本發(fā)明屬于半導體，尤其涉及一種光刻膠圖形的處理方法。

背景技術(shù)：

1、鋁鈦硅薄膜作為一種使用摻雜靶材沉積而成的高反射合金薄膜，在特殊mems產(chǎn)品中，因其優(yōu)良的低應(yīng)力及低電阻率的表現(xiàn)被廣泛應(yīng)用。

2、高反射合金薄膜(al/alcu/ta/ti/au/ag等金屬薄膜以及pt材料)呈強鏡面反射特性，反射率(出射比入射)>80％，在后續(xù)進行光刻工藝時，即使使用最佳的曝光條件，也無法得到較好的光刻膠形貌。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本申請?zhí)峁┮环N光刻膠圖形的處理方法，通過調(diào)整覆蓋在高反射合金薄膜表面光刻膠的厚度，以及曝光過程的曝光量，使得合金薄膜表面的反射光強對顯影形成的光刻膠圖形形貌影響降到最低，通過電子顯微鏡可觀測到更好的光刻膠形貌；并通過氧氣等離子體對顯影后的光刻膠圖形進行處理，得到目標線寬的高深寬比光刻膠圖形。

2、本發(fā)明的其他目的和優(yōu)點可以從本發(fā)明所揭露的技術(shù)特征中得到進一步的了解。

3、為達上述之一或部分或全部目的或其他目的，本發(fā)明提供一種光刻膠圖形的處理方法。

4、一種光刻膠圖形的處理方法，包括：

5、提供半導體襯底，在所述半導體襯底上沉積高反射合金薄膜；

6、旋涂厚度為1.8-2.2um的光刻膠，調(diào)整曝光后顯影形成光刻膠圖形；

7、對顯影后的光刻膠圖形進行處理，得到所需的光刻膠線寬。

8、通過金屬濺射工藝在所述半導體襯底上沉積高反射合金薄膜。

9、所述高反射合金薄膜為鋁鈦硅薄膜。

10、所述高反射合金薄膜沉積厚度為65±5nm。

11、通過調(diào)整光刻膠旋涂過程中的勻膜轉(zhuǎn)速，改變所述光刻膠的厚度。

12、通過氧氣等離子體對顯影后的光刻膠圖形進行處理，直至得到所需的光刻膠線寬。

13、氧氣等離子體對所述顯影后的光刻膠圖形進行處理時，流量為1000～5000sccm，功率為700～900w，氣壓為0.7～1.1torr，持續(xù)時間為60-70s。

14、對顯影后的光刻膠圖形進行處理時，所述光刻膠圖形的橫向被消耗速率大于縱向被消耗速率。

15、所述光刻膠圖形的線寬減小值大于厚度減少值，處理后的光刻膠圖形為高深寬比光刻膠圖形。

16、所述高深寬比光刻膠圖形的厚度與線寬比不小于3:1。

17、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果主要包括：

18、本申請?zhí)峁┮环N光刻膠圖形的處理方法，通過調(diào)整覆蓋在高反射合金薄膜表面光刻膠的厚度，以及曝光過程的曝光量，使得合金薄膜表面的反射光強對顯影形成的光刻膠圖形形貌影響降到最低，通過電子顯微鏡可觀測到更好的光刻膠形貌；并通過氧氣等離子體對顯影后的光刻膠圖形進行處理，得到目標線寬的高深寬比光刻膠圖形。

19、為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實施例，并配合附圖，作詳細說明如下。

技術(shù)特征：

1.一種光刻膠圖形的處理方法，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光刻膠圖形的處理方法，其特征在于，通過金屬濺射工藝在所述半導體襯底上沉積高反射合金薄膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種光刻膠圖形的處理方法，其特征在于，所述高反射合金薄膜為鋁鈦硅薄膜。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種光刻膠圖形的處理方法，其特征在于，所述高反射合金薄膜沉積厚度為65±5nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光刻膠圖形的處理方法，其特征在于，通過調(diào)整光刻膠旋涂過程中的勻膜轉(zhuǎn)速，改變所述光刻膠的厚度。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光刻膠圖形的處理方法，其特征在于，通過氧氣等離子體對顯影后的光刻膠圖形進行處理，直至得到所需的光刻膠線寬。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種光刻膠圖形的處理方法，其特征在于，氧氣等離子體對所述顯影后的光刻膠圖形進行處理時，流量為1000～5000sccm，功率為700～900w，氣壓為0.7～1.1torr，持續(xù)時間為60-70s。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種光刻膠圖形的處理方法，其特征在于，對顯影后的光刻膠圖形進行處理時，所述光刻膠圖形的橫向被消耗速率大于縱向被消耗速率。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種光刻膠圖形的處理方法，其特征在于，所述光刻膠圖形的線寬減小值大于厚度減少值，處理后的光刻膠圖形為高深寬比光刻膠圖形。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種光刻膠圖形的處理方法，其特征在于，所述高深寬比光刻膠圖形的厚度與線寬比不小于3:1。

技術(shù)總結(jié)
一種光刻膠圖形的處理方法，包括：提供半導體襯底，在半導體襯底上沉積高反射合金薄膜；旋涂厚度為1.8?2.2um的光刻膠，調(diào)整曝光后顯影形成光刻膠圖形；對顯影后的光刻膠圖形進行處理，得到所需的光刻膠線寬。本申請?zhí)峁┮环N光刻膠圖形的處理方法，通過調(diào)整覆蓋在高反射合金薄膜表面光刻膠的厚度，以及曝光過程的曝光量，使得合金薄膜表面的反射光強對顯影形成的光刻膠圖形形貌影響降到最低，通過電子顯微鏡可觀測到更好的光刻膠形貌；并通過氧氣等離子體對顯影后的光刻膠圖形進行處理，得到目標線寬的高深寬比光刻膠圖形。

技術(shù)研發(fā)人員：龔燕飛
受保護的技術(shù)使用者：上海新微技術(shù)研發(fā)中心有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/17