本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造工藝，具體涉及一種圖形修正的方法。

背景技術(shù)：

1、近年來半導(dǎo)體集成電路行業(yè)經(jīng)歷了指數(shù)增長，ic材料和設(shè)計(jì)的技術(shù)進(jìn)步使得每一代ic都具有比上一代更小和更復(fù)雜的電路。隨著半導(dǎo)體技術(shù)向先進(jìn)工藝發(fā)展及圖形關(guān)鍵尺寸的減小，離焦條件下正顯影(positivetone?develop,縮寫為ptd)光阻上的圖形剝離(pattern?peeling)成為限制圖形工藝窗口的重要原因，這是由于在顯影時(shí)用去離子水清洗晶圓表面，在干燥過程中去離子水的張力會(huì)作用在光阻上，當(dāng)作用力過大時(shí)就會(huì)造成圖形剝離。這個(gè)作用力的大小與水的張力、光阻厚度、表面接觸角、以及光阻頂部間距有關(guān)，且光阻頂部間距越小，越容易發(fā)生圖形剝離。現(xiàn)有技術(shù)中通常通過使用表面活性劑、減小光阻高寬比、增大光阻與基底的附著力等技術(shù)手段解決圖形剝離的問題。

2、然而，由于材料開發(fā)逐漸達(dá)到瓶頸，通過優(yōu)化材料的方式減少離焦條件下正顯影光阻上的圖形剝離的難度增大，造成形成的掩膜圖形工藝窗口減小，使得最終的金屬工藝窗口減小。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明解決的技術(shù)問題是，提供一種圖形修正的方法，解決圖形剝離的問題，增大金屬的工藝窗口。

2、為了解決上述問題，本發(fā)明的技術(shù)方案提出一種圖形修正的方法，包括：獲取待修正版圖，所述待修正版圖包括若干初始主圖形以及位于相鄰初始主圖形之間的若干初始輔助圖形；在若干初始主圖形中獲取發(fā)生圖形剝離的關(guān)鍵主圖形；對所述待修正版圖進(jìn)行光強(qiáng)分布調(diào)制，用于改變所述關(guān)鍵主圖形的曝光光強(qiáng)值；在進(jìn)行光強(qiáng)分布調(diào)制之后，對所述待修正版圖進(jìn)行光學(xué)鄰近修正，獲取第一修正版圖，所述第一修正版圖包括與所述關(guān)鍵主圖形對應(yīng)的修正主圖形；獲取所述修正主圖形的曝光光強(qiáng)最小值；當(dāng)所述曝光光強(qiáng)最小值大于等于光強(qiáng)閾值時(shí)，以當(dāng)前次第一修正版圖作為待修正版圖，且以當(dāng)前次的修正主圖形作為關(guān)鍵主圖形，并進(jìn)行下一次光強(qiáng)分布調(diào)制；當(dāng)所述曝光光強(qiáng)最小值小于光強(qiáng)閾值時(shí)，以當(dāng)前次第一修正版圖作為掩膜圖形。

3、可選的，獲取所述待修正版圖的方法包括：獲取若干初始主圖形；在所述初始主圖形周圍添加若干初始輔助圖形。

4、可選的，在若干初始主圖形中獲取關(guān)鍵主圖形的方法包括：對所述待修正版圖進(jìn)行圖形化處理，獲取第一曝光結(jié)構(gòu)；對所述第一曝光結(jié)構(gòu)進(jìn)行檢測，在所述第一曝光結(jié)構(gòu)中獲取發(fā)生圖形剝離的結(jié)構(gòu)；獲取所述發(fā)生圖形剝離的結(jié)構(gòu)所對應(yīng)的初始主圖形為所述關(guān)鍵主圖形。

5、可選的，在獲取關(guān)鍵主圖形之后，在對所述待修正版圖進(jìn)行光強(qiáng)分布調(diào)制之前，還包括：獲取光強(qiáng)閾值。

6、可選的，所述獲取光強(qiáng)閾值的方法包括：獲取測試版圖，所述測試版圖包括不同關(guān)鍵尺寸測試主圖形、不同間距相鄰測試主圖形、以及不同數(shù)量測試輔助圖形的遍歷組合；對所述測試版圖進(jìn)行圖形化處理，在若干測試主圖形中獲取發(fā)生圖形剝離的關(guān)鍵測試主圖形；獲取各所述關(guān)鍵測試主圖形各自的光強(qiáng)分布曲線；在若干所述光強(qiáng)分布曲線中分別獲取關(guān)鍵光強(qiáng)最小值；在若干所述關(guān)鍵光強(qiáng)最小值中獲取剝離光強(qiáng)最小值，作為所述光強(qiáng)閾值。

7、可選的，所述光強(qiáng)分布調(diào)制包括：在所述關(guān)鍵主圖形周圍增加至少一個(gè)修正輔助圖形。

8、可選的，所述光強(qiáng)分布調(diào)制包括：增大或減小與所述關(guān)鍵主圖形相鄰的初始輔助圖形的關(guān)鍵尺寸；增大或減小所述初始輔助圖形的關(guān)鍵尺寸的范圍為：10nm～24nm。

9、可選的，所述光強(qiáng)分布調(diào)制包括：增大或減小關(guān)鍵主圖形周圍的相鄰所述初始輔助圖形之間的距離；增大或減小相鄰所述初始輔助圖形之間的距離的范圍為：30nm～100nm。

10、可選的，獲取所述修正主圖形的曝光光強(qiáng)最小值的方法包括：對光學(xué)鄰近修正后的修正主圖形進(jìn)行模擬曝光；獲取修正主圖形在模擬曝光中的光強(qiáng)分布曲線；基于所述光強(qiáng)分布曲線，獲取修正主圖形的光強(qiáng)最小值。

11、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案具有以下有益效果：

12、本發(fā)明的技術(shù)方案提供的圖形修正的方法中，通過對修正主圖形的曝光光強(qiáng)最小值與光強(qiáng)閾值之間的大小關(guān)系進(jìn)行比較，對曝光光強(qiáng)最小值大于等于光強(qiáng)閾值的修正主圖形進(jìn)行若干次光強(qiáng)分布調(diào)制處理直至修正主圖形的曝光光強(qiáng)最小值小于所述光強(qiáng)閾值，當(dāng)前次第一修正版圖即為不發(fā)生圖形剝離的掩膜圖形。本發(fā)明提出了一種可靠的預(yù)測模型，即通過比較修正主圖形曝光光強(qiáng)最小值與光強(qiáng)閾值的大小關(guān)系，來判斷修正主圖形是否會(huì)發(fā)生圖形剝離，大大降低了實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證成本，并降低了掩膜圖形發(fā)生圖形剝離的可能，同時(shí)增大了最終形成的掩膜圖形的工藝窗口。

技術(shù)特征：

1.一種圖形修正的方法，其特征在于，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的圖形修正的方法，其特征在于，獲取所述待修正版圖的方法包括：獲取若干初始主圖形；在所述初始主圖形周圍添加若干初始輔助圖形。

3.如權(quán)利要求1所述的圖形修正的方法，其特征在于，在若干初始主圖形中獲取關(guān)鍵主圖形的方法包括：對所述待修正版圖進(jìn)行圖形化處理，獲取第一曝光結(jié)構(gòu)；對所述第一曝光結(jié)構(gòu)進(jìn)行檢測，在所述第一曝光結(jié)構(gòu)中獲取發(fā)生圖形剝離的結(jié)構(gòu)；獲取所述發(fā)生圖形剝離的結(jié)構(gòu)所對應(yīng)的初始主圖形為所述關(guān)鍵主圖形。

4.如權(quán)利要求3所述的圖形修正的方法，其特征在于，在獲取關(guān)鍵主圖形之后，在對所述待修正版圖進(jìn)行光強(qiáng)分布調(diào)制之前，還包括：獲取光強(qiáng)閾值。

5.如權(quán)利要求4所述的圖形修正的方法，其特征在于，所述獲取光強(qiáng)閾值的方法包括：獲取測試版圖，所述測試版圖包括不同關(guān)鍵尺寸測試主圖形、不同間距相鄰測試主圖形、以及不同數(shù)量測試輔助圖形的遍歷組合；對所述測試版圖進(jìn)行圖形化處理，在若干測試主圖形中獲取發(fā)生圖形剝離的關(guān)鍵測試主圖形；獲取各所述關(guān)鍵測試主圖形各自的光強(qiáng)分布曲線；在若干所述光強(qiáng)分布曲線中分別獲取關(guān)鍵光強(qiáng)最小值；在若干所述關(guān)鍵光強(qiáng)最小值中獲取剝離光強(qiáng)最小值，作為所述光強(qiáng)閾值。

6.如權(quán)利要求1所述的圖形修正的方法，其特征在于，所述光強(qiáng)分布調(diào)制包括：在所述關(guān)鍵主圖形周圍增加至少一個(gè)修正輔助圖形。

7.如權(quán)利要求1所述的圖形修正的方法，其特征在于，所述光強(qiáng)分布調(diào)制包括：增大或減小與所述關(guān)鍵主圖形相鄰的初始輔助圖形的關(guān)鍵尺寸；增大或減小所述初始輔助圖形的關(guān)鍵尺寸的范圍為：10nm～24nm。

8.如權(quán)利要求1所述的圖形修正的方法，其特征在于，所述光強(qiáng)分布調(diào)制包括：增大或減小關(guān)鍵主圖形周圍的相鄰所述初始輔助圖形之間的距離；增大或減小相鄰所述初始輔助圖形之間的距離的范圍為：30nm～100nm。

9.如權(quán)利要求1所述的圖形修正的方法，其特征在于，獲取所述修正主圖形的曝光光強(qiáng)最小值的方法包括：對光學(xué)鄰近修正后的修正主圖形進(jìn)行模擬曝光；獲取修正主圖形在模擬曝光中的光強(qiáng)分布曲線；基于所述光強(qiáng)分布曲線，獲取修正主圖形的光強(qiáng)最小值。

技術(shù)總結(jié)
一種圖形修正的方法，包括：獲取待修正版圖，待修正版圖包括若干初始主圖形以及位于初始主圖形之間的若干初始輔助圖形；在若干初始主圖形中獲取發(fā)生圖形剝離的關(guān)鍵主圖形；對待修正版圖進(jìn)行光強(qiáng)分布調(diào)制，用于改變關(guān)鍵主圖形的曝光光強(qiáng)值；對待修正版圖進(jìn)行光學(xué)鄰近修正，獲取第一修正版圖，第一修正版圖包括與關(guān)鍵主圖形對應(yīng)的修正主圖形；獲取修正主圖形的曝光光強(qiáng)最小值；當(dāng)曝光光強(qiáng)最小值大于等于光強(qiáng)閾值時(shí)，以當(dāng)前次第一修正版圖作為待修正版圖，且以當(dāng)前次的修正主圖形作為關(guān)鍵主圖形，并進(jìn)行下一次光強(qiáng)分布調(diào)制；當(dāng)曝光光強(qiáng)最小值小于光強(qiáng)閾值時(shí)，以當(dāng)前次第一修正版圖作為掩膜圖形，降低了驗(yàn)證成本，增大了掩膜圖形的工藝窗口。

技術(shù)研發(fā)人員：彭麗萍,沈泫,任宏紅
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/10