專利名稱：光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜驅(qū)動(dòng)的反光鏡組的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜驅(qū)動(dòng)的反光鏡組的制造方法，更具體地說，涉及一種提高光效率和防止活性基體，致動(dòng)器和反光件損壞的光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜驅(qū)動(dòng)的反光鏡組的制造方法。
一般，根據(jù)光學(xué)性能的不同，光調(diào)制器分為二類。一類是直接光調(diào)制器，例如，陰極射線管(CRT)；而另一類是透射光調(diào)制器，例如，液晶顯示器(LCD)、數(shù)字式反光鏡裝置(DMD)和被驅(qū)動(dòng)的反光鏡組(AMA，actuated mirrorarray)。CRT投影在屏幕上的圖像質(zhì)量非常好，但其重量、體積和制造成本隨著屏幕放大倍數(shù)的增加而增加。LCD的光學(xué)結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，因此LCD的重量和體積比CRT的重量和體積小。然而，由于光的偏振，LCD的光效率低，在1～2％以下。另外，制造LCD的液晶材料還有另外的問題，例如響應(yīng)緩慢和過熱。因此，為了解決這些問題，開發(fā)了DMD和AMA。目前，DMD的光效率大約為5％，而AMA的光效率在10％以上。AMA可使投影在屏幕上的圖像對(duì)比度增大，因此，圖像更清晰或光亮。AMA不受入射光線偏振的影響。另外，AMA也不受反射光偏振的影響。因此，AMA比LCD或DMD的效率更高。


圖1表示在美國(guó)專利第五126836號(hào)(Gregory Um提出的)中公布的一個(gè)通常的AMA工程系統(tǒng)的示意圖。
參見圖1，從光源1發(fā)出的入射光通過第一個(gè)隙縫3和第一個(gè)透鏡5，并根據(jù)顏色表示的紅、綠、藍(lán)(RGB)規(guī)則，分成紅光，綠光和藍(lán)光。在被分出紅光、綠光和藍(lán)光分別被第一個(gè)反光鏡7，第二個(gè)反光鏡9和第三個(gè)反光鏡11反射之后，被反射的光分別入射在與反光鏡7，9和11相應(yīng)的AMA裝置13，15和17上。相應(yīng)地，AMA裝置13，15和17使安裝在其上的反光鏡傾斜，因此，入射光線被反光鏡反射出去。在這種情況下，安裝在AMA裝置13，15和17上的反光鏡，根據(jù)形成在該反光鏡下面的活性層的變形而傾斜。被AMA裝置13、15和17反射的光線通過第二個(gè)透鏡19和第二個(gè)狹縫21，并由一個(gè)投影透鏡23在屏幕(沒有示出)上形成圖像。
在大多數(shù)情況下，利用氧化鋅(ZnO)作為形成上述活性層的材料。然而，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，鋯鈦酸鉛(PZTPb(Zr，Ti)O3)的壓電性質(zhì)比ZnO好。PZT是鋯酸鉛(PbZrO3)和鈦酸鉛(PbTiO3)制成的一種完全的固體溶液。在高溫下，PZT在仲電狀態(tài)中存在，其晶體結(jié)構(gòu)為立方體的。當(dāng)在室溫時(shí)，PZT以反鐵電狀態(tài)存在，其晶體結(jié)構(gòu)為正交的；根據(jù)Zr與Ti的成分比的不同，在鐵電狀態(tài)下，其晶體結(jié)構(gòu)可變菱形的；或者在鐵電狀態(tài)下，其晶體結(jié)構(gòu)為四邊形的。
PZT具有四邊形相和菱形相構(gòu)成的，Zr與Ti的成分比為1∶1的變形相邊界(MPB)。在MPB處，PZT的介電性質(zhì)和壓電性質(zhì)最好。MPB不處在一個(gè)特定的成分比中，但處在四邊形相和菱形相共存的一個(gè)較寬的區(qū)域上。各個(gè)研究者所報(bào)告的PZT的相共存區(qū)不相同。作為多相共存區(qū)存在的理由，提出了各種不同的理論，例如熱動(dòng)力學(xué)穩(wěn)定性理論，成分波動(dòng)理論和內(nèi)應(yīng)力理論。目前，PZT薄膜可以用各種不同的方法制造，例如旋轉(zhuǎn)涂層法，化學(xué)氣相沉積法(CVD)或?yàn)R射法。
一般AMA分為體型AMA和薄膜型AMA。體型AMA在美國(guó)專利5469302號(hào)(Dae-Young Lim提出的)中作了說明。體型AMA的制造方法如下。在具有晶體管的一個(gè)活性基體上安裝著插入多個(gè)金屬電極的、帶有多層陶瓷的陶瓷晶片。在鋸開該陶瓷晶片后，將一個(gè)反光鏡安裝在該陶瓷晶片上。但體型AMA有一些缺點(diǎn)，即它要求精確的加工和設(shè)計(jì)，并且活性層的響應(yīng)慢。因此，開發(fā)了可用半導(dǎo)體制造工藝制造的薄膜式AMA。
薄膜式AMA公布在題為“一種光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜驅(qū)動(dòng)的反光鏡組及其制造方法”的美國(guó)專利中請(qǐng)序列號(hào)第08/814019號(hào)中。該專利申請(qǐng)現(xiàn)正在美國(guó)專利商標(biāo)局的審查中，這里作為本申請(qǐng)的受讓人的義務(wù)提出。
圖2為表示在本申請(qǐng)的受讓人的先前申請(qǐng)中所公布的一個(gè)光學(xué)投影系統(tǒng)中的一個(gè)薄膜驅(qū)動(dòng)的反光鏡組的平面圖。圖3為表示圖2所示的光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜驅(qū)動(dòng)的反光鏡組的透視圖；圖4為沿著圖3的A1-A2線所取的橫截面圖。
參見圖2～圖4，該薄膜式AMA有一塊基片50，一個(gè)在該基片50上形成的致動(dòng)器65，和一個(gè)在該致動(dòng)器65上形成的反光件71。該基片50具有用于接收從外界來的第一個(gè)信號(hào)和傳送該第一個(gè)信號(hào)的電線(沒有示出)；形成在該電線上，并與該電線連接的一個(gè)連接終端51；形成在該電線上和該連接終端51上的一個(gè)鈍化層52；和形成在該鈍化層51上的一個(gè)腐蝕阻止層53。該腐蝕阻止層53可在接著進(jìn)行的腐蝕加工中，保護(hù)該基片50和鈍化層52。最好，上述電線有一個(gè)供開關(guān)操作用的金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管(沒有示出)。
該致動(dòng)器65具有一個(gè)支承層57，一個(gè)形成在該支承層57的中心部分上的底部電極59，一個(gè)形成在該底部電極59上的活性層61，一個(gè)形成在該活性層61上的頂部電極63，一根形成在該支承層57的一部分上和與該頂部電極63連接的公共電線67，和形成在該頂部電極63的一部分上的桿柱70。在下面形成上述連接終端51的支承層57的第一部分，與上述腐蝕阻止層53連接；而支承層57的第二部分與該腐蝕阻止層53平行。在該支承層57和腐蝕阻止層53之間有一個(gè)氣隙55。
參見圖4，該致動(dòng)器65具有一個(gè)在通路孔72的內(nèi)部形成的通路接點(diǎn)73，而該通路接點(diǎn)73與在其下面形成上述連接終端51的支承層57的一部分上的該連接終端51垂直。另外，該致動(dòng)器65還具有與該通路接點(diǎn)73離開一段距離，并與上述底部電極59接觸的底部電極連接件75。第一個(gè)信號(hào)(即圖像信號(hào))通過上述電線，連接終端51，通路接點(diǎn)73和底部電極連接件75，從外面送至該底部電極59上。同時(shí)，第二個(gè)信號(hào)(即偏置信號(hào))通過上述公共電線67，從外面加在該頂部電極63上，使在該頂部電極63和底部電極59之間形成的活性層61變形。最好，該支承層57的形狀為T字形。而矩形形狀的底部電極59在該支承層57的中心部分處形成?；钚詫?1的形狀是比底部電極59小一點(diǎn)的矩形，而頂部電極63的形狀，也是比活性層61小一點(diǎn)的矩形。
用于反射入射光的反光件71，由上述桿柱70支承，并在該頂部電極63上面，與頂部電極平行。最好，反光件71的形狀為矩形。
下面將說明在先前的申請(qǐng)中所述的薄膜式AMA的制造方法。
圖5A～5D表示圖4所示的光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜式AMA的制造工序。
參見圖5A。圖中表示了具有用于接收從外面來的第一個(gè)信號(hào)，并將該第一個(gè)信號(hào)傳送至上述底部電極59和連接終端51的電線(沒有示出)的基片50。最好，該基片50由半導(dǎo)體(例如硅(Si))制成，并且該電線具有可進(jìn)行開關(guān)操作的MOS晶體管(沒有示出)。
在基片50和連接終端51上形成鈍化層52。該鈍化層52可利用化學(xué)氣相沉積法(CVD)形成，使該鈍化層52的厚度為0．1～1．0微米。鈍化層52可以用磷硅酸玻璃(PSG)制成，并可以在接下去進(jìn)行的制造過程中，保護(hù)具有電線和連接終端51的基片50。
在該鈍化層52上作出腐蝕阻止層53。該腐蝕阻止層53可用氮化物制成，其厚度為1000～2000(埃)。該腐蝕阻止層53利用低壓化學(xué)氣相沉積法(LPCVD)制成。該腐蝕阻止層53可以在接下去進(jìn)行的腐蝕加工中保護(hù)該基片50和鈍化層52。
在腐蝕阻止層53上形成第一個(gè)犧牲層54。該第一個(gè)犧牲層54使由多個(gè)薄膜層組成的上述致動(dòng)器65容易形成。當(dāng)完全形成該致動(dòng)器65時(shí)可以使用氟化氫(HF)蒸氣除去該第一個(gè)犧牲層54。該第一個(gè)犧牲層54由磷硅酸玻璃(PSG)制成，其厚度為0．5～2．0微米。該第一個(gè)犧牲層54是利用大氣壓力化學(xué)氣相沉積(APCVD)法形成的。在這種情況下，因?yàn)榈谝粋€(gè)犧牲層54覆蓋著具有電線和連接終端51的基片50的表面，因此第一個(gè)犧牲層54的平面度較差。因此，該第一個(gè)犧牲層54要利用旋涂玻璃(SOG)方法或化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)方法平面化。最好，該第一個(gè)犧牲層54的表面用CMP方法平面化。
然后，對(duì)該第一個(gè)犧牲層54上構(gòu)圖，將在其下面形成有上述連接終端51的腐蝕阻止層53的一部分露出。在該第一個(gè)犧牲層54和該腐蝕阻止層53的露出部分上形成第一個(gè)層56。該第一個(gè)層56是利用諸如氮化物一類的材料制成的，其厚度為0．1～1．0微米。該第一個(gè)層56可以使用LPCVD方法形成。在該第一個(gè)層56上，可作出圖案，形成上述支承層57。
參見圖5B，利用旋轉(zhuǎn)涂層法(spin coating method)在該第一個(gè)層56上涂上第一個(gè)光致抗蝕劑58。然后，對(duì)該第一個(gè)光致抗蝕劑58構(gòu)圖，將與上述腐蝕阻止層53的露出部分垂直的第一個(gè)層56的中心部分露出。
再利用濺射法，在該第一個(gè)層56的露出部分和第一個(gè)光致抗蝕劑58上，形成底部電極層。然后，在該底部電極層上的將要作出上述公共電線67的位置上構(gòu)圖，使矩形的底部電極59在該第一個(gè)層56的中心部分上形成。該底部電極59是利用導(dǎo)電性與鉑(Pt)，鉭(Ta)，或鉑-鉭(Pt-Ta)相同的金屬制成的，底部電極59的厚度為0．1～1．0微米。在該底部電極59和第一個(gè)光致抗蝕劑58上，形成第二個(gè)層60。該第二個(gè)層60是利用溶膠-凝膠方法、濺射法或CVD法形成的，其厚度為0．1～1．0微米，最好為0．4微米。該第二個(gè)層60是利用壓電材料制成的，例如，鋇鈦氧化物(BaTiO3)、PZT(Pb(Zr，Ti)O3)，或PLZT((Pb，La)(Zr，Ti)O3)；或是利用電致伸縮材料制成的，例如，PMN(Pb(Mg，Nb)O3)。接著，利用快速熱退火(RTA)方法，使該第二個(gè)層60退火。再對(duì)該第二個(gè)層60構(gòu)圖，形成上述活性層61。
在該活性層61上形成頂部電極層62。該頂部電極層62是利用導(dǎo)電性與鋁(Al)、鉑(Pt)或鉭(Ta)相同的材料制成的。該頂部電極層62可用濺射法形成，使其厚度為0．1～1．0微米。然后，對(duì)該頂部電極層62構(gòu)圖，形成上述頂部電極63。
參見圖5C，利用旋轉(zhuǎn)涂層法，在該頂部電極層62上涂上第二個(gè)光致抗蝕劑(沒有示出)之后，利用該第二個(gè)光致抗蝕劑作為蝕刻掩模，對(duì)該頂部電極層62構(gòu)圖，形成矩形的上述頂部電極63。利用與在該頂部電極層62上作圖案的相同方法，對(duì)上述第二個(gè)層60構(gòu)圖，形成上述活性層61。即在通過腐蝕除去上述第二個(gè)光致抗蝕劑以后，利用旋轉(zhuǎn)涂層法在該頂部電極63和第二個(gè)層60上，涂上第三個(gè)光致抗蝕劑(沒有示出)。利用第三個(gè)光致抗蝕劑作為蝕刻掩模，對(duì)第二個(gè)層60構(gòu)圖，形成矩形形狀比頂部電極63的矩形形狀寬的上述活性層61。這時(shí)，該活性層61的矩形形狀比先前形成的底部電極59的矩形形狀小一些。
再利用上述的方法，對(duì)上述第一個(gè)層56構(gòu)圖，形成上述支承層57。支承層57為T形。上述底部電極59形成在支承層57的中心部分上。在除去上述第一個(gè)光致抗蝕劑58之后，在該支承層57的一部分上，形成上述公共電線67。即在用旋轉(zhuǎn)涂層法，在該支承層57上涂上第四個(gè)光致抗蝕劑(沒有示出)之后，可對(duì)該第四個(gè)光致抗蝕劑構(gòu)圖，將該支承層57的一部分露出。然后，利用鉑(Pt)、鉭(Ta)，鉑-鉭(Pt-Ta)、鋁(Al)或銀(Ag)形成上述公共電線67。該公共電線67可以利用濺射法或CVD法形成，使其厚度為0．5～2．0微米。這種情況下，該公共電線67與上述底部電極59隔開一個(gè)預(yù)先確定的距離，并且，該公共電線67的一部分與上述頂部電極63連接。
當(dāng)對(duì)第四個(gè)光致抗蝕劑構(gòu)圖時(shí)，其下面有連接終端51的該支承層57的第一部分，和靠近該支承層57的第一部分的該支承層57的第二部分同時(shí)露出。接著，通過腐蝕作出從該支承層57的第一部分，通過該腐蝕阻止層53和鈍化層52至上述連接終端51的通路孔72。在該通路孔72內(nèi)，作出連接終端51至支承層57的通路接點(diǎn)。同時(shí)，作出使上述通路接點(diǎn)73與底部電極59連接的底部電極連接件75。這樣，該通路接點(diǎn)73，底部電極連接件75和底部電極59彼此連接。該通路接點(diǎn)73和底部電極連接件75，可利用濺射法或CVD方法，由導(dǎo)電性與鉑(Pt)，鉭(Ta)或鉑-鉭(Pt-Ta)相同的材料制成。在這種情況下，該底部電極連接件75的厚度為0．5～1．0微米。再利用腐蝕方法除去第四個(gè)光致抗蝕劑，就完成了具有頂部電極63、活性層61、底部電極59和支承層57的致動(dòng)器65。
參見圖5D，利用流動(dòng)性與聚合物相同的材料，在該致動(dòng)器65上，形成第二個(gè)犧牲層68。利用旋轉(zhuǎn)涂層法來形成該第二個(gè)犧牲層68，使第二個(gè)犧牲層完全覆蓋該頂部電極63。接著，對(duì)該第二個(gè)犧牲層68構(gòu)圖，使頂部電極63的一部分露出。然后，利用反光性與鋁(Al)、鉑(Pt)、或銀(Ag)相同的材料，分別在該頂部電極63的露出部分和第二個(gè)犧牲層68上，形成上述桿柱70和反光件71。該桿柱70和反光件71可用濺射法或CVD法形成。
最好，反射從一個(gè)光源(沒有示出)來的入射光的反光件71為一個(gè)反光鏡，其厚度為0．1～1．0微米。因此，在利用氟化氫(HF)蒸氣除去第一個(gè)犧牲層54和第二個(gè)犧牲層68以后，就完成了致動(dòng)器65和反光件71，如圖3所示。
在上述薄膜式AMA中，第二個(gè)信號(hào)是通過上述公共電線67加在頂部電極63上的。同時(shí)，第一個(gè)信號(hào)是通過形成在上述基片50上的電線，連接終端51、通路接點(diǎn)73和底部電極連接件75加在該底部電極59上的。這樣，在該頂部電極63和底部電極59之間產(chǎn)生一個(gè)電場(chǎng)。該電場(chǎng)可使在該頂部電極63和底部電極59之間形成的活性層61變形。
活性層61的變形方向與電場(chǎng)垂直。因此，具有活性層61的致動(dòng)器65被驅(qū)動(dòng)向上傾斜一個(gè)預(yù)先確定的角度。因?yàn)樯鲜龇垂饧?1形成在該致動(dòng)器65上，并由桿柱70支承，因此，該反光件71也傾斜一個(gè)與該致動(dòng)器65的傾斜角度相同的角度。這樣，該反光件71使入射光反射一個(gè)預(yù)先確定的角度，將圖像通過一個(gè)狹縫投影在屏幕上。
然而，在上述薄膜式AMA中，很難使由聚合物制成的該第二個(gè)犧牲層的表面平坦。這樣，因?yàn)樯鲜龇垂饧窃诒砻娌黄教沟牡诙€(gè)犧牲層上形成的，因此反光件的表面不規(guī)則，反光件的平面度差，使光的效率降低。另外，在使用氟化氫蒸氣去除該第一個(gè)犧牲層和第二個(gè)犧牲層的過程中，上述基片、活性層和反光件也會(huì)被氟化氫蒸氣損壞。
因此，考慮到上述通常存在的問題，本發(fā)明的目的是要提供一種可以改善反光件的平面度，以提高光效率和可以防止活性基體、活性層和反光件損壞的，在一種光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜驅(qū)動(dòng)的反光鏡組的制造方法。
為了達(dá)到本發(fā)明的上述目的，本發(fā)明提供了一種光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜驅(qū)動(dòng)的反光鏡組的制造方法，所述方法包括下列工序提供一個(gè)活性基體，該活性基體具有ⅰ)一塊由金屬氧化物半導(dǎo)體制成的，用于開關(guān)操作的基片，和ⅱ)包括一個(gè)從金屬氧化物晶體管的漏極延長(zhǎng)出來的漏極墊的第一個(gè)金屬層；在所述活性基體上，利用低壓化學(xué)氣相沉積法形成第一個(gè)犧牲層；對(duì)所述第一個(gè)犧牲層構(gòu)圖，使具有漏極墊的所述活性基體的一部分露出后，形成具有一個(gè)支撐部分和一個(gè)支承層的支承裝置；在所述支承裝置上形成一個(gè)具有一個(gè)底部電極，一個(gè)活性層和一個(gè)頂部電極的致動(dòng)器；在所述致動(dòng)器上形成第二個(gè)犧牲層；對(duì)所述第二個(gè)犧牲層構(gòu)圖，使所述頂部電極的一部分露出；在所述頂部電極的露出部分和所述第二個(gè)犧牲層上，形成一根桿柱和一個(gè)反光裝置；除去所述第二個(gè)犧牲層；和除去所述第一個(gè)犧牲層。
該提供所述活性基體的工序還包括在所述基片和所述第一個(gè)金屬層上，形成第一個(gè)鈍化層；在所述第一個(gè)鈍化層上形成第二個(gè)金屬層；在所述第二個(gè)金屬層上形成第二個(gè)鈍化層；和在所述第二個(gè)鈍化層上形成一個(gè)腐蝕阻止層。
最好，去除第二個(gè)犧牲層和去除第一個(gè)犧牲層的工序同時(shí)進(jìn)行。
形成所述第一個(gè)犧牲層的工序是通過使用非晶體硅來進(jìn)行的；而形成所述第二個(gè)犧牲層的工序是通過使用非晶體硅來進(jìn)行的。
另外，形成所述第一個(gè)犧牲層的工序是通過使用多晶硅來進(jìn)行的，而形成所述第二個(gè)犧牲層的工序也是通過使用多晶硅來進(jìn)行的。形成所述第一個(gè)犧牲層的工序還包括，利用化學(xué)機(jī)械拋光法平面化所述第一個(gè)犧牲層表面；而形成所述第二個(gè)犧牲層的工序還包括，利用化學(xué)機(jī)械拋光法平面化所述第二個(gè)犧牲層表面。除去所述第二個(gè)犧牲層和除去所述第一個(gè)犧牲層的工序，是利用氧化溴蒸氣或氟化氙蒸氣來進(jìn)行的。
另外，形成第二個(gè)犧牲層的工序可通過使用具有流動(dòng)性的材料，例如，光致抗蝕劑、旋涂玻璃(SOG，spin on glass)或旋涂聚合物(SOP，spin onpolymer)和使用旋轉(zhuǎn)涂層法來進(jìn)行。在這種情況下，去除所述第二個(gè)犧牲層的工序是通過使用氧的等離子體來進(jìn)行的；而去除所述第一個(gè)犧牲層的工序，是通過利用氟化溴蒸氣或氟化氙蒸氣來進(jìn)行的。
在根據(jù)本發(fā)明的薄膜式AMA中，第一個(gè)信號(hào)從外面，通過MOS晶體管，第一個(gè)金屬層的漏極墊通路接點(diǎn)和底部電極連接件，加在第一個(gè)底部電極上。同時(shí)，第二個(gè)信號(hào)從外面，通過公共電線和頂部電極連接件加在頂部電極上。因此，在該頂部電極和底部電極之間產(chǎn)生電場(chǎng)。該電場(chǎng)使在該頂部電極和底部電極之間形成的活性層變形。活性層變形的方向與電場(chǎng)垂直。具有活性層的致動(dòng)器在相反方向，被驅(qū)動(dòng)至放置著支承層的位置。即該致動(dòng)器被向上驅(qū)動(dòng)，傾斜一個(gè)預(yù)先確定的角度。反射光線的反光件也傾斜一個(gè)與致動(dòng)器的傾斜角度相同的角度。因此，反光件將光反射至屏幕上，從而將圖像投影在屏幕上。
根據(jù)本發(fā)明，在第一個(gè)犧牲層用非晶體硅或多晶硅(poly silicon)制成，和第二個(gè)犧牲層用非晶體硅、多晶硅、光致抗蝕劑，旋涂玻璃或旋涂聚合物制成，具有平坦表面以后，由于反光件具有平坦表面，因此光的效率提高。另外，因?yàn)榈谝粋€(gè)犧牲層是用氟化溴蒸氣或氟化氙蒸氣清除，而第二個(gè)犧牲層是用氧等離子體，氟化溴蒸氣或氟化氙蒸氣清除的，因此，活性基體、活性層和反光件不會(huì)損壞。
從閱讀下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行的詳細(xì)說明中，將可以更清楚地了解本發(fā)明的上述目的、特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)。
圖1為表示通常的被驅(qū)動(dòng)的反光鏡組的工程系統(tǒng)的示意圖；圖2為表示在本申請(qǐng)的受讓人的先前的申請(qǐng)中所述的一種光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜驅(qū)動(dòng)的反光鏡組的平面圖；圖3為表示圖2所示光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜驅(qū)動(dòng)的反光鏡組的透視圖；圖4為沿著圖3的A1-A2線所取的橫截面圖；圖5A-5D表示圖4所示的光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜驅(qū)動(dòng)的反光鏡組的制造工序；圖6為表示根據(jù)本發(fā)明的第一個(gè)實(shí)施例的光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜驅(qū)動(dòng)反光鏡組的平面圖；圖7為表示圖6所示的光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜驅(qū)動(dòng)的反光鏡組的透視圖；圖8為沿著圖7的B1-B2線所取的橫截面圖；圖9A-9D表示根據(jù)本發(fā)明的第一個(gè)實(shí)施例的光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜驅(qū)動(dòng)的反光鏡組的制造工序；圖10表示根據(jù)本發(fā)明的第二個(gè)實(shí)施例的光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜驅(qū)動(dòng)的反光鏡組的制造工序。
下面，將參照附圖來更詳細(xì)地說明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。
實(shí)施例1圖6為表示根據(jù)本發(fā)明的第一個(gè)實(shí)施例的光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜驅(qū)動(dòng)的反光鏡組的平面圖，圖7為表示圖6所示的光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜驅(qū)動(dòng)的反光鏡組的透視圖。圖8為沿著圖7的B1-B2線所取的橫截面圖。
參見圖6～圖8可看出，根據(jù)本發(fā)明的第一個(gè)實(shí)施例的薄膜式AMA具有一個(gè)活性基體100，一個(gè)在該活性基體100上形成的支承件150，一個(gè)在該支承件150上形成的致動(dòng)器300，和一個(gè)在該致動(dòng)器300上形成的反光件220。
參見圖8，該活性基體100具有一塊包括M×N(M，N均為整數(shù))數(shù)目的P-型金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管115的基片101，在該基片101上形成的第一個(gè)金屬層120，在該第一個(gè)金屬層120上形成的第一個(gè)鈍化層125，在該第一個(gè)鈍化層125上形成的第二個(gè)金屬層130，在該第二個(gè)金屬層130上形成的第二個(gè)鈍化層135，和在該第二個(gè)鈍化層135上形成的一個(gè)腐蝕阻止層139。
第一個(gè)金屬層120有一個(gè)傳送第一個(gè)信號(hào)(圖像信號(hào))的漏極墊。第一個(gè)金屬層120的該漏極墊，從P-型MOS晶體管115的漏極107，延長(zhǎng)至在支承致動(dòng)器300的一個(gè)支撐部分153下面的，該基片101的一部分上。上述第二個(gè)金屬層130具有一個(gè)鈦層和一個(gè)氮化鈦層。通過在下面形成有漏極墊的第二個(gè)金屬層130的一部分，作出一個(gè)孔133。
參見圖7和圖8可看出，該支承件150有一個(gè)支撐部分153和一個(gè)支承層155。該支承部分153與下面作有漏極墊的上述腐蝕阻止層139的一部分連接。該支承層155的第一部分與該支撐部分153連接，而支承層155的第二部分在該腐蝕阻止層139上面，并與該腐蝕阻止層139平行。在該支承層155的第二部分和腐蝕阻止層139之間有第一個(gè)氣隙140。該支撐部分153與該支承層155作成一個(gè)整體。最好，該支承件150為T字形，如圖7所示。
致動(dòng)器300有一個(gè)在該支承層155中心部分上形成的底部電極160，一個(gè)在該底部電極160上形成的活性層165，一個(gè)在該活性層165上形成的頂部電極170，和一個(gè)在該支承層155的第一部分的一部分上形成的公共電線175。
另外，該致動(dòng)器300還具有一個(gè)形成在從該支承層158的第一部分的一部分至漏極墊的一個(gè)通過孔185內(nèi)面的通路接點(diǎn)190；一個(gè)與該通路接點(diǎn)190離開一定距離，并與底部電極160接觸的底部電極連接件195；和形成在從該公共電線175至頂部電極170上的頂部電極連接件180。從外面來的第一個(gè)信號(hào)，通過MOS晶體管115，漏極墊，通路接點(diǎn)190和底部電極連接件195，加在底部電極160上。同時(shí)，第二個(gè)信號(hào)(偏置信號(hào))，從外面通過該公共電線175和頂部電極連接件180加在頂部電極170上。
最好，該底部電極160為矩形，而該活性層165的矩形形狀比該底部電極160的矩形形狀小。另外，頂部電極170的矩形形狀比活性層165的矩形形狀小。反射從一個(gè)光源(沒有示出)入射的光的反光件220由桿柱210支承。該反光件220在頂部電極170上面，并與頂部電極平行。最好，該反光件220為一個(gè)矩形的反光鏡。
下面來說明根據(jù)本實(shí)施例的薄膜式AMA的制造方法。
圖9A-9D表示根據(jù)本實(shí)施例的薄膜驅(qū)動(dòng)的反光鏡組的制造工序。在圖9A-9D中，與圖7和圖8相同的元件，用相同的標(biāo)號(hào)表示。
參見圖9A，在上述基片101上形成一個(gè)絕緣層105，以便在有了由硅制成的基片101之后，利用硅的局部氧化方法，使基片101上的活性區(qū)與場(chǎng)區(qū)隔離開來。最好，該基片101為N型硅晶片。在源極109和漏極107之間形成控制極111之后，在活性區(qū)形成P-源極109和P-漏極107，因此就完成了M×N(M，N均為整數(shù))數(shù)目的P型MOS晶體管115。該P(yáng)-MOS晶體管115接收從外面來的第一個(gè)信號(hào)，并進(jìn)行開關(guān)操作。
在帶有P-MOS晶體管115的基片101上形成一個(gè)絕緣層118之后，在下面形成有漏極107和源極109的絕緣層118的一些部分上，相應(yīng)地作出開口，使該漏極107和源極109的一部分露出。在該帶有開口的絕緣層118上形成由鈦(Ti)，氮化鈦(TiN)，鎢(W)和氮化物構(gòu)成的層以后，對(duì)該層構(gòu)圖，就形成了第一個(gè)金屬層120。為了傳送第一個(gè)信號(hào)，該有一個(gè)金屬層120具有一個(gè)從該P(yáng)-MOS晶體管115的漏極107延長(zhǎng)至在上述支撐部分153下面的基片101的一部分上的漏極墊(drain pad)。
在該第一個(gè)金屬層120和基片101上形成第一個(gè)鈍化層125。該第一個(gè)鈍化層125是利用磷硅酸玻璃(PSG)制成的。該第一個(gè)鈍化層125可用CVD方法形成，使其厚度大約為8000(埃)～9000。在接下去進(jìn)行的制造工序過程中，該第一個(gè)鈍化層125可保護(hù)具有P-MOS晶體管115的基片101。
在該第一個(gè)鈍化層125上形成第二個(gè)金屬層130。該第二個(gè)金屬層130由鈦層和氮化鈦層組成。為了形成該第二個(gè)金屬層130，首先，在該第一個(gè)鈍化層125上，利用濺射方法形成鈦層，使鈦層厚度達(dá)到大約300～500(埃)。其次，利用物理蒸氣沉積法(PVD)，在該鈦層上形成氮化鈦層，使氮化鈦層的厚度達(dá)到大約1000～1200。該第二個(gè)金屬層130排除入射在基片101上的光，因此，該第二個(gè)金屬層130可防止光通過該基片101泄漏出去。然后，腐蝕在其下面作有漏極墊的該第二個(gè)金屬層130的一部分，形成孔133。該孔133將上述通路接點(diǎn)190與第二個(gè)金屬層130隔離開來。
在該第二個(gè)金屬層130和孔133上，形成第二個(gè)鈍化層135。該第二個(gè)鈍化層135是利用磷硅酸玻璃(PSG)制成的。該第二個(gè)鈍化層135是利用CVD法形成的，其厚度為大約2000～3000。在接下去進(jìn)行的制造工序過程中，該第二個(gè)鈍化層135保護(hù)上述第二個(gè)金屬層130和在基片101上形成的層。
在該第二個(gè)鈍化層135上形成腐蝕阻止層139。該腐蝕阻止層139是利用氮化物和LPCVD法形成的，其厚度為大約1000～2000。該腐蝕阻止層139在腐蝕過程中，可防止第二個(gè)鈍化層135和在基片101上形成的層被腐蝕。結(jié)果，完成了由基片101、第一個(gè)金屬層120、第一個(gè)鈍化層125、第二個(gè)金屬層130、第二個(gè)鈍化層135和腐蝕阻止層139組成的活性基體100。
在該腐蝕阻止層139上形成第一個(gè)犧牲層145。該第一個(gè)犧牲層145可使由多個(gè)層組成的致動(dòng)器300容易制造。在本實(shí)施例中，第一個(gè)犧牲層145是利用非晶體硅或多晶硅，和用LPCVD法，在低于600℃的溫度下制成的。在用非晶體硅制造第一個(gè)犧牲層145的情況下，因?yàn)樵诔练e非晶體硅的過程中，非晶體硅的表面平坦，因此不需要將該第一個(gè)犧牲層145的表面平面化。在利用LPCVD法沉積了非晶體硅，達(dá)到厚度大約為1．0微米之后，則制造第一個(gè)犧牲層145的工序就完成了。另一方面，多晶硅表面不規(guī)則。因此，在利用多晶硅制造第一個(gè)犧牲層145時(shí)，需要有平面化該第一個(gè)犧牲層145表面的工序。即在用LPCVD法沉積了多晶硅可使其厚度達(dá)到大約2．0～3．0微米之后，可利用在玻璃上旋轉(zhuǎn)的方法或化學(xué)機(jī)械拋光法(CMP)，將該第一個(gè)犧牲層145的表面平面化，使第一個(gè)犧牲層145的厚度達(dá)到大約1．0微米。
在將第一個(gè)光致抗蝕劑(沒有示出)涂在該第一個(gè)犧牲層145上，并作出圖案后，可利用該第一個(gè)光致抗蝕劑作為腐蝕蝕刻掩模，對(duì)具有第二個(gè)金屬層130的孔133和漏極墊的第一個(gè)犧牲層145的一部分進(jìn)行腐蝕，使該腐蝕阻止層139的一部分露出。上述支撐部分153形成在該腐蝕阻止層139的露出部分上。在這種情況下，該第一個(gè)犧牲層145的一部分構(gòu)圖，使該第一個(gè)犧牲層145的圖案邊緣有一個(gè)平緩的梯度，以防止由于該第一個(gè)犧牲層145的圖案邊緣的變形應(yīng)力集中，造成該致動(dòng)器300開始傾斜。該第一個(gè)犧牲層145的圖案的平緩邊緣，是依次使用干腐蝕和濕腐蝕方法，利用灰色掩模的方法或使第一個(gè)光致抗蝕劑回流的方法形成的。接著，在該露出的腐蝕阻止層139和第一個(gè)犧牲層145上，形成第一個(gè)層149。該第一個(gè)層149是使用剛性材料(例如氮化物或金屬)制成的，第一個(gè)層的厚度為大約0．1～1．0微米。最好，該第一個(gè)層149的厚度為大約0．4微米。第一個(gè)層149是用LPCVD方法制成的。在這種情況下，與該腐蝕阻止層139連接的第一個(gè)層149的一部分為支承該致動(dòng)器300的支撐部分153。對(duì)該第一個(gè)層149構(gòu)圖，形成T字形形狀的支承件150。
參見圖9B，在用旋轉(zhuǎn)涂層法，在第一個(gè)層149上形成第二個(gè)光致抗蝕劑157以后，對(duì)第二個(gè)光致抗蝕劑157構(gòu)圖，使與該腐蝕阻止層139的露出部分垂直的第一個(gè)層149的中心部分露出。
利用CVD法或?yàn)R射法，在該第一個(gè)層149的露出部分和第二個(gè)光致抗蝕劑157上，形成底部電極層。然后，在該底部電極層相對(duì)于要作出上述公共電線175的位置上，作出圖案，以便在該第一個(gè)層149的中心部分上形成矩形的底部電極160。該底部電極160利用其導(dǎo)電性與鉑、鉭或鉑-鉭相同的金屬制成，該底部電極160的厚度為大約0．1～1．0微米。最好，該底部電極160用鉑-鉭制成，其厚度大約為0．15微米。
在該底部電極160和第二個(gè)光致抗蝕劑157上形成第二個(gè)層164。該第二個(gè)層164可利用溶膠-凝膠法，濺射法或CVD法形成，其厚度為大約0．1～1．0微米。該第二個(gè)層164用壓電材料(例如PZT(Pb(Zr，Ti)O3)或PLZT((Pb，La)(Zr，Ti)O3))；或電致伸縮材料(例如PMN(Pb(Mg Nb)O3))制成。最好，該第二個(gè)層164利用濺射法，和使用由溶膠-凝膠法制出的PZT形成，使其厚度大約為0．4微米。接著，利用RTA方法使第二個(gè)層164退火。對(duì)該第二個(gè)層164構(gòu)圖，形成活性層165。在該第二個(gè)層164上形成一個(gè)頂部電極層169。該頂部電極層169是利用導(dǎo)電性與鋁、鉑、鉭或鉑-鉭相同的材料制成的。該頂部電極層169可以用CVD法或?yàn)R射法制成，使其厚度為大約0．1～1．0微米。對(duì)該頂部電極層169構(gòu)圖，形成可以接收第二個(gè)信號(hào)的頂部電極170。
參見圖9C，在利用旋轉(zhuǎn)涂層法，將第三個(gè)光致抗蝕劑(沒有示出)涂在該頂部電極層169上之后，利用該第三個(gè)光致抗蝕劑作蝕刻掩模，對(duì)該頂部電極層169構(gòu)圖，形成矩形的頂部電極170。利用與頂部電極層169上作圖案相同的方法，對(duì)該第二個(gè)層164構(gòu)圖，形成活性層165。即在利用腐蝕除去該第三個(gè)光致抗蝕劑之后，再利用旋轉(zhuǎn)涂層法，在該頂部電極170和第二個(gè)層164上涂上第四個(gè)光致抗蝕劑(沒有示出)。再利用該第四個(gè)光致抗蝕劑作為腐蝕時(shí)的掩模，對(duì)第二個(gè)層164構(gòu)圖，形成矩形比頂部電極170的矩形寬的活性層165。這時(shí)，該活性層165的矩形形狀，比先前作出的底部電極160的矩形形狀小一些。然后，除去第四個(gè)光致抗蝕劑和第二個(gè)光致抗蝕劑157。在這種情況下，頂部電極170和活性層165分別都具有突出部分，每一個(gè)突出部分都在底部電極160的上面，并與底部電極平行。在第一個(gè)底部電極160的側(cè)面和頂部電極170與活性層165之間，形成第二個(gè)氣隙200。
再利用上述方法，對(duì)第一個(gè)層149構(gòu)圖，形成具有支撐部分153和支承層155的支承件150。支承層155為T字形，在該支承層155的中心部分上，形成底部電極160。該支撐部分153與支承層155成為一整體，并且在腐蝕阻止層139的露出部分和支承層155的第一部分之間形成。
接著，在支承層155的第一部分的一部分上，形成公共電線175。即在用旋轉(zhuǎn)涂層法，在支承層155上涂上第五個(gè)光致抗蝕劑(沒有示出)之后，對(duì)第五個(gè)光致抗蝕劑構(gòu)圖，將該支承層155的第一部分的一部分露出。然后，利用鉑、鉭、鉑-鉭、鋁或銀制成該公共電線175。該公共電線175是利用濺射法或CVD法形成的，其厚度為大約0．5～2．0微米。在這種情況下，該公共電線175與底部電極160離開一個(gè)預(yù)先確定的間隔。在該公共電線175和底部電極160的側(cè)面之間，形成第二個(gè)氣隙200。然后，形成從該公共電線175至頂部電極170的突出部分的頂部電極連接件180。該頂部電極連接件180也與底部電極離開一個(gè)預(yù)先確定的間隔。該頂部電極連接件180是利用與公共電線175相同的材料，和利用與公共電線175相同的方法形成的。
當(dāng)對(duì)第五個(gè)光學(xué)保護(hù)膜構(gòu)圖時(shí)，從帶有上述漏極墊的部分至底部電極160都露出的該支承層155的第一部分的一部分，也同時(shí)露出。接著，用腐蝕方法形成從該支承層155的一個(gè)部分，通過該腐蝕阻止層139，第二個(gè)鈍化層135和第一個(gè)鈍化層125至漏極墊的通路孔185。在從漏極墊至支承層155的通路孔185中，作出通路接點(diǎn)190。同時(shí)，作出將該通路接點(diǎn)190與底部電極160連接起來的底部電極連接件195。該底部電極連接件195是從上述通路接點(diǎn)190至底部電極160的。該通路接點(diǎn)190和底部電極連接件195是用導(dǎo)電性與鉑、鉭或鉑-鉭相同的材料，及濺射法或CVD法制成的。該底部電極連接件195的厚度為0．5～1．0微米。這樣，通路接點(diǎn)190，底部電極連接件195和底部電極160彼此互相連接。然后，用腐蝕方法除去第五個(gè)光致抗蝕劑，就完成了具有頂部電極170，活性層165和底部電極160的致動(dòng)器300。
參見圖9D，在致動(dòng)器300上，利用非晶體硅或多晶硅形成第二個(gè)犧牲層215。該第二個(gè)犧牲層215是利用LPCVD法形成的。第二個(gè)犧牲層215的厚度足以覆蓋該頂部電極170。第二個(gè)犧牲層215的制造工序與第一個(gè)犧牲層145的制造工序相同。即當(dāng)利用非晶體硅制造該第二個(gè)犧牲層215時(shí)，因?yàn)樵诔练e非晶體硅的過程中，該非晶體硅的表面平坦，因此不需要平面化該第二個(gè)犧牲層215的表面。在利用LPCVD法形成具有預(yù)先確定的厚度的非晶體硅之后，制造第二個(gè)犧牲層215的工序就完成了。另一方面，當(dāng)利用多晶硅來制造第二個(gè)犧牲層215時(shí)，則需要平面化第二個(gè)犧牲層215表面的工序。在用LPCVD方法沉積了厚度為2．0～3．0微米的多晶硅之后，要利用在玻璃上旋轉(zhuǎn)的方法或化學(xué)機(jī)械拋光法(CMP)來平面化第二個(gè)犧牲層215的表面，使第二個(gè)犧牲層215具有預(yù)先確定的厚度。
在利用旋轉(zhuǎn)涂層法，在該第二個(gè)犧牲層215上涂上第六個(gè)光致抗蝕劑(沒有示出)之后，對(duì)該第二個(gè)犧牲層215構(gòu)圖，利用第六個(gè)光致抗蝕劑作為蝕刻掩模，使頂部電極170的一部分露出。在這種情況下，利用與第一個(gè)犧牲層145同樣的方法，使第二個(gè)犧牲層215的圖案具有與第一個(gè)犧牲層145的圖案相同的平緩梯度。
接著，在通過腐蝕去除了第六個(gè)光致抗蝕劑之后，同時(shí)在該頂部電極170的露出部分和第二個(gè)犧牲層215上，形成桿柱210和反光件220。桿柱210和反光件220是利用反光性與鋁、鉑或銀相同的金屬，及濺射法或CVD法制成的。最好，該反光件220為矩形的反光鏡，其厚度大約為0．1～1．0微米。該反光件220反射從一個(gè)光源(沒有示出)入射的光。該桿柱210具有與第二個(gè)犧牲層215的圖案相同的平緩梯度，以防止由于桿柱210的邊緣上應(yīng)力集中，在該桿柱210的邊緣上產(chǎn)生裂紋。
然后，利用氟化溴(BrF3或BrF5)蒸氣或氟化氙(XeF2，XeF4或XeF6)蒸氣，分別除去第二個(gè)犧牲層215和第一個(gè)犧牲層145。如果按照通常的方法，利用氟化氫蒸氣來除去第一個(gè)犧牲層145和第二個(gè)犧牲層215，則因?yàn)榛钚曰倔w100、活性層165和反光件220容易被氟化氫蒸氣腐蝕，因此活性基體100，活性層165和反光件220會(huì)嚴(yán)重?fù)p壞。然而，氟化溴蒸氣或氟化氙蒸氣不會(huì)損壞活性基體100、活性層165和反光件220，因此可以有效地防止活性基體100，活性層165和反光件220的損壞。
在放置第二個(gè)犧牲層215的位置上形成第三個(gè)氣隙230；而在放置第一個(gè)犧牲層145的位置上，形成第一個(gè)氣隙140。
下面來說明根據(jù)本實(shí)施例的光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜式AMA的工作。
第一個(gè)信號(hào)從外面，通過MOS晶體管115，第一個(gè)金屬層120的漏極墊，通路接點(diǎn)190和底部電極連接件195，加在第一個(gè)底部電極160上。同時(shí)，第二個(gè)信號(hào)從外面，通過該公共電線175和頂部電極連接件180，加在該頂部電極170上。這樣，在頂部電極170和底部電極160之間產(chǎn)生電場(chǎng)。該電場(chǎng)使在該頂部電極170和底部電極160之間形成的活性層165變形?；钚詫?65的變形方向與電場(chǎng)垂直。于是，具有活性層165的致動(dòng)器300在相反方向被驅(qū)動(dòng)至放置著支承層155的位置。即致動(dòng)器300被向上驅(qū)動(dòng)傾斜一個(gè)預(yù)先確定的角度。
反射光線的反光件220傾斜一個(gè)與致動(dòng)器300傾斜角度相同的角度。因此，反光件220將光線反射至屏幕上，從而將圖像投影在屏幕上。
在根據(jù)本實(shí)施例的薄膜驅(qū)動(dòng)反光鏡組的制造方法中，因?yàn)樵谟梅蔷w硅或多晶硅分別制造第一個(gè)犧牲層和第二個(gè)犧牲層后，得到了平坦的表面，因此被具有平坦表面的反光件反射的光效率提高。另外，因?yàn)樵摰谝粋€(gè)犧牲層和第二個(gè)犧牲層是利用氟化溴蒸氣或氟化氙蒸氣清除的，因此不會(huì)損壞活性基體，活性層和反光件。
實(shí)施例2根據(jù)本發(fā)明的第二個(gè)實(shí)施例的薄膜式AMA與圖6～圖8所示的本發(fā)明的第一個(gè)實(shí)施例的薄膜式AMA相同。
在根據(jù)本實(shí)施例的薄膜式AMA的制造方法中，除了第一個(gè)犧牲層和第二個(gè)犧牲層的形成以外，薄膜式AMA的制造工序與圖9A～9D所示的本發(fā)明的第一個(gè)實(shí)施例的制造工序相同。
下面來說明根據(jù)本實(shí)施例的第一和第二個(gè)犧牲層的制造工序。
圖10表示已形成第一和第二個(gè)犧牲層的狀態(tài)。圖10中與圖7和圖8相同的元件用相同的標(biāo)號(hào)表示。
參見圖10，根據(jù)本實(shí)施例，第一個(gè)犧牲層145a是利用非晶體硅或多晶硅，用LPCVD方法，在低于600℃的溫度下形成的。當(dāng)用非晶體硅制造該第一個(gè)犧牲層145a時(shí)，因?yàn)榉蔷w硅表面平坦，因此不需要平面化第一個(gè)犧牲層145a的表面。因此，在用LPCVD法沉積了厚度約為1．0微米的非晶體硅以后，就完成了制造第一個(gè)犧牲層145a的工序。但當(dāng)用多晶硅制造該第一個(gè)犧牲層145a時(shí)，因?yàn)槎嗑Ч璞砻娌黄教梗虼诵枰矫婊摰谝粋€(gè)犧牲層145a表面的工序。即在利用LPCVD法沉積了厚度大約為2．0～3．0微米的多晶硅之后，要利用在玻璃上旋轉(zhuǎn)的方法或CMP方法平面化第一個(gè)犧牲層145a的表面，使其厚度達(dá)到大約1．0微米。
根據(jù)本實(shí)施例的第二個(gè)犧牲層215a，是用流動(dòng)性非常好的材料制造的，例如，光致抗蝕劑、旋涂玻璃(SOG)或者旋涂聚合物(SOP)。因?yàn)樵摰诙€(gè)犧牲層215a是用光致抗蝕劑、旋涂玻璃(SOG)或旋涂聚合物(SOP)，和旋轉(zhuǎn)涂層法，在低溫下制成的，因此不需平面化的工序，該第二個(gè)犧牲層215a即具有平坦的表面。
在這個(gè)實(shí)施例中，第二個(gè)犧牲層215a是利用氧(O2)等離子體去除的，可以避免反光件220和活性層165損壞。第一個(gè)犧牲層145a，與第一個(gè)實(shí)施例一樣，是用氟化溴蒸氣或氟化氙蒸氣去除的。
在根據(jù)本實(shí)施例的薄膜式AMA的制造方法中，由于在第一個(gè)犧牲層用非晶體硅或多晶硅制造，和第二個(gè)犧牲層用光致抗蝕劑、旋涂玻璃(SOG)或旋涂聚合物(SOP)制造后具有平坦的表面，因此具有平坦表面的反光件使光效率提高。另外，因?yàn)榈诙€(gè)犧牲層用氧的等離子體清除，而第一個(gè)犧牲層用氟化溴蒸氣或氟化氙蒸氣清除，因此不會(huì)損壞活性基體，活性層和反光件。
雖然，本發(fā)明參照具體的實(shí)施例進(jìn)行了說明，但技術(shù)熟練的人懂得，在不偏離由所附權(quán)利要求書確定的本發(fā)明的精神和范圍的條件下，可對(duì)本發(fā)明的形式和細(xì)節(jié)作各種改變。
權(quán)利要求
1．一種光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜驅(qū)動(dòng)的反光鏡組的制造方法，所述方法包括下列工序提供一個(gè)活性基體，該活性基體具有ⅰ)一塊由金屬氧化物半導(dǎo)體制成的，用于開關(guān)操作的基片，和ⅱ)包括一個(gè)從金屬氧化物晶體管的漏極延長(zhǎng)出來的漏極墊的第一個(gè)金屬層；在所述活性基體上，利用低壓化學(xué)氣相沉積法形成第一個(gè)犧牲層；對(duì)所述第一個(gè)犧牲層上構(gòu)圖，使具有漏極墊的所述活性基體的一部分露出后，形成具有一個(gè)支撐部分和一個(gè)支承層的支承裝置；在所述支承裝置上形成一個(gè)具有一個(gè)底部電極，一個(gè)活性層和一個(gè)頂部電極的致動(dòng)器；在所述致動(dòng)器上形成第二個(gè)犧牲層；對(duì)所述第二個(gè)犧牲層構(gòu)圖，使所述頂部電極的一部分露出；在所述頂部電極的露出部分和所述第二個(gè)犧牲層上，形成一根桿柱和一個(gè)反光裝置；除去所述第二個(gè)犧牲層；和除去所述第一個(gè)犧牲層。
2．如權(quán)利要求1所述的光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜驅(qū)動(dòng)的反光鏡組的制造方法，該提供所述活性基體的工序還包括在所述基片和所述第一個(gè)金屬層上，形成第一個(gè)鈍化層；在所述第一個(gè)鈍化層上形成第二個(gè)金屬層；在所述第二個(gè)金屬層上形成第二個(gè)鈍化層；和在所述第二個(gè)鈍化層上形成一個(gè)腐蝕阻止層。
3．如權(quán)利要求1所述的光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜驅(qū)動(dòng)的反光鏡組的制造方法，其中，形成所述第一個(gè)犧牲層的工序是通過使用非晶體硅來進(jìn)行的；而形成所述第二個(gè)犧牲層的工序是通過使用非晶體硅來進(jìn)行的。
4．如權(quán)利要求3所述的光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜驅(qū)動(dòng)的反光鏡組的制造方法，其中，清除所述第二個(gè)犧牲層和清除所述第一個(gè)犧牲層的工序，是通過使用氟化溴蒸氣或氟化氙蒸氣來進(jìn)行的。
5．如權(quán)利要求1所述的光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜驅(qū)動(dòng)的反光鏡組的制造方法，其中，形成所述第一個(gè)犧牲層的工序是通過使用多晶硅來進(jìn)行的，而形成所述第二個(gè)犧牲層的工序也是通過使用多晶硅來進(jìn)行的。
6．如權(quán)利要求5所述的光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜驅(qū)動(dòng)的反光鏡組的制造方法，其中，形成所述第一個(gè)犧牲層的工序還包括，利用化學(xué)機(jī)械拋光法平面化所述第一個(gè)犧牲層表面；而形成所述第二個(gè)犧牲層的工序還包括，利用化學(xué)機(jī)械拋光法平面化所述第二個(gè)犧牲層表面。
7．如權(quán)利要求5所述的光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜驅(qū)動(dòng)的反光鏡組的制造方法，其中，除去所述第二個(gè)犧牲層和除去所述第一個(gè)犧牲層的工序，是利用氟化溴蒸氣或氟化氙蒸氣來進(jìn)行的。
8．如權(quán)利要求1所述的光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜驅(qū)動(dòng)的反光鏡組的制造方法，其中，形成所述第二個(gè)犧牲層的工序是利用具有流動(dòng)性的材料，和旋轉(zhuǎn)涂層法來進(jìn)行的。
9．如權(quán)利要求8所述的光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜驅(qū)動(dòng)的反光鏡組的制造方法，其中，形成所述第二個(gè)犧牲層的工序，是通過使用從由光致抗蝕劑、旋涂玻璃(SOG)和旋涂聚合物(SOP)組成的組中選擇出的一種材料來進(jìn)行的。
10．如權(quán)利要求8所述的光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜驅(qū)動(dòng)的反光鏡組的制造方法，其中，去除所述第二個(gè)犧牲層的工序是通過使用氧的等離子體來進(jìn)行的；而去除所述第一個(gè)犧牲層的工序，是通過利用氟化溴蒸氣或氟化氙蒸氣來進(jìn)行的。
11．如權(quán)利要求1所述的光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜驅(qū)動(dòng)的反光鏡組的制造方法，其中，去除所述第二個(gè)犧牲層和去除所述第一個(gè)犧牲層的工序是同時(shí)進(jìn)行的。
12．一種光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜驅(qū)動(dòng)的反光鏡組的制造方法，所述方法包括下列工序提供一個(gè)活性基體，該活性基體具有ⅰ)一塊由金屬氧化物半導(dǎo)體制成的，用于開關(guān)操作的基片，和ⅱ)包括一個(gè)從金屬氧化物晶體管的漏極延長(zhǎng)出來的漏極墊的第一個(gè)金屬層；在所述活性基體上，利用非晶體硅和采取低壓化學(xué)氣相沉積法形成第一個(gè)犧牲層；所述第一個(gè)犧牲層上構(gòu)圖，使具有漏極墊的所述活性基體的一部分露出后，形成具有一個(gè)支撐部分和一個(gè)支承層的支承裝置；在所述支承裝置上形成一個(gè)具有一個(gè)底部電極，一個(gè)活性層和一個(gè)頂部電極的致動(dòng)器；在所述致動(dòng)器上形成第二個(gè)犧牲層；對(duì)所述第二個(gè)犧牲層構(gòu)圖，使所述頂部電極的一部分露出；在所述頂部電極的露出部分和所述第二個(gè)犧牲層上，形成一根桿柱和一個(gè)反光裝置；除去所述第二個(gè)犧牲層；和除去所述第一個(gè)犧牲層。
13．如權(quán)利要求12所述的光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜驅(qū)動(dòng)的反光鏡組的制造方法，其中，形成所述第二個(gè)犧牲層的工序是通過使用非晶體硅來進(jìn)行的；而去除所述第二個(gè)犧牲層和去除所述第一個(gè)犧牲層的工序，是利用氟化溴蒸氣或氟化氙蒸氣進(jìn)行的。
14．如權(quán)利要求12所述的光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜驅(qū)動(dòng)的反光鏡組的制造方法，其中，形成所述第二個(gè)犧牲層的工序是通過使用從光致抗蝕劑、旋涂玻璃(SOG)和旋涂聚合物(SOP)組成的組中選擇的一種材料來進(jìn)行的；而去除所述第二個(gè)犧牲層的工序，是通過使用氧的等離子體來進(jìn)行的；去除所述第一個(gè)犧牲層的工序則是通過使用氟化溴蒸氣或氟化氙蒸氣來進(jìn)行的。
15．一種光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜驅(qū)動(dòng)的反光鏡組的制造方法，所述方法包括下列工序提供一個(gè)活性基體，該活性基體具有ⅰ)一塊由金屬氧化物半導(dǎo)體制成的，用于開關(guān)操作的基片，和ⅱ)包括一個(gè)從金屬氧化物晶體管的漏極延長(zhǎng)出來的漏極墊的第一個(gè)金屬層；在所述活性基體上，利用多晶硅和采取低壓化學(xué)氣相沉積法形成第一個(gè)犧牲層；對(duì)所述第一個(gè)犧牲層構(gòu)圖，使具有漏極墊的所述活性基體的一部分露出后，形成具有一個(gè)支撐部分和一個(gè)支承層的支承裝置；在所述支承裝置上形成一個(gè)具有一個(gè)底部電極，一個(gè)活性層和一個(gè)頂部電極的致動(dòng)器；在所述致動(dòng)器上形成第二個(gè)犧牲層；對(duì)所述第二個(gè)犧牲層構(gòu)圖，使所述頂部電極的一部分露出；在所述頂部電極的露出部分和所述第二個(gè)犧牲層上，形成一根桿柱和一個(gè)反光裝置；除去所述第二個(gè)犧牲層；和除去所述第一個(gè)犧牲層。
16．如權(quán)利要求15所述的光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜驅(qū)動(dòng)的反光鏡組的制造方法，其中，形成所述第二個(gè)犧牲層的工序，是通過使用多晶硅來進(jìn)行的；而去除所述第二個(gè)犧牲層和去除所述第一個(gè)犧牲層的工序，是利用氟化溴蒸氣或氟化氙蒸氣來進(jìn)行的。
17．如權(quán)利要求16所述的光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜驅(qū)動(dòng)的反光鏡組的制造方法，其中，形成所述第一個(gè)犧牲層的工序還包括，利用化學(xué)機(jī)械拋光法平面化所述第一個(gè)犧牲層表面；而形成所述第二個(gè)犧牲層的工序還包括，利用化學(xué)機(jī)械拋光法平面化所述第二個(gè)犧牲層表面。
18．如權(quán)利要求15所述的光學(xué)投影系統(tǒng)中的薄膜驅(qū)動(dòng)的反光鏡組的制造方法，其中，形成所述第二個(gè)犧牲層的工序是通過使用從光致抗蝕劑、旋涂玻璃(SOG)和旋涂聚合物(SOP)組成的組中選擇的一種材料來進(jìn)行的；而去除所述第二個(gè)犧牲層的工序，是通過使用氧的等離子體來進(jìn)行的；去除所述第一個(gè)犧牲層的工序則是通過使用氟化溴蒸氣或氟化氙蒸氣來進(jìn)行的。
全文摘要
公開一種薄膜AMA的制造方法。第二犧牲層(215)是利用非晶硅、多晶硅或流動(dòng)性的材料形成的,第一犧牲層(145)是利用非晶硅或多晶硅形成的。由于形成第一和第二犧牲層(145和215)以得到均勻的表面,使反射件具有平整的表面,從而光效率得以提高。另外,由于第二犧牲層(215)是利用氧等離子體或氟化溴或氟化氙的蒸氣去除的,并且第一犧牲層(145)是利用氟化溴或氟化氙的蒸氣去除的,所以活性基體(100)、活性層(165)和反射件(220)不會(huì)損壞。
文檔編號(hào)G02B26/08GK1283369SQ98812785
公開日2001年2月7日 申請(qǐng)日期1998年3月20日 優(yōu)先權(quán)日1997年10月31日
發(fā)明者黃圭昊 申請(qǐng)人:大宇電子株式會(huì)社