光阻殘留物的LED金屬墊（Pad)晶圓分別浸入清洗液中，在50°C至90°C下利用恒溫振蕩器 以約60轉(zhuǎn)/分的振動頻率振蕩10~30分鐘，然后經(jīng)漂洗后用高純氮?dú)獯蹈?。光阻殘留?的清洗效果和清洗液對晶片的腐蝕情況如表3所示。
[0023] 表2部分實施例和對比例的晶圓清洗情況
[0026] 從表2可以看出，本發(fā)明的清洗液對含有光阻殘留物L(fēng)ED金屬墊（Pad)晶圓具有 良好的清洗效果，使用溫度范圍廣。
[0027] 從對比例1-1與實施例1可以看出，實施例1中，腐蝕抑制劑選用C4_C 6的多元醇 及氮唑衍生物的組合，其含量與對比例1-1中腐蝕抑制劑的含量相同（對比例1-1僅含有 氮唑衍生物，未加入c4-c6多元醇），但對比例1-1對金屬鋁和銅的腐蝕抑制沒有實施例1 好，故對比例1-1與實施例1驗證了 c4-c6的多元醇的加入有利于金屬鋁和銅腐蝕的抑制。 相似地，對比例1-2中氮唑衍生物未加入，把未加入的量全部補(bǔ)加到c 4-c6的多元醇上，其它 組分一樣且操作條件相同的條件下，驗證了氮唑衍生物的加入有利于金屬鋁和銅腐蝕的抑 制，雖然對比例1-1和1-2對光刻膠的清洗沒有看出與實施例1有明顯差別，但對比例1-1 和1-2對金屬鋁和銅的腐蝕抑制均沒有實施例1好。由上述對比例1-1，1-2及實施例1的 效果實施例可知，C 4-C6的多元醇和氮唑衍生物兩者之間存在復(fù)配的效果，兩者相配合可以 更好地抑制金屬銅和鋁的腐蝕。
[0028] 對比例1-3和實施例1的對比，驗證了氮唑衍生物和C4_C6的多元醇都不加的情況 下，對金屬的腐蝕更嚴(yán)重。對比例1-4和實施例1的對比，驗證了 C4-C6的多元醇的加入量 超過一定范圍，雖然對金屬腐蝕有很好的抑制，但對光刻膠的清洗影響很大，有大量光刻膠 殘留。對比例16-1、16-2、16-3、16-4與實施例16可以看出：同對比例1-1、1-2、1-3、1-4與 實施例1體現(xiàn)出了相同的規(guī)律。
[0029] 綜上，本發(fā)明的積極進(jìn)步效果在于：本發(fā)明的清洗液在同樣條件下，在一定的濃 度范圍內(nèi)，通過C 4_C6的多元醇和氮唑衍生物的二元復(fù)配，能夠更為有效地去除光刻膠殘留 物；同時對于基材如金屬鋁和銅等基本無腐蝕，特別是金屬鋁。并伴隨著很好的耐水性。在 半導(dǎo)體晶片清洗等領(lǐng)域具有良好的應(yīng)用前景。
[0030] 應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明所述wt %均指的是質(zhì)量百分含量。
[0031] 以上對本發(fā)明的具體實施例進(jìn)行了詳細(xì)描述，但其只是作為范例，本發(fā)明并不限 制于以上描述的具體實施例。對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，任何對本發(fā)明進(jìn)行的等同修改和 替代也都在本發(fā)明的范疇之中。因此，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍下所作的均等變換和 修改，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項】
1. 一種光刻膠清洗液，含有醇胺，溶劑和腐蝕抑制劑，其特征在于，所述腐蝕抑制劑至 少包括如下組分： c4-c6的多元醇 氮唑衍生物。2. 如權(quán)利要求1所述的清洗液，其中，所述醇胺選自單乙醇胺、N-甲基乙醇胺、二乙醇 胺、三乙醇胺、異丙醇胺、乙基二乙醇胺、N，N-二乙基乙醇胺、N-(2-氨基乙基）乙醇胺和二 甘醇胺。優(yōu)選單乙醇胺、三乙醇胺及其混合物中的一種或多種。3. 如權(quán)利要求1所述的清洗液，其中，所述醇胺的含量為質(zhì)量百分比5-50%。4. 如權(quán)利要求1所述的清洗液，其中，所述醇胺的含量為質(zhì)量百分比10-45%。5. 如權(quán)利要求1所述的清洗液，其中，所述溶劑選自亞砜、砜、咪唑烷酮、吡咯烷酮、咪 唑啉酮、酰胺和醇醚中的一種或多種。6. 如權(quán)利要求5所述的清洗液，其中，所述的亞砜選自二甲基亞砜和甲乙基亞砜中的 一種或多種；所述的砜選自甲基砜、環(huán)丁砜中的一種或多種；所述的咪唑烷酮選自2-咪唑 烷酮和1，3-二甲基-2-咪唑烷酮中的一種或多種；所述的吡咯烷酮選自N-甲基吡咯烷酮 和N-環(huán)己基吡咯烷酮中的一種或多種；所述的咪唑啉酮選自1，3-二甲基-2-咪唑啉酮；所 述的酰胺選自二甲基甲酰胺和二甲基乙酰胺中的一種或多種；所述的醇醚選自二乙二醇單 丁醚和二丙二醇單甲醚中的一種或多種。7. 如權(quán)利要求1所述的清洗液，其中，所述溶劑的含量為質(zhì)量百分比40-90%。8. 如權(quán)利要求1所述的清洗液，其中，所述溶劑的含量為質(zhì)量百分比50-85%。9. 如權(quán)利要求1所述的清洗液，其中，所述C4-C6的多元醇選自蘇阿糖、阿拉伯糖、木糖、 核糖、核酮糖、木酮糖、葡萄糖、甘露糖、半乳糖、塔格糖、阿洛糖、阿卓糖、艾杜糖、塔羅糖、山 梨糖、阿洛酮糖、果糖、蘇糖醇、赤蘚醇、核糖醇、阿拉伯糖醇、木糖醇、塔羅糖醇、山梨醇、甘 露醇、艾杜糖醇和半乳糖醇中的一種或多種。10. 如權(quán)利要求1所述的清洗液，其中，所述c4-c6的多元醇的含量為質(zhì)量百分比0. 1~ 10%〇11. 如權(quán)利要求1所述的清洗液，其中，所述c4-c6的多元醇的含量為質(zhì)量百分比0. 5~ 5%。12. 如權(quán)利要求1所述的清洗液，其中，所述氮唑衍生物選自3-氨基-1，2, 4-三氮唑， 4_氨基-1，2, 4-三氮唑，5-氨基-1，2, 4-三氮唑，苯并三氮唑，1，2, 4-三氮唑，甲基苯并三 氮唑，5-羧基-苯并三氮唑，3-氨基-5巰基-1，2, 4-三氮唑，3-氨基-5羧基-1，2, 4-三氮 唑。1-羥基-苯并三氮唑中的一種或多種。13. 如權(quán)利要求1所述的清洗液，其中，所述氮唑衍生物的含量為質(zhì)量百分比0. 01~ 5%。14. 如權(quán)利要求1所述的清洗液，其中，所述氮唑衍生物的含量為質(zhì)量百分比 0.01-3%。15. -種如權(quán)利要求1-14任一項所述的清洗液在去除光阻殘留物的應(yīng)用。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種去除光阻殘留物的清洗液含有(a)醇胺；(b)溶劑；(c)C4-C6的多元醇；(d)氮唑衍生物。該清洗液能夠更為有效地去除晶圓上的光阻殘留物，該去除光阻殘留物的清洗液不含有水、羥胺和氟化物。對金屬銅、鋁等極低腐蝕；有非常好的耐水性，在半導(dǎo)體晶片清洗等領(lǐng)域具有良好的應(yīng)用前景。
【IPC分類】G03F7/42
【公開號】CN105573069
【申請?zhí)枴緾N201410549189
【發(fā)明人】孫廣勝, 劉兵, 鄭玢, 黃達(dá)輝
【申請人】安集微電子科技(上海)有限公司
【公開日】2016年5月11日
【申請日】2014年10月16日