部)?？刂撇?控制例如使基板5曝光的處理、評價曝光裝置100的性能的處理、調(diào)整曝光裝置100的性能的處理等。
[0024]掩模1和基板5隔著投影光學(xué)系統(tǒng)4而配置于光學(xué)上大致共軛的位置。照明光學(xué)系統(tǒng)3以均勻的照度分布在掩模1上形成圓弧形狀或者梯形形狀的曝光區(qū)域。來自掩模1的圖案的光經(jīng)由投影光學(xué)系統(tǒng)4而在保持在基板載置臺6的基板5上成像。此時，相對投影光學(xué)系統(tǒng)4的光軸而驅(qū)動掩模載置臺2以及基板載置臺6這兩方，從而能夠使比由照明光學(xué)系統(tǒng)3形成的曝光區(qū)域?qū)挼膮^(qū)域曝光。
[0025]此處，參照圖2，說明作為評價用掩模10的比較例的結(jié)構(gòu)。在圖2中，為了簡化，僅示出了說明所需要的圖案。圖2所示的評價用掩模10包括:用于評價曝光裝置100的第1性能的圖案(要素)11至19、以及用于評價與曝光裝置100的第1性能不同的第2性能的圖案20。另外，具體而言，第1性能包括線寬(⑶:Critical Dimens1n)以及焦點中的至少一方，第2性能包括投影光學(xué)系統(tǒng)4的失真。
[0026]圖案11至19分別由例如所謂線和間隔(line and space)圖案構(gòu)成。但是，在圖2中，進行簡化而用圓形的開口示出。為了覆蓋曝光裝置100的最大的曝光區(qū)域，圖案11至19配置于包括評價用掩模10的中心以及周邊的整體。另外，圖案20由例如排列了多個十字形狀的開口的圖案構(gòu)成。但是，在圖2中，進行簡化而用矩形的開口示出。在覆蓋投影光學(xué)系統(tǒng)4的有效區(qū)域的程度的大小的區(qū)域內(nèi)，圖案20配置在圖案14、15以及16的周圍。曝光裝置100是掃描型的曝光裝置，所以投影光學(xué)系統(tǒng)4的有效區(qū)域比曝光裝置100的最大的曝光區(qū)域窄。在長度方向(y方向)上錯開地配置有圖案11、12和13、圖案14、15和16、以及圖案17、18和19。曝光裝置100使評價用掩模10在y方向上掃描的同時依次進行曝光。在評價曝光裝置100的性能時，圖案11至19和圖案20作為使來自照明光學(xué)系統(tǒng)3的光透射(通過)的開口部(光透射部)發(fā)揮功能。另外，在比較例中，為了防止在評價曝光裝置100的性能時受到來自用于評價曝光裝置100的性能的圖案以外的區(qū)域的光的影響，將用于評價曝光裝置100的性能的圖案以外的區(qū)域設(shè)為遮光部。
[0027]在圖2所示的評價用掩模10中，在圖案11至19之間，圖案11至19各自的周圍、即包括圖案11至19的各個的部分區(qū)域內(nèi)的開口部和遮光部的比例(開口率)不同。例如，包括圖案(第1圖案)15的部分區(qū)域15a還包括圖案(第3圖案)20，所以開口部的比例高(即開口率高)。另一方面，包括圖案(第2圖案)12的部分區(qū)域12a不包括圖案20，所以開口部的比例低(即開口率低)。
[0028]在評價曝光裝置100的性能時，經(jīng)由評價用掩模10，例如，使涂覆了正抗蝕劑的評價用的基板曝光，并使上述基板顯影。此時，開口率高的部分區(qū)域15a相比于開口率低的部分區(qū)域12a，顯影的區(qū)域更寬，更多的正抗蝕劑溶解到顯影液，所以開口率高的部分區(qū)域的顯影液的顯影力局部地降低。因此，在圖案11至19是殘留圖案(用評價用掩模10中的遮光部評價的圖案)的情況下，與圖案15對應(yīng)的抗蝕劑像的線寬比與圖案12對應(yīng)的抗蝕劑像的線寬粗。另外，在圖案11至19是去掉圖案(用評價用掩模10中的開口部評價的圖案)的情況下，與圖案15對應(yīng)的抗蝕劑像的線寬比與圖案12對應(yīng)的抗蝕劑像的線寬細。另夕卜，在負抗蝕劑的情況下，曝光了的部分在顯影中殘留，所以在使涂覆了負抗蝕劑的評價用的基板曝光并使上述基板顯影時，開口率低的部分區(qū)域的顯影液的顯影力局部地降低。以下，說明正抗蝕劑的情況。
[0029]圖3是示出與圖案12、15以及18的各個對應(yīng)的抗蝕劑像的線寬差(CD差)的一個例子的圖。此處，將圖案12、15以及18設(shè)為殘留圖案，并將圖案12、15以及18的線寬設(shè)為2.0 μm。包括圖案12、15以及18的各個的部分區(qū)域中的開口率在包括圖案12以及18的各個的部分區(qū)域中變低，在包括圖案15的部分區(qū)域中變高。因此，如圖3所示，與圖案12以及18的各個對應(yīng)的抗蝕劑像的線寬比2.0 μπι細，與圖案15對應(yīng)的抗蝕劑像的線寬比2.0μπι粗。這樣，如果由于顯影液的部分的顯影力的降低所致的影響而與用于評價曝光裝置100的性能的各圖案對應(yīng)的抗蝕劑像的線寬發(fā)生變化，則無法正確地評價曝光裝置100的性能。在這樣的情況下，根據(jù)其評價結(jié)果來調(diào)整曝光裝置100的性能，所以無法正確地調(diào)整曝光裝置100的性能。
[0030]因此，在本實施方式中，評價用掩模10如圖4所示，除了圖案11至19和圖案20以外，還包括虛設(shè)圖案(dummy pattern) 21以及22。在圖4中，為了簡化，僅示出了用于評價線寬以及焦點中的至少一方的圖案11至19、用于評價投影光學(xué)系統(tǒng)4的失真的圖案20、虛設(shè)圖案21以及22。但是，本實施方式中的評價用掩模10也可以除了包括用于評價(調(diào)整)曝光裝置100、投影光學(xué)系統(tǒng)4的其他成像性能、用于掃描曝光的驅(qū)動系統(tǒng)的圖案以外，還包括用于評價遠心、閃光(flare)、鳥瞰圖像等的圖案。
[0031]在本實施方式中的評價用掩模10中，以使包括圖案11至19的各個的部分區(qū)域中的每單位面積的開口部和遮光部的比例(開口率)的差分成為±10%以內(nèi)的方式，形成了虛設(shè)圖案21以及22。在本實施方式中，以使包括圖案11至19的各個的部分區(qū)域中的每單位面積的開口率相等的方式，在圖案11至13的周圍以及圖案17至19的周圍的各個中形成了虛設(shè)圖案21以及22。換言之，為了使包括圖案11至19的各個的部分區(qū)域中的每單位面積的開口部的面積一致，形成了虛設(shè)圖案21以及22。另外，虛設(shè)圖案21以及22還可以說是在經(jīng)由評價用掩模10使基板在曝光裝置100中曝光并使上述基板顯影時，為了使與圖案11至19的各個對應(yīng)的抗蝕劑像各自的線寬成為相同而形成的。
[0032]在圖4中，用虛線表示形成了用于評價投影光學(xué)系統(tǒng)4的失真的圖案20的區(qū)域，用雙點劃線表示形成了虛設(shè)圖案21以及22的各個的區(qū)域。如上所述，以使包括圖案11至19的各個的部分區(qū)域中的每單位面積的開口率的差分成為±10%以內(nèi)為目的，形成了虛設(shè)圖案21以及22。因此，在評價投影光學(xué)系統(tǒng)4的失真時，不使用虛設(shè)圖案21以及22。另夕卜，虛設(shè)圖案21以及22各自設(shè)為與用于評價投影光學(xué)系統(tǒng)4的失真的圖案20相同的開口圖案，但不限于此。例如，虛設(shè)圖案21以及22無需是與圖案20相同的開口圖案(即也可以是與圖案20不同的開口圖案)，也可以僅形成于包括圖案11至13以及圖案17至19的各個的部分區(qū)域。
[0033]圖5A至圖5C的各個是示出圖案11、15以及19各自的附近、具體而言包括圖案11、15以及19的各個的部分區(qū)域11a、15a以及19a的放大圖。包括圖案(第1圖案)15的部分區(qū)域(第1部分區(qū)域)15a中的每單位面積的開口率(第1比例)、和包括圖案(第2圖案)11的第2部分區(qū)域(第2部分區(qū)域)11a中的每單位面積的開口率(第2比例)相等。同樣地，包括圖案15的部分區(qū)域15a中的每單位面積的開口率、和包括圖案(第2圖案)19的第2部分區(qū)域(第2部分區(qū)域)19a中的每單位面積的開口率(第2比例)相等。
[0034]在本實施方式中，包括圖案11的部分區(qū)域11a是以圖案11為中心的圓形的區(qū)域，包括圖案15的部分區(qū)