一種用于光通信的光纖濾波結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及光通信領(lǐng)域，特別涉及一種用于光通信的光纖濾波結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]光通信是指以光作為信息載體而實(shí)現(xiàn)的通信方式，按傳輸介質(zhì)的不同可分為大氣激光通信和光纖通信兩種。光通信具有通信容量大、傳輸距離長、抗電磁干擾、傳輸質(zhì)量佳、信號(hào)串?dāng)_小、保密性好等優(yōu)點(diǎn)，是未來傳輸網(wǎng)絡(luò)發(fā)展的最終目標(biāo)，具有非常廣闊的市場前景。光通信是通過光耦合器或者光復(fù)用器是把不同波長的光復(fù)用到一根光纖中的，不同的波長傳載著不同的信息，在接收端通過光濾波器是用來進(jìn)行波長選擇，從眾多的波長中挑選出所需的波長，而除此波長以外的光將會(huì)被拒絕通過。
[0003]在光通信產(chǎn)品中光濾波器的主要部件為濾光片，濾光片在光通信產(chǎn)品中起著致關(guān)重要的作用。隨著空間技術(shù)和光學(xué)器件的迅速發(fā)展，紅外光學(xué)系統(tǒng)的應(yīng)用越來越受到重視，光信號(hào)信號(hào)必須經(jīng)過濾光片、防護(hù)窗口等進(jìn)行時(shí)間和空間的濾波，這就要求光在通過濾光片時(shí)其輻射量須盡可能的以最大值傳輸，這樣就需要根據(jù)不同的要求在濾光片上鍍制滿足要求的薄膜。在現(xiàn)有技術(shù)中，為了增加透光率，通常需要在濾光片上鍍制不同厚度的膜層。隨著通信設(shè)備不斷向小型化、微型化的方向發(fā)展，如何減小器件的體積成為很多設(shè)備生產(chǎn)廠家亟需要解決的一個(gè)技術(shù)問題。有些生產(chǎn)廠家將鍍膜直接鍍?cè)诒∧ど?，在使用時(shí)直接將薄膜從鍍膜上揭開，將鍍膜層作為濾光片使用，采用這種方式雖然可以在一定程度上減小器件的體積，但這種鍍膜層強(qiáng)度不夠，非常容易損壞，因此并不實(shí)用。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明的目的在于提供一種無需使用濾光器就可進(jìn)行濾波的光纖結(jié)構(gòu)。
[0005]為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本發(fā)明提供一種用于光通信的光纖濾波結(jié)構(gòu)，包括通信光纖，所述通信光纖固定在安裝座上，所述通信光纖的發(fā)射端端面上鍍有濾光膜層，所述濾光膜層包括交替沉積在光纖發(fā)射端面的Ge膜層和ZnS膜層，所述Ge膜層為兩層，ZnS膜層為三層，所述濾光膜層的最上層為ZnS膜層，所述透光膜層上還設(shè)有增透膜層，所述增透膜層包括一 S1Ji層和一 MgF 2膜層，所述S1 2膜層沉積在所述透光膜層上，所述MgFJ莫層沉積在所述S1 2膜層上。
[0006]優(yōu)選地，所述濾光膜層與所述通信光纖的發(fā)射端端面之間還設(shè)有一層含二氧化硅納米材料的氮化娃層。
[0007]優(yōu)選地，所述氮化娃層的厚度為35_72nm。
[0008]優(yōu)選地，所述濾光膜層由內(nèi)向外，第一層ZnS膜層厚度為102-105nm，第一層Ge膜層厚度為345-350nm，第二層ZnS膜層厚度為153-157.5nm，第二層Ge膜層厚度為690-700nm，第三層ZnS膜層厚度為204_210nm。
[0009]優(yōu)選地，所述S1J莫層厚度為125-126nm，MgF 2膜層厚度為49_51nm。
[0010]優(yōu)選地，所述增透膜層上還設(shè)有一層金剛石晶體膜層，所述金剛石晶體膜層厚度為 78_79nm。
[0011]本發(fā)明公開的用于光通信的光纖濾波結(jié)構(gòu)具有以下有益效果:該光通信光纖濾波結(jié)構(gòu)省去的玻璃基片，直接將濾光膜層濺鍍?cè)谕ㄐ殴饫w發(fā)射端的端面上，這樣不但可以有效減小光通信器件的體積，而且可以提高光通信器件的透光率，據(jù)檢測(cè)該濾光片對(duì)波長在500-1200nm的之間的光透光度可達(dá)96%以上；同時(shí)在增透膜層上還設(shè)有金剛石晶體膜層，這樣會(huì)使光纖具有極高的硬度和良好的機(jī)械強(qiáng)度，耐酸堿性非常的好，不易潮解，可以在各種惡略環(huán)境下使用，該光纖濾波結(jié)構(gòu)鍍膜層數(shù)較少，工藝簡單，在提高透光率的同時(shí)，有效降低生產(chǎn)成本。
【附圖說明】
[0012]圖1為本發(fā)明實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0013]圖2為本發(fā)明實(shí)施例通信關(guān)系端面鍍層的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0014]圖3為本發(fā)明實(shí)施例透光率的特性圖。
[0015]元件標(biāo)號(hào)說明
1、光纖11、發(fā)射端端面110、氮化娃層111、第一層ZnS膜層112、第一層Ge膜層113、第二層ZnS膜層114、第二層Ge膜層115、第三層ZnS膜層116、S1J莫層117、MgF2膜層118、金剛石晶體膜層2、安裝座。
【具體實(shí)施方式】
[0016]以下由特定的具體實(shí)施例說明本發(fā)明的實(shí)施方式，熟悉此技術(shù)的人士可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)及功效。
[0017]請(qǐng)參閱圖1至圖3。須知，本說明書所附圖式所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示的內(nèi)容，以供熟悉此技術(shù)的人士了解與閱讀，并非用以限定本發(fā)明可實(shí)施的限定條件，故不具技術(shù)上的實(shí)質(zhì)意義，任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整，在不影響本發(fā)明所能產(chǎn)生的功效及所能達(dá)成的目的下，均應(yīng)仍落在本發(fā)明所揭示的技術(shù)內(nèi)容得能涵蓋的范圍內(nèi)。同時(shí)，本說明書中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中間”及“一”等的用語，亦僅為便于敘述的明了，而非用以限定本發(fā)明可實(shí)施的范圍，其相對(duì)關(guān)系的改變或調(diào)整，在無實(shí)質(zhì)變更技術(shù)內(nèi)容下，當(dāng)亦視為本發(fā)明可實(shí)施的范疇。
[0018]如圖1、2所示，本發(fā)明提供一種用于光通信的光纖濾波結(jié)構(gòu)，其包括通信光纖1，為了便于安裝，通信光纖I固定在安裝座2上，安裝座2安裝在通信部件的盒體上。與原有結(jié)構(gòu)不同濾波器結(jié)構(gòu)不同，在濾波器直接在通信光纖I發(fā)射端端面11上鍍有濾光膜層，而不設(shè)置濾光片。為了增加附著力，在濺鍍?yōu)V光膜層之前，可先在發(fā)射端端面11上先設(shè)置一層含二氧化硅納米材料的氮化硅層110，氮化硅層110的厚度不易過大也不易過小，過大會(huì)影響透光率，過小則起不到增加附著力的效果，作為一種優(yōu)選方式，二氧化硅納米材料的氮化硅層110的厚度可設(shè)置在35-72nm之間。
[0019]濾光膜層設(shè)置在氮化硅層110上，濾光膜層包括交替沉積在光纖發(fā)射端面的Ge膜層和ZnS膜層，其中Ge膜層為兩層，ZnS膜層為三層，濾光膜層的最上層為ZnS膜層，透光膜層上還設(shè)有增透膜層，增透膜層包括一 S1Ji層和一 MgF 2膜層，S1 2膜層沉積在所述透光膜層上，MgFJ莫層沉積在S1 2膜層上。
[0020]作為一種【具體實(shí)施方式】，濾光膜層由內(nèi)向夕卜，第一層ZnS膜層111厚度為102-105nm,第一層 Ge 膜層 112 厚度為 345_350nm，第二層 ZnS 膜層 113 厚度為 153-157.5nm，第二層Ge膜層114厚度為690-700nm，第三層ZnS膜層115厚度為204_210nm，S12膜層116厚度為125-126nm，MgFJ莫層117厚度為49_51nm。為了增加濾光膜層的強(qiáng)度，在增透膜層上還設(shè)有一層金剛石晶體膜層118，金剛石晶體膜層118厚度為78-79nm。剛石晶體膜層4的折射率與S1J莫層的折射率相同，因此不會(huì)影響濾光片的透光率，同時(shí)可有效增加光纖端面的硬度和機(jī)械強(qiáng)度，因此耐酸堿性更好，不易潮解，可以在各種惡略環(huán)境下使用。
[0021]該光通信光纖濾波結(jié)構(gòu)省去的玻璃基片，直接將濾光膜層濺鍍?cè)谕ㄐ殴饫w發(fā)射端的端面上，這樣不但可以有效減小光通信器件的體積，而且可以提高光通信器件的透光率，據(jù)檢測(cè)該濾光片對(duì)波長在500-1200nm的之間的光透光度可達(dá)96%以上(如圖3所示);同時(shí)在增透膜層上還設(shè)有金剛石晶體膜層，這樣會(huì)使光纖具有極高的硬度和良好的機(jī)械強(qiáng)度，耐酸堿性非常的好，不易潮解，可以在各種惡略環(huán)境下使用，該光纖濾波結(jié)構(gòu)鍍膜層數(shù)較少，工藝簡單，在提高透光率的同時(shí)，有效降低生產(chǎn)成本。所以，本發(fā)明有效克服了現(xiàn)有技術(shù)中的種種缺點(diǎn)而具高度產(chǎn)業(yè)利用價(jià)值。
[0022]上述實(shí)施例僅例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修飾或改變。因此，舉凡所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者在未脫離本發(fā)明所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本發(fā)明的權(quán)利要求所涵蓋。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種用于光通信的光纖濾波結(jié)構(gòu)，包括通信光纖，所述通信光纖固定在安裝座上，其特征在于:所述通信光纖的發(fā)射端端面上鍍有濾光膜層，所述濾光膜層包括交替沉積在光纖發(fā)射端面的Ge膜層和ZnS膜層，所述Ge膜層為兩層，ZnS膜層為三層，所述濾光膜層的最上層為ZnS膜層，所述透光膜層上還設(shè)有增透膜層，所述增透膜層包括一 S1Ji層和一MgFJ莫層，所述S1 2膜層沉積在所述透光膜層上，所述MgF 2膜層沉積在所述S1 2膜層上。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于光通信的光纖濾波結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述濾光膜層與所述通信光纖的發(fā)射端端面之間還設(shè)有一層含二氧化硅納米材料的氮化硅層。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于光通信的光纖濾波結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述氮化硅層的厚度為35-72nm。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于光通信的光纖濾波結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述濾光膜層由內(nèi)向外，第一層第一層ZnS膜層厚度為102-105nm，第一層Ge膜層厚度為345_350nm，第二層ZnS膜層厚度為153-157.5nm，第二層Ge膜層厚度為690_700nm，第三層ZnS膜層厚度為204_210nm。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于光通信的光纖濾波結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述S12膜層厚度為 125-126nm，MgFJ莫層厚度為 49_51nm06.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于光通信的光纖濾波結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述增透膜層上還設(shè)有一層金剛石晶體膜層，所述金剛石晶體膜層厚度為78-79nm。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種用于光通信的光纖濾波結(jié)構(gòu)，包括通信光纖，通信光纖的發(fā)射端端面上鍍有濾光膜層，濾光膜層包括交替沉積在光纖發(fā)射端面的Ge膜層和ZnS膜層，Ge膜層為兩層，ZnS膜層為三層，濾光膜層的最上層為ZnS膜層，透光膜層上還設(shè)有增透膜層，增透膜層包括一SiO2膜層和一MgF2膜層，SiO2膜層沉積在所述透光膜層上，MgF2膜層沉積在所述SiO2膜層上。該光通信光纖濾波結(jié)構(gòu)省去的玻璃基片，直接將濾光膜層濺鍍?cè)谕ㄐ殴饫w發(fā)射端的端面上，這樣不但可以有效減小光通信器件的體積，而且可以提高光通信器件的透光率，據(jù)檢測(cè)該濾光片對(duì)波長在500-1200nm的之間的光透光度可達(dá)96%以上。
【IPC分類】G02B6/26
【公開號(hào)】CN105068188
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510593491
【發(fā)明人】王喜昌
【申請(qǐng)人】蘇州鼎旺科技有限公司
【公開日】2015年11月18日
【申請(qǐng)日】2015年9月17日