示出的區(qū)域在本質(zhì)上是示意性的并且其形狀并不旨在示出區(qū)域的精確形狀并且并不旨在限制權(quán)利要求的范圍。
[0056]現(xiàn)在，將參考圖1描述根據(jù)本發(fā)明的顯示設(shè)備的示例性實施方式。
[0057]圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的顯示設(shè)備的示例性實施方式的框圖。
[0058]如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明的顯示設(shè)備的示例性實施方式包括用于顯示圖像的顯示面板300、用于驅(qū)動顯示面板300的數(shù)據(jù)驅(qū)動器500和柵極驅(qū)動器400、以及用于控制數(shù)據(jù)驅(qū)動器500和柵極驅(qū)動器400的信號控制器600。
[0059]顯示面板300包括多條柵極線Gl至Gn以及多條數(shù)據(jù)線Dl至D (m+1)。多條柵極線Gl至Gn大致在橫向方向上延伸，并且多條數(shù)據(jù)線Dl至D (m+1)大致在縱向方向上延伸，從而與多條柵極線Gl至Gn相交。在這種實施方式中，大致在縱向方向上延伸的多條參考電壓線Vl至Vm被布置在多條數(shù)據(jù)線Dl至D (m+1)之間。參考電壓線Vl至Vm與柵極線Gl至Gn相交。
[0060]每個像素PX均連接至相應(yīng)的柵極線和相應(yīng)的數(shù)據(jù)線。像素PX大致排布成包括多個像素行和多個像素列的矩陣形式，并且每個像素PX可以是具有大致在水平或橫向方向(其是柵極線Gl至Gn的延伸方向)上延長的形狀的橫向型像素。如上所述，橫向型像素可包括薄膜晶體管、液晶電容器以及存儲電容器。薄膜晶體管的控制端子連接至柵極線Gl至Gn的相應(yīng)柵極線，薄膜晶體管的輸入端子連接至數(shù)據(jù)線Dl至D(m+1)的相應(yīng)數(shù)據(jù)線，并且薄膜晶體管的輸出端子連接至液晶電容器的一個端子(像素電極)和存儲電容器的一個端子。液晶電容器的另一端子連接至公共電極，并且存儲電容器的另一端子可被施加有存儲電壓。例如，根據(jù)示例性實施方式，薄膜晶體管的溝道層可包括或者可由非晶硅、多晶硅或者氧化物半導(dǎo)體制成。參考電壓線Vl至Vm將參考電壓提供給像素PX。在示例性實施方式中，參考電壓具有不根據(jù)時間而變化的恒定電平。在可替代示例性實施方式中，參考電壓可具有根據(jù)時間而變化的電壓電平。
[0061]在根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器的示例性實施方式中，數(shù)據(jù)線交替地連接至左側(cè)和右側(cè)像素PX。在這種實施方式中，數(shù)據(jù)線在第一行連接至位于右側(cè)的像素PX、在第二行連接至位于左側(cè)的像素PX、并且在第三行連接至位于右側(cè)的像素PX。在示例性實施方式中，柵極線連接至對應(yīng)于其的像素行的所有像素PX。
[0062]根據(jù)這種實施方式，像素列中的第奇數(shù)個像素和第偶數(shù)個像素連接至不同的數(shù)據(jù)線，例如，其鄰近的兩條數(shù)據(jù)線。在這種實施方式中，當(dāng)在一個幀期間每條數(shù)據(jù)線被施加相同極性的數(shù)據(jù)電壓時，在像素PX處所顯示的極性反轉(zhuǎn)(invers1n)可呈現(xiàn)為點反轉(zhuǎn)。
[0063]數(shù)據(jù)線Dl至D(m+1)的數(shù)量(例如，m+1)可比像素列的數(shù)量(m)大一個。在示例性實施方式中，如圖1所示，在第一數(shù)據(jù)線Dl的左側(cè)處不存在像素列，使得僅在其右側(cè)處的像素列交替地連接至第一數(shù)據(jù)線D1，并且在右側(cè)處不存在像素列，使得僅最后一條數(shù)據(jù)線(即，第(m+1)條數(shù)據(jù)線D(m+1))可僅交替地連接至其左側(cè)的像素列。
[0064]信號控制器600響應(yīng)于來自外部的輸入數(shù)據(jù)和控制信號(例如,垂直同步信號、水平同步信號、主時鐘信號以及數(shù)據(jù)啟用信號)基于液晶顯示器面板300的操作條件來操作，并隨后基于輸入數(shù)據(jù)和控制信號產(chǎn)生并輸出圖像數(shù)據(jù)DAT、柵極控制信號CONT1、數(shù)據(jù)控制信號CONT2以及時鐘信號。
[0065]柵極控制信號CONTl可包括指示開始輸出柵極導(dǎo)通電壓的掃描起始信號以及控制柵極導(dǎo)通電壓的輸出時序的柵極時鐘信號。
[0066]數(shù)據(jù)控制信號C0NT2可包括指示開始輸入圖像數(shù)據(jù)DAT的水平同步起始信號以及將數(shù)據(jù)電壓施加至數(shù)據(jù)線Dl至D(m+1)的負載信號。
[0067]顯示面板300的多條柵極線Gl至Gn連接至柵極驅(qū)動器400，并且柵極驅(qū)動器400基于從信號控制器600所施加的柵極控制信號CONTl順序地將柵極導(dǎo)通電壓施加至柵極線Gl 至 Gn0
[0068]在其中不將柵極導(dǎo)通電壓施加至柵極線Gl至Gn的幀的區(qū)段內(nèi)，施加?xùn)艠O斷開電壓。
[0069]顯示面板300的多條數(shù)據(jù)線Dl至D (m+1)連接至數(shù)據(jù)驅(qū)動器500，并且數(shù)據(jù)驅(qū)動器500從信號控制器600接收數(shù)據(jù)控制信號C0NT2和圖像數(shù)據(jù)DAT。數(shù)據(jù)驅(qū)動器500使用在灰度電壓生成器(未示出)中所產(chǎn)生的灰度電壓將圖像數(shù)據(jù)DAT轉(zhuǎn)換成數(shù)據(jù)電壓并且將數(shù)據(jù)電壓發(fā)送至數(shù)據(jù)線Dl至D (m+1)。數(shù)據(jù)電壓包括正極性的數(shù)據(jù)電壓和負極性的數(shù)據(jù)電壓。相對通過反轉(zhuǎn)方法來驅(qū)動的幀、像素行或者像素列，交替地施加正極性的數(shù)據(jù)電壓和負極性的數(shù)據(jù)電壓。可執(zhí)行反轉(zhuǎn)驅(qū)動以顯示運動圖片或者靜止圖像。
[0070]根據(jù)示例性實施方式，可設(shè)置圖1中未示出的各種像素連接結(jié)構(gòu)。
[0071]接著，將參考圖2示意性地描述一個像素PX的結(jié)構(gòu)。
[0072]圖2是示出根據(jù)本發(fā)明的顯示設(shè)備的示例性實施方式的像素的示意圖。
[0073]根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式，顯示設(shè)備的像素PX是具有大致在水平方向上延長的形狀的橫向型像素。在這種實施方式中，像素PX包括薄膜晶體管形成區(qū)域TA和顯示區(qū)DA。像素的像素電極布置在顯示區(qū)DA中，并且通過布置在顯示區(qū)DA中的液晶分子顯示圖像。薄膜晶體管形成區(qū)域TA包括諸如用于傳輸將被施加給顯示區(qū)DA的像素電極的電壓的薄膜晶體管的元件和配線。
[0074]在示例性實施方式中，如圖2所示,參考電壓線V在像素PX中沿著顯示區(qū)DA的虛構(gòu)垂直中央線布置在縱向方向上。在這種實施方式中，顯示區(qū)DA主要被劃分成三個子像素區(qū)，例如，一個或單個高灰度子像素區(qū)H sub和兩個低灰度子像素區(qū)L sub。如圖2所示，高灰度子像素區(qū)H sub位于像素PX的中央位置處，并且兩個低灰度子像素區(qū)L sub位于一個高灰度子像素區(qū)H sub的相應(yīng)側(cè)處。在這種實施方式中，參考電壓線V在縱向方向上穿過高灰度子像素區(qū)H sub的中央。
[0075]在示例性實施方式中，如圖2中的虛線所示，子像素區(qū)H sub和L sub中的每一個包括四個域。在這種實施方式中，每個子像素區(qū)通過與在橫向方向和縱向方向上的中央交叉的線劃分成四個域。因此，在這種實施方式中，像素PX包括十二個域。在這種實施方式中，參考電壓線V被定位成將十二個域?qū)Π雱澐植⑶业突叶茸酉袼貐^(qū)L SUb的四個域和高灰度子像素區(qū)H sub的兩個域位于參考電壓線V的左側(cè)和右側(cè)的每一側(cè)處。因此，在這種實施方式中，顯示區(qū)DA的相對于參考電壓線V的左部分和右部分顯示大致彼此對稱的圖像。在像素顯示相對于參考電壓線V左右對稱的圖像的示例性實施方式中，多個像素PX可輸出如圖3所示的圖像。
[0076]圖3是示出根據(jù)本發(fā)明的顯示設(shè)備的示例性實施方式的像素的連接關(guān)系的視圖。
[0077]圖3示出了其中每個像素PX輸出相對于對應(yīng)于其的參考電壓線V具有左右或者鏡像對稱性的圖像的結(jié)構(gòu)，并且相鄰像素PX具有不同的極性。在圖3中，D是指數(shù)據(jù)線。
[0078]在示例性實施方式中，如圖3所示，每個像素PX是左右對稱的，并且相鄰的像素PX被施加有不同極性的數(shù)據(jù)電壓。因此，在這種實施方式中，盡管高灰度子像素沿著相同的子像素列布置并且低灰度子像素沿著相同的子像素列布置，但可不出現(xiàn)亮度差異并且垂直線污點不會被觀察者識別。
[0079]在示例性實施方式中，參考電壓線V穿過像素PX的中央，從而高灰度子像素的一部分與參考電壓線V重疊，例如，被參考電壓線V覆蓋。然而，在這種實施方式中，通過聞灰度子像素顯示高于低灰度子像素的更高亮度，從而由于參考電壓線V而導(dǎo)致的亮度退化極其小并且開口率的減小降低。在這種實施方式中，參考電壓線V將顯示亮度劃分成在像素PX的右側(cè)和左側(cè)上大致為恒定的，從而可大致恒定地維持在像素PX的右側(cè)和左側(cè)的顯示質(zhì)量。
[0080]接著，將參考圖4描述像素PX中的像素電極和參考電壓線V的結(jié)構(gòu)。
[0081]圖4是根據(jù)本發(fā)明的顯示設(shè)備的示例性實施方式的像素電極及其周圍部件的平面圖。
[0082]像素PX中的像素電極包括作為高灰度子像素的像素電極的高灰度像素電極191a和作為低灰度子像素的像素電極的低灰度像素電極191b。
[0083]高灰度像素電極191a和低灰度像素電極191b中的每一個包括分別對應(yīng)于四個域的四個單位像素電極，并且每個單位像素電極包括中央電極198和從中央電極198的一側(cè)的外部延伸的多個微分支199。多個微分支199可相對于水平方向或者垂直方向形成約45度的角，或者可相對于水平方向或者垂直方向形成在約40度至約50度的范圍內(nèi)的角。此夕卜，中央電極198的一側(cè)與微分支199可彼此垂直。
[0084]高灰度像素電極191a的四個單位像素電極和低灰度像素電極191b的四個單位像素電極通過延伸部彼此連接。在示例性實施方式中，如圖4所示，中央電極198具有大到足以接觸或者限定其中布置單位像素電極的區(qū)域的一側(cè)的尺寸，但并不局限于此。在可替代示例性實施方式中，可減小中央電極198的尺寸，并且微分支199可位于中央電極198的拐角處以接觸或者限定其中布置單位像素電極的區(qū)域的該側(cè)。單位像素電極的延伸部從中央電極198或者微分支199延伸。通過延伸部連接的四個單位像素電極被施加有相同的電壓。相同像素電極(例如，高灰度像素電極191a或者低灰度像素電極191b)中的單位像素電極通過延伸部彼此連接，并且與包括在另一像素電極(例如，低灰度像素電極191b或者高灰度像素電極191a)中的單位像素電極分開。
[0085]在示例性實施方式中，在單位像素電極位于其中的一個域區(qū)域的上部公共電極中限定作為域劃分部的開口 72、73和78。在這種實施方式中，上部公共電極中的開口可以是包括橫向開口 72和與橫向開口 72相交的縱向開口 73的十字形開口以及位于十字形開口的中央處的中央開口 78。中央開口 78可具有包括分別位于由十字形開口所劃分的四個子區(qū)域中的四條直邊的多邊形形狀。例如，在一種示例性實施方式中，中央開口 78具有菱形形狀。
[0086]在示例性實施方式中，對應(yīng)于相鄰單位像素電極的開口 72、73和78未彼此連接。在可替代示例性實施方式中，相鄰單位像素電極中的開口 72、73和78可彼此連接。
[0087]在其中順序地排布低灰度像素電極191b、高灰度像素電極191a以及低灰度像素電極191b的結(jié)構(gòu)中，參考電壓線178在縱向方向上穿過位于像素的中央處的高灰度像素電極191a的中央。
[0088]將參考圖5更加詳細地描述包括上述像素電極、公共電極以及參考電壓線的像素的整體結(jié)構(gòu)。
[0089]圖5是圖4中的像素的詳細結(jié)構(gòu)的視圖。
[0090]首先，在顯示設(shè)備的示例性實施方式中，多條柵極線121布置在其下面板的絕緣基板(未示出)上。
[0091]柵極線121大致在橫向方向上延伸并且包括從柵極線121向上突出和延伸的第一柵電極124a、第二柵電極124b以及第三柵電極124c。在這種實施方式中，第三柵電極124c從柵極線121向上延伸和擴展，并且第一柵電極124a和第二柵電極124b從第三柵電極124c延伸。第一柵電極124a和第二柵電極124b可被限定在從第三柵電極124c延伸的相同擴展區(qū)域中。在這種實施方式中，柵極線121可包括從在橫向方向上延伸的主線周期性地彎曲的彎曲部。
[0092]柵極絕緣層布置在柵極線121上，并且第一半導(dǎo)體154a、第二半導(dǎo)體154b以及第三半導(dǎo)體154c分別布置在第一柵電極124a、第二柵電極124b以及第三柵電極124c上。
[0093]包括數(shù)據(jù)線171、第一漏電極175a、第二漏電極175b、第三源電極173c、第三漏電極175c和參考電壓線178的數(shù)據(jù)導(dǎo)體布置在第一半導(dǎo)體154a、第二半導(dǎo)體154b、第三半導(dǎo)體154c以及柵極絕緣層上。
[0094]數(shù)據(jù)線171大致在縱向方向上延伸并且包括分別從數(shù)據(jù)線171的主線朝向第一柵電極124a和第二柵電極124b延伸的第一源電極173a和第二源電極173b。
[0095]參考電壓線178包括大致平行于數(shù)據(jù)線171延伸的主線178a和從主線178a延伸并且大致平行于柵極線121的分支178b。分支178b沿著顯示區(qū)的外部區(qū)域延伸至薄膜晶體管形成區(qū)域TA，并且分支178b的一端限定第三漏電極175c。
[0096]在這種實施方式中，第一漏電極175a面向第一源電極173a,第二漏電極175b面向第二源電極173b，并且第三漏電極175c面向第三源電極173c。第三源電極173c連接至第二漏電極175b。
[0097]第一柵電極124a、第一源電極173a和第一漏電極175a與第一半導(dǎo)體154a —起共同限定第一薄膜晶體管，第二柵電極124b、第二源電極173b和第二漏電極175b與第二半導(dǎo)體154b —起共同限定第二薄膜晶體管，并且第三柵電極124c、第三源電極173c和第三漏電極175c與第三半導(dǎo)體154c —起共同限定第三薄膜晶體管。在這種實施方式中，通過第一薄膜晶體管和第二