本申請涉及光學器材，尤其涉及一種用于浸沒式液冷數(shù)據(jù)中心的光纜、抗腐蝕涂層的制備方法。

背景技術(shù)：

1、浸沒式液冷數(shù)據(jù)中心是一種以冷卻液為冷卻媒介的數(shù)據(jù)中心，浸沒式液冷數(shù)據(jù)中心的設備浸沒在冷卻液中以將熱量通過冷卻液帶走，設備（例如光通信模塊）之間通過光纜通信連接，這些光纜長期浸沒于冷卻液中。

2、冷卻液通常由有機化合物組成，由于這些有機化合物對高分子材料具有較強的溶脹能力，因此經(jīng)過長期浸泡，冷卻液會使光纜外部的高分子包覆層發(fā)生溶脹，導致外界的有機分子、水汽等腐蝕物質(zhì)進入光纜內(nèi)部，進而導致光纜內(nèi)部的光纖受到有機分子、水汽的腐蝕而損壞，影響光纜的使用壽命。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、為了解決上述技術(shù)問題，本申請公開了一種用于浸沒式液冷數(shù)據(jù)中心的光纜、抗腐蝕涂層的制備方法，以提高光纜在浸沒式液冷數(shù)據(jù)中心應用場景下的使用壽命。

2、第一個方面，本申請?zhí)峁┝艘环N用于浸沒式液冷數(shù)據(jù)中心的光纜，所述光纜包括芯層，所述芯層內(nèi)設置有光纖，所述芯層的外表面設置有抗腐蝕涂層，所述抗腐蝕涂層的外表面還包括包覆層，所述抗腐蝕涂層中含有氟硅改性中空sio2材料，所述氟硅改性中空sio2材料包括第一中空sio2材料和第二中空sio2材料，所述第一中空sio2材料的平均粒徑為20nm~50nm，所述第二中空sio2材料的平均粒徑為200nm~300nm。

3、在本申請的一些實施方案中，所述第一中空sio2材料與所述第二中空sio2材料的質(zhì)量比為（0.2~0.5）∶1。

4、在本申請的一些實施方案中，所述抗腐蝕涂層中還含有氟化鎂，所述氟化鎂在所述抗腐蝕涂層中的質(zhì)量百分含量為1%~10%，所述氟硅改性中空sio2材料在所述抗腐蝕涂層中的質(zhì)量百分含量為90%~99%。

5、在本申請的一些實施方案中，所述抗腐蝕涂層的厚度為1μm~100μm。

6、在本申請的一些實施方案中，所述芯層的數(shù)量為單個；

7、或者，所述芯層的數(shù)量為n個，且每個所述芯層的外表面均設置有所述抗腐蝕涂層，其中，2≤n≤32。

8、在本申請的一些實施方案中，所述包覆層包括緩沖層和第一保護層，所述緩沖層設置于所述抗腐蝕涂層的外表面，所述第一保護層設置于所述緩沖層的外表面。

9、在本申請的一些實施方案中，所述包覆層還包括第二保護層，所述第二保護層設置于所述抗腐蝕涂層和所述緩沖層之間。

10、在本申請的一些實施方案中，所述第一保護層的邵氏硬度為80a~95a，所述第二保護層的邵氏硬度為48d~55d；

11、和/或，所述第一保護層和所述第二保護層的氧指數(shù)不小于32；

12、和/或，所述第一保護層和所述第二保護層的材料選自熱塑性聚氨酯彈性體、聚酰亞胺、聚偏氟乙烯、聚對苯二甲酸丁二醇酯和聚苯基硫醚材料中的至少一種。

13、在本申請的一些實施方案中，所述第一保護層和所述第二保護層中還含有阻燃劑，所述阻燃劑由有機次磷酸鹽阻燃劑和三聚氰胺化合物復配而成；

14、和/或，所述有機次磷酸鹽阻燃劑包括甲基次磷酸鋁、甲基乙基次磷酸鋁、苯基次磷酸鋁、二乙烯基次磷酸鋁、二乙烯基次磷酸鋅和微膠囊基苯基次磷酸鋁中的至少一種；所述三聚氰胺化合物包括焦磷酸三聚氰胺、聚磷酸三聚氰胺和微膠囊基三聚氰胺氰尿酸鹽中的至少一種。

15、第二個方面，本申請?zhí)峁┮环N抗腐蝕涂層的制備方法，包括以下步驟：

16、將異丙醇鋁、全氟辛基三乙氧基硅烷、乙醇、水和冰醋酸在室溫下混合均勻后，加入正硅酸乙酯再次混合均勻，滴加氫氧化鈉溶液至體系的ph值為10~12，得到含有第一中空sio2材料的溶膠；

17、將異丙醇鋁、全氟辛基三乙氧基硅烷、乙醇、水和氨水在室溫下混合均勻后，加入正硅酸乙酯再次混合均勻，滴加氫氧化鈉溶液至體系的ph值為10~12，得到含有第二中空sio2材料的溶膠；

18、將制得的含有第一中空sio2材料的溶膠和含有第二中空sio2材料的溶膠按照目標比例混合，得到含有氟硅改性中空sio2材料的溶膠；

19、將所述含有氟硅改性中空sio2材料的溶膠涂布在光纜芯層的表面，干燥后得到抗腐蝕涂層。

20、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本申請至少具有如下有益效果：

21、本申請?zhí)峁┝艘环N用于浸沒式液冷數(shù)據(jù)中心的光纜、抗腐蝕涂層的制備方法，其中光纜包括芯層，芯層內(nèi)設置有光纖，芯層的外表面設置有抗腐蝕涂層，抗腐蝕涂層中含有氟硅改性中空sio2材料，其中，第一中空sio2材料的平均粒徑為20nm~50nm，第二中空sio2材料的平均粒徑為200nm~300nm，如此，不同的微納顆粒通過不規(guī)則的排列，抗腐蝕涂層表面更加粗糙，具有微納米多尺度的粗糙結(jié)構(gòu)，從而降低浸潤性，光纖表面粗糙度的增加對于超疏油表面的構(gòu)建至關重要，有助于提高材料的耐冷卻液性能，并且上述含有氟硅改性中空sio2材料致密性高，具有低表面能，能夠有效阻隔外界的有機分子、水汽等腐蝕物質(zhì)進入光纜內(nèi)部，從而降低光纜內(nèi)部的光纖被腐蝕損壞的風險，提高了光纜在浸沒式液冷數(shù)據(jù)中心應用場景下的使用壽命。

技術(shù)特征：

1.一種用于浸沒式液冷數(shù)據(jù)中心的光纜，其特征在于，所述光纜包括芯層，所述芯層內(nèi)設置有光纖，所述芯層的外表面設置有抗腐蝕涂層，所述抗腐蝕涂層的外表面還包括包覆層，所述抗腐蝕涂層中含有氟硅改性中空sio2材料；所述氟硅改性中空sio2材料包括第一中空sio2材料和第二中空sio2材料，所述第一中空sio2材料的平均粒徑為20nm~50nm，所述第二中空sio2材料的平均粒徑為200nm~300nm。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光纜，其特征在于，所述第一中空sio2材料與所述第二中空sio2材料的質(zhì)量比為（0.2~0.5）∶1。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光纜，其特征在于，所述抗腐蝕涂層中還含有氟化鎂，所述氟化鎂在所述抗腐蝕涂層中的質(zhì)量百分含量為1%~10%，所述氟硅改性中空sio2材料在所述抗腐蝕涂層中的質(zhì)量百分含量為90%~99%。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光纜，其特征在于，所述抗腐蝕涂層的厚度為1μm~100μm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光纜，其特征在于，所述芯層的數(shù)量為單個；

6.根據(jù)權(quán)利要求1~5任一項所述的光纜，其特征在于，所述包覆層包括緩沖層和第一保護層，所述緩沖層設置于所述抗腐蝕涂層的外表面，所述第一保護層設置于所述緩沖層的外表面。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光纜，其特征在于，所述包覆層還包括第二保護層，所述第二保護層設置于所述抗腐蝕涂層和所述緩沖層之間。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光纜，其特征在于，所述第一保護層的邵氏硬度為80a~95a，所述第二保護層的邵氏硬度為48d~55d；

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光纜，其特征在于，所述第一保護層和所述第二保護層中還含有阻燃劑，所述阻燃劑由有機次磷酸鹽阻燃劑和三聚氰胺化合物復配而成；

10.一種抗腐蝕涂層的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

技術(shù)總結(jié)
本申請?zhí)峁┝艘环N用于浸沒式液冷數(shù)據(jù)中心的光纜、抗腐蝕涂層的制備方法，其中光纜包括芯層，芯層內(nèi)設置有光纖，芯層的外表面設置有抗腐蝕涂層，抗腐蝕涂層的外表面還包括包覆層，抗腐蝕涂層中含有氟硅改性中空SiO<subgt;2</subgt;材料，氟硅改性中空SiO<subgt;2</subgt;材料包括第一中空SiO<subgt;2</subgt;材料和第二中空SiO<subgt;2</subgt;材料，第一中空SiO<subgt;2</subgt;材料的平均粒徑為20nm~50nm，第二中空SiO<subgt;2</subgt;材料的平均粒徑為200nm~300nm，能夠有效阻隔外界的有機分子、水汽等腐蝕物質(zhì)進入光纜內(nèi)部，從而降低光纜內(nèi)部的光纖被腐蝕損壞的風險，提高了光纜在浸沒式液冷數(shù)據(jù)中心應用場景下的使用壽命。

技術(shù)研發(fā)人員：方章建,全家強,蔡淑朋
受保護的技術(shù)使用者：新菲光通信技術(shù)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/10