本發(fā)明構(gòu)思涉及制造掩模的方法，并且更具體地，涉及光學鄰近校正(opc)方法和使用opc方法的掩模制造方法。

背景技術(shù)：

1、在半導體工藝中，可以執(zhí)行使用掩模的光刻工藝以在半導體襯底(諸如晶片)上形成圖案。掩模可以被簡單地定義為圖案轉(zhuǎn)移體，其中不透明材料的圖案形狀形成在透明的基底材料上。簡要地描述掩模制造工藝。首先可以設計所需的電路，并且可以設計該電路的布局。然后可以將通過使用opc方法獲得的設計數(shù)據(jù)作為掩模流片(mto)設計數(shù)據(jù)傳送。接下來，可以基于mto設計數(shù)據(jù)執(zhí)行掩模數(shù)據(jù)準備(mdp)操作，并且可以對掩模襯底執(zhí)行曝光工藝等。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明構(gòu)思提供了能夠通過使用單次曝光圖案化實現(xiàn)具有臨界間距的圖案的光學鄰近校正(opc)方法，以及包括該opc方法的掩模制造方法。

2、另外，由本發(fā)明構(gòu)思的技術(shù)思想要解決的問題不限于上面提到的那些，并且本領域的普通技術(shù)人員可以從下面的描述清楚地理解其它問題。

3、根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一方面，提供了一種光學鄰近校正(opc)方法，該方法包括：接收要在襯底上形成的目標圖案的設計布局；通過對設計布局執(zhí)行第一opc獲得opc圖案；獲得opc圖案的模擬輪廓；基于模擬輪廓，對opc圖案中包括的線圖案的線端執(zhí)行線端銳化(les)opc，線圖案在第一方向上延伸并且在第一方向上彼此相鄰；切割線圖案的線端中的至少一個的一部分；以及對另一線圖案的側(cè)線執(zhí)行第二opc，另一線圖案在垂直于第一方向的第二方向上與至少一個線端相鄰并在第一方向上延伸。

4、此外，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一方面，提供了一種光學鄰近校正(opc)方法，該方法包括：接收要在襯底上形成的目標圖案的設計布局；通過對設計布局執(zhí)行第一opc獲得opc圖案；獲得opc圖案的模擬輪廓；基于模擬輪廓，針對opc圖案中包括的線圖案的線端定義參考橋接余量區(qū)域和隆起橋接余量區(qū)域，線圖案在第一方向上延伸并且在第一方向上彼此相鄰；對線端中的至少一個線端執(zhí)行線端銳化(les)opc，使得在垂直于第一方向的第二方向上與至少一個線端相鄰并且在第一方向上延伸的另一線圖案與隆起橋接余量區(qū)域重疊的重疊區(qū)域被移除；切割至少一個線端的一部分；以及對另一線圖案的側(cè)線執(zhí)行第二opc，其中，當目標圖案僅使用第一opc并且包括否則將需要兩次或更多次的極紫外(uev)曝光工藝的臨界線寬時，使用euv曝光工藝一次形成目標圖案。

5、此外，根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一方面，提供了一種掩模制造方法，該方法包括：執(zhí)行光學鄰近校正(opc)方法，使得獲得opced設計布局，opced設計布局對應于要在襯底上形成的目標圖案；準備掩模流片(mto)設計數(shù)據(jù)，mto設計數(shù)據(jù)基于opced設計布局數(shù)據(jù)；基于mto設計數(shù)據(jù)準備掩模數(shù)據(jù)；以及基于掩模數(shù)據(jù)對掩模襯底執(zhí)行曝光，其中，執(zhí)行opc方法包括：接收要在襯底上形成的目標圖案的設計布局，通過對設計布局執(zhí)行第一opc獲得opc圖案，獲得opc圖案的模擬輪廓，基于模擬輪廓，對opc圖案中包括的線圖案的線端執(zhí)行線端銳化(les)opc，線圖案在第一方向上延伸并且在第一方向上彼此相鄰，切割線端中的至少一個線端的一部分，以及對另一線圖案的側(cè)線執(zhí)行第二opc，另一線圖案在垂直于第一方向的第二方向上與至少一個線端相鄰并在第一方向上延伸。

技術(shù)特征：

1.一種光學鄰近校正方法，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學鄰近校正方法，其中，執(zhí)行所述線端銳化光學鄰近校正包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光學鄰近校正方法，其中，

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光學鄰近校正方法，其中，執(zhí)行所述線端銳化光學鄰近校正使得當通過改變所述線端隆起將所述半徑rb改變?yōu)榘霃絩b’時，所述半徑rb’滿足下面的方程式2，

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光學鄰近校正方法，其中，在切割所述至少一個線端的一部分的步驟中，

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光學鄰近校正方法，其中，所述寬度dcut是防止所述相鄰的線端的隆起橋接余量區(qū)域彼此重疊的寬度。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學鄰近校正方法，其中，

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光學鄰近校正方法，其中，所述增大的寬度dopc根據(jù)所述另一線圖案的所述側(cè)線上的段分割中的段的大小而變化。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學鄰近校正方法，其中，

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學鄰近校正方法，其中，當所述目標圖案僅使用所述第一光學鄰近校正并且包括否則將需要兩次或更多次的極紫外曝光工藝的臨界線寬時，使用所述極紫外曝光工藝一次形成所述目標圖案。

11.一種光學鄰近校正方法，包括：

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的光學鄰近校正方法，其中，

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的光學鄰近校正方法，其中，在切割所述至少一個線端的一部分的步驟中，

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的光學鄰近校正方法，其中，執(zhí)行所述第二光學鄰近校正以最大化增大的寬度dopc，所述增大的寬度dopc對應于所述另一線圖案的側(cè)線部分在所述第二方向上的增大的寬度，

15.一種掩模制造方法，包括：

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，執(zhí)行所述線端銳化光學鄰近校正包括：

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，

18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，在切割所述至少一個線端的一部分的步驟中，

19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，執(zhí)行所述第二光學鄰近校正以最大化增大的寬度dopc，所述增大的寬度dopc對應于所述另一線圖案的側(cè)線部分在所述第二方向上的增大的寬度，

20.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，還包括：基于所述第二光學鄰近校正的結(jié)果制造掩模以形成所述目標圖案，

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明構(gòu)思提供了能夠通過使用單次曝光圖案化來實現(xiàn)具有臨界間距的圖案的光學鄰近校正(OPC)方法，以及包括該OPC方法的掩模制造方法。該OPC方法包括：接收要在襯底上形成的目標圖案的設計布局；通過對設計布局執(zhí)行第一OPC來獲得OPC圖案；獲得OPC圖案的模擬輪廓；基于OPC圖案的模擬輪廓，對在第一方向上延伸并且在第一方向上彼此相鄰的線圖案的線端執(zhí)行線端銳化(LES)OPC；切割線圖案的線端的一部分；以及對在垂直于第一方向的第二方向上與線端相鄰且在第一方向上延伸的另一線圖案的側(cè)線執(zhí)行第二OPC。

技術(shù)研發(fā)人員：鄭柄濟
受保護的技術(shù)使用者：三星電子株式會社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/30