本揭示涉及一種光學(xué)元件、成像鏡頭與電子裝置，特別是一種適用于電子裝置的光學(xué)元件和成像鏡頭。

背景技術(shù)：

1、隨著半導(dǎo)體工藝技術(shù)更加精進(jìn)，使得電子感光元件性能有所提升，像素可達(dá)到更微小的尺寸，因此，具備高成像品質(zhì)的光學(xué)鏡頭儼然成為不可或缺的一環(huán)。此外，隨著科技日新月異，配備光學(xué)鏡頭的手機裝置的應(yīng)用范圍更加廣泛，對于光學(xué)鏡頭的要求也是更加多樣化。

2、近年來日趨流行以移動裝置的微型光學(xué)鏡頭進(jìn)行攝影拍照，但移動裝置常因在戶外使用而受到強烈陽光光線影響，使得光學(xué)鏡頭被強烈非成像雜散光影響，特別是非成像光線容易在光學(xué)鏡頭內(nèi)反射而大幅降低成像品質(zhì)。

3、習(xí)知技術(shù)在光學(xué)鏡頭中的不透明光學(xué)元件表面進(jìn)行涂墨、噴砂與鍍膜等技術(shù)，以達(dá)到降低反射率與消除雜散光線效果，雖可提升光學(xué)成像品質(zhì)，但其效果仍不足以消除高強度雜散光線。再者，在非移動裝置光學(xué)鏡頭領(lǐng)域仍具有其他降低反射率技術(shù)，其通過制造膜層表面以產(chǎn)生具多孔洞的微結(jié)構(gòu)，然其結(jié)構(gòu)支撐性不足，并容易因外力導(dǎo)致膜層變形而大幅降低抗反射效果。因此，如何改良光學(xué)鏡頭內(nèi)部零件的結(jié)構(gòu)來減弱非成像光線的反射強度，以滿足現(xiàn)今對電子裝置高規(guī)格的需求，已成為目前相關(guān)領(lǐng)域的重要議題。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、鑒于以上提到的問題，本揭示揭露一種光學(xué)元件、成像鏡頭與電子裝置，有助于維持光學(xué)元件表面的低反射率，可減少非成像光線的反射，并可降低雜散光的影響，以有效提升成像鏡頭的光學(xué)成像品質(zhì)。

2、本揭示提供一種光學(xué)元件，其包含一基材以及一低反射層。低反射層設(shè)置于基材的一表面，且低反射層包含多個納米顆粒。這些納米顆粒彼此堆疊設(shè)置，且納米顆粒的數(shù)量朝遠(yuǎn)離基材的方向遞減。其中，這些納米顆粒的平均粒徑為其較佳地滿足下列條件：其中，以一掃描式電子顯微鏡由俯瞰視角對低反射層拍攝取得一影像，且掃描式電子顯微鏡對低反射層的拍攝面積較佳地為2μm2至200μm2。影像中灰階值為100至150的像素點數(shù)量為g1015，影像中灰階值為200至250的像素點數(shù)量為g2025，其較佳地滿足下列條件：3<g1015/g2025<40。

3、本揭示另提供一種光學(xué)元件，其包含一基材以及一低反射層。低反射層設(shè)置于基材的一表面，且低反射層包含多個納米顆粒。這些納米顆粒彼此堆疊設(shè)置，且納米顆粒的數(shù)量朝遠(yuǎn)離基材的方向遞減。其中，以一掃描式電子顯微鏡由俯瞰視角對低反射層拍攝取得一影像，且掃描式電子顯微鏡對低反射層的拍攝面積較佳地為1μm2至2000μm2。影像中灰階值為100至150的像素點數(shù)量為g1015，影像中灰階值為200至250的像素點數(shù)量為g2025，其較佳地滿足下列條件：3<g1015/g2025<40。

4、本揭示提供一種成像鏡頭，其包含前述的光學(xué)元件，其中成像鏡頭的光軸通過光學(xué)元件。

5、本揭示提供一種電子裝置，其包含前述的成像鏡頭以及電子感光元件，其中電子感光元件設(shè)置于成像鏡頭的成像面上。

6、根據(jù)本揭示所揭露的光學(xué)元件、成像鏡頭與電子裝置，通過將納米顆粒堆疊成使遠(yuǎn)離基材的納米顆粒數(shù)量較少，可使低反射層的等效折射率朝遠(yuǎn)離基材的方向遞減，以避免光線在交界面發(fā)生全反射，進(jìn)而可降低反射率。

7、當(dāng)滿足上述條件時，較有利于納米顆粒堆疊，形成漸變折射率膜層。

8、當(dāng)g1015/g2025滿足上述條件時，低反射層可提供較佳的抗反射能力。

9、以上關(guān)于本揭示內(nèi)容的說明及以下的實施方式的說明用以示范與解釋本揭示的精神與原理，并且提供本揭示的權(quán)利要求書更進(jìn)一步的解釋。

技術(shù)特征：

1.一種光學(xué)元件，其特征在于，包含：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)元件，其特征在于，所述掃描式電子顯微鏡對所述低反射層的拍攝面積為4μm2至130μm2。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光學(xué)元件，其特征在于，所述影像中灰階值為100至150的像素點數(shù)量為g1015，所述影像中灰階值為200至250的像素點數(shù)量為g2025，其滿足下列條件：

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)元件，其特征在于，所述納米顆粒的平均粒徑為其滿足下列條件：

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)元件，其特征在于，所述低反射層的厚度具有高低起伏，且所述低反射層的厚度的高低落差為d，其滿足下列條件：

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光學(xué)元件，其特征在于，所述低反射層的厚度的高低落差為d，其滿足下列條件：

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光學(xué)元件，其特征在于，所述低反射層還包含一中介層，所述中介層設(shè)置于所述基材與所述納米顆粒之間，且所述中介層的厚度具有高低起伏。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)元件，其特征在于，所述基材的所述表面的水接觸角為θ，其滿足下列條件：

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光學(xué)元件，其特征在于，所述低反射層還包含一疏水層，所述疏水層相較所述納米顆粒遠(yuǎn)離所述基材，所述疏水層的厚度為t，其滿足下列條件：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光學(xué)元件，其特征在于，還包含一粘著劑，其中所述粘著劑設(shè)置于所述基材的所述表面，且所述粘著劑相較所述疏水層遠(yuǎn)離所述基材。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)元件，其特征在于，所述納米顆粒的主要成分為sio2、tio2和al2o3三者之中的其中一者。

12.一種光學(xué)元件，其特征在于，包含：

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的光學(xué)元件，其特征在于，所述納米顆粒的平均粒徑為其滿足下列條件：

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的光學(xué)元件，其特征在于，所述納米顆粒的平均粒徑為其滿足下列條件：

15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的光學(xué)元件，其特征在于，所述掃描式電子顯微鏡對所述低反射層的拍攝面積為4μm2至130μm2。

16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的光學(xué)元件，其特征在于，所述影像中灰階值為100至150的像素點數(shù)量為g1015，所述影像中灰階值為200至250的像素點數(shù)量為g2025，其滿足下列條件：

17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的光學(xué)元件，其特征在于，所述低反射層的厚度具有高低起伏，且所述低反射層的厚度的高低落差為d，其滿足下列條件：

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的光學(xué)元件，其特征在于，所述低反射層的厚度的高低落差為d，其滿足下列條件：

19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的光學(xué)元件，其特征在于，所述低反射層還包含一中介層，所述中介層設(shè)置于所述基材與所述納米顆粒之間，且所述中介層的厚度具有高低起伏。

20.根據(jù)權(quán)利要求12所述的光學(xué)元件，其特征在于，所述基材的所述表面的水接觸角為θ，其滿足下列條件：

21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的光學(xué)元件，其特征在于，所述低反射層還包含一疏水層，所述疏水層相較所述納米顆粒遠(yuǎn)離所述基材，所述疏水層的厚度為t，其滿足下列條件：

22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的光學(xué)元件，其特征在于，還包含一粘著劑，其中所述粘著劑設(shè)置于所述基材的所述表面，且所述粘著劑相較所述疏水層遠(yuǎn)離所述基材。

23.根據(jù)權(quán)利要求12所述的光學(xué)元件，其特征在于，所述納米顆粒的主要成分為sio2、tio2和al2o3三者之中的其中一者。

24.一種成像鏡頭，其特征在于，包含：

25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的成像鏡頭，其特征在于，所述基材的所述表面位于所述光學(xué)元件的物側(cè)端。

26.一種電子裝置，其特征在于，包含：

技術(shù)總結(jié)
本揭示公開一種光學(xué)元件包含基材以及低反射層。低反射層設(shè)置于基材的表面，且低反射層包含多個納米顆粒。這些納米顆粒彼此堆疊設(shè)置，且納米顆粒的數(shù)量朝遠(yuǎn)離基材的方向遞減，從而可使低反射層的等效折射率朝遠(yuǎn)離基材的方向遞減，以避免光線在交界面發(fā)生全反射，進(jìn)而可降低反射率。當(dāng)滿足特定條件時，有利于納米顆粒堆疊以形成漸變折射率膜層，并可使低反射層提供較佳的抗反射能力。本揭示還公開具有上述光學(xué)元件的成像鏡頭及具有成像鏡頭的電子裝置。

技術(shù)研發(fā)人員：許世融,范丞緯,蔡溫祐,周明達(dá)
受保護(hù)的技術(shù)使用者：大立光電股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240412
技術(shù)公布日：2024/11/14