專利名稱：半導(dǎo)體器件的圖形對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件的圖形對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記(PATTERN ALIGNMENTMARK)，特別地涉及同時(shí)能夠測(cè)量圖形的重疊(overlay)精度的半導(dǎo)體器件的圖形對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。
通常，為測(cè)量圖形的重疊精度，圖形對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記采用雙框(doub-le boxes)的型式內(nèi)框和外框。以下將介紹圖形對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的常用技術(shù)情況。


圖1A是根據(jù)已有技術(shù)的圖形對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的平面圖。圖1B-a和圖1B-b表示出根據(jù)已有技術(shù)形成的沿圖形對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的X軸和Y軸方向的光反射強(qiáng)度。如圖1B-a和1B-b所示，已有技術(shù)中為測(cè)量重疊精度，在晶片上形成的多晶硅薄膜圖形1、2、3處，從多晶硅圖形1在X軸反射的光反射強(qiáng)度4和從多晶硅圖形2在Y軸反射的光反射強(qiáng)度5是不同的。因此當(dāng)測(cè)量相鄰的重疊精度時(shí)，在為形成內(nèi)框的多晶硅薄膜圖形3的邊緣lx2，lx3，ly2，ly3和為形成外框的多晶硅薄膜圖形1、2的邊緣lx1，lx4，ly1，ly4之間存在著間距，對(duì)準(zhǔn)誤差由此出現(xiàn)。
本發(fā)明的目的是為了解決上述存在的問(wèn)題，而提供一種半導(dǎo)體器件的圖形對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，它可以通過(guò)減少測(cè)量圖形的重疊精度時(shí)光反射強(qiáng)度的區(qū)域差異，從而事先防止對(duì)準(zhǔn)誤差的發(fā)生。
本發(fā)明的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的，本發(fā)明的圖形對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記至少具有一個(gè)在半導(dǎo)體器件制造工藝期間用于對(duì)準(zhǔn)的被指定的測(cè)量圖形，一個(gè)在已指定的測(cè)量圖形中用于在高反射強(qiáng)度的圖形上衰減光反射的裝置。
本發(fā)明的上述目的和其它目的，特征和優(yōu)點(diǎn)將結(jié)合實(shí)施例參考附圖詳細(xì)描述如下。
附圖簡(jiǎn)要說(shuō)明圖1A是根據(jù)已有技術(shù)中圖形對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的平面圖。
圖1B-a和1B-b是根據(jù)已有技術(shù)形成的沿圖形對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的X軸和Y軸方向的光反射強(qiáng)度示意圖。
圖2A是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的圖形對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的平面圖。
圖2B-a和2B-b是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例形成的沿圖形對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的X軸和Y軸方向的光反射強(qiáng)度示意圖。
圖3、圖4、圖5和圖6是根據(jù)本發(fā)明的其它實(shí)施例的圖形對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的平面圖。
下面參照?qǐng)D2A、2B、圖3到圖6，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
圖2A表示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例形成的圖形對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記平面圖。圖2B-a和2B-b表示根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例形成的沿圖形對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的X軸和Y軸方向的光反射強(qiáng)度。該實(shí)施例表示，在第1和第2多晶硅薄膜圖形10和20外表面之間形成圖形對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的外框，通過(guò)在具有較高的光反射強(qiáng)度的第1多晶硅薄膜10上另外形成一光致抗蝕劑薄膜圖形60，從而降低了其沿X軸方向的光反射強(qiáng)度。
因此，如圖2B-a和2B-b所示，該多晶硅薄膜圖形10和20的光反射強(qiáng)度4′，5′將是相等的。從而消除了整個(gè)區(qū)域內(nèi)的光反射強(qiáng)度之間的差異。
較好的方式是該光致抗蝕劑薄膜圖形60與構(gòu)成圖形對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記內(nèi)框的第3多晶硅薄膜圖形30同時(shí)形成。
在第1多晶硅薄膜圖形10的兩個(gè)邊緣2x1，2x4和光致抗蝕劑薄膜圖形60的兩個(gè)邊緣2x1’，2x4’相匹配的情況下，要測(cè)量圖形的重疊精度是困難的。因而，如圖2A所示，光致抗蝕劑薄膜圖形60外邊緣2x1’、2x4’，距第1多晶硅薄膜圖形10的2x1，2x4之間的間距(A)至少為2μm。
圖3、4、5和6表示根據(jù)本發(fā)明其它實(shí)施例的圖形對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的平面圖。按照?qǐng)D3所示的實(shí)施例，光致抗蝕劑薄膜圖形60向內(nèi)延伸形成其超出第1多晶硅薄膜圖形10的邊緣2x1’2x4’，其伸出量(B)為2μm到5μm。在圖4所示的實(shí)施例中，光致抗蝕劑薄膜圖形70可以是由許多的矩形圖形排列而成的，使其各邊的大小為1μm到4μm。
按照?qǐng)D5所示的本發(fā)明的又一實(shí)施例，光致抗蝕劑薄膜圖形80可以由許多的圓形圖形排列而成，使其直徑的大小為1μm到4μm。而在圖6所示的再一實(shí)施例中，光致抗蝕劑薄膜圖形90可以為具有許多排列的孔穴，其直徑為1μm到4μm。光致抗蝕劑薄膜圖形60、70、80和90可以是正阻型的，也可以是負(fù)阻型的。
為一對(duì)準(zhǔn)進(jìn)行的重疊精度測(cè)量是通過(guò)測(cè)量用于形成內(nèi)框的第3多晶硅薄膜圖形30的邊緣2x2、2x3、2y2、2y3和用于形成外框的第1、2多晶硅薄膜圖形10、20的邊緣2x1、2x4、2y1、2y4之間的間距進(jìn)行的。
如上所述，本發(fā)明通過(guò)消除在測(cè)量圖形的重疊精度時(shí)光反射強(qiáng)度的差異，事先防止了圖形對(duì)準(zhǔn)誤差的出現(xiàn)，提高制造的可靠性、穩(wěn)定性，減少了加工時(shí)間，提高了成品率。
上述優(yōu)選的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明所進(jìn)行的直觀說(shuō)明并不是對(duì)本發(fā)明保護(hù)范圍的限定，這些技術(shù)應(yīng)理解為凡基于本發(fā)明的構(gòu)思和范圍所進(jìn)行的種種修改、增補(bǔ)、替換均應(yīng)屬于本發(fā)明的權(quán)利要求保護(hù)范圍之中。
權(quán)利要求
1.一種圖形對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，至少具有一個(gè)在半導(dǎo)體器件的制造工藝期間用于對(duì)準(zhǔn)的被指定測(cè)量圖形，包括具有衰減所述已指定的測(cè)量圖形中具有較高的光反射強(qiáng)度的測(cè)量圖形的光反射的裝置。
2.如權(quán)利要求1所述的圖形對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，其中，在所述已指定的測(cè)量圖形中至少一測(cè)量圖形采用雙框的型式，即內(nèi)框和外框的型式。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的圖形對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，其中，所述衰減光反射的裝置是與所述圖形對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的內(nèi)框同時(shí)形成的。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖形對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，其中，所述衰減光反射的裝置的邊緣與具有較高的光反射強(qiáng)度的所述圖形的邊緣外側(cè)，的間距至少為2μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述圖形對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，其中，所述衰減光反射的裝置的邊緣向內(nèi)延伸形成其超出所述具有較高的光反射強(qiáng)度的圖形的邊緣一定間距。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述圖形對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，其中，所述衰減光反射的裝置的邊緣向內(nèi)延伸形成其超出所述具有較高的光反射強(qiáng)度的圖形的邊緣的間距為2μm到5μm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述圖形對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，其中，所說(shuō)衰減光反射的裝置是由許多矩形圖形排列而成的。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述圖形對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，其中，所述排列的許多矩形圖形其各邊的大小為1μm到4μm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述圖形對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，其中，所述衰減光反射的裝置是由許多圓形圖形排列而成的。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述圖形對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，其中，所述排列的許多圓形圖形其直徑的大小為1μm到4μm。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述圖形對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，其中，所述衰減光反射的裝置是具有許多排列的孔穴的圖形。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述圖形對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，其中，所述排列的許多孔穴，其直徑的大小為1μm到4μm。
13.根據(jù)權(quán)利要求3-12中的至少一個(gè)權(quán)利要求所述的圖形對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，其中，所述衰減光反射的裝置是一光致抗蝕劑薄膜。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種圖形對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，其具有至少一個(gè)在半導(dǎo)體器件的制造工藝期間用于對(duì)準(zhǔn)的已指定測(cè)量圖形，包括具有衰減所述已指定的測(cè)量圖形中具有較高光反射強(qiáng)度的測(cè)量圖形的光反射的裝置，本發(fā)明通過(guò)消除在測(cè)量圖形的重疊精度時(shí)光反射強(qiáng)度的差異，事先防止了圖形誤差的出現(xiàn)，使生產(chǎn)穩(wěn)定，并減少了加工時(shí)間從而提高了加工的準(zhǔn)確性。
文檔編號(hào)G03F7/20GK1115419SQ9510944
公開(kāi)日1996年1月24日 申請(qǐng)日期1995年7月7日 優(yōu)先權(quán)日1994年7月7日
發(fā)明者裴相滿, 崔秉一 申請(qǐng)人:現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社