專利名稱：對于高粘度光刻膠涂層的無條紋涂敷方法
技術領域：
本發(fā)明總的涉及一種使用涂層材料于表面的方法，具體講為有關于制造半導體裝置時使用光敏光刻膠于晶片的方法。
半導體裝置是用眾所周知的技術在硅基質(zhì)上制成數(shù)個區(qū)域，這些區(qū)域被精確地界定。同樣地在包含有金屬線的硅基質(zhì)上的其他區(qū)域也精確地界定，這些金屬線連接如此形成裝置的區(qū)域以制成超大規(guī)模集成電路(VLSI)。界定這些區(qū)域的圖形是由光刻法制成。最普通的方法為包括首先將光敏光刻膠材料轉(zhuǎn)動涂敷于晶片表面上，接著將此光刻膠層選擇地曝光于諸如紫外光、電子或X-射線中的一種形式輻射中。用曝光工具和光罩來影響所要選擇的曝光。當曝光區(qū)顯影后，即按照所使用的光刻膠層被溶解或定影于位置上，而在光刻膠層上形成圖形。在每一情況，這時已露出開口的各區(qū)域可按照任何一種已知的技術而在其上形成圖形。最重要的是光敏光刻膠材料的厚度，此光敏光刻膠材料的厚度決定了所形成圖形大小的精確度，這是光敏光刻膠的本性。精確度是依據(jù)曝光于輻射能的光敏光刻膠材料的體積，而通過該精確度可以經(jīng)由曝光于輻射能而制成各圖形。因此對于同樣的輻射能和同樣的圖形，圖形側邊的尺寸將根據(jù)呈現(xiàn)在輻射區(qū)下的光敏光刻膠的厚度而改變。這樣的大小改變通常引起了已知的在此方面的缺點部分。因此最重要的是要控制涂層的厚度，尤其是在目前的亞微米光刻技術上。
由配送涂層材料到轉(zhuǎn)動晶片上而完成晶片的轉(zhuǎn)動涂敷。如
圖1所示，通常晶片10安裝在具有稍小于該晶片直徑的真空夾頭12上。在圓形的夾頭上具有孔洞，這些孔洞連接到真空泵(未示出)，因此當經(jīng)由孔洞抽真空時可將晶片保持在其表面。真空夾頭依序固定在中心軸14上，此中心軸由馬達機構(未示出)所旋轉(zhuǎn)。通常，夾頭和晶片是在水平方向面朝上，如圖1所示。
在實際上，晶片的不作用面或稱為底面保持為對著旋轉(zhuǎn)夾頭的表面，而所需數(shù)量的液態(tài)光敏光刻膠材料經(jīng)由晶片的上表面的中心的配送器16而施加。在離心力作用下，光敏光刻膠材料然后由晶片中心向外朝四周緣分散，因此可涂布整個表面。在旋轉(zhuǎn)過程中，過量的光敏光刻膠會飛濺離此晶片。對于不同的方法和不同的應用方式，可調(diào)整晶片的旋轉(zhuǎn)速度、涂層材料的數(shù)量和性質(zhì)，以達到所要的均勻厚度。
然而，使用不同的方法會使涂層材料產(chǎn)生不同的厚度。對于會產(chǎn)生不同厚度的原因，是由于三種影響因素所造成在材料自轉(zhuǎn)表面上的表面形狀、流體的流體動力學和自轉(zhuǎn)材料的性質(zhì)。
引到晶片表面上的材料層的表面形狀由已經(jīng)呈現(xiàn)在晶片表面上的特征形狀而決定。因此，在圖2中，顯示了圖1中的晶片10，但其有較大的橫斷面。在該橫斷面上，金屬線15形成在沉積在硅基質(zhì)11的絕緣層13上。還設有相一致的內(nèi)層電介質(zhì)層17，如圖2所示。在此圖中可以觀察到相對應呈現(xiàn)有金屬線的地方，即“山丘”01，和沒有呈現(xiàn)金屬線的地方，即“山谷”02。結果，當諸如光敏光刻膠的涂層材料被轉(zhuǎn)動涂布在該山丘和山谷構成的表面形狀時，光敏光刻膠19的厚度將依照如圖2所示的情形變化。因此，山丘上的厚度03將小于山谷上的厚度04。如美國專利第5,498,449號所述，當光敏光刻膠19為了在晶片面上形成圖形而輻射涂布時，由光敏光刻膠層吸收的能量因為其各部分有不同的厚度而不均勻。因此，造成了完成的光敏光刻膠圖形彼此有不同的大小，而導致減少了臨界尺寸的一致性。因此，因為最后圖形彼此并不相似，則半導體裝置的產(chǎn)品優(yōu)良率和可靠度會降低。為解決此問題，在同樣的美國專利第5,498,449號提出了將晶片10、中心軸14和所有的裝置都轉(zhuǎn)朝下(此處未示出)，并將晶片以高速旋轉(zhuǎn)，從而借助地心引力向下的幫助，迫使光敏光刻膠19流過在下方的晶片表面山峰和山谷形狀，因而使得在所有部分的光敏光刻膠層的厚度幾乎相等，也就是使經(jīng)過山峰和山谷處有同樣的厚度。
轉(zhuǎn)動流體的流體動力還將使得該流體無關于晶片的表面形狀而厚度不同。例如，在晶片中央的涂層厚度可以遠大于在邊緣的涂層厚度，因此如圖3a所示在中央部位形成一隆起20?；蛘?，橫越表面的涂層材料的分布可以諸如形成“碟形”22，配置成在晶片的邊緣比在中央有較高的厚度(圖3b)。研究表明，光敏光刻膠材料的這種行為(定分子量、溶液濃度等)只由轉(zhuǎn)動參數(shù)而決定。已發(fā)展出各種的數(shù)學上關系來預測光刻膠厚度，應是依賴于諸如百分濃度、轉(zhuǎn)動速度等因素。然而，現(xiàn)有技術中已充分提供了對于特定方法應用的實驗數(shù)據(jù)。某些數(shù)據(jù)包括諸如光刻膠公式、轉(zhuǎn)動型式、晶片大小、轉(zhuǎn)動參數(shù)等等特定參數(shù)。橫跨整個晶片厚度變化以作為函數(shù)的研究，此函數(shù)包括有許多參數(shù)，如光刻膠配送的體積、晶片直徑、光刻膠粘度、配送期間的晶片自轉(zhuǎn)速、晶片加速和最后自轉(zhuǎn)速等，揭示于由S.Wolf所發(fā)表的“對于VLSI時代的硅處理方法(Silicon Processing for the VLSI Era，)”第1冊，第433頁，1990年版，出版社為加利福尼亞Sunset Beach的Lattice Press。
在美國專利第5,405,813號中揭示了光刻膠流的動力可通過在特定時間改變晶片的旋轉(zhuǎn)速度的方式而處理。在此相同時間，配送的光刻膠量改變。在此方式中，均勻厚度的光敏光刻膠形成遍于整個晶片表面，而且同時減少了用于涂層處理的光敏光刻膠材料的數(shù)量。尤其是，晶片繞一中心軸而旋轉(zhuǎn)而使其能達到第一旋轉(zhuǎn)速度。接著，在該專利中還進一步述及，當極小量的光敏光刻膠材料同時配送至半導體晶片的上表面時，則半導體晶片將由第一旋轉(zhuǎn)速度減速至第二旋轉(zhuǎn)速度。當晶片達到第二旋轉(zhuǎn)速度時，則停止把光敏光刻膠材料配送到半導體晶片的上表面。然后半導體晶片從第二旋轉(zhuǎn)速度加速至第三旋轉(zhuǎn)速度。當達到第三旋轉(zhuǎn)速度時，半導體晶片將維持于第三旋轉(zhuǎn)速度以使光敏光刻膠材料遍布于半導體晶片的上表面為一均勻?qū)印＝又雽w晶片從第三旋轉(zhuǎn)速度加速至第四旋轉(zhuǎn)速度，然后維持于第四旋轉(zhuǎn)速度從而使在半導體晶片的上表面的光敏光刻膠材料均勻?qū)痈稍铩?br>
當在該美國專利第5,405,813號的這些步驟指出如何減少因朝向晶片的邊緣形成“碟形”，或因朝向晶片的中心而形成“隆起”而引起的厚度變化時，現(xiàn)有技術仍須控制另外一種型式的變量，這種變量是由光刻膠層在旋轉(zhuǎn)時在離心力影響下在輻射方向的起皺現(xiàn)象所引起。該起皺現(xiàn)象疊置在下方的光敏光刻膠層上，而導致有波浪狀的厚度變化，如圖3c所示。此波浪狀的起皺為厚度條紋，不同于標稱光刻膠層厚度，有時稱之為條紋(striation)。通常，條紋的程度會因增加地形階層的高度和光刻膠層的粘度而增加。本發(fā)明所提出的方法因此如圖3a-3c所示，使型式的厚度變化實質(zhì)地減少。這可通過用光敏光刻膠預潤濕晶片而達成，但是仍會有不同的物理性質(zhì)，即粘度，其具有不同于以特定旋轉(zhuǎn)速度轉(zhuǎn)動于晶片上的最后光敏光刻膠層的粘度。下文將以優(yōu)選實施例的光敏光刻膠具有相對較高粘度的某些不希望的行為結果而得以證明。
本發(fā)明的目的在于提供一種無條紋涂敷高粘度光敏光刻膠在半導體晶片的階狀高度表面形狀的方法。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種減少在涂敷光敏光刻膠層時因晶片表面形狀所引起的厚度變化的方法。
本發(fā)明的又一目的在于提供一種減少用于涂敷半導體晶片時的光敏光刻膠數(shù)量的方法。
本發(fā)明的這些目的首先是當晶片以預定的旋轉(zhuǎn)速度自轉(zhuǎn)時，連續(xù)地預潤濕晶片而達成。在停止配送預潤濕的媒介后，晶片被加速至第二旋轉(zhuǎn)速度。接著，當晶片被加速至第三旋轉(zhuǎn)速度時，高粘度光敏光刻膠被配送。為了達到盡可能減少厚度變化的目的，將第三旋轉(zhuǎn)速度和配送率設定為與高粘度光敏光刻膠所預期之值相比較為想不到的低值。光敏光刻膠的減少數(shù)量現(xiàn)減少光敏光刻膠的配送率而達成，而不會引進任何不良的效果于涂敷層上。
本發(fā)明提供一種半導體晶片的光敏光刻膠涂層方法，包括以下步驟提供一夾頭；提供所述夾頭的中心軸；提供光敏光刻膠配送器；安裝所述晶片于所述夾頭上；將在所述中心軸上的所述真空夾頭自轉(zhuǎn)至第一旋轉(zhuǎn)速度；配送預濕劑至所述夾頭上的所述晶片；穩(wěn)定所述第一旋轉(zhuǎn)速度；加速所述晶片至第二旋轉(zhuǎn)速度；穩(wěn)定所述第二旋轉(zhuǎn)速度；加速所述晶片至第三旋轉(zhuǎn)速度；配送光敏光刻膠至所述晶片上的所述預濕劑上；加速所述晶片至第四旋轉(zhuǎn)速度；穩(wěn)定所述第四旋轉(zhuǎn)速度。
本發(fā)明還提供一種在半導體晶片的表面構形上涂敷高粘度光敏光刻膠形成無條紋涂層的方法，包括以下步驟將所述晶片的底表面安裝到光敏光刻膠涂敷系統(tǒng)的真空夾頭上，從而使得晶片呈水平指向并面朝上；使所述真空夾頭繞一中心軸旋轉(zhuǎn)，以使得所述晶片獲得大約0-200rpm之間范圍的第一旋轉(zhuǎn)速度；同時加速所述第一旋轉(zhuǎn)速度，以每秒大約2-5立方厘米(cc)之間的一定速率配送預濕劑，期間為大約1-3秒；停止配送所述預濕劑，并穩(wěn)定所述第一旋轉(zhuǎn)速度大約1-2秒期間；加速所述晶片以達到第二旋轉(zhuǎn)速度，加速所述晶片以達到大約1500rpm至3000rpm之間的第三旋轉(zhuǎn)速度，而同時以大約0.6-1cc/秒之間的速率配送光敏光刻膠，持續(xù)4-8秒的期間；加速所述晶片以達到大約2000rpm至3800rpm之間的第四旋轉(zhuǎn)速度，并穩(wěn)定所述第四旋轉(zhuǎn)速度大約20-30秒的期間。
本發(fā)明的目的和特征將由以下詳細的說明并結合附圖而變得更清楚。
圖1為顯示安裝在現(xiàn)有技術真空夾頭上并定位在中央定位光敏光刻膠材料配送器下方的晶片的橫剖面圖。
圖2為顯示現(xiàn)有技術自轉(zhuǎn)涂敷光敏光刻膠的橫剖面圖。
圖3a，3b和3c為顯示所熟知的有非均勻光敏光刻膠層形成在其上的半導體晶片的橫剖面圖。
圖4a為顯示依照本發(fā)明的從晶片的中央發(fā)散輻射線的晶片的平面示圖。
圖4b為顯示沿著圖4a的其中之一輻射線的橫剖面的熟知的光敏光刻膠厚度變化的示意圖。
圖4c為顯示沿著圖4a的其中之一輻射線的橫剖面的本發(fā)明的光敏光刻膠厚度變化的示意圖。
現(xiàn)在參照附圖，再參照現(xiàn)有技術的圖3a，3b，和3c所示具有非均勻，即可變光敏光刻膠層的半導體晶片的橫剖面圖。參照圖3a，光敏光刻膠20的“碟形”層在半導體晶片10的中央比在晶片10的周緣有較厚的厚度。圖3b中，轉(zhuǎn)動于晶片10上的光敏光刻膠層在半導體晶片10的周緣比在該晶片的中央有較厚的厚度。而在光敏光刻膠層厚度的另外一種變化為如圖3c所示的由輻射光刻膠條紋所引起的波浪狀24性質(zhì)。在所有上述情況中，光敏光刻膠層厚度的變化對于其后的該晶片將照著處理的步驟都將有不利的影響。其結果，在相同晶片上由于光敏光刻膠層厚度的變化，而使得譬如金屬層線寬的臨界尺寸將改變。
在本發(fā)明的優(yōu)選實施例中，實施數(shù)種實驗以實質(zhì)地減少如圖3c所示的輻射條紋(即，在整個晶片表面上不同于標稱光刻膠層厚度的厚度的輻射條紋)。首先，將可觀察到已知性質(zhì)的光敏光刻膠比如由東芝公司(Mitsubishi)所制造的MCPRi 7010N-轉(zhuǎn)動于圖4a的晶片10上，沿著其中一條輻射線32的橫剖面的厚度變化為介于大于1900埃()至2000埃之間。最好厚度變化為不超過大約50埃至100埃之間。因此當配送光敏光刻膠時，實驗實施改變粘度、光敏光刻膠的配送率和晶片的旋轉(zhuǎn)速度。能夠發(fā)現(xiàn)到已知的粘度范圍大約為4cp(centipoise，厘泊)至16cp，幾乎不能見到條紋?？墒?，當使用較高粘度的光敏光刻膠時，可觀察到條紋。以大約35cp至50cp之間較高粘度光刻膠作實驗，顯示了實質(zhì)的改進如下列表1所示表1粘度 旋轉(zhuǎn)速度 配送率 條紋35cp-50cp 2000-40000rpm 0.85-1.0cc/s1900-200035cp-50cp 1500-30000rpm 0.60-0.9cc/s50-100
與表1第一行的數(shù)據(jù)狀況相對應的情況見圖4b，而相對于該表第二行數(shù)據(jù)的改進狀況見圖4c。還可有趣地可從上表中觀察到，預想不到的，越高粘度的光敏光刻膠需要越低的旋轉(zhuǎn)速度，以達到減少的條紋厚度變化。
因此，在本發(fā)明中，上述的實驗結果可歸結陳述于下列說明的優(yōu)選實施例中。然而，為了使能對本發(fā)明有完全的了解，在此說明書中，提出了諸如特定材料、處理參數(shù)等的詳細數(shù)據(jù)。然而本領域技術人員應了解到，這些特定的詳細數(shù)據(jù)，不是一定要使用在本發(fā)明的實際使用中。
因此，將半導體晶片的底面放置在真空夾頭上用以施加光敏光刻膠于晶片的上表面。將晶片以上表面朝上的方向而將晶片定向于水平面方向。接著，以粘度1cp-5cp的AZEBR預濕劑將晶片潤濕，旋轉(zhuǎn)從0-200rpm(轉(zhuǎn)/分)大約0-3秒，并配送以大約2-5立方厘米(cc)的預濕劑量。雖然本發(fā)明中采用這些速度和配送率，但是本發(fā)明改變這些參數(shù)也是可以的。
當晶片到達200rpm的第一旋轉(zhuǎn)速度，和該預濕劑的量經(jīng)配送后，晶片則維持在該速度大約1-2秒之間，其長度為剛足以使該晶片穩(wěn)定于第一旋轉(zhuǎn)速度。然后晶片被加速至大約500-2000rpm之間的第二旋轉(zhuǎn)速度，并保持該速度穩(wěn)定大約2-5秒之間。
本發(fā)明的主要特征和關鍵精神，是在下一步驟中要配送相對高濃度的光敏光刻膠。在優(yōu)選實施例中，使用MCPRi 7010N型式光敏光刻膠，其粘度范圍大約在35cp-50cp。在本發(fā)明中，光敏光刻膠大約以0.6-1.0cc/秒范圍之間的一定速率配送大約4-8秒時間。該光敏光刻膠經(jīng)由全加速從第二旋轉(zhuǎn)速度至第三旋轉(zhuǎn)速度大約1500-3000rpm之間而配送。光敏光刻膠配送完后，然后將晶片加速至大約2000-3800rpm的第四旋轉(zhuǎn)速度，并穩(wěn)定于該速度大約20-30秒時間，以獲得所需的光敏光刻膠厚度。
因此，本領域技術人員應了解到，當以低至0.6cc/秒的該配送速率配送時，有實質(zhì)上減少所需涂敷在晶片上的光敏光刻膠材料量的額外好處。本發(fā)明的更進一步優(yōu)點是，由實驗觀察可知在各晶片之間有減少厚度變化的重復性。這就是說，使用上述的方法，可減少分離的半導體晶片之間的平均厚度變化。在一般的現(xiàn)有技術光敏光刻膠涂層方法中，涂敷以相同的時間，在分離的半導體晶片上光敏光刻膠層的平均厚度之間的變化，將高達幾百埃()(請參閱美國專利第5,405,813號)。可是，用本發(fā)明的實驗結果可得一般約50-100之間的范圍。
因此，本發(fā)明的方法提供在階狀高度表面形狀的半導體晶片的上表面上形成無條紋效果的光敏光刻膠層，還可減少光敏光刻膠材料的量。此外，本發(fā)明的方法提供在不同時間，處理在不同晶片上的光敏光刻膠材料層，可提高平均厚度間的再現(xiàn)的程度。本發(fā)明所提供的各種改進優(yōu)點，可以應用在半導體產(chǎn)品制造方面的全部改進事項中。
雖然本發(fā)明已參照優(yōu)選實施例而作了詳細的顯示和說明，但本領域技術人員應了解到，本發(fā)明可在形式和細節(jié)上作不同的改變，而不偏離本發(fā)明的精神和范圍。
權利要求
1.一種半導體晶片的光敏光刻膠涂層方法，包括以下步驟提供一夾頭；提供所述夾頭的中心軸；提供光敏光刻膠配送器；安裝所述晶片于所述夾頭上；將在所述中心軸上的所述真空夾頭自轉(zhuǎn)至第一旋轉(zhuǎn)速度；配送預濕劑至所述夾頭上的所述晶片；穩(wěn)定所述第一旋轉(zhuǎn)速度；加速所述晶片至第二旋轉(zhuǎn)速度；穩(wěn)定所述第二旋轉(zhuǎn)速度；加速所述晶片至第三旋轉(zhuǎn)速度；配送光敏光刻膠至所述晶片上的所述預濕劑上；加速所述晶片至第四旋轉(zhuǎn)速度；穩(wěn)定所述第四旋轉(zhuǎn)速度。
2.如權利要求1所述的方法，其中所述夾頭具有多個真空孔洞。
3.如權利要求2所述的方法，其中所述孔洞連接至真空泵。
4如權利要求1所述的方法，其中所述夾頭安裝在所述中心軸上。
5.如權利要求1所述的方法，其中所述晶片安裝在所述夾頭上，所述夾頭的直徑稍小于所述晶片的直徑。
6.如權利要求1所述的方法，其中所述中心軸由馬達機構所旋轉(zhuǎn)。
7.如權利要求1所述的方法，其中所述第一旋轉(zhuǎn)速度介大約0rpm至200rpm之間。
8.如權利要求1所述的方法，其中所述配送器位于在所述夾頭上所述晶片的表面的中央位置。
9.如權利要求1所述的方法，其中所述預濕劑為一種稱之稀釋劑的化學溶液，其具有大約1cp-5cp之間的粘度。
10.如權利要求9所述的方法，其中所述預濕劑以大約2-5立方厘米(cc)之間的速率配送。
11.如權利要求9所述的方法，其中所述預濕劑以大約1-3秒的期間配送。
12.如權利要求1所述的方法，其中所述第一旋轉(zhuǎn)速度呈穩(wěn)態(tài)大約1-2秒的期間。
13.如權利要求1所述的方法，其中所述第二旋轉(zhuǎn)速度介于大約500rpm至2000rpm之間。
14.如權利要求1所述的方法，其中所述第二旋轉(zhuǎn)速度呈穩(wěn)態(tài)大約2-5秒的期間。
15.如權利要求1所述的方法，其中所述第三旋轉(zhuǎn)速度介于大約1500rpm至3000rpm之間。
16.如權利要求1所述的方法，其中所述光敏光刻膠為MCPRi 7010N。
17.如權利要求16所述的方法，其中所述光敏光刻膠的粘度為介于大約35cp-50cp之間。
18.如權利要求17所述的方法，其中所述光敏光刻膠以大約0.6cc-1.0cc之間的速率配送。
19.如權利要求17所述的方法，其中所述光敏光刻膠以大約4-8秒的期間配送。
20.如權利要求1所述的方法，其中所述第四旋轉(zhuǎn)速度介于大約2000rpm至3800rpm之間。
21.如權利要求1所述的方法，其中所述第四旋轉(zhuǎn)速度呈穩(wěn)態(tài)大約20-30秒的期間。
22.一種在半導體晶片的表面構形上涂敷高粘度光敏光刻膠形成無條紋涂層的方法，包括以下步驟將所述晶片的底表面安裝到光敏光刻膠涂敷系統(tǒng)的真空夾頭上，從而使得晶片呈水平指向并面朝上；使所述真空夾頭繞一中心軸旋轉(zhuǎn)，以使得所述晶片獲得大約0-200rpm之間范圍的第一旋轉(zhuǎn)速度；同時加速所述第一旋轉(zhuǎn)速度，以每秒大約2-5立方厘米(cc)之間的一定速率配送預濕劑，期間為大約1-3秒；停止配送所述預濕劑，并穩(wěn)定所述第一旋轉(zhuǎn)速度大約1-2秒期間；加速所述晶片以達到第二旋轉(zhuǎn)速度，加速所述晶片以達到大約1500rpm至3000rpm之間的第三旋轉(zhuǎn)速度，而同時以大約0.6-1cc/秒之間的速率配送光敏光刻膠，持續(xù)4-8秒的期間；加速所述晶片以達到大約2000rpm至3800rpm之間的第四旋轉(zhuǎn)速度，并穩(wěn)定所述第四旋轉(zhuǎn)速度大約20-30秒的期間。
23.如權利要求22所述的方法，其中所述預濕劑為AZEBR，具有粘度大約1cp-5cp之間。
24.如權利要求22所述的方法，其中所述光敏光刻膠涂料為MCPRi7010N，具有粘度大約35cp-50cp之間。
全文摘要
一種可以在晶片上無條紋涂敷光敏光刻膠層的方法。此方法可以下列方式達成,首先以某一特定速率,以某種特定媒劑或溶液預潤濕晶片,而將此晶片加速至一預定之旋轉(zhuǎn)速度。然后停止供應此預潤濕溶液,接著將晶片加速至第二旋轉(zhuǎn)速度。再接著將晶片加速至第三旋轉(zhuǎn)速度時,把相對高濃度的光敏光刻膠配送至晶片。為了達成比現(xiàn)有技術所知的有更減少的厚度變化,該第三旋轉(zhuǎn)速度和配送率設定得為比較期望的高粘度光敏光刻膠者有想象不到的低值。采用本發(fā)明可保持線寬的臨界尺寸,和產(chǎn)品的優(yōu)良率可獲得改進。
文檔編號G03F7/16GK1206850SQ97104658
公開日1999年2月3日 申請日期1997年7月30日 優(yōu)先權日1997年7月30日
發(fā)明者王立銘, 蕭國裕 申請人:世界先進積體電路股份有限公司