一種對(duì)藍(lán)光具有高反射率的光學(xué)薄膜及其生產(chǎn)工藝的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明屬于光學(xué)薄膜技術(shù)領(lǐng)域，具體設(shè)及一種對(duì)藍(lán)光具有高反射率的光學(xué)薄膜及 其生產(chǎn)工藝。
【背景技術(shù)】
[0002] 短波藍(lán)光是波長(zhǎng)處于400nm-480nm之間具有相對(duì)較高能量的光線。該波長(zhǎng)內(nèi)的藍(lán) 光會(huì)使眼睛內(nèi)的黃斑區(qū)毒素量增高，嚴(yán)重威脅我們的眼底健康。藍(lán)光誘發(fā)致盲眼病。早在 1966年化11等研究發(fā)現(xiàn)藍(lán)光的照射可W引起視網(wǎng)膜細(xì)胞的損傷，導(dǎo)致視力下降甚至喪失。 其中，波長(zhǎng)400-480納米之間的短波藍(lán)光對(duì)視網(wǎng)膜的危害程度最大。在2010年國(guó)際光協(xié)會(huì)年 會(huì)中，世界頂尖光學(xué)專家一致指出：短波藍(lán)光具有極高能量，能夠穿透晶狀體直達(dá)視網(wǎng)膜。 藍(lán)光照射視網(wǎng)膜會(huì)產(chǎn)生自由基，而運(yùn)些自由基會(huì)導(dǎo)致視網(wǎng)膜色素上皮細(xì)胞衰亡，上皮細(xì)胞 的衰亡會(huì)導(dǎo)致光敏感細(xì)胞缺少養(yǎng)分從而引起視力的永久性損傷。
[0003] 如今科技迅速發(fā)展的時(shí)代，隨著電子數(shù)碼產(chǎn)品的普及，人們每天都離不開(kāi)電腦，筆 記本，平板電腦等數(shù)碼產(chǎn)品，在提高工作效率，享受娛樂(lè)生活的同時(shí)，也應(yīng)該注意到運(yùn)些電 子設(shè)備的屏幕發(fā)出的大量高能短波藍(lán)光，正在損傷我們的雙眼。
[0004] 目前市場(chǎng)上出現(xiàn)的防藍(lán)光產(chǎn)品通常采用在過(guò)濾膜片上增加化學(xué)助劑涂層的方式， 來(lái)吸收過(guò)濾部分藍(lán)光，如CN20140681543.4和CN201510257196.7等，但其實(shí)際效果并不能令 人滿意。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 針對(duì)【背景技術(shù)】中存在的問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種通過(guò)磁控瓣射鍛膜形成的對(duì)藍(lán)光 具有高反射率的光學(xué)薄膜及其生產(chǎn)工藝。
[0006] 本發(fā)明采用的技術(shù)方案是： 一種對(duì)藍(lán)光具有高反射率的光學(xué)薄膜，包括透明基板，其特征在于:在所述透明基板上 通過(guò)磁控瓣射鍛膜的方式形成厚度為250nm~750nm的金屬鍛層，所述金屬鍛層為多層的Si 鍛層、Ni化鍛層、MoSi2鍛層和Ti鍛層交替附著于所述透明基板表面。
[0007] 進(jìn)一步地，所述的金屬鍛層由基板表面向上依次為：膜厚為45~55nm的Si鍛層，膜 厚為10~20nm的NiCr鍛層，膜厚為15~25nm的MoSi2鍛層，膜厚為45~55nm的Ti鍛層。
[000引進(jìn)一步地，所述Si鍛層為2~4層;所述Ni化鍛層為^3層;所述MoSi2鍛層為4~10層； 所述Ti鍛層為2~4層。
[0009]本發(fā)明的另一目的在于提供所述光學(xué)薄膜的磁控瓣射生產(chǎn)工藝，包括如下步驟： 1) 取透明基材，將其放入磁控瓣射設(shè)備中；對(duì)磁控瓣射設(shè)備通氣，調(diào)整設(shè)備腔體內(nèi)氣壓 至8.0 xl〇-3Pa; 2) 在磁控瓣射設(shè)備中通入氣氣與氧氣的混合氣體，其中氣氣為工作氣體，氧氣為反應(yīng) 氣體，工作壓強(qiáng)為4.0~5. Oxl〇-ipa，所述氣氣與氧氣的流量比為25:1; 3) 通過(guò)離子累對(duì)基材進(jìn)行放氣處理，并將基材表面打毛W增加鍛膜附著力； 4) 開(kāi)啟磁控瓣射設(shè)備電源，依次進(jìn)行Si祀材第一組鍛膜、NiCr祀材第二組鍛膜、MoSi2 祀材第Ξ組鍛膜和Ti祀材第四組鍛膜； 5) 鍛膜完成后，關(guān)閉磁控瓣射設(shè)備電源，停止通入氣氣與氧氣的混合氣體； 6) 在磁控瓣射設(shè)備中充氣至大氣壓，溫度降低至室溫，最后取出鍛膜基材。
[0010] 進(jìn)一步地，所述步驟4中Si祀材第一組鍛膜鍛層為2~4層，工作參數(shù)為:卷繞張力 0.6N，卷繞轉(zhuǎn)速0.5m/min，布?xì)鈪?shù):MFCl:Ar(100)，MFC3:Ar(200)，MFC4:Ar(100)，MFC5:Ar (300)MFC16：Ar(300)； 進(jìn)一步地，所述步驟4中NiCr祀材第二組鍛膜鍛層為1~3層，工作參數(shù)為：卷繞張力 0.4N，卷繞轉(zhuǎn)速0.1m/min，布?xì)鈪?shù):NFCl:Ar(100)、NFC4:Ar(100)，NFC5:Ar(300)、NFC12: Ar(300)、NFC13:02(10)、NFC14:02(80)、NFC15:02(10)、NFC16:Ar(400); 進(jìn)一步地，所述步驟4中MoSi2祀材第Ξ組鍛膜鍛層為4~10層，工作參數(shù)為:卷繞張力 0.6N，卷繞轉(zhuǎn)速0.5m/min，布?xì)鈪?shù):NFCl:Ar(100)、NFC4:Ar(100)，NFC5:Ar(300)、NFC12: Ar(300)、NFC13:02(10)、NFC14:02(80)、NFC15:02(10)、NFC16:Ar(400); 進(jìn)一步地，所述步驟4中Ti祀材第四組鍛膜鍛層為2~4層，工作參數(shù)為:卷繞張力1N，卷 繞轉(zhuǎn)速O.lm/min，布?xì)鈪?shù):MFCl:Ar(300)，MFC4:Ar(300)，MFC5:Ar(400)，MFC6:02(10), MFC7:02(60),MFCS :02(10)，MFC16:Ar(300)。
[0011] 本發(fā)明的光學(xué)薄膜選擇51、化0、1〇512、1'1四種祀材，采用磁控瓣射鍛膜的方式形 成特殊構(gòu)造的復(fù)合金屬鍛層，對(duì)波長(zhǎng)為420~480nm的藍(lán)光具有高反射率，平均反射率達(dá)到 83%W上;而對(duì)其它波長(zhǎng)的可見(jiàn)光具有高透過(guò)率，透射比達(dá)到82%W上。
【附圖說(shuō)明】
[0012] 圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2為本發(fā)明的反射率測(cè)試結(jié)果曲線圖； 圖3為本發(fā)明的透射比測(cè)試結(jié)果曲線圖。
【具體實(shí)施方式】
[0013] 下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步描述： 如圖1所示的一種對(duì)藍(lán)光具有高反射率的光學(xué)薄膜，包括透明基板1，其特征在于:在所 述透明基板1上通過(guò)磁控瓣射鍛膜的方式形成厚度為250nm~750nm的金屬鍛層，所述金屬鍛 層為多層的Si鍛層、NiCr鍛層、MoSi2鍛層和Ti鍛層交替附著于所述透明基板表面。所述的 金屬鍛層由基板表面向上依次為:膜厚為45~55nm的Si鍛層，膜厚為10~20nm的Ni化鍛層，膜 厚為15~25皿的MoSi2鍛層，膜厚為45~55皿的Ti鍛層。所述Si鍛層為2~4層;所述Μ化鍛層為 1~3層;所述MoSi2鍛層為4~10層;所述Ti鍛層為2~4層。
[0014] 所述光學(xué)薄膜的磁控瓣射生產(chǎn)工藝，包括如下步驟： 1) 取透明基材，將其放入磁控瓣射設(shè)備中；對(duì)磁控瓣射設(shè)備通氣，調(diào)整設(shè)備腔體內(nèi)氣壓 至8.0 xl〇-3Pa; 2) 在磁控瓣射設(shè)備中通入氣氣與氧氣的混合氣體，其中氣氣為工作氣體，氧氣為反應(yīng) 氣體，工作壓強(qiáng)為4.0~5. Oxl〇-ipa，所述氣氣與氧氣的流量比為25:1; 3) 通過(guò)離子累對(duì)基材進(jìn)行放氣處理，并將基材表面打毛W增加鍛膜附著力； 4)開(kāi)啟磁控瓣射設(shè)備電源，依次進(jìn)行依次進(jìn)行Si祀材第一組鍛膜、NiCr祀材第二組鍛 膜、MoSi2祀材第Ξ組鍛膜和Ti祀材第四組鍛膜； 所述步驟4中Si祀材第一組鍛膜鍛層為2~4層，工作參數(shù)為:卷繞張力0.6N，卷繞轉(zhuǎn)速 0.5m/min，布?xì)鈪?shù):MFCl:Ar(100)，MFC3:Ar(200)，MFC4:Aパ100)，MFC5:Ar(300)MFC16:Ar (300)； 所述步驟4中Ni化祀材第二組鍛膜鍛層為^3層，工作參數(shù)為:卷繞張力0.4N，卷繞轉(zhuǎn)速 O.lm/min，布?xì)鈪?shù):NFCl:Ar(100)、NFC4:Ar(100)，NFC5:Ar(300)、NFC12:Ar(300)、NFC13: 02(10)、NFC14:02(80)、NFC15:02(10)、NFC16:Ar(400); 所述步驟4中MoSi2祀材第Ξ組鍛膜鍛層為4~10層，工作參數(shù)為:卷繞張力0.6N，卷繞轉(zhuǎn) 速 0.5m/min，布?xì)鈪?shù)：NFCl:Ar(100)、NFC4:Ar(100)，NFC5:Ar(300)、NFC12:Ar(300)、 NFC13:02(10)、NFC14:02(80)、NFC15:02(10)、NFC16:Ar(400); 所述步驟4中Ti祀材第四組鍛膜鍛層為2~4層，工作參數(shù)為：卷繞張力IN,卷繞轉(zhuǎn)速 0.1 m/min，布?xì)鈪?shù):MFCl:Ar(300)，MFC4:Ar(300)，MFC5:Ar(400)，MFC6:02(10)，MFC7:02 (60)，MFC8:02(10)，MFC16:Ar(300)。
[0015] 5)鍛膜完成后，關(guān)閉磁控瓣射設(shè)備電源，停止通入氣氣與氧氣的混合氣體； 6)在磁控瓣射設(shè)備中充氣至大氣壓，溫度降低至室溫，最后取出鍛膜基材。
[0016] 按上述工藝完成鍛膜后，取光學(xué)薄膜樣片進(jìn)行檢測(cè)，測(cè)試結(jié)果如下： 檢測(cè)依據(jù):JJG1034-2008《光譜光度計(jì)標(biāo)準(zhǔn)濾光鏡》 檢測(cè)地點(diǎn):深圳市計(jì)量質(zhì)量檢測(cè)研究院光學(xué)108室 環(huán)境條件:溫度24°C，相對(duì)濕度69% 表1反射率測(cè)試結(jié)果
表2透射比測(cè)試結(jié)果
由測(cè)試結(jié)果可知，本發(fā)明的光學(xué)薄膜對(duì)波長(zhǎng)為420~480nm的藍(lán)光具有高反射率，反射率 達(dá)73.32%~88.27%，平均反射率達(dá)到83%W上;而對(duì)其它波長(zhǎng)的可見(jiàn)光具有高透過(guò)率，平均透 射比達(dá)到82.92〇/〇。
[0017] W上例舉僅僅是對(duì)本發(fā)明的舉例說(shuō)明，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的保護(hù)范圍的限制，凡 是與本發(fā)明相同或相似的設(shè)計(jì)均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種對(duì)藍(lán)光具有高反射率的光學(xué)薄膜，包括透明基板，其特征在于:在所述透明基板 上通過(guò)磁控派射鍍膜的方式形成厚度為250nm~750nm的金屬鍍層，所述金屬鍍層為多層的 Si鍍層、NiCr鍍層、M〇Si2鍍層和Ti鍍層交替附著于所述透明基板表面。2. 如權(quán)利要求1所述的對(duì)藍(lán)光具有高反射率的光學(xué)薄膜，其特征在于，所述的金屬鍍層 由基板表面向上依次為:膜厚為45~55nm的Si鍍層，膜厚為10~20nm的NiCr鍍層，膜厚為15~ 25nm的MoSi2鍍層，膜厚為45~55nm的Ti鍍層。3. 如權(quán)利要求2所述的對(duì)藍(lán)光具有高反射率的光學(xué)薄膜，其特征在于:所述Si鍍層為2~ 4層;所述NiCr鍍層為1~3層;所述MoSi2鍍層為4~10層;所述Ti鍍層為2~4層。4. 一種光學(xué)薄膜的磁控濺射生產(chǎn)工藝，包括如下步驟： 1) 取透明基材，將其放入磁控濺射設(shè)備中；對(duì)磁控濺射設(shè)備通氣，調(diào)整設(shè)備腔體內(nèi)氣壓 至8.0xlO-3Pa; 2) 在磁控濺射設(shè)備中通入氬氣與氧氣的混合氣體，其中氬氣為工作氣體，氧氣為反應(yīng) 氣體，工作壓強(qiáng)為4.0~5.OxH^Pa，所述氬氣與氧氣的流量比為25:1; 3) 通過(guò)離子栗對(duì)基材進(jìn)行放氣處理，并將基材表面打毛以增加鍍膜附著力； 4) 開(kāi)啟磁控濺射設(shè)備電源，依次進(jìn)行Si靶材第一組鍍膜、NiCr靶材第二組鍍膜、M〇Si2 靶材第三組鍍膜和Ti靶材第四組鍍膜； 5) 鍍膜完成后，關(guān)閉磁控濺射設(shè)備電源，停止通入氬氣與氧氣的混合氣體； 6) 在磁控濺射設(shè)備中充氣至大氣壓，溫度降低至室溫，最后取出鍍膜基材。5. 如權(quán)利要求4所述的生產(chǎn)工藝，其特征在于:所述步驟4中Si靶材第一組鍍膜鍍層為2 ~4層，工作參數(shù)為:卷繞張力0·6N，卷繞轉(zhuǎn)速0·5m/min，布?xì)鈪?shù):MFC1:Ar( 100)，MFC3 :Ar (200),MFC4：Ar(100),MFC5：Ar(300)MFC16：Ar(300)； 所述NiCr靶材第二組鍍膜鍍層為1~3層，工作參數(shù)為：卷繞張力0.4N，卷繞轉(zhuǎn)速0 .lm/11^11，布?xì)鈪?shù)：嚦(：1^1(100)、冊(cè)〇4:厶1(100)，嚦〇5 :厶1(300)、嚦(：12:厶1(300)、嚦(：13:02 (10)、NFC14:02(80)、NFC15:02(10)、NFC16:Ar(400); 所述MoSi2靶材第三組鍍膜鍍層為4~10層，工作參數(shù)為:卷繞張力0.6N，卷繞轉(zhuǎn)速0.5m/ (10)、NFC14:02(80)、NFC15:02(10)、NFC16:Ar(400); 所述Ti靶材第四組鍍膜鍍層為2~4層，工作參數(shù)為:卷繞張力IN，卷繞轉(zhuǎn)速0.lm/min，布 氣參數(shù)：MFCl:Ar(300)，MFC4:Ar(300)，MFC5:Ar(400)，MFC6:02(10)，MFC7:02(60)，MFC8:02 (10)，MFC16:Ar(300)。
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種對(duì)藍(lán)光具有高反射率的光學(xué)薄膜及其生產(chǎn)工藝。所述光學(xué)薄膜包括透明基板，在透明基板上通過(guò)磁控濺射鍍膜的方式形成厚度為250nm~750nm的金屬鍍層，所述金屬鍍層由多層的Si鍍層、NiCr鍍層、MoSi2鍍層和Ti鍍層交替附著于所述透明基板表面。本發(fā)明采用磁控濺射鍍膜的方式形成特殊構(gòu)造的復(fù)合金屬鍍層，對(duì)波長(zhǎng)為420~480nm的藍(lán)光具有高反射率，平均反射率達(dá)到83%以上；而對(duì)其它波長(zhǎng)的可見(jiàn)光具有高透過(guò)率，透射比達(dá)到82%以上。
【IPC分類】G02B1/10, G02B5/08
【公開(kāi)號(hào)】CN105487142
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510990118
【發(fā)明人】任永安, 韓毅, 魏東
【申請(qǐng)人】渭南像王光電顯示技術(shù)開(kāi)發(fā)有限公司
【公開(kāi)日】2016年4月13日
【申請(qǐng)日】2015年12月28日