本發(fā)明涉及晶圓處理領(lǐng)域，特別是涉及一種光阻去邊系統(tǒng)、方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì)。

背景技術(shù)：

1、在晶圓的生產(chǎn)處理的過程中，涂膠顯影是一種較為普遍的圖形化方法，然而，目前晶圓在涂膠顯影機臺上的位置偏移以及傳送手臂的機械偏移將會影響光刻膠去邊的結(jié)果，導(dǎo)致晶圓芯片上不僅需要洗邊的區(qū)域被去除，還使有效區(qū)域受到損傷，從而降低芯片的成品良率。而目前的涂膠顯影機臺無相關(guān)手段對光阻去邊的位置進(jìn)行補正，只能靠每周一次的線下檢測來控制機臺質(zhì)量，顯然，這種方法成本高，時效性差，限制了生產(chǎn)成品良率的進(jìn)一步提升。

2、因此，如何在保障低成本的同時，提高光阻去邊的準(zhǔn)確率與校正時效性，提升成品良率，是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的問題。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的是提供一種光阻去邊系統(tǒng)、方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì)，已解決現(xiàn)有技術(shù)中光阻去邊的準(zhǔn)確率低，校正時效性差，成品良率偏低且校正成本高的問題。

2、為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種光阻去邊系統(tǒng)，包括晶圓取送組件、晶圓定位組件、洗邊手臂、手臂控制組件及校正處理器；

3、晶圓取送組件用于承載待處理晶圓并將所述待處理晶圓送至所述洗邊手臂的工作位置；

4、所述晶圓定位組件用于確定所述待處理晶圓的位置信息；

5、所述校正處理器根據(jù)所述待處理晶圓的位置信息及預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)定位信息，確定晶圓偏移量，并根據(jù)所述晶圓偏移量確定偏移補償量；

6、所述手臂控制組件用于根據(jù)所述偏移補償量移動所述洗邊手臂，調(diào)整所述洗邊手臂對所述待處理晶圓的洗邊寬度。

7、可選地，在所述的光阻去邊系統(tǒng)中，還包括測距組件；

8、所述測距組件用于測量所述待處理晶圓經(jīng)過洗邊后的實際洗邊寬度；

9、所述校正處理器還用于將所述實際洗邊寬度與預(yù)設(shè)的目標(biāo)洗邊寬度作差，得到洗邊反饋差值，并根據(jù)所述晶圓偏移量及所述洗邊反饋差值確定偏移補償量。

10、可選地，在所述的光阻去邊系統(tǒng)中，所述測距組件設(shè)置于所述洗邊手臂的工作端。

11、一種光阻去邊方法，所述光阻去邊方法通過如上述任一種所述的光阻去邊系統(tǒng)實現(xiàn)，包括：

12、從所述晶圓定位組件接收所述待處理晶圓的位置信息；

13、根據(jù)所述待處理晶圓的位置信息及預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)定位信息，確定晶圓偏移量；

14、根據(jù)所述晶圓偏移量確定偏移補償量；

15、將所述偏移補償量發(fā)送至所述手臂控制組件，使所述手臂控制組件根據(jù)所述偏移補償量移動所述洗邊手臂，調(diào)整所述洗邊手臂對所述待處理晶圓的洗邊寬度。

16、可選地，在所述的光阻去邊方法中，從所述晶圓定位組件接收所述待處理晶圓的位置信息包括：

17、從所述晶圓定位組件接收所述待處理晶圓的圓心位置信息；

18、相應(yīng)地，根據(jù)所述待處理晶圓的位置信息及預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)定位信息，確定晶圓偏移量包括：

19、根據(jù)所述待處理晶圓的圓心位置信息及預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)圓心定位信息，確定晶圓偏移量。

20、可選地，在所述的光阻去邊方法中，在完成對所述待處理晶圓的洗邊之后，還包括：

21、通過所述測距組件獲取所述待處理晶圓經(jīng)過洗邊后的實際洗邊寬度；

22、將所述實際洗邊寬度與預(yù)設(shè)的目標(biāo)洗邊寬度作差，得到洗邊反饋差值；

23、對后續(xù)的待處理晶圓，根據(jù)所述晶圓偏移量確定偏移補償量包括：

24、根據(jù)所述晶圓偏移量及所述洗邊反饋差值確定偏移補償量。

25、可選地，在所述的光阻去邊方法中，在將所述實際洗邊寬度與預(yù)設(shè)的目標(biāo)洗邊寬度作差，得到洗邊反饋差值之前，還包括：

26、判斷所述實際洗邊寬度是否超出預(yù)設(shè)的誤差寬度范圍；

27、當(dāng)所述實際洗邊寬度超出預(yù)設(shè)的誤差寬度范圍時，確定對應(yīng)的待處理晶圓不合格，并舍棄所述實際洗邊寬度；

28、當(dāng)所述實際洗邊寬度沒有超出預(yù)設(shè)的誤差寬度范圍時，將所述實際洗邊寬度與預(yù)設(shè)的目標(biāo)洗邊寬度作差，得到洗邊反饋差值。

29、一種光阻去邊裝置，所述光阻去邊裝置通過如上述任一種所述的光阻去邊系統(tǒng)實現(xiàn)，包括：

30、接收模塊，用于從所述晶圓定位組件接收所述待處理晶圓的位置信息；

31、偏移模塊，用于根據(jù)所述待處理晶圓的位置信息及預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)定位信息，確定晶圓偏移量；

32、補償模塊，用于根據(jù)所述晶圓偏移量確定偏移補償量；

33、控制模塊，用于將所述偏移補償量發(fā)送至所述手臂控制組件，使所述手臂控制組件根據(jù)所述偏移補償量移動所述洗邊手臂，調(diào)整所述洗邊手臂對所述待處理晶圓的洗邊寬度。

34、一種光阻去邊設(shè)備，包括：

35、存儲器，用于存儲計算機程序；

36、處理器，用于執(zhí)行所述計算機程序時實現(xiàn)如上述任一種所述的光阻去邊方法的步驟。

37、一種計算機可讀存儲介質(zhì)，所述計算機可讀存儲介質(zhì)上存儲有計算機程序，所述計算機程序被處理器執(zhí)行時實現(xiàn)如上述任一種所述的光阻去邊方法的步驟。

38、本發(fā)明所提供的光阻去邊系統(tǒng)，包括晶圓取送組件、晶圓定位組件、洗邊手臂、手臂控制組件及校正處理器；晶圓取送組件用于承載待處理晶圓并將所述待處理晶圓送至所述洗邊手臂的工作位置；所述晶圓定位組件用于確定所述待處理晶圓的位置信息；所述校正處理器根據(jù)所述待處理晶圓的位置信息及預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)定位信息，確定晶圓偏移量，并根據(jù)所述晶圓偏移量確定偏移補償量；所述手臂控制組件用于根據(jù)所述偏移補償量移動所述洗邊手臂，調(diào)整所述洗邊手臂對所述待處理晶圓的洗邊寬度。

39、本發(fā)明在晶圓取送處對待處理晶圓的位置進(jìn)行檢測定位，確定送至洗邊手臂下方的待處理晶圓的位置與預(yù)想中的標(biāo)準(zhǔn)定位信息的偏移量，以此為基礎(chǔ)確定洗邊手臂需要通過移動進(jìn)行修正的偏移補償量，通過在每一張待處理晶圓去邊前進(jìn)行偏移定位與對洗邊手臂位置進(jìn)行校正補償，使每一張待處理晶圓的洗邊寬度都大大貼近了設(shè)計中的預(yù)想值，從而在較低成本的前提下，提升了光阻去邊的準(zhǔn)確率與校正時效性，進(jìn)一步抬高了成品良率，減少了工藝問題。本發(fā)明還提供了一種具有上述有益效果的光阻去邊方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì)。

技術(shù)特征：

1.一種光阻去邊系統(tǒng)，其特征在于，包括晶圓取送組件、晶圓定位組件、洗邊手臂、手臂控制組件及校正處理器；

2.如權(quán)利要求1所述的光阻去邊系統(tǒng)，其特征在于，還包括測距組件；

3.如權(quán)利要求1所述的光阻去邊系統(tǒng)，其特征在于，所述測距組件設(shè)置于所述洗邊手臂的工作端。

4.一種光阻去邊方法，其特征在于，所述光阻去邊方法通過如權(quán)利要求1至3任一項所述的光阻去邊系統(tǒng)實現(xiàn)，包括：

5.如權(quán)利要求4所述的光阻去邊方法，其特征在于，從所述晶圓定位組件接收所述待處理晶圓的位置信息包括：

6.如權(quán)利要求4所述的光阻去邊方法，其特征在于，在完成對所述待處理晶圓的洗邊之后，還包括：

7.如權(quán)利要求6所述的光阻去邊方法，其特征在于，在將所述實際洗邊寬度與預(yù)設(shè)的目標(biāo)洗邊寬度作差，得到洗邊反饋差值之前，還包括：

8.一種光阻去邊裝置，其特征在于，所述光阻去邊裝置通過如權(quán)利要求1至3任一項所述的光阻去邊系統(tǒng)實現(xiàn)，包括：

9.一種光阻去邊設(shè)備，其特征在于，包括：

10.一種計算機可讀存儲介質(zhì)，其特征在于，所述計算機可讀存儲介質(zhì)上存儲有計算機程序，所述計算機程序被處理器執(zhí)行時實現(xiàn)如權(quán)利要求4至7任一項所述的光阻去邊方法的步驟。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及晶圓處理領(lǐng)域，特別是涉及一種光阻去邊系統(tǒng)、方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì)，包括晶圓取送組件、晶圓定位組件、洗邊手臂、手臂控制組件及校正處理器；晶圓取送組件用于承載待處理晶圓并將所述待處理晶圓送至所述洗邊手臂的工作位置；所述晶圓定位組件用于確定所述待處理晶圓的位置信息；所述校正處理器根據(jù)所述待處理晶圓的位置信息及預(yù)設(shè)的標(biāo)準(zhǔn)定位信息，確定晶圓偏移量，并根據(jù)所述晶圓偏移量確定偏移補償量；所述手臂控制組件用于根據(jù)所述偏移補償量移動所述洗邊手臂，調(diào)整所述洗邊手臂對所述待處理晶圓的洗邊寬度。本發(fā)明在較低成本的前提下，提升了光阻去邊的準(zhǔn)確率與校正時效性，進(jìn)一步抬高了成品良率，減少了工藝問題。

技術(shù)研發(fā)人員：王悅,沙沙,王大鵬
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海集成電路裝備材料產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19