一種基于激光干涉光刻技術(shù)制備納米圖形的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其是一種基于激光干涉光刻技術(shù)制備納米圖形的方 法。
【背景技術(shù)】
[0002] 納米圖形有廣泛的應(yīng)用，例如在LED、太陽(yáng)能電池、量子點(diǎn)以及探測(cè)器方面等，可用 來(lái)制作圖形襯底，以提高器件的各種性能。制備圖形的光刻技術(shù)有很多種，像紫外曝光、電 子束曝光、激光干涉等等，而利用激光干涉制備圖形具有更高的優(yōu)勢(shì)。
[0003] 激光干涉光刻技術(shù)是一種高效、低成本的光刻技術(shù)，其能夠制備大面積的光刻膠 圖形，并且制得的圖形有較好的均勻性。激光干涉光刻是利用兩束激相干光進(jìn)行干涉，利用 其明暗相見(jiàn)干涉條紋進(jìn)行光刻。并且，根據(jù)以下公式，圖形的周期是可調(diào)的，這就意味著可 以得到不同尺寸的光刻圖形。
[0004]
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種基于激光干涉光刻技術(shù)制備納米圖形的方法，其特征在于：包括有以下步驟： A、 將硅片依次用酒精、丙酮、去離子水循環(huán)超聲清洗，然后用氮?dú)鈽尨蹈桑? B、 在熱板上烘烤，去除表面殘余水分； C、 利用光刻膠處理，膠厚為IOOnm; D、 在熱板上烘烤，去除多余的有機(jī)溶劑； E、 利用激光干涉光刻系統(tǒng)進(jìn)行曝光，激光的入射角為20.7°，得到圖形的周期為 460nm； F、 配置顯影液，利用顯影液顯影； G、 用去離子水沖洗，氮?dú)鈽尨蹈伞?br>2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于激光干涉光刻技術(shù)制備納米圖形的方法，其特征在 于：所述步驟A中將硅片依次用酒精、丙酮、去離子水循環(huán)超聲清洗各5分鐘。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于激光干涉光刻技術(shù)制備納米圖形的方法，其特征在 于：所述步驟B具體為：在180°C的熱板上烘烤2分鐘，去除表面殘余水分。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于激光干涉光刻技術(shù)制備納米圖形的方法，其特征在 于：所述步驟C中使用的光刻膠為AR-P3840光刻膠，所述光刻膠的稀釋比例為光刻膠：稀 釋劑=1 :3. 5。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種基于激光干涉光刻技術(shù)制備納米圖形的方法，其特征在 于：所述步驟C中利用光刻膠處理的甩膠速度為每分鐘4000轉(zhuǎn)，持續(xù)時(shí)間為2分鐘。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于激光干涉光刻技術(shù)制備納米圖形的方法，其特征在 于：所述步驟D具體為：在90°C的熱板上烘烤2分鐘，去除多余的有機(jī)溶劑。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于激光干涉光刻技術(shù)制備納米圖形的方法，其特征在 于：所述步驟E中激光的波長(zhǎng)為325nm。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于激光干涉光刻技術(shù)制備納米圖形的方法，其特征在 于：所述步驟E中曝光時(shí)，曝光時(shí)間為290秒一次，隨后旋轉(zhuǎn)樣品90°進(jìn)行第二次曝光。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于激光干涉光刻技術(shù)制備納米圖形的方法，其特征在 于：所述步驟F中使用的為KMPPD3600-II型顯影液，配置比例為顯影液：去離子水=3:2， 顯影時(shí)間為30秒。
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種基于激光干涉光刻技術(shù)制備納米圖形的方法，包括以下步驟：將硅片超聲清洗，然后用氮?dú)鈽尨蹈桑缓婵救ニ?；利用光刻膠處理；烘烤去除多余的有機(jī)溶劑；曝光；顯影；用去離子水沖洗，氮?dú)鈽尨蹈?。本發(fā)明方法采用薄膠方法，通過(guò)激光干涉光刻平臺(tái)在硅片上制備出高均勻性的納米圖形，這種方法有效地避免了駐波效應(yīng)，并能夠?yàn)楦煞涛g提供很好的掩膜圖形，制作大面積的點(diǎn)陣或者孔陣材料提供很好的基礎(chǔ)，從而利用薄膠方法使用相對(duì)廉價(jià)的系統(tǒng)，減小了成本壓力，而且也為實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化提供了很好的基礎(chǔ)。本發(fā)明作為一種基于激光干涉光刻技術(shù)制備納米圖形的方法可廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體領(lǐng)域。
【IPC分類】B82Y40-00, H01L21-027, G03F7-00
【公開(kāi)號(hào)】CN104820341
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510155551
【發(fā)明人】何苗, 楊帆, 鄭樹(shù)文, 宿世臣
【申請(qǐng)人】華南師范大學(xué)
【公開(kāi)日】2015年8月5日
【申請(qǐng)日】2015年4月2日