專利名稱：光掩模的圖形結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光掩模的圖形結(jié)構(gòu)，用這種光掩模能改善光刻工藝中的分辨率。
近來，隨著半導(dǎo)體器件的高集成化和小型化，光刻工藝中的精細技術(shù)變得越來越重要。使用光源的諸如G-線步進器和I-線步進器這樣的步進器被廣泛應(yīng)用于光刻。用436nm波長光源的G-線步進器適合制造4M DRAM半導(dǎo)體器件，用365nm波長光源的I-線步進器適合制造64M DRAM。在形成具有超過這些步進器分辨率極限的微細線寬的光致抗蝕劑圖形時，很難得到較佳圖形外形。


圖1A和2A是分別能形成標(biāo)準(zhǔn)線圖形和孔圖形的常規(guī)光掩模的平面圖。圖1B和2B是用圖1A和2A所示光掩模在晶片表面上形成的光致抗蝕劑圖形的剖面圖。
通過在石英基片2上形成線圖形3，制作圖1A所示的光掩模1，以便用由如鉻(Cr)這樣的不透光材料形成的線圖形在硅基片上形成字線、位線、金屬線或其它線圖形。通過在石英基片12上形成孔圖形13，制作圖2A所示的光掩模11，以便用由如鉻這樣的不透明材料形成的孔圖形在硅基片上形成接觸孔或通孔。線圖形3和孔圖形13的邊緣部一般形成直線形。
當(dāng)將線圖形3的寬度設(shè)計成超出步進器分辨率極限的超微米線寬時，如圖1B所示，在晶片4上形成的光致抗蝕劑圖形5的外形因光波的干涉而變得劣化。如果用這種光致抗蝕劑圖形5作腐蝕掩模，因為所期望的圖形不會精確形成于器件之上，因此產(chǎn)生劣化的字線、位線或金屬線外形，所以會導(dǎo)致較低的器件可靠性。同樣，當(dāng)將孔圖形13的寬度設(shè)計成超過步進器分辨率極限的超微細線寬時，如圖2B所示，在晶片14上形成的光致抗蝕劑圖形15的外形也會劣化。
因此，本發(fā)明的目的是提供一種光掩模圖形結(jié)構(gòu)，它能通過抵消光波的干涉現(xiàn)象來改善步進器所能具有的分辨率極限。
實現(xiàn)上述目的本發(fā)明的光掩模圖形結(jié)構(gòu)包括石英基片和光掩蔽圖形，其中光掩蔽圖形的圖形邊緣被制作成據(jù)齒狀。
為了充分理解本發(fā)明的特征和目的，必須參考下面結(jié)合附圖的詳細說明。
圖1A和2A是兩塊光掩模的平面圖，其一是已形成的常規(guī)線圖形，另一個是已形成的常規(guī)孔圖形；圖1B和圖2B是用圖1A和2A所示光掩模形成的光致抗蝕劑圖形的剖面圖；圖3A和圖4A是兩塊掩模的平面圖，其一是線圖形，另一是孔圖形，它們是根據(jù)本發(fā)明分別形成的；及圖3B和4B是用圖3A和4A所示掩模所形成的光致抗蝕劑圖形的剖面圖。
在各附圖中相似的附圖標(biāo)記代表相似的部件。
下面參考附圖對本發(fā)明作詳細說明。
圖3A和4A是根據(jù)本發(fā)明分別在其中形成了線圖形和孔圖形的光掩模的平面圖，圖3B和4B是用圖3A和4A所示光掩模所形成的光致抗蝕劑圖形的剖面圖。
通過按照設(shè)計規(guī)則在石英基片22上形成線圈形23作為鉻光掩蔽圖形，來制作圖3A所示的光掩模21，以便在半導(dǎo)體器件上形成字線、位線、金屬線或其它線圖形。通過按照設(shè)計規(guī)則除去形成一些覆蓋在透明石英基片32上的鉻光掩蔽圖形的孔圖形33，來制作如圖4A所示的光掩模31，以便形成接觸孔或通孔。
重要的是以鋸齒形結(jié)構(gòu)而不是以直線結(jié)構(gòu)形成線圖形23和孔圖形33的邊緣部分。因為將線圖形23和孔圖形33形成鋸齒結(jié)構(gòu)，所以步進器的分辨率可得到改善。上文中鋸齒單元的形狀為矩形或三角形，鋸齒單元的寬度＂A＂、鋸齒單元的高度＂B＂和相鄰鋸齒單元間距＂C＂為所用光波波長的±0.1μm、±0.25μm或0.5μm。
當(dāng)利用按照用于圖1A所示光掩模1的設(shè)計規(guī)則制作的圖3A所示的光掩模21進行光刻工藝時，在晶片24上形成的光致抗蝕劑圖形25的外形變得比圖1B的圖形外形要好，正如圖3B所示。同樣，在按照與用于圖2A所示光掩模11相同的設(shè)計規(guī)則制造圖4A所示的光掩模31后，在相同條件下通過光刻工藝進行加工處理時，在晶片34上形成的光致抗蝕劑圖形35的外形變得比圖2B所示的圖形外形要好，這正如圖4B所示。
如上所述，本發(fā)明使光掩模圖形邊緣的某些部分或全部形成鋸齒形結(jié)構(gòu)，通過抵消光波的相干現(xiàn)象，能改善步進器的分辨率極限。因此，本發(fā)明能在半導(dǎo)體器件制造工藝中獲得最佳外形的光致抗蝕劑圖形，從而改善器件的可靠性。
盡管上述描述對本發(fā)明優(yōu)選實施例作了某種程度的說明，但只是表明本發(fā)明的原理，應(yīng)該理解到，本發(fā)明并不限于這里所公開和說明的優(yōu)選實施例。因此，在不脫離本發(fā)明范圍和精神的情況下可以有各種變化，但它們皆包含在本發(fā)明的另外一些實施例中。
權(quán)利要求
1.一種光掩模，包括石英基片和光掩蔽圖形，其特征在于將所說光掩蔽圖形的邊緣部分形成鋸齒形結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的光掩模，其特征在于每個鋸齒的形狀為矩形。
3.如權(quán)利要求1所述的光掩模，其特征在于每個鋸齒的形狀為三角形。
4.如權(quán)利要求2所述的光掩模，其特征在于每個所說鋸齒的寬度、高度和相鄰鋸齒間的距離為所用光波波長的±0.1μm。
5.如權(quán)利要求要求2所述的光掩模，其特征在于每個所說鋸齒的寬度、高度和相鄰鋸齒間的距離為所用光波波長的±0.25μm。
6.如權(quán)利要求2所述的光掩模，其特征在于每個所說鋸齒的寬度、高度和相鄰鋸齒間的距離為所用光波波長的±0.5μm。
全文摘要
本發(fā)明通過使光掩模圖形邊緣的某些部分或全部形成不變的鋸齒形結(jié)構(gòu)，來抵消光波在其峰值波長的干涉現(xiàn)象，從而能改善步進器分辨率極限。
文檔編號G03F1/68GK1164673SQ9611101
公開日1997年11月12日 申請日期1996年6月14日 優(yōu)先權(quán)日1995年6月15日
發(fā)明者黃 申請人:現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)株式會社