一種間歇懸浮式厚膠顯影方法
【技術(shù)領域】
[0001]本發(fā)明涉及電子工業(yè)專用設備與方法技術(shù)領域，具體涉及一種顯影方法。
【背景技術(shù)】
[0002]顯影分為正膠顯影和負膠顯影。正膠顯影是將感光部分的光刻膠溶出，留下未感光部分的膠層；負膠顯影是將未感光部分的光刻膠溶除，留下感光部分的膠膜。顯影的質(zhì)量非常重要。如果顯影不足，就會使圖形邊緣的陡直度變差，影響光刻質(zhì)量；另一方面，如果產(chǎn)生過顯影，則光刻膠膜發(fā)生軟化、膨脹，顯影液從襯底表面滲透，發(fā)生鉆溶，使圖形邊緣變壞，甚至引起浮膠現(xiàn)象。對于膠層較薄的晶片，可以采用傳統(tǒng)手工的方式和全自動顯影設備進行顯影。對于膠層較厚的晶片，顯影時問較長。如果采用傳統(tǒng)手工方式，顯影效果往往受到操作者經(jīng)驗的制約，同時，很難批量化生產(chǎn)。如果采用薄膠自動顯影設備進行顯影，因為顯影時間較長，顯影液噴灑到晶片上進行顯影后，經(jīng)過漂洗等方法，很難再進行回收，這樣勢必消耗大量的顯影液，造成浪費。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為了解決上述問題，本發(fā)明旨在提出一種能夠節(jié)約材料的間歇懸浮式厚膠顯影方法。
[0004]本發(fā)明的技術(shù)方案在于:
一種間歇懸浮式厚膠顯影方法，包括以下步驟:
步驟1:機械手從送片盒取來曝光后的晶片，經(jīng)校準機構(gòu)校準后，置于顯影腔體中；步驟2:安裝有顯影液噴頭的擺臂擺動至顯影晶片上方，打開顯影液噴頭，噴灑少量顯影液后關閉顯影液噴頭，晶片進行顯影；
步驟3:10min后，再次打開顯影液噴頭，噴灑新的顯影液，繼續(xù)進行顯影；根據(jù)膠層的厚度，上述工藝步驟可重復若干次，效果更好；
步驟4:顯影結(jié)束后，安裝有漂洗液和去離子水噴頭的擺臂擺動至顯影后的晶片上方，對晶片進行清洗；
步驟5:清洗結(jié)束后，承片臺電機高速旋轉(zhuǎn)，將晶片甩干；
步驟6:機械手將顯影完的晶片從顯影腔體中取出，置于熱板中進行堅膜；
步驟7:最后，機械手從熱板中取出，置于收片盒中；單個晶片的顯影方法結(jié)束；
步驟8:機械手繼續(xù)從送片盒取片，進行下一片的顯影，直至整盒晶片顯影完畢。
[0005]優(yōu)選地，所述的顯影技術(shù)采用雙顯影腔，多層熱板的結(jié)構(gòu)。
[0006]本發(fā)明的技術(shù)效果在于:
本文介紹了一種間歇懸浮式厚膠顯影方法，采用本顯影方法，對采用SU.8光刻膠進行涂膠，膠層厚度大于30um的晶片進行顯影。顯影后的晶片在顯微鏡下觀察，圖形邊緣整齊，沒有皺膠和膠發(fā)黑，沒有浮膠，硅片表面無劃傷。顯影后的晶片進行電鍍方法，經(jīng)過對電鍍凸點的分析，本顯影方法可獲得很好的顯影效果。
【具體實施方式】
[0007]一種間歇懸浮式厚膠顯影方法，包括以下步驟:
步驟1:機械手從送片盒取來曝光后的晶片，經(jīng)校準機構(gòu)校準后，置于顯影腔體中；步驟2:安裝有顯影液噴頭的擺臂擺動至顯影晶片上方，打開顯影液噴頭，噴灑少量顯影液后關閉顯影液噴頭，晶片進行顯影；
步驟3:10min后，再次打開顯影液噴頭，噴灑新的顯影液，繼續(xù)進行顯影；根據(jù)膠層的厚度，上述工藝步驟可重復若干次，效果更好；
步驟4:顯影結(jié)束后，安裝有漂洗液和去離子水噴頭的擺臂擺動至顯影后的晶片上方，對晶片進行清洗；
步驟5:清洗結(jié)束后，承片臺電機高速旋轉(zhuǎn)，將晶片甩干；
步驟6:機械手將顯影完的晶片從顯影腔體中取出，置于熱板中進行堅膜；
步驟7:最后，機械手從熱板中取出，置于收片盒中；單個晶片的顯影方法結(jié)束；
步驟8:機械手繼續(xù)從送片盒取片，進行下一片的顯影，直至整盒晶片顯影完畢。
[0008]其中，顯影技術(shù)采用雙顯影腔，多層熱板的結(jié)構(gòu)。
[0009]利于上述方法對其進行顯影。顯影后的晶片在顯微鏡下觀察，顯影徹底，圖形邊緣整齊，一致性好；同時，沒有發(fā)現(xiàn)皺膠和浮膠的現(xiàn)象，說明沒有過顯影。通過對電鍍凸點的觀察，發(fā)現(xiàn)顯影后圖形邊緣的陡直度很好，顯影質(zhì)量較高。
【主權(quán)項】
1.一種間歇懸浮式厚膠顯影方法，其特征在于:包括以下步驟: 步驟1:機械手從送片盒取來曝光后的晶片，經(jīng)校準機構(gòu)校準后，置于顯影腔體中；步驟2:安裝有顯影液噴頭的擺臂擺動至顯影晶片上方，打開顯影液噴頭，噴灑少量顯影液后關閉顯影液噴頭，晶片進行顯影； 步驟3:10min后，再次打開顯影液噴頭，噴灑新的顯影液，繼續(xù)進行顯影；根據(jù)膠層的厚度，上述工藝步驟可重復若干次，效果更好； 步驟4:顯影結(jié)束后，安裝有漂洗液和去離子水噴頭的擺臂擺動至顯影后的晶片上方，對晶片進行清洗； 步驟5:清洗結(jié)束后，承片臺電機高速旋轉(zhuǎn)，將晶片甩干； 步驟6:機械手將顯影完的晶片從顯影腔體中取出，置于熱板中進行堅膜； 步驟7:最后，機械手從熱板中取出，置于收片盒中；單個晶片的顯影方法結(jié)束； 步驟8:機械手繼續(xù)從送片盒取片，進行下一片的顯影，直至整盒晶片顯影完畢。2.如權(quán)利要求1一種間歇懸浮式厚膠顯影方法，其特征在于:所述的顯影技術(shù)采用雙顯影腔，多層熱板的結(jié)構(gòu)。
【專利摘要】本發(fā)明涉及電子工業(yè)專用設備與方法技術(shù)領域，具體涉及一種顯影方法。一種間歇懸浮式厚膠顯影方法，包括以下步驟：1.將晶片置于顯影腔體中；2.對晶片進行顯影；3.重復顯影；4.清洗；5.甩干；6.堅膜；7.將晶片置于收片盒中；8.重復操作。本發(fā)明介紹了一種間歇懸浮式厚膠顯影方法，采用本顯影方法，對采用SU.8光刻膠進行涂膠，膠層厚度大于30μm的晶片進行顯影。顯影后的晶片在顯微鏡下觀察，圖形邊緣整齊，沒有皺膠和膠發(fā)黑，沒有浮膠，硅片表面無劃傷。顯影后的晶片進行電鍍方法，經(jīng)過對電鍍凸點的分析，本顯影方法可獲得很好的顯影效果。
【IPC分類】G03F7/30
【公開號】CN105549344
【申請?zhí)枴緾N201410600576
【發(fā)明人】王耀斌
【申請人】陜西盛邁石油有限公司
【公開日】2016年5月4日
【申請日】2014年10月31日