黑色矩陣的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種黑色矩陣的制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面顯示裝置因具有高畫質(zhì)、省電、機身薄及應(yīng)用范圍廣等優(yōu)點，而被廣泛的應(yīng)用于手機、電視、個人數(shù)字助理、數(shù)字相機、筆記本電腦、臺式計算機等各種消費性電子產(chǎn)品，成為顯示裝置中的主流。
[0003]現(xiàn)有市場上的液晶顯示裝置大部分為背光型液晶顯示器，其包括液晶顯示面板及背光模組(backlight module)。液晶顯示面板的工作原理是在兩片平行的玻璃基板當(dāng)中放置液晶分子，兩片玻璃基板中間有許多垂直和水平的細小電線，通過通電與否來控制液晶分子改變方向，將背光模組的光線折射出來產(chǎn)生畫面。
[0004]通常液晶顯示面板由彩膜(CF，Color Filter)基板、薄膜晶體管(TFT，Thin FilmTransistor)陣列基板、夾于彩膜基板與薄膜晶體管陣列基板之間的液晶(LC，LiquidCrystal)及密封膠框(Sealant)組成，其成型工藝一般包括:前段陣列(Array)制程(薄膜、黃光、蝕刻及剝膜)、中段成盒(Cell)制程(TFT基板與CF基板貼合)及后段模組組裝制程(驅(qū)動IC與印刷電路板壓合)。其中，前段Array制程主要是形成TFT基板，以便于控制液晶分子的運動；中段Cell制程主要是在TFT基板與CF基板之間添加液晶；后段模組組裝制程主要是驅(qū)動IC壓合與印刷電路板的整合，進而驅(qū)動液晶分子轉(zhuǎn)動，顯示圖像。
[0005]傳統(tǒng)的液晶顯示面板中，通常會在彩膜基板一側(cè)制作一層黑色矩陣(BM，BlackMatrix)，用于分割相鄰色阻，遮擋色彩的空隙，防止漏光或者混色；而將黑色矩陣制備在TFT陣列基板的技術(shù)叫做BOA (BM On Array，黑色矩陣貼附于陣列基板)，BOA可以解決上下基板錯位導(dǎo)致遮光區(qū)域不匹配的問題，這種對曲面顯示器尤其有用。COA(Color filter OnArray)技術(shù)是一種將原本制備于彩膜基板上的RGB色阻制備在TFT陣列基板上的技術(shù)，COA技術(shù)可以改善金屬線上的信號延遲，提供面板開口率，改善面板顯示品質(zhì)。
[0006]圖1為在彩膜基板上制作黑色矩陣后的示意圖，如圖1所示，黑色矩陣200為彩膜基板100的第一道制程，因此在黑色矩陣的制備過程中無需參考前制程的對位標記(mark)。而在BOA架構(gòu)的液晶顯示面板中，由于黑色矩陣制作于TFT陣列基板一側(cè)，在制備黑色矩陣之前，已經(jīng)進行了其它圖案的制程，因此在制備黑色矩陣時需要參考前制程的對位標記，但由于黑色矩陣具有較高的光密度值(0D, optical density)，因此在涂布后對光罩對位標記的識別造成干擾，可能導(dǎo)致曝光機無法對位。如果要使用較低光密度值的黑色矩陣材料，可以增加涂布后對位標記的識別能力，但是黑色矩陣的遮光效果會受到嚴重影響。
[0007]圖2為在TFT陣列基板上涂布黑色矩陣薄膜后的示意圖，圖3為圖2所示的圓圈區(qū)域的橫截面示意圖，從圖2、及圖3中可以看出，在TFT陣列基板300上涂布黑色矩陣薄膜400后，所述黑色矩陣薄膜400將對位標記500完全覆蓋掉，由于所述黑色矩陣薄膜400厚度的典型值為I μ m，其對對位標記500形成覆蓋后，減弱了對位標記500處與相鄰區(qū)域的斷差dl，因此即使使用輪廓探測的方法也很難識別出對位標記500的準確位置。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明的目的在于提供一種黑色矩陣的制作方法，通過增加對位標記處與相鄰區(qū)域的斷差，在涂布黑色矩陣薄膜后，可以利用輪廓探測的方法來識別對位標記所在的位置，進行精確對位后，對黑色矩陣薄膜進行圖形化，形成黑色矩陣的設(shè)計圖形，解決了 BOA架構(gòu)中黑色矩陣的制備過程中對位標記難以識別的問題。
[0009]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種黑色矩陣的制作方法，其特征在于，包括如下步驟:
[0010]步驟1、提供基板，所述基板上設(shè)置有數(shù)個對位標記；
[0011]步驟2、在所述基板上制作一有機光阻層，所述有機光阻層包括分別覆蓋數(shù)個對位標記的數(shù)個有機光阻塊；
[0012]步驟3、在所述基板及有機光阻層上涂覆一黑色矩陣薄膜；
[0013]步驟4、基于基板上對位標記處與相鄰區(qū)域形成的斷差，采用輪廓識別設(shè)備識別出對位標記的位置，進行精確對位后，圖案化所述黑色矩陣薄膜，形成黑色矩陣。
[0014]所述步驟I中，所述基板為TFT陣列基板。
[0015]所述基板為矩形結(jié)構(gòu)，所述對位標記為四個，分別設(shè)置于矩形的四個角處。
[0016]所述對位標記與有機光阻塊均為十字形結(jié)構(gòu)，且二者的尺寸相同。
[0017]述有機光阻塊為彩色光阻塊。
[0018]所述有機光阻塊的厚度為3 μ mo
[0019]所述黑色矩陣薄膜的厚度為I ym。
[0020]所述步驟3中對位標記處與相鄰區(qū)域的斷差大于2 μπι。
[0021]所述步驟3中對位標記處與相鄰區(qū)域的斷差為3 μπι。
[0022]所述步驟3中的輪廓識別設(shè)備為具有差分模式的鏡頭或CCD探頭。
[0023]本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明提供一種黑色矩陣的制作方法，采用COA技術(shù)先在對位標記上制備厚度較大的有機光阻塊，然后將黑色矩陣薄膜覆蓋在有機光阻塊上，大大增加了對位標記處與相鄰區(qū)域的的斷差，進而可以利用輪廓識別設(shè)備準確識別出對位標記的位置，從而解決了 BOA制程中黑色矩陣薄膜涂布后對位標記難以識別的問題。
[0024]為了能更進一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。
【附圖說明】
[0025]下面結(jié)合附圖，通過對本發(fā)明的【具體實施方式】詳細描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案及其它有益效果顯而易見。
[0026]附圖中，
[0027]圖1為在彩膜基板上制作黑色矩陣后的示意圖；
[0028]圖2為在TFT陣列基板上涂布黑色矩陣光阻體系后的示意圖；
[0029]圖3為圖2中的圓圈區(qū)域的橫截面示意圖；
[0030]圖4為本發(fā)明的黑色矩陣的制作方法步驟I的示意圖；
[0031]圖5為圖4中A-A處的剖面示意圖；
[0032]圖6為本發(fā)明的黑色矩陣的制作方法步驟2的示意圖；
[0033]圖7為圖6中A-A處的剖面示意圖；
[0034]圖8為本發(fā)明的