極191b分別包括三個和兩個單位像素電極。包括在兩個低灰度像素電極191b中的單位像素電極的總數(shù)量為5。
[0139]每個單位像素電極包括中央電極198和從中央電極198的一側(cè)向外延伸的微分支199。微分支199相對于水平方向或者垂直方向可形成約45度的角，或者可形成在約40度至約50度的范圍內(nèi)的角。此外，中央電極198的一側(cè)與微分支199可大致彼此垂直。
[0140]高灰度像素電極191a和低灰度像素電極191b的單位像素電極可通過延伸部彼此連接。在示例性實施方式中，如圖10所示，中央電極198具有大到足以接觸或者限定其中布置單位像素電極的區(qū)域的一側(cè)的尺寸。在可替代示例性實施方式中，可減小中央電極198的尺寸，并且微分支199可位于中央電極198的拐角處以接觸或者限定其中布置單位像素電極的區(qū)域的該側(cè)。單位像素電極的延伸部從中央電極198或者微分支199延伸。通過延伸部連接的單位像素電極被施加相同的電壓。包括在像素電極(例如，高灰度像素電極191a或者低灰度像素電極191b)中的單位像素電極通過延伸部彼此連接并且與包括在其他像素電極(例如，低灰度像素電極191b和高灰度像素電極191a)中的單位像素電極分開或者間隔開。
[0141]在示例性實施方式中，在單位像素電極位于其中的一個域區(qū)域的上部公共電極中限定作為域劃分部的開口 72、73和78。在示例性實施方式中，在上部公共電極中的開口可以是包括橫向開口 72、與橫向開口 72相交的縱向開口 73的十字形開口以及位于十字形開口的中央處的中央開口 78。中央開口 78可具有包括分別位于由十字形開口所劃分的四個子區(qū)域中的四個直邊的多邊形狀。例如，在一種示例性實施方式中，中央開口 78具有菱形形狀。
[0142]在示例性實施方式中，對應(yīng)于相鄰單位像素電極的開口 72、73和78不彼此連接。在可替代示例性實施方式中，相鄰的開口 72、73和78可彼此連接。
[0143]在其中順序地排布低灰度像素電極191b、高灰度像素電極191a以及低灰度像素電極191b的結(jié)構(gòu)中，參考電壓線178在縱向方向上穿過位于像素的中央處的高灰度像素電極191a的中央。
[0144]將參考圖11描述在具有圖10的結(jié)構(gòu)的像素中的其中產(chǎn)生紋理的部分。
[0145]圖11是示出在圖10的結(jié)構(gòu)中的像素的示例性實施方式的紋理的視圖。
[0146]在圖11中，在由T指示的部分中示出紋理。該部分在低灰度像素電極191b的下方并且在參考電壓線178的分支178b的上方。通常，紋理主要出現(xiàn)在低灰度像素電極191b的外周(上/下/右/左)上。在本發(fā)明的示例性實施方式的像素結(jié)構(gòu)中，在兩個低灰度像素電極191b中，僅在位于靠近薄膜晶體管形成區(qū)域TA的低灰度像素電極191b的下方識別出紋理，從而減少了紋理的形成。
[0147]在圖10的示例性實施方式中，高灰度像素電極191a中的兩個單位像素電極位于較低行。在其中在像素PX的左下區(qū)域并且在低灰度像素電極191b附近產(chǎn)生紋理的這種實施方式中，在左側(cè)的較低行的寬度大于在右側(cè)的較低行的寬度，從而進一步減小紋理的尺寸，即，圖11中所示的紋理的尺寸可小于圖9中所示的紋理的尺寸。
[0148]在上面，描述了在低灰度像素電極191b附近產(chǎn)生的紋理。
[0149]在下文中，將參考圖12至圖14描述根據(jù)連接195的連接結(jié)構(gòu)(其中，每個單位像素電極連接至薄膜晶體管的漏電極)的紋理的產(chǎn)生程度。
[0150]圖12至圖14是根據(jù)本發(fā)明的像素電極的示例性實施方式的連接結(jié)構(gòu)的視圖。
[0151]圖12至圖14包括照片中的像素電極的結(jié)構(gòu)的描述。
[0152]在示例性實施方式中，如圖12和圖13所示，連接至單位像素電極的連接195具有線性結(jié)構(gòu)。在圖14中，連接至單位像素電極的連接195’具有兩個彎曲結(jié)構(gòu)(在下文中，雙彎曲連接195’)。
[0153]如圖14的紋理和圖12的紋理所示，在圖12的示例性實施方式中，在連接195附近的紋理大幅度減少。即，在包括線性結(jié)構(gòu)的連接195(在下文中，線性連接195)而非雙彎曲連接195’的實施方式中較少地產(chǎn)生紋理。
[0154]圖12和圖13示出了包括被布置成與單位像素電極相隔不同距離的線性連接195的實施方式，即，線性連接195包括從其延伸方向朝向單位像素電極延伸的彎曲部以連接至其。在圖13中，在圖13的左側(cè)示出包括被布置成與單位像素電極相隔的距離比圖12中所示的示例性實施方式的連接195長大約I μ m的線性連接195的示例性實施方式，并且在圖13的右側(cè)示出被布置成與單位像素電極相隔的距離比圖12中所示的示例性實施方式的連接195長大約2 μ m的線性連接195的示例性實施方式。在此，連接(即，圖12中所示的示例性實施方式的連接195)被布置成與單位像素電極相隔的參考距離可為約6 μ m。如圖12和圖13所示，隨著連接195相距單位像素電極的距離(或者連接195的彎曲端部的長度)的增加，紋理減少，同時單位像素電極的位置相距域的邊界更遠。然而，當單位像素電極大致向內(nèi)定位時，未被有效控制的液晶分子的區(qū)域增加。因此，在示例性實施方式中，如圖13所示，連接的距離可增加至比參考距離高達約2μπι。在示例性實施方式中，如上所述的，連接195相距單位像素電極的距離可在約6 μ m至約8μπι的范圍內(nèi)。
[0155]接著，將參考圖15描述本發(fā)明的另一示例性實施方式。
[0156]圖15是根據(jù)本發(fā)明的顯示設(shè)備的像素的另一可替代示例性實施方式的示意圖。
[0157]在示例性實施方式中，像素PX是具有大致在水平方向上延長的形狀的橫向型像素。在這種實施方式中，像素PX包括薄膜晶體管形成區(qū)域TA和顯示區(qū)DA。像素電極布置在顯示區(qū)DA中并且通過布置在顯示區(qū)DA中的液晶分子顯示圖像。在這種實施方式中，諸如傳輸要被施加至顯示區(qū)DA的像素電極的電壓的薄膜晶體管的元件和配線布置在薄膜晶體管形成區(qū)域TA中。
[0158]在示例性實施方式中，如圖15所示，像素PX包括在顯示區(qū)DA的中央處的位于垂直方向上的參考電壓線V。在這種實施方式中，顯示區(qū)DA被劃分成包括一個高灰度子像素區(qū)H sub和一個低灰度子像素區(qū)L sub的兩個子像素區(qū)。高灰度子像素區(qū)H sub和低灰度子像素區(qū)L sub大致在垂直方向上延伸。在示例性實施方式中，如圖15所示，高灰度子像素區(qū)H sub位于像素PX中的上側(cè)，并且低灰度子像素區(qū)L sub位于像素PX中的下側(cè)。因此，參考電壓線V在垂直或者縱向方向上穿過高灰度子像素區(qū)H sub和低灰度子像素區(qū)Lsub的中央。
[0159]在示例性實施方式中，子像素區(qū)H sub和L sub中的每一個包括六個域。每個域通過圖15中的虛線劃分，并且實線表示高灰度子像素區(qū)H sub和低灰度子像素區(qū)L sub的邊界。在這種實施方式中，子像素區(qū)被劃分成上部和下部。在示例性實施方式中，像素PX包括十二個域，并且每個子像素區(qū)H sub或L sub包括六個域。根據(jù)示例性實施方式，像素PX可被劃分成偶數(shù)個域，例如，12個。此外，參考電壓線V被定位成劃分十二個域，并且低灰度子像素區(qū)L sub和高灰度子像素區(qū)H sub被參考電壓線V劃分成兩半。因此，由像素所顯示的圖像相對于參考電壓線V可具有左右對稱性。
[0160]將參考圖16描述包括像素電極、公共電極以及參考電壓線的像素的整體結(jié)構(gòu)。
[0161]圖16是圖15的像素的示例性實施方式的詳細結(jié)構(gòu)的視圖。
[0162]首先，參考顯示設(shè)備的下面板，多條柵極線121位于下面板的絕緣基板上。
[0163]柵極線121大致在水平或者橫向方向上延伸并且包括從柵極線121向上突出和延伸的第一柵電極124a、第二柵電極124b和第三柵電極124c。在這種實施方式中，第三柵電極124c從柵極線121向上延伸和擴展，并且第一柵電極124a和第二柵電極124b從第三柵電極124c延伸。第一柵電極124a和第二柵電極124b可包括擴展部。在這種實施方式中，柵極線121可包括從大致在橫向方向上延伸的主線周期性地彎曲的彎曲部。
[0164]柵極絕緣層布置在柵極線121上，并且第一半導(dǎo)體154a、第二半導(dǎo)體154b和第三半導(dǎo)體154c分別布置在第一柵電極124a、第二柵電極124b和第三柵電極124c上。
[0165]包括數(shù)據(jù)線171、第一漏電極175a、第二漏電極175b、第三源電極173c、第三漏電極175c和參考電壓線178的數(shù)據(jù)導(dǎo)體布置在第一半導(dǎo)體154a、第二半導(dǎo)體154b、第三半導(dǎo)體154c以及柵極絕緣層上。
[0166]數(shù)據(jù)線171大致在縱向方向上延伸并且包括分別從數(shù)據(jù)線171的主線朝向第一柵電極124a和第二柵電極124b延伸的第一源電極173a和第二源電極173b。
[0167]參考電壓線178包括大致平行于數(shù)據(jù)線171延伸的主線178a以及從主線178a延伸并大致平行于柵極線121的分支178b。分支178b沿著顯示區(qū)的外部區(qū)域延伸至薄膜晶體管形成區(qū)域TA，并且分支178b的一端限定第三漏電極175c。
[0168]在這種實施方式中，第一漏電極175a面向第一源電極173a,第二漏電極175b面向第二源電極173b，并且第三漏電極175c面向第三源電極173c。第三源電極173c連接至第二漏電極175b。
[0169]第一柵電極124a、第一源電極173a以及第一漏電極175a與第一半導(dǎo)體154a—起共同限定第一薄膜晶體管，第二柵電極124b、第二源電極173b以及第二漏電極175b與第二半導(dǎo)體154b —起共同限定第二薄膜晶體管，并且第三柵電極124c、第三源電極173c以及第三漏電極175c與第三半導(dǎo)體154c —起共同限定第三薄膜晶體管。在這種實施方式中，通過第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管的源電極施加數(shù)據(jù)電壓，并且通過第三薄膜晶體管的源電極施加參考電壓。
[0170]鈍化層布置在數(shù)據(jù)導(dǎo)體上，并且像素電極布置在鈍化層上。
[0171]在這種實施方式中，位于像素PX中的像素電極包括作為高灰度子像素的像素電極的高灰度像素電極191a以及作為低灰度子像素的像素電極的低灰度像素電極191b。像素電極包括一個高灰度像素電極191a和一個低灰度像素電極191b。
[0172]高灰度像素電極191a和低灰度像素電極191b中的每一個包括對應(yīng)于六個域的六個單位像素電極，并且每個單位像素電極包括中央電極198和從中央電極198的一側(cè)向外延伸的微分支199。微分支199相對于水平方向或者垂直方向可形成約45度的角，或者可形成在約40度至約50度的范圍內(nèi)的角。此外，中央電極198的一側(cè)與微分支199可大致彼此垂直。
[0173]高灰度像素電極191a或者低灰度像素電極191b中的六個單位像素電極呈一條線地排布在垂直方向上并且通過延伸部連接。在圖16的示例性實施方式中，中央電極198具有大到足以接觸或者限定其中布置單位像素電極的區(qū)域的一側(cè)的尺寸，但并不局限于此。在可替代示例性實施方式中，可減小中央電極198的尺寸，并且微分支199可位于中央電極198的拐角處。單位像素電極的延伸部從中央電極198或者微分支199延伸。通過延伸部連接的六個單位像素電極被施加相同的電壓。包括在高灰度像素電極191a和低灰度像素電極191b的其中一個中的單位像素電極通過延伸部彼此連接，并且與包括在高灰度像素電極191a和低灰度像素電極191b的另一個中的單位像素電極分開或者間隔開。
[0174]第一薄膜晶體管的第一漏電極175a通過第一接觸孔185a連接至高灰度像素電極191a。在示例性實施方式中，如圖16所示，第一連接195a在左側(cè)延伸以連接至高灰度像素電極191a。
[0175]第二薄膜晶體管的第二漏電極175b通過第二連接195b連接至低灰度像素電極191b。在示例性實施方式中，如圖16所示，低灰度像素電極191b通過第二連接195b連接，并且第二連接195b在左側(cè)延伸以連接至低灰度像素電極191b。第三薄膜晶體管將第二薄膜晶體管的第二漏電極175b與參考電壓線178連接以改變施加至低灰度像素電極191b的數(shù)據(jù)電壓的電平。
[0176]接著，參考顯示設(shè)備的上面板，面向像素電極并接收公共電壓的公共電極布置在上面板的絕緣基板上。
[0177]在示例性實施方式中，可在單位像素電極位于其中的一個域區(qū)域的上部公共電極中限定作為域劃分部的開口 72、73和78。在這種實施方式中，上部公共電極中的開口可以是包括橫向開口 72、與橫向開口 72相交的縱向開口 73的十字形開口，并且可進一步包括位于十字形開口的中央處的中央開口 78。中央開口 78可具有包括分別位于由十字形開口所劃分的四個子區(qū)域中的四個直邊的多邊形狀。例如，在一種示例性實施方式中，中央開口78具有菱形形狀。
[0178]在示例性實施方式中，對應(yīng)于相鄰單位像素電極的開口 72、73和78并不彼此連接。在可替代示例性實施方式中，相鄰開口 72、73和78可彼此連接。
[0179]根據(jù)