專利名稱:光刻設(shè)備和器件制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光刻投影設(shè)備，包括-輻射系統(tǒng)，用于提供輻射的投影光束；-支撐結(jié)構(gòu)，用于支撐構(gòu)圖裝置，該構(gòu)圖裝置根據(jù)所需圖形對投影光束進(jìn)行構(gòu)圖；-基底平臺，用于保持基底；-投影系統(tǒng)，用于將構(gòu)圖了的光束投影到基底的靶部上；和-至少一個光學(xué)元件，所述投影光束入射到該至少一個光學(xué)元件上，該光學(xué)元件具有一Si/Mo多層結(jié)構(gòu)、一外覆蓋層和一位于所述多層結(jié)構(gòu)和所述外覆蓋層之間的夾層，其中外覆蓋層由下列成份構(gòu)成i)C或者M(jìn)o，或ii)一層與所述多層結(jié)構(gòu)緊鄰的Mo內(nèi)夾層和一層與所述覆蓋層緊鄰的C外夾層。
背景技術(shù)：
這里使用的術(shù)語“構(gòu)圖裝置”應(yīng)廣義理解為那些可以用來使入射光束賦于圖形截面的裝置，所述構(gòu)圖截面與在基底的靶部中將形成的圖形對應(yīng)；在上下文中還使用了術(shù)語“光閥”。通常，所述圖形與將在靶部中形成的器件中的特定功能層對應(yīng)，所述器件是例如集成電路或者其它器件(參考下面的描述)。這種構(gòu)圖裝置的例子包括掩模。掩模的概念在光刻中是公知的，它包括掩模類型例如二元(binary)、交錯型相移和衰減型相移以及各種混合掩模類型。根據(jù)掩模上的圖形，在輻射光束中放置這種掩模引起選擇性地透射(在透光掩模的情況下)或者反射(在反射掩模的情況下)射到掩模上的光。在掩模的情況下，支撐結(jié)構(gòu)通常是掩模平臺，該掩模平臺確保掩模能夠保持在入射光束中所需的位置，并且如果需要可以相對于該光束移動。
可編程鏡面陣列。這種器件的一個例子是具有粘彈性控制層和反射表面的矩陣型可尋址(matrix-addressable)表面。這種裝置的基本原理是(例如)反射表面的尋址區(qū)將入射光反射為衍射光，而非尋址表面將入射光反射為非衍射光。利用適當(dāng)?shù)臑V波器，可以從反射光中濾出所述非衍射光，僅留下衍射光；以這種方式，根據(jù)矩陣型可尋址表面的尋址圖形構(gòu)圖了該光束?？删幊嚏R面陣列的另一個實(shí)施例采用微小鏡面的矩陣排列，通過施加適當(dāng)?shù)木植侩妶?，或者通過采用壓電激勵裝置，每個微小鏡面都可以繞軸獨(dú)立地傾斜。其次，鏡面是矩陣型可尋址鏡面，使得尋址的鏡面將在不同的方向?qū)⑷肷涔馐瓷涞椒菍ぶ返溺R面；以這種方式，根據(jù)矩陣型可尋址鏡面的尋址圖形構(gòu)圖了所反射的光束。可以利用適當(dāng)?shù)碾娮友b置進(jìn)行所需的矩陣尋址。在上面所描述的兩種情況下，構(gòu)圖裝置可以包括一個或者多個可編程鏡面陣列?？梢哉业疥P(guān)于這里所提到的鏡面陣列的更多信息，例如美國專利US5,296,891、US5,523,193、PCT專利申請WO98/38597和WO98/33096，這里引入作為參考。在可編程鏡面陣列的情況下，所述支撐結(jié)構(gòu)可以體現(xiàn)為框架或者平臺，可以按照需要固定或者移動。
可編程LCD陣列。這種結(jié)構(gòu)的例子在美國專利US5,229,872中記載了，這里引入作為參考。如上所述，在這種情況下支撐結(jié)構(gòu)例如可以體現(xiàn)為按照需要可以固定或者移動的框架或者平臺。
為了簡單，該文的其余部分在某些地方可以具體指包括掩模和掩模平臺的例子；然而，在這樣例子中所討論的一般原理應(yīng)適用于上述更寬范圍的構(gòu)圖部件。
例如，可以在集成電路(IC)的制造中使用光刻投影設(shè)備。在這種情況下，構(gòu)圖裝置可以產(chǎn)生與IC的各個層對應(yīng)的電路圖形，可以將該圖形成像到基底(硅晶片)上的靶部(例如包括一個或者多個管芯)，其中該基底上已經(jīng)涂覆有對輻射敏感的材料層(保護(hù)層)。通常，單個晶片將包含相鄰靶部的整個網(wǎng)絡(luò)，通過投影系統(tǒng)依次輻射這些靶部，一次一個。在目前的設(shè)備中，采用通過掩模平臺上的掩模構(gòu)圖，可以在兩種不同類型的機(jī)器之間作出區(qū)分。在一種類型的光刻投影設(shè)備中，通過一口氣在靶部上曝光整個掩模圖形來輻射每個靶部；這種裝置通常稱為晶片分檔器(wafer stepper)。在另一種設(shè)備—通常稱為步進(jìn)—和—掃描設(shè)備中，通過在給定的參考方向上在投影光束下逐漸掃描掩模圖形而平行或者反向平行于該方向地同步掃描基底平臺來輻射每個靶部；通常，由于投影系統(tǒng)將具有放大倍數(shù)M(通常＜1)，因此掃描基底平臺的速度V將是掃描掩模平臺速度的倍數(shù)M倍?？梢哉业疥P(guān)于這里所描述的光刻裝置的更多信息，例如可以參見US6,046,792，這里引入作為參考。
在利用光刻投影設(shè)備的制造工藝中，在至少部分覆蓋了對光照敏感的材料(保護(hù)層)層的基底上成像圖形(例如在掩模中)。在該成像步驟之前，基底可以經(jīng)歷各種工序，例如打底、保護(hù)層涂覆和軟烘焙。曝光之后，還可以對基底進(jìn)行其它的工序，例如曝光后烘焙(PEB)、顯影、硬烘焙和圖像特性的測量/檢測。以該工序排列為基礎(chǔ)構(gòu)圖器件例如IC的各個層。然后可以對這種構(gòu)圖后的層進(jìn)行各種處理，例如蝕刻、離子注入(摻雜)、金屬化、氧化、機(jī)械-化學(xué)拋光等，都用來完成了各個層。如果需要幾個層，那么每個新層必須重復(fù)整個工序或其變化。最后，可以在基底(晶片)上得到器件的陣列。然后通過如劃片或者鋸等技術(shù)彼此分離這些器件，從而可以在與管腳等連接的載體上安裝各個器件。關(guān)于這種工藝的更進(jìn)一步的信息例如可以從書“MicrochipFabricationA Practical Guide to Semiconductor Processing”，Third Edition，by Petervan Zant，McGraw Hill Publishing Co,1997，ISBN0-07-067250-4中得到，這里引入作為參考。
為了簡化，下文可以將投影系統(tǒng)稱為“透鏡”；然而，該術(shù)語應(yīng)廣義理解為包括各種類型的投影系統(tǒng)，例如包括折射光學(xué)、反射光學(xué)和兼反射光和折射光系統(tǒng)。輻射系統(tǒng)還可以包括根據(jù)用于引導(dǎo)、成型或者控制輻射的投影光束的任何設(shè)計類型工作的部件，這些部件還可以共同地或者單獨(dú)地稱為下面的“透鏡”。此外，光刻設(shè)備可以是具有兩個或者更多個基底平臺(和/或兩個或者更多個掩模平臺)的類型。在這種“多級(multiple stage)”器件中，可以并行地使用附加的平臺，或者可以在一個或者多個平臺上進(jìn)行預(yù)備步驟，同時使用一個或者多個其它平臺用于曝光。例如在US5,969,441和WO98/40791中描述了雙級光刻設(shè)備，這里引入作為參考。
用于遠(yuǎn)紫外輻射(EUV)光譜區(qū)的光學(xué)元件例如多層薄膜反射器尤其對物理和化學(xué)損害敏感，這些損害會顯著降低它們的反射率和光質(zhì)量。例如，在存在10-6毫巴水的情況下在EUV輻射過程中會快速氧化具有Mo/Si多層結(jié)構(gòu)的未受保護(hù)的光學(xué)元件，在未烘焙的真空中就會這樣，就像對于EUV掃描儀來說預(yù)期會出現(xiàn)的。
由于典型的EUV光刻系統(tǒng)可以具有最高達(dá)11個鏡面；光照系統(tǒng)中4個、成像系統(tǒng)中6個，加上反射刻度片(reflecting reticle)，因此這種多層光學(xué)元件對于EUV波長的反射率與更長波長的反射器相比已經(jīng)很低，這是一個特別問題。還存在大量的切線入射鏡面。因此顯然即使由于氧化導(dǎo)致的單個鏡面反射率“小量”降低，也會引起光學(xué)系統(tǒng)中透過的光顯著減少。
在EP1,065,568中已經(jīng)提到多層薄膜反射器的外層的氧化問題。該問題通過使用抗氧化的相對惰性的材料作為多層結(jié)構(gòu)外表面上的覆蓋層來解決。在某些實(shí)施例中，在覆蓋層之前先用其它層覆蓋Si/Mo多層結(jié)構(gòu)，以便減少由于必須的多層淀積而導(dǎo)致的不完全覆蓋的可能性。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)該多層覆蓋層具有良好的短期抗氧化性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種光學(xué)元件，它具有可接受的反射率，同時表現(xiàn)出改進(jìn)的長期抗氧化生。
根據(jù)本發(fā)明，在如開始段落中描述的光刻設(shè)備中實(shí)現(xiàn)了上述和其它目的，優(yōu)選(i)其特征在于所述夾層具有6.0-9.0nm的厚度，優(yōu)選(ii)其特征在于所述C外夾層具有3.4nm以上的厚度，或者所述Ru覆蓋層具有2.0nm以上的厚度。
這種厚夾層的優(yōu)點(diǎn)在于相對于先前使用的厚度在1和2nm之間的較薄夾層，其抗化學(xué)侵蝕尤其是光學(xué)元件的抗氧化性提高了。令人驚奇的是，顯著降低反射率不會導(dǎo)致這種抗氧化性的提高，這是不利的。本發(fā)明的夾層厚度保持在先前不知其存在的反射率的第二峰的區(qū)域內(nèi)。夾層自身的存在確保了覆蓋層材料與多層結(jié)構(gòu)的外層(其外層通常是Si)不相混合。
根據(jù)本發(fā)明的再一個方案，提供一種器件制造方法，包括步驟-提供至少部分被光敏材料層覆蓋的基底；-利用輻射系統(tǒng)提供輻射投影光束；-利用構(gòu)圖裝置使投影光束在其截面中具有圖形；-利用至少一個光學(xué)元件，將帶有圖案的輻射光束投影到對輻射敏感的材料層的靶部，所述投影光束入射到所述光學(xué)元件上，所述至少一個光學(xué)元件具有Si/Mo多層結(jié)構(gòu)、外覆蓋層和由位于所述多層結(jié)構(gòu)和所述外覆蓋層之間的C或者M(jìn)o構(gòu)成的夾層，其特征在于所述夾層具有6.0-9.0nm的厚度，或者其中所述夾層包括緊鄰所述多層結(jié)構(gòu)的Mo內(nèi)夾層和緊鄰所述覆蓋層的C外夾層，其特征在于，所述C外層具有3.4nm以上的厚度，或者所述Ru覆蓋層具有2.0nm以上的厚度。
盡管在該文中具體描述了在IC制造中使用根據(jù)本發(fā)明的設(shè)備，但應(yīng)理解這種設(shè)備還有許多其它的應(yīng)用。例如，在集成的光學(xué)系統(tǒng)、用于磁疇存儲器的引導(dǎo)和檢測圖形、液晶顯示面板、薄膜磁頭等都可以使用該設(shè)備。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)理解，在描述這些可選擇應(yīng)用的上下文中，使用的術(shù)語“刻度片”、“晶片”或者“電路小片”都應(yīng)認(rèn)為可以分別用更常用的術(shù)語“掩?！薄ⅰ盎住焙汀鞍胁俊贝?。
在目前的文獻(xiàn)中，術(shù)語“輻射”和“光束”用于包括所有類型的電磁輻射，包括紫外輻射(例如用365、248、193、157或者126nm的波長)和EUV(遠(yuǎn)紫外輻射，例如具有5-20nm的波長，尤其13.5nm)以及如離子束或電子束的粒子束。



現(xiàn)在將參考附加示意圖僅通過例子描述本發(fā)明的實(shí)施例，其中圖1示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光刻投影設(shè)備；圖2是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的光學(xué)元件的反射率的等高線圖，反射率的函數(shù)依賴于Mo夾層厚度和Ru覆蓋層厚度。
圖3是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的光學(xué)元件的反射率的等高線圖，反射率的函數(shù)依賴于C外夾層厚度和Ru覆蓋層厚度。
圖4是根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的光學(xué)元件的反射率的等高線圖，反射率的函數(shù)依賴于C外夾層厚度和Ru覆蓋層厚度。
在圖中，對應(yīng)的參考標(biāo) 對應(yīng)的部分。
具體實(shí)施方式
實(shí)施例1圖1示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明具體實(shí)施例的光刻投影設(shè)備。該裝置包括輻射系統(tǒng)Ex、IL，用于提供輻射的投影光束PB(例如EUV輻射)，在該特定情況下，它還包括輻射源LA；第一目標(biāo)平臺(掩模平臺)MT，該第一目標(biāo)平臺配置有用于保持掩模MA(例如刻度片)的掩模保持器，并且與用于相對于元件PL精確定位掩模的第一定位裝置連接；第二目標(biāo)平臺(基底平臺)WT，該第二目標(biāo)平臺配置有用于保持基底W(例如涂覆了保護(hù)層的硅晶片)的基底保持器，并且與用于相對于元件PL精確定位基底的第二定位裝置連接。
投影系統(tǒng)(“透鏡”)PL(例如鏡面組)，用于將掩模MA的輻射部分成像到基底W的靶部C(例如包括一個或者多個管芯)上。如這里所描述的，該設(shè)備是反射型的(例如具有反射掩模)。然而，通常，例如它也可以是透射型的(例如具有透射掩模)。該設(shè)備還可以采用其它類型的構(gòu)圖裝置，例如上面所提到的可編程鏡面陣列類型。
輻射源LA(例如產(chǎn)生激光或者放電等離子源)產(chǎn)生輻射光束。將該光束饋送到輻射系統(tǒng)(輻射裝置)IL中，例如，或者直接饋送或者在經(jīng)過調(diào)節(jié)裝置例如光束擴(kuò)展器Ex之后饋送。輻射裝置IL可以包括調(diào)節(jié)裝置AM，用于設(shè)置光束中強(qiáng)度分布的外和/或內(nèi)徑向范圍(通常分別稱為σ-外部和σ-內(nèi)部)。此外，輻射裝置IL通常還包括各種部件，例如積分器IN和聚光器CO。以這種方式，照到掩模MA上的光束PB在其截面內(nèi)具有理想的均勻度和強(qiáng)度分布。
應(yīng)注意在圖1中，輻射源LA可以在光刻投影設(shè)備的外殼內(nèi)(如當(dāng)輻射源LA是水銀燈時的慣常情況那樣)，但也可以遠(yuǎn)離光刻投影設(shè)備，產(chǎn)生的輻射光束被引入該設(shè)備(例如借助于適當(dāng)?shù)膶?dǎo)向鏡)；該后一種情況經(jīng)常出現(xiàn)在當(dāng)輻射源LA是準(zhǔn)分子激光時。本發(fā)明和權(quán)利要求
包括這兩種情況。
接著光束PB與保持在掩模平臺MT上的掩模MA相交。由掩模MA選擇性地反射之后，光束PB經(jīng)過透鏡PL，該透鏡PL將光束PB聚焦到基底W的靶部C上。借助于第二定位裝置(和干涉測量裝置IF)，可以精確地移動基底平臺MT，例如以便在光束PB的光路中定位不同的靶部C。同樣，例如在掩模MA從掩模庫機(jī)械取回之后或者在掃描過程中，第一定位裝置用來相對于光束PB的光路精確定位掩模MA。通常，目標(biāo)平臺MT、WT的移動將借助于圖1未示出的長行程組件(粗略定位)和短行程組件(精確定位)實(shí)現(xiàn)。然而，在晶片步進(jìn)投影曝光機(jī)的情況下(與步進(jìn)-和-掃描設(shè)備相反)，掩模平臺MT可以僅與短行程傳動裝置連接，或者可以固定。
可以按兩種不同的模式使用所示的設(shè)備1.在步進(jìn)模式，掩模平臺MT基本保持靜止，整個掩模圖像一口氣投影(例如單“閃”)到靶部C上。然后在x和/或y方向上移動基底平臺WT，使得光束PB可以輻射不同的靶部C；2.在掃描模式中，除了不在單“閃”中曝光給定的靶部C之外，應(yīng)用基本上相同的場景。取而代之，在給定的方向(所謂的“掃描方向”，例如y方向)以速度v移動掩模平臺MT，使得投影光束PB在掩模圖像上掃描；同時，基底WT同時在相同或者相反的方向上以速度V＝Mv移動，其中M是透鏡PL的放大倍率(一般M＝1/4或者1/5)。以這種方式，可以曝光相當(dāng)大的靶部C，而不必兼顧分辨率。
下面描述的本發(fā)明的例子是從利用薄膜設(shè)計程序進(jìn)行的計算中得到的，所述薄膜設(shè)計程序基于標(biāo)準(zhǔn)的光學(xué)原理。各種材料的光學(xué)常數(shù)即復(fù)合折射率N＝n-ik來源于Henke等人的原子散射因數(shù)，并且從Berkeley的CXRO網(wǎng)頁服務(wù)器得到(B.L.Henke，E.M.Gullikon，and J.C.Davis，Atomic Data and Nuclear DataTables，54(2)，181-342(1993)；http//www.cxro.lbl.gov/optical_constants/)。在13.5nm進(jìn)行計算，所用材料的n和k值根據(jù)依賴于13.5nm波長的函數(shù)下載。
利用13.5nm的投影光束波長、但不考慮表面粗糙度或者界面漫射的情況下進(jìn)行各種光學(xué)元件理論反射率的模擬計算。本發(fā)明適于各種波長，尤其是6nm-42nm的EUV范圍內(nèi)的波長。
圖2顯示了模擬計算法線入射的光學(xué)元件的理論反射率的結(jié)果，該光學(xué)元件具有多層結(jié)構(gòu)，包括在Si基底上生長的40個循環(huán)的Si/Mo層。實(shí)際上使用Zerodur(TM)或者其它低熱膨脹系數(shù)材料例如ULE(TM)作為基底，并且使用40至50個循環(huán)的Si/Mo。盡管可以使用其它的厚度，但在給出的例子中，Si層厚3.36nm，Mo層厚3.66nm。放置在光學(xué)元件外側(cè)上的、即相對于基底放置在多層結(jié)構(gòu)的另一側(cè)上的是由Ru構(gòu)成的覆蓋層。Ru覆蓋層的作用是防止多層結(jié)構(gòu)經(jīng)過長時間后氧化。為了避免Ru和多層結(jié)構(gòu)的Si外層互混，在多層結(jié)構(gòu)和覆蓋層之間設(shè)置Mo夾層。
我們希望保持光學(xué)元件的高反射率，因此先前僅使用了薄夾層。據(jù)推斷在1.0-2.5nm厚度范圍內(nèi)觀察到的反射率隨著Mo夾層厚度的增加而減小的趨勢在較大的厚度仍然存在。然而，參考圖2，可以看出反射率的第二峰出現(xiàn)在6.0-9.0nm之間的Mo夾層厚度處。
盡管在這種厚度的夾層的反射率比較薄夾層的反射率低，但由于通過提供這種厚度的Mo夾層提高了抗氧化生，因此可以容忍這種反射率的減小。
正如從圖2可以看出的，反射率峰值出現(xiàn)在由Ru構(gòu)成的覆蓋層的厚度在1.0nm到3.0nm之間的厚度范圍內(nèi)，尤其在1.6到3.0nm之間以及2.0nm和3.0nm之間(尤其對于較低厚度的夾層來說)的厚度范圍內(nèi)。在Mo夾層厚度在6.8nm和8.5nm之間的厚度范圍內(nèi)反射率較佳，利用厚度在7.2nm和8.0nm之間的層得到了更佳的反射率。
實(shí)施例2圖3示出了模擬計算根據(jù)第二實(shí)施例的法線入射光學(xué)元件的理論反射率的結(jié)果。該第二實(shí)施例的光學(xué)元件具有與第一實(shí)施例相同的結(jié)構(gòu)，除了夾層由C構(gòu)成以代替Mo。
與第一實(shí)施例一樣，從圖3明顯看出，反射率的第二峰出現(xiàn)在當(dāng)夾層厚度在6.0nm和9.0nm之間時。在6.5nm和8.2nm之間、尤其在7.0nm和7.8nm之間看到最高反射率。對于Ru覆蓋層來說，最佳反射率出現(xiàn)在1.6nm和3.0nm之間。對于更大厚度的夾層來說，希望更小厚度的覆蓋層，例如小到1.0nm。對于由C構(gòu)成的較小厚度的夾層來說，希望具有高達(dá)大約3.0nm的越大的Ru覆蓋層厚度。優(yōu)選Ru覆蓋層具有1.6nm和3.0nm之間的厚度，更優(yōu)選厚度至少為2.0nm。
實(shí)施例3圖4顯示了模擬計算根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的法線入射光學(xué)元件的理論反射率的結(jié)果。本發(fā)明第三實(shí)施例的光學(xué)元件的結(jié)構(gòu)與本發(fā)明第一實(shí)施例相同，除了夾層由緊鄰多層結(jié)構(gòu)定位的Mo內(nèi)層和緊鄰Ru覆蓋層定位的C外層構(gòu)成之外。圖4中的模擬結(jié)果對應(yīng)于3.36nm的Mo內(nèi)夾層厚度。
圖4中的結(jié)果以與圖2和3顯示的反射率第二峰的結(jié)果相同的方式顯示了反射率的第二峰。對于由Ru構(gòu)成的、具有大約2.0nm以上、更優(yōu)選2.2nm以上和最優(yōu)選大約2.4nm以上的厚度的覆蓋層來說，第三實(shí)施例中反射率的第二峰出現(xiàn)在C外夾層厚度在3.0nm至4.0nm之間處。對于由Ru構(gòu)成的、具有1.6nm和3.0nm之間的厚度的覆蓋層來說，在至少3.4nm、優(yōu)選大約3.5nm以上和更優(yōu)選大約3.7nm以上的C外中間層下獲得了較佳反射率。
從例子中可以看出，當(dāng)夾層厚度即位于Si/Mo多層結(jié)構(gòu)中最外的Si層和外覆蓋層之間的那些層的厚度大約是入射光波長的一半，也就是說是入射光波長的0.3倍和0.7倍直徑或者0.4倍和0.6倍之間、優(yōu)選0.45倍和0.55倍之間時，出現(xiàn)反射率的第二峰。
盡管僅以Mo-C、C和Mo夾層為例，但本發(fā)明并不限于這些。該夾層可以由如Mo-C、C、Mo、B4C、Mo2C、Mo(Cr)、B4C-C-B4C等材料構(gòu)成。
外覆蓋層或許由如Ru、Rh、B、SiO2、Pd、Si3N4、SiC、BN、B4C、BeO、B4C等構(gòu)成。
本發(fā)明的其它優(yōu)點(diǎn)是覆蓋層的厚度不苛求，因此當(dāng)涂覆覆蓋層時不需要嚴(yán)格控制。
盡管上面已經(jīng)描述了本發(fā)明的具體實(shí)施例，但應(yīng)理解本發(fā)明除上述之外，可以以其它方式實(shí)施。上面的描述不是為了限制本發(fā)明。
權(quán)利要求
1.一種光刻投影設(shè)備，包括-輻射系統(tǒng)，用于提供輻射的投影光束；-用于支撐構(gòu)圖裝置的支撐結(jié)構(gòu)，該構(gòu)圖裝置用于根據(jù)所需圖形對投影光束進(jìn)行構(gòu)圖；-用于保持基底的基底平臺；-投影系統(tǒng)，用于將構(gòu)圖了的光束投射到基底的靶部上；和-至少一個光學(xué)元件，所述投影光束入射到該光學(xué)元件上，所述至少一個光學(xué)元件具有一Si/Mo多層結(jié)構(gòu)、一外覆蓋層和一層位于所述多層結(jié)構(gòu)和所述外覆蓋層之間、由C或者M(jìn)o構(gòu)成的夾層，其特征在于所述夾層具有6.0nm和9.0nm之間的厚度。
2.根據(jù)權(quán)利要求
1的光刻投影設(shè)備，其中所述夾層厚度在6.5nm和8.5nm之間，更優(yōu)選在7.0nm和8.0nm之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求
1的光刻投影設(shè)備，其中所述夾層由厚度在6.8nm和8.5nm之間、更優(yōu)選在7.2nm和8.0nm之間的Mo構(gòu)成。
4.根據(jù)權(quán)利要求
1的光刻投影設(shè)備，其中所述夾層由厚度在6.5nm和8.2nm之間、更優(yōu)選在7.0nm和7.8nm之間的C構(gòu)成。
5.根據(jù)前述任一個權(quán)利要求
的光刻投影設(shè)備，其中所述覆蓋層由厚度在1.0nm和3.0nm之間、優(yōu)選在1.6nm和3.0nm之間、更優(yōu)選至少2.0nm或2.2nm的Ru構(gòu)成。
6.一種光刻投影設(shè)備，包括-輻射系統(tǒng)，用于提供輻射的投影光束；-用于支撐構(gòu)圖裝置的支撐結(jié)構(gòu)，該構(gòu)圖裝置用于根據(jù)所需圖形對投影光束進(jìn)行構(gòu)圖；-用于保持基底的基底平臺；-投影系統(tǒng)，用于將構(gòu)圖了的光束投射到基底的靶部上；和-至少一個光學(xué)元件，所述投影光束入射到該光學(xué)元件上，所述至少一個光學(xué)元件具有一Si/Mo多層結(jié)構(gòu)、一外覆蓋層和一層位于所述多層結(jié)構(gòu)和所述外覆蓋層之間的夾層，其中所述夾層包括一層緊鄰所述多層結(jié)構(gòu)的Mo內(nèi)夾層和一層緊鄰所述覆蓋層的C外夾層，其特征在于，所述C外夾層具有大于3.4nm的厚度或所述Ru覆蓋層具有大于2.0nm的厚度。
7.根據(jù)權(quán)利要求
6的光刻投影設(shè)備，其中所述Mo和C層的厚度總和在6.0nm和9.0nm之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求
6或7的光刻投影設(shè)備，其中所述C層具有3.5nm以上的厚度，優(yōu)選在3.7nm以上。
9.根據(jù)權(quán)利要求
6或7的光刻投影設(shè)備，其中所述C層具有3.8nm以下的厚度，優(yōu)選在3.4nm以下。
10.根據(jù)權(quán)利要求
6至9任一權(quán)利要求
的光刻投影設(shè)備，其中所述覆蓋層具有2.1nm以上的厚度，優(yōu)選在2.2nm以上。
11.根據(jù)權(quán)利要求
6至10任一權(quán)利要求
的光刻投影設(shè)備，其中所述Mo層具有3.0nm和4.0nm之間、優(yōu)選在3.75nm以下的厚度。
12.一種器件制造方法，包括步驟-提供一個至少部分被一層輻射敏感的材料層覆蓋的基底；-利用輻射系統(tǒng)提供輻射投影光束；-利用構(gòu)圖裝置使投影光束在其截面中具有圖形；-利用至少一個光學(xué)元件，將構(gòu)圖了的輻射光束投射到對輻射敏感的材料層的靶部上，所述投影光束入射到所述光學(xué)元件上，所述至少一個光學(xué)元件具有Si/Mo多層結(jié)構(gòu)、外覆蓋層和由位于所述多層結(jié)構(gòu)和所述外覆蓋層之間的由C或者M(jìn)o構(gòu)成的夾層，其特征在于所述夾層具有6.0和9.0nm之間的厚度。
13.一種器件制造方法，包括步驟-提供一個至少部分被一層輻射敏感的材料層覆蓋的基底；-利用輻射系統(tǒng)提供輻射投影光束；-利用構(gòu)圖裝置使投影光束在其截面中具有圖形；-利用至少一個光學(xué)元件，將構(gòu)圖了的輻射光束投射到對輻射敏感的材料層的靶部上，所述投影光束入射到所述光學(xué)元件上，所述至少一個光學(xué)元件具有一Si/Mo多層結(jié)構(gòu)、一外覆蓋層和一層位于所述多層結(jié)構(gòu)和所述外覆蓋層之間的夾層，其中所述夾層包括一層緊鄰所述多層結(jié)構(gòu)的Mo內(nèi)夾層和一層緊鄰所述覆蓋層的C外夾層，其特征在于，所述C外夾層具有3.4nm以上的厚度，或者所述Ru覆蓋層具有2.0nm以上的厚度。
專利摘要
一種光刻投影設(shè)備的光學(xué)元件，包括Si/Mo多層結(jié)構(gòu)、外覆蓋層和位于多層結(jié)構(gòu)和外覆蓋層之間的夾層，其中夾層具有為入射光束波長的0.3倍和0.7倍之間的厚度。在第一實(shí)施例中，該夾層由選自C和Mo的材料構(gòu)成，并且具有6.0nm和9.0nm之間的厚度。在第二實(shí)施例中，該夾層由緊鄰多層結(jié)構(gòu)的Mo內(nèi)夾層和緊鄰覆蓋層的C外層構(gòu)成。在第二實(shí)施例中，C夾層至少3.4nm厚，Ru覆蓋層至少2.0nm厚。
文檔編號G21K5/02GKCN1495530SQ03147022
公開日2004年5月12日 申請日期2003年8月26日
發(fā)明者R·庫爾特, A·E·I·亞斯欣, I 亞斯欣, R 庫爾特 申請人:Asml荷蘭有限公司導(dǎo)出引文BiBTeX, EndNote, RefMan