專利名稱：薄膜致動鏡陣列及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于光學(xué)投影系統(tǒng)中的M×N薄膜致動鏡陣列；更具體地，涉及一種具有一種被裝置于該陣列中的新型結(jié)構(gòu)的有源矩陣。
在本領(lǐng)域可以獲得的各種視頻顯示系統(tǒng)中，眾所周知光學(xué)投影系統(tǒng)能夠提供大尺寸的高質(zhì)量顯示。在此光學(xué)投影系統(tǒng)中，從一光源來的光均勻地照射在一如M×N的致動鏡陣列上，其中各鏡與各致動器耦合。各致動器可以用諸如響應(yīng)于施于其的電場而變形的壓電或電致伸縮材料的電致位移材料制成。
從每個(gè)鏡面反射的光束入射在例如一光檔板的一小孔上。通過對每一個(gè)致動器施加一電信號，來改變每一個(gè)鏡與入射光束的相對位置，從而引起來自每一鏡面的反射光束的光路偏移。由于每一反射光束的光路被改變了，從每一鏡面反射的穿過該小孔的光量即被改變，由此調(diào)節(jié)該光束的強(qiáng)度。被調(diào)節(jié)的穿過該小孔的光束經(jīng)諸如投射透鏡的合適的光學(xué)裝置被傳至一投影屏上，以由此在其上顯示一圖象。
在

圖1A至1H中，諸剖面圖顯示了在一個(gè)共有未決的申請中(美國序列號08/602,928，名稱為“用于光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜致動鏡陣列”)公開的用于制作一個(gè)M×N薄膜致動鏡101陣列100的方法。
制作該陣列100的過程開始于準(zhǔn)備有源矩陣110，該矩陣包括基底112和一個(gè)M×N連接端子114陣列?；?12由諸如硅晶片的絕緣材料組成，而連接端子114由諸如鎢(W)的導(dǎo)體材料組成，如圖1A所示。
在下一步中，一個(gè)由PSG或氮化硅組成的厚度為0.1-2μm的鈍化層120被通過利用例如CVD或旋轉(zhuǎn)鍍膜法形成于有源矩陣110的頂端。
然后，由氮化硅組成且厚度為0.1-2μm的蝕刻劑阻擋層130被通過利用例如濺射或CVD方法而淀積在鈍化層120的頂端，如圖1B所示。
隨之，通過利用CVD或旋轉(zhuǎn)鍍膜法、接著用化學(xué)機(jī)械磨光(CMP)法來在蝕刻劑阻擋層130的頂端形成由PSG組成的、具有平滑上端面的薄膜待除層140。
接著，以下述方法在薄膜待除層140中制造一個(gè)M×N對空穴145陣列通過利用干的或濕的蝕刻法使每一對中的一個(gè)空穴145包圍一個(gè)連接端子114，如圖1C所示。
在下一步，通過利用CVD方法在包含空穴145的薄膜待除層140的頂端淀積由例如氮化硅的氮化物組成的厚度為0.1-2μm的彈性層150。
然后，通過利用濺射或真空蒸鍍法在彈性層150的頂端形成由例如Pt/Ta的導(dǎo)電材料組成的厚度為0.1-2μm的第二薄膜層(未示出)。然后將該第二薄膜層通過利用干蝕刻法等切成一個(gè)M×N第二薄膜電極165陣列，其中每一個(gè)第二薄膜電極165與其它第二薄膜電極165是電斷開的，如圖1D所示。
接下來，通過利用蒸鍍，溶膠凝膠(Sol-Gel)、濺射或CVD法在該M×N第二薄膜電極165陣列的頂端淀積由例如PZT的壓電材料或例如PMN的電致伸縮材料組成的厚度為0.1-2μm的薄膜電致位移層170。
隨后，通過利用濺射或真空蒸鍍法在該薄膜電致位移層170的頂端形成由如鋁(Al)或銀(Ag)的導(dǎo)電的光反射材料組成的厚度為0.1-2μm的第一薄膜層180，從而形成一個(gè)多層結(jié)構(gòu)200，如圖1E所示。
如圖1F所示，在下一步中，通過利用光刻或激光裁剪法對該多層結(jié)構(gòu)200構(gòu)圖(pattern)，直到薄膜待除層140暴露出來。
在下一步，通過利用移去(lift-off)法形成由例如鎢(W)的金屬組成的一個(gè)M×N導(dǎo)管190陣列，從而形成一個(gè)M×N致動結(jié)構(gòu)210陣列，其中每一個(gè)致動結(jié)構(gòu)210包括第一薄膜電極185、薄膜電致位移元件175、第二薄膜電極165、彈性元件155和導(dǎo)管190，該導(dǎo)管190從薄膜電致位移元件175的頂端延伸至相應(yīng)連接端子114的頂端，如圖1G所示。
最后，通過利用使用例如氟化氫(HF)蒸氣的蝕刻劑或化學(xué)劑的濕蝕刻法將薄膜待除層140去除，以由此形成一個(gè)M×N薄膜致動鏡101陣列100，如圖1H所示。
與上述用于制作M×N薄膜致動鏡101陣列100的方法相聯(lián)，有某些不足存在。在由例如硅晶片組成的基底112的頂端上形成由例如鎢的導(dǎo)電材料組成的連接端子114。在制作該薄膜致動鏡101中的高溫處理期間，基底112中的硅(Si)可能擴(kuò)散到連接端子114中，以致于在其上可能形成例如硅化鎢的高電阻材料，由此引起相應(yīng)的薄膜致動鏡101失靈。
因此，本發(fā)明的一個(gè)主要目的是提供一個(gè)M×N具有新型結(jié)構(gòu)的薄膜致動鏡陣列以防止硅擴(kuò)散。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種用于制作此種M×N薄膜致動鏡陣列的方法。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種M×N薄膜致動鏡陣列，其中M和N是整數(shù)，該陣列用于光學(xué)投影系統(tǒng)，該陣列包括一個(gè)包括一基底、一個(gè)M×N晶體管陣列、一個(gè)粘附層、一個(gè)擴(kuò)散阻擋層、一個(gè)M×N連接端子陣列、一個(gè)應(yīng)力平衡層的有源矩陣，其中該擴(kuò)散阻擋層位于該基底和該連接端子之間，每一個(gè)連接端子與晶體管陣列中的相應(yīng)晶體管電連接；一個(gè)在該有源矩陣的頂端形成的鈍化層；一個(gè)在該鈍化層頂端形成的蝕刻劑阻擋層；以及一個(gè)M×N致動結(jié)構(gòu)陣列，每一個(gè)致動結(jié)構(gòu)包括第一薄膜電極、薄膜電致位移元件、第二薄膜電極、彈性元件和導(dǎo)管，其中第一薄膜電極位于薄膜電致位移元件的頂端，第一薄膜電極用作偏置電極和鏡，薄膜電致位移元件位于第二薄膜電極的頂端，該第二薄膜電極形成于該彈性元件的頂端，該第二薄膜電極用作信號電極，而導(dǎo)管將該第二薄膜電極與相應(yīng)的連接端子作電連接。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供了一種用于制作一個(gè)M×N薄膜致動鏡陣列的方法，其中M和N是整數(shù)，該陣列用于光學(xué)投影系統(tǒng)，該方法包括下列步驟準(zhǔn)備一個(gè)包括形成于其上的一個(gè)M×N晶體管陣列的基底；淀積一個(gè)粘附層；在該粘附層的頂端形成一個(gè)擴(kuò)散阻擋層；形成一個(gè)M×N連接端子陣列；淀積一個(gè)應(yīng)力平衡層以由此形成一個(gè)多目的層；選擇性地去除該多目的層，由此形成一個(gè)有源矩陣；在該有源矩陣的頂端依次淀積一個(gè)鈍化層和一個(gè)蝕刻劑阻擋層；形成一個(gè)包括一個(gè)M×N對空穴陣列的薄膜待除層；在該薄膜待除層的頂端依次淀積一個(gè)彈性層、一第二薄膜層、一薄膜電致位移層和一第一薄膜層，由此形成一個(gè)多層結(jié)構(gòu)；將該多層結(jié)構(gòu)構(gòu)圖成一個(gè)M×N半成品致動結(jié)構(gòu)陣列直到該薄膜待除層暴露出來；形成一個(gè)M×N導(dǎo)管陣列，由此形成一個(gè)M×N致動結(jié)構(gòu)陣列；去除該薄膜待除層以由此形成一個(gè)M×N薄膜致動鏡陣列。
本發(fā)明的上述和其它目的和特征將通過對下述隨附圖給出的對優(yōu)選實(shí)施例的描述變得顯而易見，其中圖1A至1H是原理剖面圖，說明了以前公知的用于制作一個(gè)M×N薄膜致動鏡陣列的方法；圖2A和2B是原理剖面圖，給出了分別根據(jù)本發(fā)明的兩個(gè)實(shí)施例的一個(gè)M×N薄膜致動鏡陣列；圖3A至3K是原理剖面圖，說明了用于制作圖2A所示的該M×N薄膜致動鏡陣列的方法；及圖4A至4K是原理剖面圖，說明了用于制作圖2B所示的該M×N個(gè)薄膜致動鏡陣列的方法。
圖2A至2B、3A至3K以及4A至4K是原理性剖面圖，提供了一個(gè)M×N薄膜致動鏡301陣列300，其中M和N是整數(shù)，該陣列用于光學(xué)投影系統(tǒng)，原理性剖面圖說明了一種用于制作分別根據(jù)本發(fā)明的兩個(gè)實(shí)施例的示于圖2A和2B的薄膜致動鏡陣列的制作方法。應(yīng)該注意到，出現(xiàn)于圖2A和2B、3A至3K和4A至4K中的類似部分用類似的參考數(shù)字表示。
在圖2A和2B中，提供了一種根據(jù)本發(fā)明的兩個(gè)實(shí)施例的一個(gè)M×N薄膜致動鏡301陣列300的剖面圖，該陣列300包括一有源矩陣310、一鈍化層340、一蝕刻劑阻擋層350和一個(gè)M×N致動結(jié)構(gòu)400陣列。
有源矩陣310具有一包括一個(gè)M×N晶體管370陣列(見圖3A和4A)的基底312和一多目的層314。每一個(gè)晶體管370包括場氧化層372、門端子374、源/漏區(qū)376和鈍化元件378。多目的層314包括粘附層322、擴(kuò)散阻擋層324、M×N連接端子326陣列以及應(yīng)力平衡層328，其中該擴(kuò)散阻擋層324位于基底312和連接端子326之間，由例如鎢(W)的導(dǎo)體材料組成的每一個(gè)連接端子326電連接于晶體管370陣列中的一個(gè)相應(yīng)晶體管370，并且由例如C-TiN組成的、厚度為500-700A的應(yīng)力平衡層328位于連接端子326的頂端。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，由例如鈦(Ti)組成、厚度為100A或由例如高純鈦氮化鈦(tilanium-rich titanium nitride)(Ti-rich TiN)組成、厚度為100-150A的粘附層322位于基底312和擴(kuò)散阻擋層324之間。由TiN組成、厚度為500-700A的擴(kuò)散阻擋層324被結(jié)晶成立體結(jié)構(gòu)，該立體結(jié)構(gòu)的密堆積面(Close-packing plane)，即密勒指數(shù)(Miller indices)(111)平行于基底312的水平方向，如圖2A所示。
根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，擴(kuò)散阻擋層324具有下擴(kuò)散阻擋層332和上擴(kuò)散阻擋層334。由例如TiN組成的下和上擴(kuò)散阻擋層332、334被結(jié)晶成立體結(jié)構(gòu)，其中下擴(kuò)散阻擋層332和上擴(kuò)散阻擋層334包括分別具有特定晶粒大小，例如分別為150-200A和80-100A的TiN，下擴(kuò)散阻擋層332的晶粒大小大于上擴(kuò)散阻擋層334的，如圖2B所示。下擴(kuò)散阻擋層332和上擴(kuò)散阻擋層334的晶粒大小能夠在其淀積期間通過熱處理、淀積壓力和基底溫度來控制。
由例如硅酸磷玻璃(phosphor-silicate glass)(PSG)組成、厚度為2000A的鈍化層340位于有源矩陣310的頂端。
由氮化硅組成、厚度為1000-2000A的蝕刻劑阻擋層350位于鈍化層340的頂端。
每一個(gè)致動結(jié)構(gòu)400具有一鄰近端點(diǎn)和遠(yuǎn)端端點(diǎn)，并包括一第一薄膜電極445、一由壓電和電致伸縮材料組成的薄膜電致位移元件435、一第二薄膜電極425、一由絕緣材料組成的彈性元件415及一導(dǎo)管450。由例如Al、Ag或Pt的光反射和導(dǎo)電材料組成的第一薄膜電極445位于薄膜電致位移元件435的頂端并電接于地，由此作為偏置電極和反射鏡。該薄膜電致位移元件435位于第二薄膜電極425的頂端。由例如Ta或Pt/Ta的導(dǎo)電材料組成的第二薄膜電極425位于彈性元件415的頂端并通過導(dǎo)管450和連接端子326與晶體管370陣列中的相應(yīng)晶體管370作電連接，由此用作信號電極。彈性元件415位于第二薄膜電極425的底端，并且其在近端端點(diǎn)處的底部附著于有源矩陣310的頂端，蝕刻劑阻擋層350和鈍化層340部分地從其中插入，由此使致動結(jié)構(gòu)400伸出懸臂。導(dǎo)管450從薄膜電致位移元件435的頂端延伸至相應(yīng)連接端子326的頂端，并與第一薄膜電極445斷開，由此將第二薄膜電極425與相應(yīng)的連接端子326作電連接。
在圖3A至3K中，提供的原理性剖面圖說明了一種用于根據(jù)圖2A所示的本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例制作M×N薄膜致動鏡301陣列300的方法。
制作該陣列300的過程開始于準(zhǔn)備一個(gè)包括一個(gè)M×N晶體管370陣列的基底312。該基底312由例如硅片的絕緣材料組成，而且每一個(gè)晶體管370由例如金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管的開關(guān)裝置組成，如圖3A所示。
接下去，通過利用濺射或CVD方法在基底312的頂端淀積由例如鈦(Ti)組成、厚度為100A或由例如高純鈦氮化鈦(Ti-rich TiN)組成、厚度為100-500A的粘附層322。
下一步，通過利用PVD方法將由例如TiN組成的、厚度為500-700A的擴(kuò)散阻擋層324淀積在粘附層322的頂端。該擴(kuò)散阻擋層324經(jīng)熱處理以釋放應(yīng)力、壓實(shí)并允許相位變換發(fā)生，其中該立體結(jié)構(gòu)的密堆積面，即密勒指數(shù)(111)平行于基底312的水平方向，如圖3C所示。該熱處理包括在450℃將此擴(kuò)散阻擋層324退火30分鐘。
在下一步中，在該擴(kuò)散阻擋層324的頂端形成一個(gè)M×N連接端子326陣列。每一個(gè)連接端子326與晶體管370陣列中的一個(gè)相應(yīng)晶體管370電連接，如圖3D所示。
然后，通過利用物理蒸氣淀積(PVD)在連接端子326的頂端上淀積由例如C-TiN組成的、厚度為500-700A的應(yīng)力平衡層328，以由此形成一個(gè)多目的層314，如圖3E所示。
隨之，該多目的層314被選擇性地去除以暴露出在晶體管370中門端子374以上形成的部分，以由此形成一個(gè)有源矩陣310，如圖3F所示。
隨后，通過利用例如CVD方法在該有源矩陣310的頂端淀積由例如PSG組成、厚度為2000A的鈍化層340。
下一步，通過利用等離子增強(qiáng)化學(xué)蒸氣淀積(PECVD)法在該鈍化層340的頂端淀積由氮化硅組成的、厚度為1000-2000A的蝕刻劑阻擋層350。
然后，通過利用大氣壓力化學(xué)蒸氣淀積(APCVD)法及后續(xù)的CMP法在該蝕刻劑阻擋層350的頂端形成由例如PSG組成的、厚度為1.6μm的薄膜待除層360。
在下一步中，以下述方式在薄膜待除層360中制作一個(gè)M×N對空穴365陣列通過利用干的或濕的蝕刻法使每對中的一個(gè)空穴365包圍一個(gè)連接端子326，如圖3G所示。
下一步，通過利用LPCVD方法在包括該空穴365的薄膜待除層360的頂端淀積由例如氮化硅的氮化物組成的、厚度為1000-3000A的彈性層410。
接著，通過利用濺射或CVD方法在該彈性層410的頂端形成由例如Pt/Ta的導(dǎo)電材料組成的、厚度為2000-4000A的第二薄膜層420。
然后，通過利用蒸鍍，溶膠凝膠(Sol-Gel)，濺射或CVD方法在第二薄膜層420的頂端淀積由例如PZT的壓電材料或例如PMN的電致伸縮材料組成的、厚度為4000-6000A的薄膜電致位移層430。
接著，通過利用濺射或真空蒸鍍法在該薄膜電致伸縮層430的頂端形成由例如鋁(Al)、銀(Ag)或鉑(Pt)的導(dǎo)電且反光材料組成的、厚度為2000-6000A的第一薄膜層440，從而形成一個(gè)多層結(jié)構(gòu)460，如圖3H所示。
在下一步中，如圖3I所示，通過利用光刻或激光裁剪(Laser trimming)法將該多層結(jié)構(gòu)460構(gòu)圖成一個(gè)M×N半成品致動結(jié)構(gòu)470陣列，直到露出了薄膜待除層360，其中每一個(gè)半成品致動結(jié)構(gòu)470包括第一薄膜電極445、薄膜電致位移元件435、第二薄膜電極425和彈性元件415。
在下一步中，在該半成品致動結(jié)構(gòu)470中制造一個(gè)M×N導(dǎo)管450陣列，其中每一個(gè)導(dǎo)管450從薄膜電致位移元件435的頂端延伸至相應(yīng)連接端子326的頂端并與第一薄膜電極445電斷開，以由此形成一個(gè)M×N致動結(jié)構(gòu)400陣列，如圖3J所示。
然后，通過利用使用例如氟化氫(HF)蒸氣的蝕刻劑或化學(xué)藥品的濕蝕刻法而除去薄膜待除層360，以由此形成M×N薄膜致動鏡301陣列300，如圖3K所示。
在圖4A至4K中，提供的原理性剖面圖說明了一種用于根據(jù)如圖2B所示的本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例制作一個(gè)M×N薄膜致動鏡301陣列300的方法。
首先，通過利用濺射或CVD方法在基底312的頂端淀積由例如鈦(Ti)或高純鈦氮化鈦組成的、厚度為100-500A的粘附層322，如圖4A所示。
然后，通過利用濺射方法在該粘附層322的頂端淀積由例如TiN組成的、厚度為500-700A的下擴(kuò)散阻擋層332，該下擴(kuò)散阻擋層332中的TiN晶粒具有特定晶粒大小，例如150-200A，下擴(kuò)散阻擋層322的晶粒大小在其淀積期間由熱處理、淀積壓力和基底溫度(T1)控制，如圖4B所示。
接著，通過利用濺射法在下擴(kuò)散阻擋層332的頂端淀積由例如TiN組成的、厚度為300-700A的上擴(kuò)散阻擋層334，該上擴(kuò)散阻擋層中TiN晶粒具有特定的晶體大小，例如80-100A，上擴(kuò)散擋層334的晶粒大小在其淀積期間由熱處理、淀積壓力和基底溫度(T2)控制，由此形成一個(gè)包括下和上擴(kuò)散阻擋層332、334的擴(kuò)散阻擋層324，如圖4C所示。
圖4D至4K中所示的進(jìn)一步的方法與圖3D至3K中所示的上述實(shí)施例中的相同，而且相同的參考數(shù)碼表示相同的或類似的元素，因而在此省去其進(jìn)一步描述。
在本發(fā)明的M×N薄膜致動鏡301陣列300及其制造方法中，為了防止在連接端子326中形成硅化鎢，在基底312和連接端子326之間形成擴(kuò)散阻擋層324，其中該擴(kuò)散阻擋層324被結(jié)晶成立體結(jié)構(gòu)，該立體結(jié)構(gòu)的密堆積平面平行于基底312的水平方向，或者將該擴(kuò)散阻擋層324形成為下和上擴(kuò)散阻擋層332、334，下擴(kuò)散阻擋層332中的TiN晶粒的晶粒大小大于上擴(kuò)散阻擋層334中的。
雖然對本發(fā)明的描述只是參考了幾個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，但在不背離下述權(quán)利要求中提出的本發(fā)明的范圍的前提下，可作任何修改和變化。
權(quán)利要求
1.一個(gè)M×N薄膜致動鏡陣列，其中M和N是整數(shù)，該陣列用于光學(xué)投影系統(tǒng)，該陣列包括一個(gè)包括一個(gè)基底、一個(gè)M×N晶體管陣列、一個(gè)擴(kuò)散阻擋層和一個(gè)M×N連接端子陣列的有源矩陣；一個(gè)形成于該有源矩陣頂端上的鈍化層；一個(gè)形成于該鈍化層頂端上的蝕刻劑阻擋層；以及一個(gè)M×N致動結(jié)構(gòu)陣列，每一個(gè)致動結(jié)構(gòu)包括第一薄膜電極、薄膜電致位移元件、第二薄膜電極、彈性元件和導(dǎo)管，其中第一薄膜電極位于薄膜電致位移元件的頂端，第一薄膜電極用作偏置電極和鏡，薄膜電致位移元件位于第二薄膜電極的頂端，該第二薄膜電極形成于該彈性元件的頂端，該第二薄膜電極用作信號電極，而導(dǎo)管將該第二薄膜電極與相應(yīng)的連接端子作電連接。
2.如權(quán)利要求1的陣列，其中該有源矩陣還包括一個(gè)粘附層和一個(gè)應(yīng)力平衡層。
3.如權(quán)利要求1的陣列，其中該擴(kuò)散阻擋層位于該基底和該連接端子之間。
4.如權(quán)利要求2的陣列，其中該粘附層位于該基底和該擴(kuò)散阻擋層之間。
5.如權(quán)利要求2的陣列，其中該應(yīng)力平衡層位于該連接端子的頂端。
6.如權(quán)利要求2的陣列，其中該粘附層是從包括鈦(Ti)或高純鈦氮化鈦(Ti-rich TiN)的一組中挑選出的。
7.如權(quán)利要求1的陣列，其中該擴(kuò)散阻擋層是由結(jié)晶成立體結(jié)構(gòu)的氮化鈦(TiN)組成。
8.如權(quán)利要求7的陣列，其中該立體結(jié)構(gòu)的密堆積平面(close-packing plane)平行于該基底的水平方向。
9.如權(quán)利要求1的陣列，其中該擴(kuò)散阻擋層被分成下和上擴(kuò)散阻擋層。
10.如權(quán)利要求9陣列，其中下擴(kuò)散阻擋層中TiN晶粒的晶粒大小大于上擴(kuò)散阻擋層的。
11.如權(quán)利要求2陣列，其中該應(yīng)力平衡層由氮化立體鈦(cubic-titanium nitride)(C-TiN)組成。
12.一種用于制作一個(gè)M×N薄膜致動鏡陣列的方法，其中M和N是整數(shù)，該陣列用于光學(xué)投影系統(tǒng)，該方法包括下列步驟準(zhǔn)備一個(gè)包括形成于其上的一個(gè)M×N晶體管陣列的基底；在該基底的頂端形成一個(gè)擴(kuò)散阻擋層；在該擴(kuò)散阻擋層的頂端形成一個(gè)M×N連接端子陣列，以由此形成一個(gè)有源矩陣；在該有源矩陣的頂端淀積一個(gè)鈍化層和一個(gè)蝕刻劑阻擋層；形成一個(gè)包括一個(gè)M×N對空穴陣列的薄膜待除層；在該薄膜待除層的頂端形成一個(gè)M×N致動結(jié)構(gòu)陣列，其中每一個(gè)致動結(jié)構(gòu)包括一第一薄膜電極，一薄膜電致位移元件，一第二薄膜電極、一彈性元件和導(dǎo)管；以及去除該薄膜待除層，以由此形成一個(gè)M×N薄膜致動鏡陣列。
13.如權(quán)利要求12的方法，其中所述的用于準(zhǔn)備該基底的步驟還包括用于形成一粘附層的步驟。
14.如權(quán)利要求12的方法，其中所述用于形成該連接端子的步驟還包括用于形成一應(yīng)力平衡層的步驟。
15.如權(quán)利要求12的方法，其中該擴(kuò)散阻擋層通過利用PVD方法形成。
16.如權(quán)利要求12的方法，其中該擴(kuò)散阻擋層經(jīng)熱處理以釋放應(yīng)力、壓實(shí)并允許相位變換發(fā)生。
17.如權(quán)利要求12的方法，其中該擴(kuò)散阻擋層通過下述方法形成通過在溫度(T1)利用濺射法淀積下擴(kuò)散阻擋層；及通過在溫度(T2)利用濺射法淀積上擴(kuò)散阻擋層。
18.如權(quán)利要求14的方法，其中溫度(T1)高于溫度(T2)。
19.一種用于制作一個(gè)M×N薄膜致動鏡陣列的方法，其中M和N是整數(shù)，該陣列用于光學(xué)投影系統(tǒng)，該方法包括下列步驟準(zhǔn)備一個(gè)包括形成于其上的一個(gè)M×N晶體管陣列的基底；淀積一個(gè)粘附層；在該粘附層的頂端形成一個(gè)擴(kuò)散阻擋層；形成一個(gè)M×N連接端子陣列；淀積一個(gè)應(yīng)力平衡層以由此形成一個(gè)多目的層；選擇性地去除該多目的層，由此形成一個(gè)有源矩陣；在該有源矩陣的頂端依次淀積一個(gè)鈍化層和一個(gè)蝕刻劑阻擋層；形成一個(gè)包括一個(gè)M×N對空穴陣列的薄膜待除層；在該薄膜待除層的頂端依次淀積一個(gè)彈性層、一第二薄膜層、一薄膜電致位移層和一第一薄膜層，由此形成一個(gè)多層結(jié)構(gòu)；將該多層結(jié)構(gòu)構(gòu)圖成一個(gè)M×N半成品致動結(jié)構(gòu)陣列直到該薄膜待除層暴露出來；形成一個(gè)M×N導(dǎo)管陣列，由此形成一個(gè)M×N致動結(jié)構(gòu)陣列；去除該薄膜待除層以由此形成一個(gè)M×N薄膜致動鏡陣列。
全文摘要
一種M×N薄膜致動鏡陣列包括一有源矩陣、一鈍化層、一蝕刻劑阻擋層和一個(gè)M×N致動結(jié)構(gòu)陣列。該有源矩陣包括一基底、一個(gè)M×N晶體管陣列、一粘附層、一擴(kuò)散阻擋層、一M×N連接端子矩陣和一應(yīng)力平衡層。該鈍化層形成于該有源矩陣的頂端,且該蝕刻劑阻擋層形成于該鈍化層的頂端。位于該基底和該連接端子之間的該擴(kuò)散阻擋層阻擋硅(Si)從該基底向該連接端子擴(kuò)散。
文檔編號G02B26/08GK1197932SQ9810393
公開日1998年11月4日 申請日期1998年1月7日 優(yōu)先權(quán)日1997年4月29日
發(fā)明者閔同焄 申請人:大宇電子株式會社