所示，電磁輻射的焦距會(huì)在第三時(shí)間點(diǎn)(t＝3)被改變。改變焦距會(huì)致使電磁輻射沿第二路徑組406b可選擇地被提供至感光材料302(依據(jù)光罩118所定義的圖案)，其中第二路徑組406b會(huì)沿第二影像面408b收斂。第二影像面408b會(huì)位于感光材料302的上表面下方的第二深度d2，其中第二深度d2大于第一深度d1。第二影像面408b提供電磁輻射第二聚焦深度410b，且第二聚焦深度410b跨越感光材料302內(nèi)的第二區(qū)域。于多數(shù)個(gè)實(shí)施方式中，第一聚焦深度410a可以接續(xù)在第二聚焦深度410b或是與第二聚焦深度410b重疊。于部分實(shí)施方式中，于第二時(shí)間點(diǎn)(t＝2)及第三時(shí)間點(diǎn)(t＝3)的期間，由于電磁輻射是聚焦在同一圖案上，故所進(jìn)行的對準(zhǔn)不會(huì)執(zhí)行在第二時(shí)間點(diǎn)(t＝2)與第三時(shí)間點(diǎn)(t＝3)之間。

如圖4d(t＝4)的剖面示意圖414所示，電磁輻射的焦距會(huì)在第四時(shí)間點(diǎn)(t＝4)被改變。改變焦距會(huì)致使電磁輻射沿第三路徑組406c可選擇地被提供至感光材料302(依據(jù)光罩118所定義的圖案)，其中第三路徑組406c會(huì)沿第三影像面408c收斂。第三影像面408c會(huì)位于感光材料302的上表面下方的第三深度d3，其中第三深度d3大于第二深度d2。于多數(shù)個(gè)實(shí)施方式中，第三影像面408c會(huì)位在感光材料302內(nèi)或是在感光材料302的下表面之下。第三影像面408c提供電磁輻射第三聚焦深度410c，且第三聚焦深度410c跨越感光材料302內(nèi)的第三區(qū)域。于多數(shù)個(gè)實(shí)施方式中，第三聚焦深度410c可以接續(xù)在第二聚焦深度410b或是與第二聚焦深度410b重疊。

使用電磁輻射曝光感光材料302可在曝光區(qū)域418內(nèi)改變感光材料302的化學(xué)性質(zhì)。于化學(xué)性質(zhì)中產(chǎn)生改變將導(dǎo)致曝光區(qū)域418具有異于感光材料的未曝光區(qū)域416的溶解度。于部分實(shí)施方式中，依據(jù)光罩118所定義的圖案及動(dòng)態(tài)改變電磁輻射的焦距，感光材料302可由電磁輻射連續(xù)地曝光。于其他實(shí)施方式中，依據(jù)光罩118所定義的圖案及改變電磁輻射的聚焦深度，感光材料302可以由電磁輻射直接地曝光(例如，感光材料302可以由電磁輻射在其所改變的聚焦深度之間進(jìn)行離散突發(fā))。

如圖5的剖面示意圖500所示，對感光材料506進(jìn)行顯影，以移除可溶解區(qū)域，并于感光材料506內(nèi)定義出開口502。感光材料506可由經(jīng)曝光后，使用化學(xué)顯影劑504進(jìn)行進(jìn)行顯影。于部分實(shí)施方式中，化學(xué)顯影劑504移除感光材料的曝光區(qū)域(如圖4d(t＝4)的418)，且同時(shí)未曝光部分(如圖4d(t＝4)的416)會(huì)留存在基板102之上。于其他實(shí)施方式中，化學(xué)顯影劑504可移除感光材料的未曝光區(qū)域(如圖4d(t＝4)的416)，且同時(shí)曝光區(qū)域(如圖4d(t＝4)的418)會(huì)留存在基板102之上。于部分實(shí)施方式中，化學(xué)顯影劑504可包含四甲基氫氧化銨(tetramethylammoniumhydroxide)。于其他實(shí)施方式中，化學(xué)顯影劑504例如可包含氫氧化鉀、氫氧化鈉、醋酸鹽類、乳酸乙酯或二丙酮醇。

如剖面示意圖600所示，依據(jù)圖案化的感光材料506，可對基板602進(jìn)行處理。于部分實(shí)施方式中，依據(jù)圖案化的感光材料506，可藉由使用蝕刻劑604將基板602暴露出來，而選擇性地蝕刻基板602。舉例而言，于部分實(shí)施方式中，基板602可包含介電層，且介電層覆于半導(dǎo)體物上且由蝕刻劑604將基板602暴露，以形成穿孔或金屬溝槽，藉以形成集成芯片的金屬互連接層。于其他實(shí)施方式中，可依據(jù)圖案化的感光層506，并藉由注入摻雜物，而對基板602進(jìn)行埋植。

于已執(zhí)行對基板602所進(jìn)行的處理后，圖案化的感光材料506可以接續(xù)地被移除(例如，剝離)。于部分實(shí)施方式中，圖案化的感光材料506可以藉由干蝕刻程序移除。

圖7a為繪示動(dòng)態(tài)光刻曝光裝置700的部分實(shí)施方式的方框圖，其中動(dòng)態(tài)光刻曝光裝置700用以對感光材料的多個(gè)聚焦深度處之上進(jìn)行曝光。

動(dòng)態(tài)光刻曝光裝置700包含照射源702，其用以產(chǎn)生電磁輻射。于部分實(shí)施方式中，照射源702可用以產(chǎn)生其電磁光譜落于深紫外光區(qū)域(大約193納米)的電磁輻射。于如此的實(shí)施方式中，照射源702例如可以包含激光激光(其包含可發(fā)射大約248納米激光光的氟化氪激光或可發(fā)射大約193納米激光光的氟化氬激光)。于其他實(shí)施方式中，照射源702可用以產(chǎn)生其電磁光譜落于極紫外光區(qū)域(大約13.5納米)的電磁輻射。于另外實(shí)施方式中，照射源702可用以產(chǎn)生其電磁光譜落于其他區(qū)域(例如輻射所具有的波長大約為248納米、大約為365納米，以及/或大約為405納米)的電磁輻射。

由照射源702所產(chǎn)生的電磁輻射可提供至光學(xué)聚光件704，其中光學(xué)聚光件704用以將電磁輻射聚焦。于多個(gè)實(shí)施方式中，光學(xué)聚光件704可包含多個(gè)第一光學(xué)元件，像是透鏡組、面鏡組、濾光件等。聚焦輻射可自光學(xué)聚光件704而被提供至光罩706，其中光罩706可用以依據(jù)光罩706上的特征，而選擇性地將電磁輻射傳遞至光學(xué)投射件708。于部分實(shí)施方式中，光罩706可包含配置在透明基板上的不透明材料(例如，配置在玻璃基板上的鉻)。于其他實(shí)施方式中，光罩706可包含相位位移光罩，且相位位移光罩包含配置在不透明遮蔽層(例如，鉻)與透明基板之間的相位位移層(例如，鉬硅氮氧化物(moxsiyonz))。于另外實(shí)施方式中，光罩706可包含極紫外光遮罩，且極紫外光遮罩包含設(shè)置在多層反射涂層之上的圖案化的吸收體，其中多層反射涂層配置在低熱膨脹系數(shù)材料之上。

光學(xué)投射件708為用以將電磁輻射710沿路徑組聚焦，其中路徑組為沿影像面712收斂，藉以將圖案(由光罩706所定義)投射在覆于基板102之上的感光材料302內(nèi)，基板102由晶圓座716所固持。影像面712具有聚焦深度714，且聚焦深度714可使電磁輻射的光學(xué)性質(zhì)(焦距、劑量等)能滿足將感光材料302曝光，藉以依據(jù)可接受的良率標(biāo)準(zhǔn)，而于感光材料302內(nèi)形成可溶解區(qū)域(例如，電磁輻射所具有的光學(xué)性質(zhì)足以使良率超過90％)。于多個(gè)實(shí)施方式中，光學(xué)投射件708可包含多個(gè)第二光學(xué)元件，像是透鏡組、面鏡組、濾光件等。

動(dòng)態(tài)焦距元件718為用以于對感光材料302內(nèi)的圖案進(jìn)行曝光的期間，變化光學(xué)投射件708的聚焦位置。變化光學(xué)投射件708的聚焦位置會(huì)改變光學(xué)投射件708的影像面712的位置。通過改變光學(xué)投射件708的影像面712的位置，感光材料302受電磁輻射的曝光處會(huì)在多個(gè)聚焦深度，且此多個(gè)聚焦深度分別跨越感光材料302內(nèi)的不同區(qū)域。藉由通過圖案對多個(gè)聚焦深度曝光，具有可接受的光學(xué)性質(zhì)的電磁輻射710所提供的漸增的聚焦深度會(huì)大于不增減的影像面的聚焦深度，藉以改善動(dòng)態(tài)光刻曝光裝置700的處理窗口。

圖7b為繪示部分實(shí)施方式的示意圖720，其中示意圖表示了用于通過所揭露的動(dòng)態(tài)光刻曝光裝置700實(shí)現(xiàn)的不同聚深度的范例劑量。

如圖中720所示，于第一時(shí)間點(diǎn)(t＝1)期間，電磁輻射會(huì)聚焦在第一影像面，且第一影像面提供使第一聚焦深度722可跨越空間位置的第一范圍。于第一聚焦深度722內(nèi)，電磁輻射具有變化的劑量。舉例而言，于第一聚焦深度722的中心(fcen1)內(nèi)，電磁輻射具有最大的劑量。然而，當(dāng)自第一聚焦深度722的中心向外的距離增加時(shí)，電磁輻射的劑量會(huì)隨之減少(例如，fcen1+δf以及fcen1+δf的劑量會(huì)小于fcen1的劑量)。

于第二時(shí)間點(diǎn)(t＝2)期間，電磁輻射會(huì)聚焦在第二影像面，且第二影像面提供使第二聚焦深度724可跨越空間位置的第一范圍。于第二聚焦深度724內(nèi)，電磁輻射同樣具有變化的劑量。舉例而言，于第二聚焦深度724的中心(fcen2)內(nèi)，電磁輻射具有最大的劑量。然而，當(dāng)自第二聚焦深度724的中心向外的距離增加時(shí)，電磁輻射的劑量會(huì)隨之減少(例如，fcen2+δf以及fcen2+δf的劑量會(huì)小于fcen2的劑量)。

于第一時(shí)間點(diǎn)(t＝1)以及第二時(shí)間點(diǎn)(t＝2)期間于曝光程序內(nèi)所累積的效應(yīng)將導(dǎo)致累積的聚焦深度726可提供在較大范圍的空間位置上有改善的劑量。舉例而言，在第一時(shí)間點(diǎn)(t＝1)或第二時(shí)間點(diǎn)(t＝2)的時(shí)候，電磁輻射所具有的聚焦深度會(huì)在fcen+δf與fcen+δf之間延伸，而其所具有的漸增的聚焦深度會(huì)在fcen+2δf與fcen+2δf之間延伸(其中δf為因變化而所增加的焦距)。因此，動(dòng)態(tài)光刻曝光裝置700將處里窗口自2δf增加至4δf。

圖8繪示動(dòng)態(tài)光刻曝光裝置800于部分額外實(shí)施方式的方框圖。

動(dòng)態(tài)光刻曝光裝置800包含數(shù)據(jù)庫804，且數(shù)據(jù)庫804與動(dòng)態(tài)焦距元件802通訊連接。數(shù)據(jù)庫804可用以儲存與待處里的基板102以及/或感光材料302相關(guān)的數(shù)據(jù)，且可將數(shù)據(jù)s提供至動(dòng)態(tài)焦距元件802。于多個(gè)實(shí)施方式中，數(shù)據(jù)庫804可儲存基板102的厚度、覆于基板102之上的感光材料302的厚度、感光材料302可被解析的最小特征尺寸、所使用的光阻材料類型、光學(xué)投射件708與用以固持基板102的晶圓座808(例如，真空晶圓盤)之間的距離(d)等。于部分實(shí)施方式中，儲存在數(shù)據(jù)庫804內(nèi)的數(shù)據(jù)可依據(jù)其他處理裝置的數(shù)據(jù)決定。舉例而言，數(shù)據(jù)庫可自旋轉(zhuǎn)涂布樁至接收感光材料302的厚度(例如，依據(jù)所使用的光阻層種類以及一或多種的用于使光阻層覆于基板102上的轉(zhuǎn)速)。

根據(jù)數(shù)據(jù)庫804所提供的數(shù)據(jù)s，動(dòng)態(tài)焦距元件802可用以決定動(dòng)態(tài)光刻曝光裝置的制程參數(shù)。舉例而言，于部分實(shí)施方式中，根據(jù)由數(shù)據(jù)庫804所得知的感光材料302的厚度，于對感光材料302進(jìn)行曝光的期間，動(dòng)態(tài)焦距元件802可決定光學(xué)投射件708的焦距范圍(影像面的范圍、聚焦深度的位置)是為待改變。于部分實(shí)施方式中，根據(jù)由數(shù)據(jù)庫804所得知的感光材料302的類型或欲使用的劑量，動(dòng)態(tài)焦距元件802可決定光學(xué)投射件708的焦距的變化率(以對感光材料302提供適合的劑量)。于另外實(shí)施方式中，動(dòng)態(tài)焦距元件802可決定光學(xué)投射件708的初始影像面的位置(例如，根據(jù)由數(shù)據(jù)庫804所得的感光材料302的厚度以及光學(xué)投射件708與晶圓座808之間的距離(d))。

根據(jù)制程參數(shù)，動(dòng)態(tài)焦距元件802為接續(xù)地用以產(chǎn)生控制訊號sctrl。于對感光材料302內(nèi)的圖案進(jìn)行曝光期間，控制訊號sctrl對光學(xué)投射件708以及/或晶圓座716進(jìn)行動(dòng)態(tài)地變化光學(xué)投射件708的焦距，藉以將電磁輻射沿多個(gè)不同路徑806a-806c于不同時(shí)間點(diǎn)投射。多個(gè)不同路徑806a-806c分別對應(yīng)影像面，且影像面具有分別跨越感光材料302內(nèi)的不同區(qū)域的不同聚焦深度。

圖9繪示動(dòng)態(tài)光刻曝光裝置900于部分額外實(shí)施方式的方框圖。

動(dòng)態(tài)光刻曝光裝置900包含動(dòng)態(tài)焦距元件906，且動(dòng)態(tài)焦距元件906具有致動(dòng)器908與控制單元910?？刂茊卧?10用以操作致動(dòng)器908，以改變動(dòng)態(tài)光刻曝光裝置900的一或多個(gè)位置，并使得可對位于基板102之上的感光材料302的多個(gè)聚焦深度處之上進(jìn)行曝光，且聚焦深度處分別跨越感光材料302內(nèi)的不同區(qū)域。于部分實(shí)施方式中，動(dòng)態(tài)焦距元件906可更進(jìn)一步的與數(shù)據(jù)庫804通訊連接，以使數(shù)據(jù)庫804可將數(shù)據(jù)提供給動(dòng)態(tài)焦距元件906。

于部分實(shí)施方式中，致動(dòng)器908可用以動(dòng)態(tài)移動(dòng)晶圓座716的位置，其中晶圓座716可于對基板102之上的感光材料302進(jìn)行曝光期間固持基板102。于如此的實(shí)施方式中，致動(dòng)器908可于對感光材料302進(jìn)行曝光期間沿方向912移動(dòng)晶圓座716。藉由沿方向912移動(dòng)晶圓座716，可改變影像面914(亦即，光罩706所投射的影像所在的面)及對應(yīng)的聚焦深度。

于其他實(shí)施方式中，動(dòng)態(tài)光刻曝光裝置900可以包含光學(xué)投射件902，其中光學(xué)投射件902具有可移動(dòng)式投射元件904，可移動(dòng)式投射元件904用以將來自光罩706的電磁輻射聚焦在感光材料302。于多個(gè)實(shí)施方式中，可移動(dòng)式投射元件904可包含透鏡以及/或面鏡。于如此的實(shí)施方式中，動(dòng)態(tài)焦距元件906為與可移動(dòng)式投射元件904通訊連接。動(dòng)態(tài)焦距元件906可用以改變可移動(dòng)式投射元件904的位置(沿方向912)，以改變可移動(dòng)式投射元件904與被投射至感光材料302的物件之間的距離。改變可移動(dòng)式投射元件904的位置可改變光學(xué)投射件902的焦距。

于部分實(shí)施方式中，控制單元910可用以操作致動(dòng)器908，以于將圖案曝光于感光材料302內(nèi)的其間改變可移動(dòng)式投射元件904的位置。藉由改變可移動(dòng)式投射元件904的位置，可改變影像面914(亦即，光罩706所投射的影像所在的面)及對應(yīng)的聚焦深度。舉例而言，根據(jù)造鏡者公式(1/f＝1/+1/do)，di為位在所形成的物件影像且di滿足di＝(f*do)/(do-f)。由于光學(xué)元件(例如透鏡)的焦距長度f為常數(shù)，通過物件(例如，光罩706或自光罩706展生的影像)與可移動(dòng)式投射元件904之間的距離do，位在所形成的影像面914的距離di可被改變。

圖10繪示動(dòng)態(tài)光刻曝光裝置1000于部分實(shí)施方式的方框圖，其中動(dòng)態(tài)光刻曝光裝置1000為使用于極紫外光光刻系統(tǒng)。

動(dòng)態(tài)光刻曝光裝置1000包含極紫外光輻射源1002，極紫外光輻射源1002用以發(fā)射極紫外光輻射1004a(所具有的波長范圍為自約10納米至約130納米)。極紫外光輻射1004a為被供應(yīng)至極紫外光光罩1006，極紫外光光罩用以選擇性地反射極紫外光輻射1004a，如反射的極紫外光輻射1004b所示。反射的極紫外光輻射1004b被提供至光學(xué)投射件708，其中光學(xué)投射件708用以將反射的極紫外光輻射1004b聚焦，以選擇性地將設(shè)置于基板102上的感光材料302圖案化。動(dòng)態(tài)焦距元件802為用以操作光學(xué)投射件708，以于對感光材料302的圖案化程序進(jìn)行曝光期間改變反射的極紫外光輻射1004b的聚焦深度。

于部分實(shí)施方式中，極紫外光光罩1006包含固定在極紫外光分隔層1008上的表層1016。表層1016包含薄膜，薄膜用以防止來自極紫外光分隔層1008的污染粒子及防止動(dòng)態(tài)光刻曝光裝置1000的效能降低。極紫外光分隔層1008包含反射性復(fù)合涂層，反射性復(fù)合涂層設(shè)置于低熱膨脹材料1009之上。反射性復(fù)合涂層包含多個(gè)反射層1010，其藉由多個(gè)間隔層1012隔開。圖案化吸收材料1014用以吸收(減弱)極紫外光輻射1004a，并設(shè)置于反射性復(fù)合涂層之上。于部分實(shí)施方式中，緩沖層(未繪示)可設(shè)置于反射性復(fù)合涂層與圖案化吸收材料1014之間。緩沖層可用以做為帽蓋層，藉以防止反射層1010中的最上面一者因暴露在周遭環(huán)境中而氧化。

于部分實(shí)施方式中，反射層1010可包含鉬或釕，且間隔層1012可包含硅。反射層1010可用以通過復(fù)合互連接層之間的布拉格(bragg)界面反射極紫外光輻射1004a，且復(fù)合互連接層為分別形成在反射層1010與間隔層1012之間。舉例而言，極紫外光輻射1004a可以部分地于第一互連接層反射，其中第一互連接層形成于第一反射層與第一間隔層之間，且極紫外光輻射1004a也可以部分地于第二互連接層反射，其中第二互連接層形成于第二反射層與第二間隔層之間。

圖11繪示動(dòng)態(tài)光刻曝光裝置1100于部分額外實(shí)施方式的方框圖，其中動(dòng)態(tài)光刻曝光裝置1100為使用于極紫外光光刻系統(tǒng)。雖動(dòng)態(tài)光刻曝光裝置1100為繪示為具有一定程度的元件配置，然而，應(yīng)當(dāng)理解，所揭露的極紫外光光源為置入于極紫外光光刻系統(tǒng)，而極紫外光光刻系統(tǒng)可以具有其他額外元件(例如，額外面鏡)或具有較少的元件(例如，較少的面鏡)。

動(dòng)態(tài)光刻曝光裝置1100包含極紫外光輻射源1002，且含極紫外光輻射源1002用以提供極紫外光輻射1114(所具有的波長范圍為自約10納米至約130納米)至極紫外光光罩1006，且極紫外光光罩1006具有圖案化的復(fù)合層反射表面。于部分實(shí)施方式中，極紫外光輻射源1002可包含主激光1102，油滴產(chǎn)生器1106以及收集面鏡1112。油滴產(chǎn)生器1106為用以提供油滴1108，其可擊中由主激光1102產(chǎn)生的主激光光束1104。藉由油滴1108擊中主激光光束1104可產(chǎn)生電漿1110，且電漿1110包含可發(fā)射極紫外光輻射1114的離子，且此極紫外光輻射1114所具有的波長范圍為自約10納米至約130納米(例如具有波長13.5納米)。

極紫外光輻射1114可通過中繼焦距單元1116而自極紫外光輻射源1002被輸出提供至聚焦光源件1120。于部分實(shí)施方式中，聚焦光源件1120包含第一表面1122a、第二表面1122b及反射器1124，第一表面1122a及第二表面1122b用以將極紫外光輻射1114聚焦，而反射器1124用以將極紫外光輻射1126朝極紫外光光罩1006反射。紫外光光罩1006用以選擇性地反射極紫外光輻射1128至光學(xué)投射件1130，且光學(xué)投射件1130將圖案投射至設(shè)置于半導(dǎo)體物件1132之上的感光材料(例如，光阻)上。為了產(chǎn)生圖案，極紫外光光罩1006包含圖案化吸收材料，其配置在極紫外光光罩1006的前表面。圖案化吸收材料用以吸收極紫外光輻射1126，使得極紫外光輻射1128的反射光會(huì)傳遞至由極紫外光光罩1006所定義的圖案。

于部分實(shí)施方式中，光學(xué)投射件1130可包含一系列的面鏡1130a-1130d，其做為將極紫外光輻射1128所攜帶的圖案的尺寸縮減。此一系列的面鏡1130a-1130d將極紫外光輻射1128傳遞至設(shè)置于半導(dǎo)體物件1132之上的感光材料(例如，光阻)的層狀物上。動(dòng)態(tài)焦距元件802用以操作光學(xué)投射件1130，以改變投射在趕光材料上的極紫外光輻射1128的聚焦深度。于部分實(shí)施方式中，動(dòng)態(tài)焦距元件802可用以動(dòng)態(tài)變化面鏡1130a-1130d中的一或多者的位置。極紫外光輻射1128可圖案化感光材料的層狀物，使得接續(xù)程序可于半導(dǎo)體物件1132上的選擇區(qū)域進(jìn)行。

根據(jù)上述，本揭露內(nèi)容為關(guān)于動(dòng)態(tài)光刻曝光方法及與其關(guān)聯(lián)的裝置，其可于對感光材料進(jìn)行曝光的期間改變電磁輻射的焦距(例如影像面的位置或聚焦深度的位置等)，以致使致使電磁輻射具有多個(gè)分別跨越感光材料內(nèi)的不同區(qū)域的多個(gè)聚焦深度。不同的聚焦深度可提供漸增的聚焦深度，其中漸增的聚焦深度大于原本不同的聚焦深度，因此將導(dǎo)致產(chǎn)生較大的光刻處理窗口，并改善感光材料的曝光制程。

于部分實(shí)施方式中，本揭露內(nèi)容與一種感光材料的顯影方法相關(guān)。顯影方法包含在基板上方形成感光材料。顯影方法更包含使用電磁輻射對感光材料的多個(gè)聚焦深度處進(jìn)行曝光，聚焦深度處分別跨越該感光材料內(nèi)的不同區(qū)域。使用電磁輻射曝光感光材料修改感光材料內(nèi)的曝光區(qū)域的溶解度。顯影方法更包含對感光材料進(jìn)行顯影，以移除可溶解區(qū)域。

于部分實(shí)施方式中，對感光材料的多個(gè)聚焦深度處進(jìn)行曝光的步驟包含連續(xù)地調(diào)整聚焦深度，其中聚焦深度處為實(shí)質(zhì)地沿縱向方向?qū)?zhǔn)，且縱向方向與感光材料的上表面垂直。

于部分實(shí)施方式中，多個(gè)聚焦深度于感光材料的上表面與感光材料的下表面之間延伸。

于部分實(shí)施方式中，顯影方法更包含于曝光感光材料內(nèi)的同一圖案期間，改變電磁輻射的焦距。

于部分實(shí)施方式中，顯影方法，更包含以下步驟。于第一時(shí)間點(diǎn)，將電磁輻射聚焦在第一影像面，其中第一影像面位于感光材料的上表面下方的第一深度。于第二時(shí)間點(diǎn)，將電磁輻射聚焦在第二影像面，其中第二影像面位于感光材料的上表面下方的第二深度。

于部分實(shí)施方式中，形成在第一影像面及第二影像面的影像于縱向方向上偏移，并實(shí)質(zhì)上于橫向方向上對準(zhǔn)。

于部分實(shí)施方式中，顯影方法更包含改變焦距，以單調(diào)地提升于感光材料內(nèi)的影像面的深度。

于部分實(shí)施方式中，顯影方法，更包含以下步驟。決定感光材料的厚度。決定被曝光的最小特征尺寸。根據(jù)厚度或最小特征尺寸，決定焦距的改變范圍。

于部分實(shí)施方式中，顯影方法更包含于同一圖案內(nèi)，連續(xù)地使用電磁輻射對感光材料進(jìn)行曝光，并同時(shí)動(dòng)態(tài)地改變電磁輻射的聚焦深度。

于部分實(shí)施方式中，顯影方法更包含以下步驟。在改變電磁輻射的聚焦深度的步驟之間，于同一圖案內(nèi)，直接地使用電磁輻射對感光材料進(jìn)行曝光。

于部分實(shí)施方式中，顯影方法更包含以下步驟。于移除可溶解區(qū)域后，處理基板。于處理基板后，自基板移除感光材料。

于部分實(shí)施方式中，顯影方法更包含以下步驟。于移除感光材料后，在基板上方形成感光材料的第二層狀物。使用電磁輻射對感光材料的第二層狀物之多個(gè)第二聚焦深度處進(jìn)行曝光，第二聚焦深度處分別跨越感光材料的第二層狀物內(nèi)的不同空間區(qū)域，其中使用電磁輻射曝光感光材料的第二層狀物形成第二可溶解區(qū)域于感光材料的第二層狀物內(nèi)，且感光材料的第二層狀物具有異于可溶解區(qū)域的圖案。對感光材料的第二層狀物進(jìn)行顯影，以移除第二可溶解區(qū)域。

于其他的實(shí)施方式中，本揭露內(nèi)容與一種感光材料的顯影方法相關(guān)。顯影方法包含在基板上方形成感光材料。顯影方法更包含于第一時(shí)間點(diǎn)，將電磁輻射聚焦在第一影像面。第一影像面位于感光材料的上表面下方的第一深度。顯影方法更包含于第二時(shí)間點(diǎn)，將電磁輻射聚焦在第二影像面。第二影像面位于感光材料的上表面下方的第二深度。使用電磁輻射曝光感光材料修改感光材料的曝光區(qū)域的溶解度。

于部分實(shí)施方式中，顯影方法更包含使用電磁輻射對感光材料內(nèi)的同一圖案之多個(gè)聚焦深度處進(jìn)行曝光，且多個(gè)聚焦深度處分別跨越感光材料內(nèi)的不同區(qū)域。

于部分實(shí)施方式中，多個(gè)聚焦深度在縱向方向上為連續(xù)的或重疊的，且縱向方向?yàn)榇怪备泄獠牧系纳媳砻妗?/p>

于部分實(shí)施方式中，顯影方法更包含以下步驟。自基板移除感光材料。于移除感光材料后，在基板上方形成感光材料的第二層狀物。使用電磁輻射對感光材料的第二層狀物的多個(gè)第二聚焦深度處進(jìn)行曝光，第二聚焦深度處分別跨越感光材料的第二層狀物內(nèi)的不同空間區(qū)域，其中使用電磁輻射曝光感光材料的第二層狀物修改感光材料的第二層狀物內(nèi)的第二區(qū)域的溶解度，且感光材料的第二層狀物具有異于曝光區(qū)域的圖案。

于另外的實(shí)施方式中，本揭露內(nèi)容與一種光刻裝置相關(guān)。光刻裝置包含照射源，照射源用以產(chǎn)生電磁輻射。光學(xué)投射件用以依據(jù)光罩上的圖案，而將電磁輻射聚焦在覆于基板上的感光材料上。動(dòng)態(tài)焦距元件用以于曝光感光材料期間動(dòng)態(tài)地改變光學(xué)投射件的焦距。

于部分實(shí)施方式中，改變光學(xué)投射件的焦距，為使用電磁輻射對感光材料之多個(gè)聚焦深度處進(jìn)行曝光，聚焦深度處分別跨越感光材料內(nèi)的不同空間區(qū)域。

于部分實(shí)施方式中，光刻裝置更包含數(shù)據(jù)庫。數(shù)據(jù)庫與動(dòng)態(tài)焦距元件通訊連接，并用以儲存數(shù)據(jù)，其中動(dòng)態(tài)焦距元件用以依據(jù)數(shù)據(jù)決定光學(xué)投影器的焦距的變化或用以決定光學(xué)投射件的焦距的改變率。

于部分實(shí)施方式中，動(dòng)態(tài)焦距元件包含致動(dòng)器。致動(dòng)器用以改變晶圓座的位置，晶圓座用以于使用電磁輻射對感光材料進(jìn)行曝光的期間固持基板，其中改變晶圓座的位置改變光學(xué)投射件于感光材料的厚度內(nèi)的聚焦深度。

上敘概述了多個(gè)實(shí)施方法的特征，使得本技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者更可以理解本揭露的技術(shù)態(tài)樣。本技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者應(yīng)當(dāng)理解，其可以適當(dāng)?shù)匾员窘衣蹲鳛榛A(chǔ)以設(shè)計(jì)或修改其他制程以及結(jié)構(gòu)以實(shí)現(xiàn)相同目的和/或達(dá)到本文所教示的實(shí)施方法的相同優(yōu)點(diǎn)。本技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者應(yīng)該也要了解到，等效的構(gòu)造并不脫離本揭露的精神和范圍，且作出各種改變、替換和變更仍不脫離本揭露的精神和范圍。