本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，特別涉及一種離子注入層版圖的光學(xué)鄰近效應(yīng)修正方法及系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

1、在opc(optical?proximity?correction，光學(xué)鄰近效應(yīng)修正)程序中，針對(duì)離子注入?yún)^(qū)(implant)二維cd(關(guān)鍵尺寸)較小的版圖區(qū)域(pattern)進(jìn)行修正時(shí)基本采用固定范圍內(nèi)做固定距離的移動(dòng)的方式，以達(dá)到保證離子注入?yún)^(qū)二維cd達(dá)到規(guī)定尺寸的目的。但上述方法存在一個(gè)極大的缺點(diǎn)，由于離子注入?yún)^(qū)與相鄰有源區(qū)(aa)的距離是不同的，但離子注入?yún)^(qū)邊界移動(dòng)的值是固定的，所以擴(kuò)大后的離子注入?yún)^(qū)的邊與相鄰有源區(qū)的距離必定是不同的，所以就會(huì)出現(xiàn)擴(kuò)大后的離子注入?yún)^(qū)的邊與有源區(qū)距離過(guò)近的情況，出現(xiàn)這種問(wèn)題要針對(duì)具體情況進(jìn)行修正，然后再經(jīng)過(guò)檢驗(yàn)，如此往復(fù)直至所有違反規(guī)則的pattern修到位。這樣雖然能得到預(yù)期結(jié)果，但整個(gè)程序的運(yùn)算量較大，費(fèi)時(shí)費(fèi)力。

2、需要說(shuō)明的是，公開(kāi)于該發(fā)明背景技術(shù)部分的信息僅僅旨在加深對(duì)本發(fā)明一般背景技術(shù)的理解，而不應(yīng)當(dāng)被視為承認(rèn)或以任何形式暗示該信息構(gòu)成已為本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知的現(xiàn)有技術(shù)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的在于提供一種離子注入層版圖的光學(xué)鄰近效應(yīng)修正方法及系統(tǒng)，以解決修正方法繁瑣的問(wèn)題。

2、為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供一種離子注入層版圖的光學(xué)鄰近效應(yīng)修正方法，提供待修正的版圖離子注入?yún)^(qū)，對(duì)所述版圖離子注入?yún)^(qū)的關(guān)鍵尺寸小于所需尺寸的局部位置進(jìn)行修正：

3、在所述局部位置的兩側(cè)邊界處分別生長(zhǎng)修正圖形，以增大所述局部位置的寬度；

4、對(duì)每個(gè)所述修正圖形進(jìn)行分步向外擴(kuò)張：所述修正圖形沿預(yù)定方向逐步向外擴(kuò)張預(yù)設(shè)距離，每步擴(kuò)張后檢測(cè)所述修正圖形與有源區(qū)之間的距離，若所述修正圖形與有源區(qū)之間的距離大于安全距離則繼續(xù)擴(kuò)張所述修正圖形。

5、優(yōu)選地，若所述修正圖形與有源區(qū)之間的距離小于安全距離則停止擴(kuò)張所述修正圖形，并保留前步所述修正圖形的擴(kuò)張結(jié)果。

6、優(yōu)選地，在所述局部位置的關(guān)鍵尺寸大于或等于所需尺寸時(shí)，停止擴(kuò)張所述修正圖形。

7、優(yōu)選地，所述修正圖形背離所述局部位置的一側(cè)具有相互垂直的第一外側(cè)邊和第二外側(cè)邊。

8、優(yōu)選地，所述修正圖形為多邊形。

9、優(yōu)選地，所述修正圖形為矩形。

10、基于相同的技術(shù)構(gòu)思，本公開(kāi)還提供一種離子注入層版圖的光學(xué)鄰近效應(yīng)修正系統(tǒng)，包括：

11、檢測(cè)模塊，用于獲取待修正的版圖離子注入?yún)^(qū)關(guān)鍵尺寸小于所需尺寸的局部位置；

12、圖形模塊，用于在所述局部位置的兩側(cè)邊界處分別生長(zhǎng)修正圖形，以增大所述局部位置的寬度；

13、擴(kuò)張模塊，用于對(duì)每個(gè)所述修正圖形進(jìn)行分步向外擴(kuò)張：所述修正圖形沿預(yù)定方向逐步向外擴(kuò)張預(yù)設(shè)距離，每步擴(kuò)張后檢測(cè)所述修正圖形與有源區(qū)之間的距離，若所述修正圖形與有源區(qū)之間的距離大于安全距離則繼續(xù)擴(kuò)張所述修正圖形；若所述修正圖形與有源區(qū)之間的距離小于安全距離則停止擴(kuò)張所述修正圖形，并保留前步所述修正圖形的擴(kuò)張結(jié)果。

14、優(yōu)選地，在所述局部位置的關(guān)鍵尺寸大于或等于所需尺寸時(shí)，停止生長(zhǎng)所述修正圖形。

15、優(yōu)選地，所述修正圖形背離所述局部位置的一側(cè)具有相互垂直的第一外側(cè)邊和第二外側(cè)邊。

16、優(yōu)選地，所述修正圖形為多邊形。

17、在本發(fā)明提供的離子注入層版圖的光學(xué)鄰近效應(yīng)修正方法，通過(guò)在opc修正時(shí)對(duì)每個(gè)修正圖形單獨(dú)進(jìn)行分步擴(kuò)張，確保版圖離子注入?yún)^(qū)二維cd的尺寸安全，同時(shí)與有源區(qū)保持安全距離，減少運(yùn)算量，提高出版效率。

18、本發(fā)明提供的離子注入層版圖的光學(xué)鄰近效應(yīng)修正系統(tǒng)與本發(fā)明提供的離子注入層版圖的光學(xué)鄰近效應(yīng)修正方法屬于同一發(fā)明構(gòu)思，因此，本發(fā)明提供的離子注入層版圖的光學(xué)鄰近效應(yīng)修正系統(tǒng)至少具有本發(fā)明提供的離子注入層版圖的光學(xué)鄰近效應(yīng)修正方法的所有優(yōu)點(diǎn)，在此不再贅述。

技術(shù)特征：

1.一種離子注入層版圖的光學(xué)鄰近效應(yīng)修正方法，其特征在于，提供待修正的版圖離子注入?yún)^(qū)，對(duì)所述版圖離子注入?yún)^(qū)的關(guān)鍵尺寸小于所需尺寸的局部位置進(jìn)行修正：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子注入層版圖的光學(xué)鄰近效應(yīng)修正方法，其特征在于，若所述修正圖形與有源區(qū)之間的距離小于安全距離則停止擴(kuò)張所述修正圖形，并保留前步所述修正圖形的擴(kuò)張結(jié)果。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子注入層版圖的光學(xué)鄰近效應(yīng)修正方法，其特征在于，在所述局部位置的關(guān)鍵尺寸大于或等于所需尺寸時(shí)，停止擴(kuò)張所述修正圖形。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子注入層版圖的光學(xué)鄰近效應(yīng)修正方法，其特征在于，所述修正圖形背離所述局部位置的一側(cè)具有相互垂直的第一外側(cè)邊和第二外側(cè)邊。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子注入層版圖的光學(xué)鄰近效應(yīng)修正方法，其特征在于，所述修正圖形為多邊形。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子注入層版圖的光學(xué)鄰近效應(yīng)修正方法，其特征在于，所述修正圖形為矩形。

7.一種離子注入層版圖的光學(xué)鄰近效應(yīng)修正系統(tǒng)，其特征在于，包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的離子注入層版圖的光學(xué)鄰近效應(yīng)修正系統(tǒng)，其特征在于，在所述局部位置的關(guān)鍵尺寸大于或等于所需尺寸時(shí)，停止生長(zhǎng)所述修正圖形。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的離子注入層版圖的光學(xué)鄰近效應(yīng)修正系統(tǒng)，其特征在于，所述修正圖形背離所述局部位置的一側(cè)具有相互垂直的第一外側(cè)邊和第二外側(cè)邊。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的離子注入層版圖的光學(xué)鄰近效應(yīng)修正系統(tǒng)，其特征在于，所述修正圖形為多邊形。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種離子注入層版圖的光學(xué)鄰近效應(yīng)修正方法及系統(tǒng)，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，該離子注入層版圖的光學(xué)鄰近效應(yīng)修正方法，包括提供待修正的版圖離子注入?yún)^(qū)，對(duì)所述版圖離子注入?yún)^(qū)的關(guān)鍵尺寸小于所需尺寸的局部位置進(jìn)行修正：在所述局部位置的兩側(cè)邊界處分別生長(zhǎng)修正圖形，以增大所述局部位置的寬度；對(duì)每個(gè)所述修正圖形進(jìn)行分步向外擴(kuò)張：所述修正圖形沿預(yù)定方向逐步向外擴(kuò)張預(yù)設(shè)距離，每步擴(kuò)張后檢測(cè)所述修正圖形與有源區(qū)之間的距離，若所述修正圖形與有源區(qū)之間的距離大于安全距離則繼續(xù)擴(kuò)張所述修正圖形。通過(guò)在OPC修正時(shí)對(duì)每個(gè)修正圖形單獨(dú)進(jìn)行分步擴(kuò)張，確保版圖離子注入?yún)^(qū)二維CD的尺寸安全，同時(shí)與有源區(qū)保持安全距離，減少運(yùn)算量，提高出版效率。

技術(shù)研發(fā)人員：蔡平
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海華力集成電路制造有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19