專利名稱：掩膜版的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及照相制版中使用的掩膜版，特別是涉及一種可精確檢測(cè)掩膜版偏轉(zhuǎn)誤差的掩膜版。
通常，照相制版過(guò)程是使用一個(gè)步進(jìn)器，以及一個(gè)如

圖1所示的，由石英晶片1、劃線區(qū)2和多元圖案3組成的，并固定在推進(jìn)器上的掩膜版進(jìn)行的。掩膜版10由步進(jìn)器控制，向圖1中所示的X或Y方向移動(dòng)，再進(jìn)行晶片的曝光過(guò)程。在此，X方向的推進(jìn)步距為X1，Y方向的推進(jìn)步距為Y1。掩膜版10必須與晶片的?？虮３譁?zhǔn)直。然而，當(dāng)掩膜版10在X或Y方向移動(dòng)時(shí)，會(huì)產(chǎn)生了偏轉(zhuǎn)誤差。圖1所示的常規(guī)掩膜版是不能檢測(cè)這一偏轉(zhuǎn)誤差的。
本發(fā)明的目的在于解決使用常規(guī)掩膜版帶來(lái)的上述缺陷。
本發(fā)明還在于提供一種可以精確檢測(cè)掩膜版偏轉(zhuǎn)誤差的掩膜版。
簡(jiǎn)言之，本發(fā)明所述的掩膜版具體是由建立在單元區(qū)右端外側(cè)的第一主游標(biāo)、建立在單元區(qū)左端外側(cè)的第一副游標(biāo)、建立在單元區(qū)上端外側(cè)的第二主游標(biāo)以及建立在單元區(qū)下端外側(cè)的第二副游標(biāo)構(gòu)成的。
本發(fā)明所述的掩膜版又可由建立在右劃線區(qū)上的第一主游標(biāo)，建立在左劃線區(qū)上的第一副游標(biāo)，上劃線區(qū)上的第二主游標(biāo)以及建立在下劃線區(qū)上的第二副游標(biāo)構(gòu)成。
為了充分理解本發(fā)明的實(shí)質(zhì)，現(xiàn)結(jié)合下列附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。
圖1是常規(guī)掩膜版的平面圖；圖2是本發(fā)明第一種形式的掩膜版平面圖；圖3A是圖2中主游標(biāo)的放大平面圖；圖3B是圖2中副游標(biāo)的放大平面圖；圖3C是使用本發(fā)明第一種形式掩膜版進(jìn)行晶片曝光的狀態(tài)平面圖；圖4是描述掩膜版偏轉(zhuǎn)誤差的線標(biāo)圖；圖5是本發(fā)明第二種形式掩膜版的平面圖。
上述各附圖中相同的附圖標(biāo)記對(duì)應(yīng)于相同的部分。
根據(jù)圖2，本發(fā)明所述的掩膜版20是由單元區(qū)21，一對(duì)主游標(biāo)14A、14B，以及一對(duì)副游標(biāo)15A、15B安裝在一起構(gòu)成的。由劃線區(qū)12和多元圖案區(qū)13組成的單元區(qū)21形成在石英基片11上。第一主游標(biāo)14A建立在單元區(qū)21的右端外側(cè)，第一副游標(biāo)15A形成在單元區(qū)21的左端外側(cè)，第二主游標(biāo)14B形成在單元區(qū)21的上端外側(cè)，第二副游標(biāo)15B形成在單元區(qū)21的下端外側(cè)。每個(gè)游標(biāo)可用印刷法涂鉻構(gòu)成。
第一主游標(biāo)14A和第一副游標(biāo)15A形成在一條穿過(guò)單元區(qū)21中心的水平軸線上，第二主游標(biāo)14B和第二副游標(biāo)15B形成在一條穿過(guò)單元區(qū)21中心的垂直軸線上。
同時(shí)，為了使主、副游標(biāo)能夠進(jìn)行位置的重疊，步進(jìn)器在X方向上設(shè)定的步進(jìn)單位為第一主游標(biāo)14A與第一副游標(biāo)15A之間的間距X2，步進(jìn)器在Y方向設(shè)定的步進(jìn)單位為第二主游標(biāo)14B與第二副游標(biāo)15B之間的間距Y2。
根據(jù)圖3A，第一和第二主游標(biāo)14A、14B均是由具有矩形閉合環(huán)狀的第一光線遮蔽區(qū)16及形成在第一光線遮蔽區(qū)16中部的矩形的第二光線遮蔽區(qū)17構(gòu)成。第一光線遮蔽區(qū)16的內(nèi)邊長(zhǎng)，舉例講，約為20μm，第二光線遮蔽區(qū)17的邊長(zhǎng)例如是12.5μm。
每個(gè)第一和第二副游標(biāo)15A、15B，如圖3B所示，除尺寸外，與主游標(biāo)14A或14B具有相同的形狀。即具有矩形閉合環(huán)狀的副游標(biāo)15A或15B的第一光線遮蔽區(qū)18內(nèi)邊緣長(zhǎng)度小于主游標(biāo)14A或14B的第一光線遮蔽區(qū)16的內(nèi)邊緣長(zhǎng)度，例如為17.5μm，矩形形狀的，副游標(biāo)15A或15B的第二光線遮蔽區(qū)19的邊長(zhǎng)小于14A或14B的第二光線遮蔽區(qū)17的長(zhǎng)邊，例如為10.5μm。
圖3C所示為膠片局部的曝光狀況，它將在使用掩膜版20完成的第二次曝光后與游標(biāo)14A或14B相對(duì)。
使用掩膜版20的第一次曝光是用具有感光涂層的測(cè)試晶片(圖中未畫出)進(jìn)行的，因此，測(cè)試晶片的曝光具有與掩膜版20的主游標(biāo)14A相同的形狀。之后，掩膜版20在X方向上移動(dòng)一個(gè)距離X2，如圖2所示第一主游標(biāo)14A和第一副游標(biāo)15A之間的距離。再用掩膜版對(duì)測(cè)試晶片進(jìn)行第二次曝光。被第一主游標(biāo)14A曝光的區(qū)域23的中部24，因被第一副游標(biāo)15A的第二光線遮蔽區(qū)19遮蔽而不被曝光。
上述為掩膜版20在X方向上移動(dòng)的情形。掩膜版20實(shí)際也進(jìn)行在Y方向的移動(dòng)。就是說(shuō)，測(cè)試晶片首先用掩膜版20曝光，因此獲得與掩膜版20的第二主游標(biāo)14B形狀相同的曝光形狀，之后，掩膜版20向Y方向移動(dòng)一個(gè)距離Y2，如圖2中所示第二主游標(biāo)14B與第二副游標(biāo)15B之間的距離。然后，用掩膜版20再對(duì)測(cè)試晶片曝光。由第二主游標(biāo)14B形成的曝光區(qū)23的中心部位24，因第二副游標(biāo)15B的第二光線遮蔽區(qū)19的遮蔽而不被曝光。
如上所述，測(cè)試晶片的曝光區(qū)被主游標(biāo)14A、14B和副游標(biāo)15A、15B重復(fù)曝光。掩膜版的偏轉(zhuǎn)誤差即可根據(jù)曝光情況被檢測(cè)出來(lái)(即通過(guò)測(cè)量圖3C中未曝光區(qū)22和24之間距離得到)。校正量可由偏移量確定，并用該量進(jìn)行校正，因而使準(zhǔn)直性得到改進(jìn)。
圖4所示為掩膜版偏轉(zhuǎn)誤差的示意線圖。實(shí)線表示使用第一和第二主游標(biāo)14A、14B以及第一和第二副游標(biāo)15A、15B曝光的理想?yún)^(qū)域，虛線表示因掩膜版偏轉(zhuǎn)誤差形成的曝光區(qū)域。圖4中θ1是掩膜版20向X方向移動(dòng)時(shí)第一主游標(biāo)14A和第一副游標(biāo)15A形成的偏移量，θ2是字模盤20向Y方向移動(dòng)時(shí)第二主游標(biāo)14B和第二副游標(biāo)15B形成的偏移量。由于這些偏移量包括鏡頭的畸變偏差，準(zhǔn)確的掩膜版偏轉(zhuǎn)誤差可由下式得到 根據(jù)上述公式，可以計(jì)算出掩膜版偏轉(zhuǎn)誤差量，并可用掩膜版偏轉(zhuǎn)誤差量對(duì)偏轉(zhuǎn)進(jìn)行校正，從而使光掩膜的準(zhǔn)直性得到改進(jìn)。
下面描述本發(fā)明的另一實(shí)施例。
圖5是本發(fā)明第二實(shí)施例所示的掩膜版平面圖。掩膜版50由單元區(qū)51，一對(duì)主游標(biāo)14A、14B，以及一對(duì)副游標(biāo)15A、15B構(gòu)成。由劃線區(qū)42和多元圖案區(qū)43構(gòu)成的單元區(qū)51形成在石英基片41上。第一主游標(biāo)14A形成在劃線區(qū)右部，第一副游標(biāo)15A形成在掃描劃線區(qū)左部，第二主游標(biāo)14B形成在掃描劃線區(qū)上部，第二副游標(biāo)15B形成在掃描劃線區(qū)下部。每個(gè)游標(biāo)可用印制方法涂鉻構(gòu)成。
第一和第二主游標(biāo)14A、14B形成在一條穿過(guò)單元區(qū)51中心的水平軸線上，第一和第二副游標(biāo)15A、15B形成在一條穿過(guò)單元區(qū)51中心的垂直軸線上。
同時(shí)，為了使主、副游標(biāo)能夠進(jìn)行位置的重疊，步進(jìn)器在X方向上設(shè)定的步進(jìn)單位為X3，即第一主游標(biāo)14A與第一副游標(biāo)15A之間的間距，步進(jìn)器在Y方向上設(shè)定的步進(jìn)單位為Y3，即第二主游標(biāo)14B與第二副游標(biāo)15B之間的間距。(圖5中的X3等于圖1中的X1，圖5中的Y3等于圖1中的Y1)。
每個(gè)主游標(biāo)形的狀與圖3A所示第一實(shí)施例中每個(gè)副游標(biāo)的形狀相同，每個(gè)副游標(biāo)形狀與圖3B所示第一實(shí)施例中每個(gè)副游標(biāo)的形狀相同。而且掩膜版50的第二實(shí)施例的掩膜版偏轉(zhuǎn)誤差測(cè)量方法也與第一實(shí)施中所述的相同。
如上所述，本發(fā)明的掩膜版可以精確地檢測(cè)字模盤偏轉(zhuǎn)誤差，從而可以用于改善準(zhǔn)直性。
雖然本發(fā)明已通過(guò)具有必要特征的最佳實(shí)施例進(jìn)行了描述，并可通過(guò)在此公開的最佳實(shí)施例形式較容易地了解其技術(shù)工藝。但其多樣的結(jié)構(gòu)、組合及部件范圍的細(xì)節(jié)變化，并不違背本發(fā)明的實(shí)質(zhì)。
權(quán)利要求
1.一種掩膜版，具有一個(gè)由一個(gè)劃線區(qū)和一個(gè)多元圖案區(qū)組合構(gòu)成的單元區(qū)，該掩膜版包括一個(gè)第一主游標(biāo)形成在上述單元區(qū)的右端外側(cè)；一個(gè)第一副游標(biāo)形成在上述單元區(qū)的左端外側(cè)；一個(gè)第二主游標(biāo)形成在上述單元區(qū)的上端外側(cè)；一個(gè)第二副游標(biāo)形成在上述單元區(qū)的下端外側(cè)；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述掩膜版，其特征在于，所述第一主游標(biāo)和第一副游標(biāo)形成在一條穿過(guò)上述單元區(qū)中心的水平軸線上，所述第二主游標(biāo)和第二副游標(biāo)形成在一條穿過(guò)所述單元區(qū)中心的垂直軸線上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述掩膜版，其特征在于，主、副游標(biāo)都是由一個(gè)呈矩形閉合環(huán)狀的第一光線遮蔽區(qū)和一個(gè)位于第一光線遮蔽區(qū)中部的矩形的第二光線遮蔽區(qū)構(gòu)成。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述掩膜版，其特征在于，上述每個(gè)主游標(biāo)的第一光線遮蔽區(qū)的內(nèi)側(cè)邊緣長(zhǎng)度長(zhǎng)于上述每個(gè)副游標(biāo)的第二光線遮蔽區(qū)的外側(cè)邊緣長(zhǎng)度。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述掩膜版，其特征在于，上述每個(gè)主游標(biāo)的第二光線遮蔽區(qū)的邊緣長(zhǎng)度長(zhǎng)于上述每個(gè)副游標(biāo)的第二光線遮蔽區(qū)的邊緣長(zhǎng)度。
6.一種掩膜版，具有一個(gè)由一個(gè)劃線區(qū)和一個(gè)多元圖案區(qū)組合構(gòu)成的單元區(qū)，該掩膜版包括一個(gè)第一主游標(biāo)形成在右劃線區(qū)；一個(gè)第一副游標(biāo)形成在左劃線區(qū)；一個(gè)第二主游標(biāo)形成在上劃線區(qū)；一個(gè)第二副游標(biāo)形成在下劃線區(qū)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述掩膜版，其特征在于，所述第一主游標(biāo)和第一副游標(biāo)形成在一條穿過(guò)上述單元區(qū)中心的水平軸線上，所述第二主游標(biāo)和第二副游標(biāo)形成在一條穿過(guò)所述單元區(qū)中心的垂直軸線上。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述掩膜版，其特征在于，主、副游標(biāo)都是由一個(gè)呈矩形閉合環(huán)狀的第一光線遮蔽區(qū)和一個(gè)位于第一光線遮蔽區(qū)中部的矩形的第二光線遮蔽區(qū)構(gòu)成。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述掩膜版，其特征在于，上述每個(gè)主游標(biāo)的第一光線遮蔽區(qū)的內(nèi)側(cè)邊緣長(zhǎng)度長(zhǎng)于上述每個(gè)副游標(biāo)的第二光線遮蔽區(qū)的外側(cè)邊緣長(zhǎng)度。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述掩膜版，其特征在于，上述每個(gè)主游標(biāo)的第二光線遮蔽區(qū)的邊緣長(zhǎng)度長(zhǎng)于上述每個(gè)副游標(biāo)的第二光線遮蔽區(qū)的邊緣長(zhǎng)度。
全文摘要
本發(fā)明在此公開了一種可精確檢測(cè)掩膜版偏轉(zhuǎn)誤差的掩膜版。掩膜版由一個(gè)形成在單元區(qū)右端外側(cè)的第一主游標(biāo)，一個(gè)形成在單元區(qū)左端外側(cè)的第一副游標(biāo)，一個(gè)形成在單元區(qū)上端外側(cè)的第二主標(biāo)游標(biāo)及一個(gè)形成在單元區(qū)下端外側(cè)的第二副游標(biāo)構(gòu)成。掩膜版的另一種形式由一個(gè)形成在右劃線區(qū)的第一主游標(biāo)，一個(gè)形成在左劃線區(qū)的第一副游標(biāo)，一個(gè)形成在上劃線區(qū)的第二主游標(biāo)以及一個(gè)形成在下劃線區(qū)的第二副游標(biāo)構(gòu)成。
文檔編號(hào)G03F7/20GK1115413SQ9510407
公開日1996年1月24日 申請(qǐng)日期1995年3月22日 優(yōu)先權(quán)日1994年3月22日
發(fā)明者黃儁 申請(qǐng)人:現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社