本公開涉及光纖定位部件和光纖熔接機(jī)。本申請主張基于2022年3月17日提出申請的日本申請第2022－042680號的優(yōu)先權(quán)，并援引記載于所述日本申請中的所有記載內(nèi)容。

背景技術(shù)：

1、專利文獻(xiàn)1公開了一種與激光熔合夾具相關(guān)的技術(shù)。該激光熔合夾具是用于將光纖熔合的激光熔合夾具，具備具有v字形的槽的v形槽基板，其中，該v字形的槽用于配置光纖。v形槽基板由石英、紅寶石、藍(lán)寶石或氧化鋯構(gòu)成。對v形槽基板實(shí)施了二氧化鈦包覆。

2、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

3、專利文獻(xiàn)

4、專利文獻(xiàn)1：日本特開2011－158728號公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、發(fā)明所要解決的問題

2、如專利文獻(xiàn)1所記載的那樣，在將兩根光纖相互熔接時(shí)，為了對光纖進(jìn)行定位，使用具有v形槽的部件。光纖容納于v形槽內(nèi)并與v形槽的一對斜面接觸，由此該光纖在與其中心軸線交叉的面內(nèi)被定位。在這樣的構(gòu)成中，當(dāng)污漬附著于v形槽內(nèi)時(shí)，光纖的位置會偏移該污漬的厚度的量，因此光纖的定位精度會下降。

3、本公開的目的在于提供一種能使污漬不易附著于用于光纖的定位的的v形槽內(nèi)的光纖定位部件和光纖熔接機(jī)。

4、用于解決問題的方案

5、一個(gè)實(shí)施方式的光纖定位部件是設(shè)置于光纖熔接機(jī)，進(jìn)行與光纖的中心軸線交叉的面內(nèi)的光纖的定位的部件。光纖定位部件具備陶瓷制的基體構(gòu)件、金屬層、氧化物層以及包覆層。基體構(gòu)件具有筆直地延伸的v形槽。金屬層至少在v形槽的內(nèi)側(cè)設(shè)于基體構(gòu)件上并與基體構(gòu)件接觸。金屬層包含選自由鉻、鈦、鉭以及鈮構(gòu)成的組中的至少一種金屬。氧化物層設(shè)于金屬層上并與金屬層接觸。包覆層設(shè)于氧化物層上并與氧化物層接觸。包覆層具有疏水性和疏油性。v形槽的內(nèi)側(cè)的包覆層與光纖相接，由此進(jìn)行光纖的定位。

6、發(fā)明效果

7、根據(jù)本公開的光纖定位部件和光纖熔接機(jī)，能使污漬不易附著于v形槽內(nèi)。

技術(shù)特征：

1.一種光纖定位部件，設(shè)置于光纖熔接機(jī)，進(jìn)行與光纖的中心軸線交叉的面內(nèi)的所述光纖的定位，其中，所述光纖定位部件具備：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光纖定位部件，其中，

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光纖定位部件，其中，

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的光纖定位部件，其中，

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光纖定位部件，其中，

6.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的光纖定位部件，其中，

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光纖定位部件，其中，

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的光纖定位部件，其中，

9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的光纖定位部件，其中，

10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的光纖定位部件，其中，

11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)所述的光纖定位部件，其中，

12.根據(jù)權(quán)利要求1至11中任一項(xiàng)所述的光纖定位部件，其中，

13.根據(jù)權(quán)利要求1至12中任一項(xiàng)所述的光纖定位部件，其中，

14.一種光纖熔接機(jī)，具備如權(quán)利要求1至13中任一項(xiàng)所述的光纖定位部件。

技術(shù)總結(jié)
光纖定位部件(3a)設(shè)置于光纖熔接機(jī)(10)，進(jìn)行與光纖(F)的中心軸線交叉的面內(nèi)的光纖(F)的定位。光纖定位部件(3a)具備：陶瓷制的基體構(gòu)件(32)，具有筆直地延伸的V形槽(31)；金屬層(37)，至少在V形槽(31)的內(nèi)側(cè)設(shè)于基體構(gòu)件(32)上并與基體構(gòu)件(32)接觸，包含選自由Cr、Ti、Ta以及Nb構(gòu)成的組中的至少一種金屬；氧化物層(38)，設(shè)于金屬層(37)上并與金屬層(37)接觸；以及包覆層(39)，設(shè)于氧化物層(38)上并與氧化物層(38)接觸，具有疏水性和疏油性。對于光纖定位部件(3a)，V形槽(31)的內(nèi)側(cè)的包覆層(39)與光纖(F)相接，由此進(jìn)行光纖(F)的定位。

技術(shù)研發(fā)人員：佐佐木智義,上甲和文,佐藤龍一郎,小野寺智
受保護(hù)的技術(shù)使用者：住友電工光學(xué)前沿株式會社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/10