本申請(qǐng)涉及濾光結(jié)構(gòu)，具體涉及零維材料濾光結(jié)構(gòu)及光譜芯片。

背景技術(shù)：

1、目前cmos光譜芯片濾光結(jié)構(gòu)的主流做法是采用n層介質(zhì)膜堆疊，每層介質(zhì)膜含有不同的物質(zhì)成分(如某種稀有金屬的化合物)，每層介質(zhì)膜的厚度也不一樣，通過調(diào)節(jié)介質(zhì)膜的物質(zhì)成分和厚度，以及上下排列的順序，得到只允許特定波長(zhǎng)光通過的濾光結(jié)構(gòu)。

2、相關(guān)技術(shù)中的介質(zhì)膜濾光結(jié)構(gòu)的厚度達(dá)1-2μm，厚度較大。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)的實(shí)施例提供了一種零維材料濾光結(jié)構(gòu)及光譜芯片，可以改善介質(zhì)膜濾光結(jié)構(gòu)的厚度較大的技術(shù)問題。

2、第一方面，本申請(qǐng)的實(shí)施例提供了一種零維材料濾光結(jié)構(gòu)，形成有多個(gè)光學(xué)通道，包括：

3、基片，所述基片的表面設(shè)有多個(gè)光學(xué)通道區(qū)域，多個(gè)所述光學(xué)通道區(qū)域與多個(gè)所述光學(xué)通道一一對(duì)應(yīng)；

4、每個(gè)所述光學(xué)通道區(qū)域處均設(shè)有零維材料膜，多個(gè)所述光學(xué)通道區(qū)域處的所述零維材料膜的厚度不同，所述零維材料膜的厚度在0.1nm到100nm之間，所述零維材料膜為元素單質(zhì)膜或元素化合物膜或混合物膜。

5、在一實(shí)施例中，所述零維材料膜通過沉積或鍍的方式設(shè)于所述光學(xué)通道區(qū)域處。

6、在一實(shí)施例中，所述零維材料濾光結(jié)構(gòu)包括r通道、g通道和b通道，所述r通道、所述g通道和所述b通道對(duì)應(yīng)的所述光學(xué)通道區(qū)域處的零維材料膜的厚度均不相同。

7、在一實(shí)施例中，每個(gè)所述光學(xué)通道區(qū)域處的零維材料膜的厚度均不相同。

8、在一實(shí)施例中，沿著所述零維材料膜的厚度從大到小的順序，多個(gè)所述光學(xué)通道區(qū)域依次分布。

9、在一實(shí)施例中，所述基片的表面設(shè)有至少兩排以及至少兩列的所述光學(xué)通道區(qū)域。

10、在一實(shí)施例中，所述零維材料膜的厚度為2nm-15nm。

11、在一實(shí)施例中，多個(gè)所述光學(xué)通道區(qū)域處的所述零維材料膜一體成型。

12、在一實(shí)施例中，同一光學(xué)通道區(qū)域處的零維材料膜的厚度相同。

13、第二方面，本申請(qǐng)的實(shí)施例提供了一種光譜芯片，包括上述的零維材料濾光結(jié)構(gòu)。

14、本申請(qǐng)的實(shí)施例的有益效果：

15、在本申請(qǐng)的實(shí)施例中，通過在基片的光學(xué)通道區(qū)域處設(shè)置元素單質(zhì)膜或元素化合物膜，利用元素單質(zhì)膜或元素化合物膜在光學(xué)通道區(qū)域處構(gòu)筑濾光單元，且多個(gè)光學(xué)通道區(qū)域處的元素單質(zhì)膜或元素化合物膜的厚度是不同的，不同厚度的元素單質(zhì)膜或元素化合物膜所構(gòu)成的濾光單元的光學(xué)通道的中心波長(zhǎng)也是不同，即在多個(gè)光學(xué)通道區(qū)域處利用元素單質(zhì)膜或元素化合物膜構(gòu)筑得到不同的濾光單元，使得零維材料濾光結(jié)構(gòu)具有多通道。本申請(qǐng)通過在基片的表面設(shè)置元素單質(zhì)膜或元素化合物膜，利用元素單質(zhì)膜或元素化合物膜構(gòu)筑濾光結(jié)構(gòu)，相比于相關(guān)技術(shù)中利用介質(zhì)膜構(gòu)筑濾光結(jié)構(gòu)，由于單層元素單質(zhì)或元素化合物的厚度會(huì)小于介質(zhì)膜，進(jìn)而在保證多個(gè)光學(xué)通道區(qū)域處的元素單質(zhì)膜或元素化合物膜的厚度不同的同時(shí)，可以有效的降低濾光結(jié)構(gòu)的整體厚度，使得零維材料濾光結(jié)構(gòu)的厚度會(huì)小于相關(guān)技術(shù)中的濾光結(jié)構(gòu)的厚度。

技術(shù)特征：

1.一種零維材料濾光結(jié)構(gòu)，形成有多個(gè)光學(xué)通道，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的零維材料濾光結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述零維材料膜通過沉積或鍍的方式設(shè)于所述光學(xué)通道區(qū)域處。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的零維材料濾光結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述零維材料濾光結(jié)構(gòu)包括r通道、g通道和b通道，所述r通道、所述g通道和所述b通道對(duì)應(yīng)的所述光學(xué)通道區(qū)域處的零維材料膜的厚度均不相同。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的零維材料濾光結(jié)構(gòu)，其特征在于，每個(gè)所述光學(xué)通道區(qū)域處的零維材料膜的厚度均不相同。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的零維材料濾光結(jié)構(gòu)，其特征在于，沿著所述零維材料膜的厚度從大到小的順序，多個(gè)所述光學(xué)通道區(qū)域依次分布。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的零維材料濾光結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基片的表面設(shè)有至少兩排以及至少兩列的所述光學(xué)通道區(qū)域。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的零維材料濾光結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述零維材料膜的厚度為2nm-15nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的零維材料濾光結(jié)構(gòu)，其特征在于，多個(gè)所述光學(xué)通道區(qū)域處的所述零維材料膜一體成型。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的零維材料濾光結(jié)構(gòu)，其特征在于，同一光學(xué)通道區(qū)域處的零維材料膜的厚度相同。

10.一種光譜芯片，其特征在于，包括如權(quán)利要求1至9任一項(xiàng)所述的零維材料濾光結(jié)構(gòu)。

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N零維材料濾光結(jié)構(gòu)及光譜芯片。零維材料濾光結(jié)構(gòu)形成有多個(gè)光學(xué)通道，零維材料濾光結(jié)構(gòu)包括基片，基片的表面設(shè)有多個(gè)光學(xué)通道區(qū)域，多個(gè)光學(xué)通道區(qū)域與多個(gè)光學(xué)通道一一對(duì)應(yīng)，每個(gè)光學(xué)通道區(qū)域處均設(shè)有零維材料膜，多個(gè)光學(xué)通道區(qū)域處的零維材料膜的厚度不同，零維材料膜的厚度在0.1nm到100nm之間，零維材料膜為元素單質(zhì)膜或元素化合物膜或混合物膜。本申請(qǐng)的零維材料濾光結(jié)構(gòu)，可以有效的降低濾光結(jié)構(gòu)的整體厚度。

技術(shù)研發(fā)人員：楊永霖,周瑩
受保護(hù)的技術(shù)使用者：深圳光感半導(dǎo)體有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240523
技術(shù)公布日：2024/12/26