本發(fā)明涉及為了得到與光學(xué)元件的透射率或反射率相關(guān)的信息的測量裝置、曝光裝置、物品的制造方法以及測量方法。
背景技術(shù):
1、作為在平板顯示器、半導(dǎo)體器件的制造工序(光刻工序)中使用的裝置之一,存在將由照明光學(xué)系統(tǒng)照明的原版的圖案經(jīng)由投影光學(xué)系統(tǒng)投影到基板上而對該基板進(jìn)行曝光的曝光裝置。已知在曝光裝置中使用的基板涂布有抗蝕劑,通過抗蝕劑被曝光,從而從抗蝕劑產(chǎn)生污染物質(zhì)。已知該污染物質(zhì)通過與周圍的氣氛中的酸、堿、有機(jī)等雜質(zhì)、搭載于曝光裝置的光學(xué)系統(tǒng)的光學(xué)元件的膜的酸、堿、有機(jī)等雜質(zhì)反應(yīng),使位于基板周邊的光學(xué)元件模糊。特別是,配置于投影光學(xué)系統(tǒng)的最下端的光學(xué)元件配置于基板正上方,因此容易模糊。
2、在日本特開2017-72734號公報(bào)中記載了一種曝光裝置,能夠判定以隔著投影光學(xué)系統(tǒng)的光瞳面的方式配置的、其表面的周邊區(qū)域比中央?yún)^(qū)域難以被污染的2個(gè)光學(xué)元件中的任一者或兩者是否被污染。該曝光裝置具備測量投影光學(xué)系統(tǒng)的光瞳面中的強(qiáng)度分布的測量器,在該測量器配置于從投影光學(xué)系統(tǒng)的光軸離開的位置的狀態(tài)下,測量投影光學(xué)系統(tǒng)的光瞳面中的光強(qiáng)度分布。然后,通過將測量出的光強(qiáng)度分布的重心位置與基準(zhǔn)位置進(jìn)行比較,判定隔著投影光學(xué)系統(tǒng)的光瞳面而配置的2個(gè)光學(xué)元件的某一者或兩者是否被污染。
3、在日本特開2017-72734號公報(bào)所記載的曝光裝置中,以光學(xué)元件的表面的周邊區(qū)域比中央?yún)^(qū)域難以被污染為前提來判定污染。然而,實(shí)際上根據(jù)污染源相對于光學(xué)元件的位置、周圍的氣體的流動,光學(xué)元件的表面中的容易被污染的區(qū)域發(fā)生各種變化。在該情況下,僅通過將測定出的光瞳面的強(qiáng)度分布的重心位置與基準(zhǔn)位置進(jìn)行比較,難以確定被污染的光學(xué)元件。并且,僅根據(jù)所測定的光瞳面的強(qiáng)度分布的重心位置,無法判定光學(xué)元件的被污染的區(qū)域的大小、位置這樣的污染狀態(tài)的分布。因此,為了確認(rèn)污染狀態(tài)的分布,需要將光學(xué)元件從曝光裝置卸下來進(jìn)行確認(rèn),存在無法迅速地進(jìn)行光學(xué)元件的污染的原因闡明以及針對污染的應(yīng)對的問題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、作為解決上述課題的本發(fā)明的一方面的測量裝置的特征在于,具有:測量部,測量從投影物體的像的光學(xué)系統(tǒng)入射到所述光學(xué)系統(tǒng)的像面的光的角度分布;以及處理部,使用所述測量部的測量結(jié)果,求出與所述光學(xué)系統(tǒng)的光學(xué)元件的透射率或反射率相關(guān)的信息,其中,所述測量部測量入射到所述光學(xué)系統(tǒng)的像面上的第1位置和與所述第1位置不同的第2位置的各個(gè)光,所述處理部基于所述測量部的測量結(jié)果中的、入射到所述第1位置的光和入射到所述第2位置的光在所述光學(xué)元件中入射的共同區(qū)域中的光強(qiáng)度分布,求出所述信息。
2、本發(fā)明的進(jìn)一步特征將根據(jù)以下對示例性實(shí)施例(參考附圖)的描述變得顯而易見。
1.一種測量裝置,其特征在于,具有:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測量裝置,其特征在于,
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測量裝置,其特征在于,
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測量裝置,其特征在于,
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測量裝置,其特征在于,
6.一種曝光裝置,對基板進(jìn)行曝光,其特征在于,具有:
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的曝光裝置,其特征在于,
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的曝光裝置,其特征在于,
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的曝光裝置,其特征在于,
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的曝光裝置,其特征在于,
11.一種物品的制造方法,其特征在于,具有:
12.一種測量方法,其中,該測量方法具有如下工序: