本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體器件及集成電路，尤其涉及一種光罩的非曝光區(qū)的缺陷監(jiān)控方法。
背景技術(shù)：
：：1、光罩(reticle)是光刻工藝不可缺少的部件，其上形成有集成電路的設(shè)計(jì)圖形，光線可透過(guò)光罩將設(shè)計(jì)圖形透射在光阻上從而實(shí)現(xiàn)曝光，其性能直接決定了光刻工藝的質(zhì)量。2、參考圖1，其示出了一種光罩的俯視示意圖，示例性的，如圖1所示，光罩100上形成圖形的區(qū)域包括曝光區(qū)101和非曝光區(qū)102，曝光區(qū)101上形成有集成電路的設(shè)計(jì)圖形(圖1中未示出)，非曝光區(qū)102上形成有4個(gè)傳輸圖像傳感器(transmission?image?sensor，tis)標(biāo)識(shí)r1、r2、r3、r4，以及用于光罩和光罩平臺(tái)(reticle?table)進(jìn)行預(yù)對(duì)準(zhǔn)的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記m1、m2。3、目前，在對(duì)光罩進(jìn)行缺陷檢測(cè)的流程中，僅對(duì)曝光區(qū)進(jìn)行檢測(cè)而無(wú)法兼顧非曝光區(qū)，而非曝光區(qū)的圖形異常會(huì)影響曝光圖形，且當(dāng)非曝光圖形異常嚴(yán)重時(shí)會(huì)導(dǎo)致光罩無(wú)法準(zhǔn)確地載入掃描機(jī)臺(tái)，進(jìn)而無(wú)法完成曝光，在新的光罩制作完成前產(chǎn)線會(huì)處于停線狀態(tài)，降低了生產(chǎn)效率。技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路1、本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N光罩的非曝光區(qū)的缺陷監(jiān)控方法，可以解決相關(guān)技術(shù)中對(duì)光罩的檢測(cè)難以兼顧非曝光區(qū)的問(wèn)題，該方法包括：2、獲取光罩的圖像，所述圖像包括曝光區(qū)的圖像和非曝光區(qū)的圖像，所述曝光區(qū)是所述光罩上用于形成集成電路的設(shè)計(jì)圖形的區(qū)域，所述非曝光區(qū)是所述光罩上除所述曝光區(qū)外的其他區(qū)域；3、獲取所述光罩的標(biāo)準(zhǔn)圖形數(shù)據(jù)，所述標(biāo)準(zhǔn)圖形數(shù)據(jù)是所述光罩的曝光區(qū)和非曝光區(qū)上形成的圖形的標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)；4、根據(jù)所述標(biāo)準(zhǔn)圖形數(shù)據(jù)和所述非曝光區(qū)的圖像確定非曝光區(qū)是否存在缺陷。5、在一些實(shí)施例中，所述標(biāo)準(zhǔn)圖形數(shù)據(jù)是包含在所述光罩的生產(chǎn)廠商所提供的光罩?jǐn)?shù)據(jù)庫(kù)中。6、在一些實(shí)施例中，所述根據(jù)所述標(biāo)準(zhǔn)圖形數(shù)據(jù)和所述非曝光區(qū)的圖像確定非曝光區(qū)是否存在缺陷，包括：7、將所述非曝光區(qū)的圖像與非曝光區(qū)的標(biāo)準(zhǔn)圖形數(shù)據(jù)進(jìn)行比對(duì)，確定所述非曝光區(qū)是否存在缺陷。8、在一些實(shí)施例中，所述方法還包括：9、當(dāng)確定非曝光區(qū)存在缺陷時(shí)，對(duì)所述光罩進(jìn)行拒收處理；10、當(dāng)確定非曝光區(qū)不存在缺陷時(shí)，對(duì)所述光罩進(jìn)行質(zhì)量檢測(cè)。11、在一些實(shí)施例中，所述對(duì)所述光罩進(jìn)行質(zhì)量檢測(cè)，包括：12、確定所述光罩的產(chǎn)品質(zhì)量檢測(cè)報(bào)告書是否符合規(guī)范；13、當(dāng)確定所述光罩的產(chǎn)品質(zhì)量檢測(cè)報(bào)告書符合規(guī)范時(shí)，對(duì)所述光罩進(jìn)行宏觀檢測(cè)，確定所述光罩是否通過(guò)宏觀檢測(cè)；14、當(dāng)確定所述光罩通過(guò)宏觀檢測(cè)時(shí)，對(duì)所述光罩進(jìn)行微粒檢測(cè)，確定所述光罩在制作過(guò)程中附著的微粒是否能夠通過(guò)微粒檢測(cè)；15、當(dāng)確定所述光罩在制作過(guò)程中附著的微粒能夠通過(guò)微粒檢測(cè)時(shí)，確定所述光罩是否需要進(jìn)行缺陷掃描；16、當(dāng)確定所述光罩需要進(jìn)行缺陷掃描時(shí)，對(duì)所述光罩進(jìn)行缺陷掃描，確定所述光罩上的缺陷是否能夠通過(guò)缺陷檢測(cè)；17、當(dāng)確定所述光罩上的缺陷能夠通過(guò)缺陷檢測(cè)時(shí)，對(duì)所述光罩進(jìn)行驗(yàn)收處理。18、本申請(qǐng)技術(shù)方案，至少包括如下優(yōu)點(diǎn)：19、通過(guò)將光罩的圖像上非曝光區(qū)的圖像與標(biāo)準(zhǔn)圖形數(shù)據(jù)進(jìn)行比對(duì)，確定光罩的非曝光區(qū)是否存在缺陷了，解決了相關(guān)技術(shù)中對(duì)光罩的檢測(cè)難以兼顧非曝光區(qū)的問(wèn)題，提升了光罩的檢測(cè)效率以及準(zhǔn)確率，降低了異常光罩所帶來(lái)的低良率的風(fēng)險(xiǎn)，降低了由于光罩異常影響產(chǎn)品流片的風(fēng)險(xiǎn)，提高了生產(chǎn)效率。技術(shù)特征：1.一種光罩的非曝光區(qū)的缺陷監(jiān)控方法，其特征在于，包括：2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述標(biāo)準(zhǔn)圖形數(shù)據(jù)是包含在所述光罩的生產(chǎn)廠商所提供的光罩?jǐn)?shù)據(jù)庫(kù)中。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述標(biāo)準(zhǔn)圖形數(shù)據(jù)和所述非曝光區(qū)的圖像確定非曝光區(qū)是否存在缺陷，包括：4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述對(duì)所述光罩進(jìn)行質(zhì)量檢測(cè)，包括：技術(shù)總結(jié)本申請(qǐng)公開(kāi)了一種光罩的非曝光區(qū)的缺陷監(jiān)控方法，包括：獲取光罩的圖像，該圖像包括曝光區(qū)的圖像和非曝光區(qū)的圖像，曝光區(qū)是光罩上用于形成集成電路的設(shè)計(jì)圖形的區(qū)域，非曝光區(qū)是光罩上除曝光區(qū)外的其他區(qū)域；獲取光罩的標(biāo)準(zhǔn)圖形數(shù)據(jù)，該標(biāo)準(zhǔn)圖形數(shù)據(jù)是光罩的曝光區(qū)和非曝光區(qū)上形成的圖形的標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)；根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)圖形數(shù)據(jù)和非曝光區(qū)的圖像確定非曝光區(qū)是否存在缺陷。本申請(qǐng)通過(guò)將光罩的圖像上非曝光區(qū)的圖像與標(biāo)準(zhǔn)圖形數(shù)據(jù)進(jìn)行比對(duì)，確定光罩的非曝光區(qū)是否存在缺陷了，解決了相關(guān)技術(shù)中對(duì)光罩的檢測(cè)難以兼顧非曝光區(qū)的問(wèn)題，在一定程度上提高了生產(chǎn)效率。技術(shù)研發(fā)人員：李錦茹,李玉華,姜冒泉,郭超,黃玥程,溫明臻受保護(hù)的技術(shù)使用者：華虹半導(dǎo)體（無(wú)錫）有限公司技術(shù)研發(fā)日：技術(shù)公布日：2024/11/14