光致抗蝕劑組合物及制造薄膜晶體管基板的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 實施方式涉及光致抗蝕劑組合物。更具體地，實施方式涉及光致抗蝕劑組合物以 形成用于顯示器件的絕緣層、以及使用光致抗蝕劑組合物制造薄膜晶體管基板的方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 通常，用于顯示器件的顯示基板包括薄膜晶體管，所述薄膜晶體管用作用于驅(qū)動 像素單元、連接至薄膜晶體管的信號線、以及像素電極的開關(guān)元件。信號線包括提供柵極信 號的柵極線、以及與柵極線交叉并且提供數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)線。
[0003] 顯示基板可以包括用于絕緣電極和線或用于整平基板的有機絕緣層。例如，顯示 基板可以包括覆蓋薄膜晶體管的有機絕緣層。像素電極可以通過穿過有機絕緣層形成的接 觸孔連接至漏電極。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 實施方式涉及一種光致抗蝕劑組合物，包括：約100重量份的丙烯?；簿畚铮ū?稀酸基共聚物，acryl-copolymer)、約0. 1重量份至約30重量份的光引發(fā)劑、約1重量份至 約50重量份的包括至少五個官能團的第一丙烯酸酯單體、以及約1重量份至約50重量份 的包括至多四個官能團的第二丙烯酸酯單體，第二丙烯酸酯單體是選自由以下化學(xué)式1至 5表示的化合物的組中的至少一種，
[0005] 〈化學(xué)式1>
[0006]
【主權(quán)項】
1. 一種光致抗蝕劑組合物，包含： 100重量份的丙烯?；簿畚?； 0. 1重量份至30重量份的光引發(fā)劑； 1重量份至50重量份的包括至少五個官能團的第一丙烯酸酯單體；以及 1重量份至50重量份的包括至多四個官能團的第二丙烯酸酯單體，所述第二丙烯酸酯 單體是選自由以下化學(xué)式1至5表示的化合物的組中的至少一種： 〈化學(xué)式1>
其中，在化學(xué)式1中，&獨立地表示C2-C10亞烷基基團或C2-C10氧基亞烷基基團，以 及R2獨立地表示氫原子或C1-C10烷基基團， 〈化學(xué)式2>
其中，在化學(xué)式2中，Ri獨立地表示C1-C10亞烷基基團或C1-C10氧基亞烷基或聚氧基 亞烷基基團，R2表示羥甲基基團、C3-C10烷基基團或C3-C10烷氧基基團，以及1?3獨立地表 示氫原子或C1-C10烷基基團， 〈化學(xué)式3>
其中，在化學(xué)式3中，&表示亞苯基基團、亞三環(huán)癸基基團、亞金剛烷基基團、亞降冰片 烷基基團、雙酚A基團或雙酚F基團，并且在化學(xué)式3中，R2獨立地表示氫原子或具有1至 10個碳原子的烷基基團， 〈化學(xué)式4>
其中，在化學(xué)式4中，Ri表示C2-C20二烷基醚基團， 〈化學(xué)式5>
其中，在化學(xué)式5中，&獨立地表示C1-C10亞烷基基團或C1-C10氧基亞烷基基團。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光致抗蝕劑組合物，進(jìn)一步包括溶劑，使得所述光致抗蝕劑 組合物的固體含量為按重量計10 %至50%。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光致抗蝕劑組合物，其中，所述丙烯?；簿畚锿ㄟ^經(jīng)由自 由基聚合反應(yīng)使包括不飽和烯烴化合物和不飽和羧酸的單體共聚而制備。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的光致抗蝕劑組合物，其中，所述丙烯?；簿畚锏闹鼐肿?量是 3, 000 至 30, 000。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光致抗蝕劑組合物，其中，所述第一丙烯酸酯單體包括選自 以下的組中的至少一種：二季戊四醇六丙烯酸酯、二季戊四醇五丙烯酸酯、二季戊四醇羥基 五丙烯酸酯、二季戊四醇烷醇基五丙烯酸酯、以及己內(nèi)酰胺取代的二季戊四醇六丙烯酸酯。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光致抗蝕劑組合物，其中，所述第二丙烯酸酯單體包括選自 由以下化學(xué)式6至11表示的化合物的組中的至少一種，
〈化學(xué)式6> 〈化學(xué)式7>
其中，在化學(xué)式9中，n表示1至3的整數(shù)， 〈化學(xué)式1〇>
〈化學(xué)式11>
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光致抗蝕劑組合物，其中，所述光引發(fā)劑包括肟-酯化合物。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的光致抗蝕劑組合物，其中，所述光引發(fā)劑包括由以下化學(xué)式 12表示的化合物： 〈化學(xué)式12>
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光致抗蝕劑組合物，進(jìn)一步包含相對于100重量份的所述丙 烯酰基共聚物為1重量份至50重量份的多官能丙烯酸酯低聚物，所述多官能丙烯酸酯低聚 物包括選自以下的組中的至少一種：脂肪族氨基甲酸乙酯丙烯酸酯低聚物、芳香族氨基甲 酸乙酯丙烯酸酯低聚物、環(huán)氧丙烯酸酯低聚物、環(huán)氧甲基丙烯酸酯低聚物、硅丙烯酸酯低聚 物、三聚氰胺丙烯酸酯低聚物、以及樹枝狀丙烯酸酯低聚物。
10. -種形成薄膜晶體管基板的方法，所述方法包括： 在基底基板上形成薄膜晶體管； 在所述薄膜晶體管上涂覆光致抗蝕劑組合物以形成光致抗蝕劑層； 將所述光致抗蝕劑層暴露于光；以及 對所述光致抗蝕劑層進(jìn)行顯影， 其中，所述光致抗蝕劑組合物包含100重量份的丙烯?；簿畚?、〇. 1重量份至30重 量份的光引發(fā)劑、1重量份至50重量份的包括至少五個官能團的第一丙烯酸酯單體、以及1 重量份至50重量份的包括至多四個官能團并且包括選自由以下化學(xué)式1至5表示的化合 物的組中的至少一種的第二丙烯酸酯單體， 〈化學(xué)式1>
其中，在化學(xué)式1中，&獨立地表示具有2至10個碳原子的C2-C10亞烷基基團或C2-C10氧基亞烷基基團，以及R2獨立地表示氫原子或C1-C10烷基基團， 〈化學(xué)式2>
其中，在化學(xué)式2中，&獨立地表示C1-C10亞烷基基團或C1-C10氧基亞烷基或聚氧基 亞烷基基團，R2表示羥甲基基團、C3-C10烷基基團或C3-C10烷氧基基團，以及1?3獨立地表 示氫原子或C1-C10烷基基團， 〈化學(xué)式3>
其中，在化學(xué)式3中，&表示亞苯基基團、亞三環(huán)癸基基團、亞金剛烷基基團、亞降冰片 烷基基團、雙酚A基團或雙酚F基團，以及在化學(xué)式3中，R2獨立地表示氫原子或具有1至 10個碳原子的烷基基團， 〈化學(xué)式4>
其中，在化學(xué)式4中，&表示C2-C20二烷基醚基團， 〈化學(xué)式5>
其中，在化學(xué)式5中，&獨立地表示C1-C10亞烷基基團或C1-C10氧基亞烷基基團。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述光致抗蝕劑組合物進(jìn)一步包括溶劑，使得 所述光致抗蝕劑組合物的固體含量為按重量計10%至50%。
12. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述丙烯?；簿畚锿ㄟ^經(jīng)由自由基聚合反 應(yīng)使包括不飽和稀徑化合物和不飽和羧酸的單體共聚而制備。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述丙烯?；簿畚锏闹鼐肿恿渴?, 000至 30,000〇
14. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述第一丙烯酸酯單體包括選自以下的組中 的至少一種：二季戊四醇六丙烯酸酯、二季戊四醇五丙烯酸酯、二季戊四醇羥基五丙烯酸 酯、二季戊四醇烷醇基五丙烯酸酯、以及己內(nèi)酰胺取代的二季戊四醇六丙烯酸酯。
15. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述第二丙烯酸酯單體包括選自由以下化學(xué) 式6至11表示的化合物的組中的至少一種，
其中，在化學(xué)式9中，n表示1至3的整數(shù)； 〈化學(xué)式1〇> 〈化學(xué)式11>

16. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述光引發(fā)劑包括肟-酯化合物。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述光引發(fā)劑包括由以下化學(xué)式12表示的化 合物， 〈化學(xué)式12>
18. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述光致抗蝕劑組合物進(jìn)一步包含相對于100 重量份的所述丙烯?；簿畚餅?重量份至50重量份的多官能丙烯酸酯低聚物，所述多 官能丙烯酸酯低聚物包括選自以下的組中的至少一種：脂肪族氨基甲酸乙酯丙烯酸酯低 聚物、芳香族氨基甲酸乙酯丙烯酸酯低聚物、環(huán)氧丙烯酸酯低聚物、環(huán)氧甲基丙烯酸酯低聚 物、硅丙烯酸酯低聚物、三聚氰胺丙烯酸酯低聚物、以及樹枝狀丙烯酸酯低聚物。
19. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，在將所述光致抗蝕劑層暴露于光之前，將所述 基底基板在80 °C至120 °C下預(yù)烘烤。
20. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，在對所述光致抗蝕劑層顯影之后，將所述基底 基板在150 °C至250 °C下硬烘烤。
【專利摘要】本發(fā)明提供了光致抗蝕劑組合物及制造薄膜晶體管基板的方法。光致抗蝕劑組合物包含相對于約100重量份的丙烯?；簿畚餅榧s0.1重量份至約30重量份的光引發(fā)劑、約1重量份至50重量份的包括至少五個官能團的第一丙烯酸酯單體、約1重量份至50重量份的包括至多四個官能團的第二丙烯酸酯單體。
【IPC分類】H01L21-77, G03F7-027, G03F7-004
【公開號】CN104808439
【申請?zhí)枴緾N201510036077
【發(fā)明人】樸成均, 樸廷敏, 李政洙, 金智賢, 田俊, 曹基鉉, 尹赫敏, 金珍善, 呂泰勛, 金柄郁
【申請人】三星顯示有限公司, 株式會社東進(jìn)世美肯
【公開日】2015年7月29日
【申請日】2015年1月23日
【公告號】US20150212411