抗電磁鏡片的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及鏡片鍍膜領(lǐng)域，尤其涉及制造抗電磁鍍膜的鏡片的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著科技的進(jìn)步和通訊事業(yè)的日趨發(fā)展，電腦、電視、微波爐及手機(jī)的應(yīng)用日益普及，電器的電磁波對(duì)人體的影響越來(lái)越嚴(yán)重。過(guò)量的電磁波進(jìn)入人體，使體內(nèi)分子運(yùn)動(dòng)加劇，產(chǎn)生一定的熱量，使人體水分蒸發(fā)、破壞細(xì)胞正常的新陳代謝，導(dǎo)致細(xì)胞發(fā)生病變、甚至壞死等情況。長(zhǎng)期處于較強(qiáng)電磁波輻射環(huán)境中工作、生活的人往往容易導(dǎo)致發(fā)生眼部疾病。因此，基于這種情形下，抗電磁鏡片被應(yīng)用來(lái)對(duì)眼部進(jìn)行保護(hù)。CN201589905 U、CN203950047U、CN201359642Y均提出了抗電磁鏡片，均是在鏡片上通過(guò)鍍膜形成能夠?qū)щ娗彝腹獾目闺姶佩兡?。其中，CN201589905 U、CN203950047U是采用的鍍膜層的光穿透率不高。CN201359642Y采用的鍍膜層雖透光性較好，但其導(dǎo)電性還有待提高(電阻率在百Ω/cm2級(jí)別)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明提出一種具有更低電阻率且透光性較佳的抗電磁鏡片的制造方法。
[0004]本發(fā)明采用如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):
一種抗電磁鏡片的制造方法，具體是:將鏡片置于真空鍍膜機(jī)內(nèi)，先抽真空后，再進(jìn)行鍍膜，鍍膜步驟是依次分別鍍上二氧化鋯層、金屬銅層、金屬鉻層、二氧化硅層。
[0005]進(jìn)一步的，鍍膜步驟中，分別控制鍍膜的厚度如下:鍍二氧化鋯層的厚度范圍是80至150埃米，鍍金屬銅層的厚度范圍是80至150埃米，鍍金屬鉻層的厚度范圍是15至50埃米，鍍二氧化硅層的厚度范圍是30至100埃米。優(yōu)選的，分別控制鍍膜的厚度如下:鍍二氧化鋯層的厚度是100埃米，鍍金屬銅層的厚度是100埃米，鍍金屬鉻層的厚度是20埃米，鍍二氧化硅層的厚度是40埃米。
[0006]進(jìn)一步的，抽真空的真空度范圍是9 X 10 5至6 X 10 5托。
[0007]進(jìn)一步的，鏡片在鍍膜前還進(jìn)行清潔處理。
[0008]進(jìn)一步的，鏡片在鍍膜前還進(jìn)行粗化處理。
[0009]進(jìn)一步的，在鍍膜結(jié)束后，還進(jìn)行防水處理。
[0010]本發(fā)明的抗電磁鏡片的制造方法可以制造出具有更低電阻率且透光性較佳的抗電磁鏡片，從而使本發(fā)明所制造的抗電磁鏡片不僅可以在日常場(chǎng)合使用，也可以在一些特定應(yīng)用場(chǎng)合下使用，例如佩戴以隔離電腦、傳真機(jī)、手機(jī)、微波爐等電子元器件的輻射等。
【附圖說(shuō)明】
[0011]圖1是經(jīng)由本發(fā)明的抗電磁鏡片的制造方法制造的抗電磁鏡片的透射頻譜測(cè)試結(jié)果圖。
[0012]圖2是經(jīng)由本發(fā)明的抗電磁鏡片的制造方法制造的抗電磁鏡片的接收顏色限制區(qū)域測(cè)試結(jié)果圖。
[0013]圖3是經(jīng)由本發(fā)明的抗電磁鏡片的制造方法制造的抗電磁鏡片的頻譜數(shù)據(jù)測(cè)試結(jié)果表格。
【具體實(shí)施方式】
[0014]為進(jìn)一步說(shuō)明各實(shí)施例，本發(fā)明提供有附圖。這些附圖為本發(fā)明揭露內(nèi)容的一部分，其主要用以說(shuō)明實(shí)施例，并可配合說(shuō)明書的相關(guān)描述來(lái)解釋實(shí)施例的運(yùn)作原理。配合參考這些內(nèi)容，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)能理解其他可能的實(shí)施方式以及本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)。圖中的組件并未按比例繪制，而類似的組件符號(hào)通常用來(lái)表示類似的組件。
[0015]現(xiàn)結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步說(shuō)明。
[0016]本發(fā)明提出一種抗電磁鏡片的制造方法，具體是:將鏡片置于真空鍍膜機(jī)內(nèi)，先抽真空后，再進(jìn)行鍍膜，鍍膜步驟是依次分別鍍上二氧化鋯(ZrO2)層、金屬銅(Cu)層、金屬鉻(Cr)層、二氧化硅(S12)層。鏡片可以選用樹(shù)脂鏡片或玻璃鏡片，真空鍍膜機(jī)可選用常規(guī)光學(xué)鏡片鍍膜生產(chǎn)所用的一切型號(hào)的真空鍍膜設(shè)備，本發(fā)明的真空鍍膜與常規(guī)的鏡片真空鍍膜技術(shù)相同，于此不再詳細(xì)說(shuō)明。
[0017]其中，在鍍膜步驟中，分別控制鍍膜的厚度如下:鍍二氧化鋯層的厚度范圍是80至150埃米(A)，鍍金屬銅層的厚度范圍是80至150埃米，鍍金屬鉻層的厚度范圍是15至50埃米，鍍二氧化硅層的厚度范圍是30至100埃米。優(yōu)選的，鍍二氧化鋯層的厚度是100埃米，鍍金屬銅層的厚度是100埃米，鍍金屬鉻層的厚度是20埃米，鍍二氧化硅層的厚度是40埃米。
[0018]本發(fā)明的抗電磁鏡片的制造方法是在鏡片的表面由內(nèi)至外依次真空蒸鍍上合適厚度的二氧化錯(cuò)(ZrO2)層、金屬銅(Cu)層、金屬絡(luò)(Cr )層、二氧化娃(S12)層，從而使其制造出的抗電磁鏡片具有更低電阻率和較佳的透光性。
[0019]優(yōu)選的，為了更好地進(jìn)行真空鍍膜，抽真空的真空度范圍是9X10 5至6X10 5托(Torr)0
[0020]優(yōu)選的，為了使鏡片的鍍膜更牢靠，鏡片在鍍膜前還進(jìn)行清潔處理，具體是進(jìn)行超聲波清洗后烘干。
[0021]優(yōu)選的，為了使鏡片的鍍膜更牢靠，鏡片在鍍膜前還進(jìn)行粗化處理，具體是打氬氣離子源2分鐘左右。
[0022]優(yōu)選的，為了更好地保護(hù)抗電磁鍍膜層而不輕易脫落，在鍍膜結(jié)束后，還進(jìn)行防水處理，具體是在二氧化硅層上鍍防水保護(hù)層，可鍍約25埃米(A)的厚度。
[0023]將本發(fā)明的抗電磁鏡片的制造方法所制造的抗電磁鏡片經(jīng)過(guò)導(dǎo)電率測(cè)試，其鍍膜層的電阻率可以低于30 Ω/cm2，甚至達(dá)到20Q/cm2以下。同時(shí)，將本發(fā)明的抗電磁鏡片的制造方法所制造的一個(gè)抗電磁鏡片進(jìn)行光學(xué)測(cè)試，參閱圖1至圖3所示，結(jié)果表明其鍍膜層的透光率可達(dá)50%左右，具有較佳的透光性。本發(fā)明所制造的抗電磁鏡片的鍍膜層厚度(包括防水保護(hù)層)也較薄，在230至475埃米(A)之間的厚度，不足50納米(nm)，顯然是低于CN203950047 U中的45_90nm的電磁波屏蔽層厚度，從而具有更好的應(yīng)用前景。本發(fā)明的抗電磁鏡片的膜層厚度越小越不影響基材本身的功能，且清晰度高，不影響產(chǎn)品外觀。
[0024]盡管結(jié)合優(yōu)選實(shí)施方案具體展示和介紹了本發(fā)明，但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該明白，在不脫離所附權(quán)利要求書所限定的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，在形式上和細(xì)節(jié)上可以對(duì)本發(fā)明做出各種變化，均為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種抗電磁鏡片的制造方法，其特征在于:將鏡片置于真空鍍膜機(jī)內(nèi)，先抽真空后，再進(jìn)行鍍膜，鍍膜步驟是依次分別鍍上二氧化鋯層、金屬銅層、金屬鉻層、二氧化硅層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗電磁鏡片的制造方法，其特征在于:鍍膜步驟中，分別控制鍍膜的厚度如下:鍍二氧化鋯層的厚度范圍是80至150埃米，鍍金屬銅層的厚度范圍是80至150埃米，鍍金屬鉻層的厚度范圍是15至50埃米，鍍二氧化硅層的厚度范圍是30至100埃米。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的抗電磁鏡片的制造方法，其特征在于:鍍膜步驟中，分別控制鍍膜的厚度如下:鍍二氧化鋯層的厚度是100埃米，鍍金屬銅層的厚度是100埃米，鍍金屬鉻層的厚度是20埃米，鍍二氧化硅層的厚度是40埃米。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗電磁鏡片的制造方法，其特征在于:抽真空的真空度范圍是 9X10 5至 6X10 5托。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗電磁鏡片的制造方法，其特征在于:鏡片在鍍膜前還進(jìn)行清潔處理。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗電磁鏡片的制造方法，其特征在于:鏡片在鍍膜前還進(jìn)行粗化處理。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗電磁鏡片的制造方法，其特征在于:在鍍膜結(jié)束后，還進(jìn)行防水處理。
【專利摘要】本發(fā)明涉及鏡片鍍膜領(lǐng)域。本發(fā)明提出一種抗電磁鏡片的制造方法，具體是：將鏡片置于真空鍍膜機(jī)內(nèi)，先抽真空后，再進(jìn)行鍍膜，鍍膜步驟是依次分別鍍上二氧化鋯層、金屬銅層、金屬鉻層、二氧化硅層。本發(fā)明的抗電磁鏡片的制造方法可以制造出具有更低電阻率且透光性較佳的抗電磁鏡片。
【IPC分類】G02C7/10, G02B1/10
【公開(kāi)號(hào)】CN105223705
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510718410
【發(fā)明人】楊敏男
【申請(qǐng)人】廈門美瀾光電科技有限公司
【公開(kāi)日】2016年1月6日
【申請(qǐng)日】2015年10月30日