合。例如，構(gòu)成部分被石墨烯 包圍的鎢柵格(例如，如圖10所示)可以設(shè)置有鉬的外層，以提供對(duì)帶外輻射的增強(qiáng)的反射。
[0120] 應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，帶外輻射抑制結(jié)構(gòu)可以包括能夠吸收和/或反射帶外輻射、同時(shí)允許 透射帶內(nèi)輻射的任何材料?？梢允褂玫牟牧系氖纠ㄦu(W)、硅(Si)或鋯(Zr)。
[0121] 在構(gòu)造多層反射鏡，例如構(gòu)造在EUV光刻設(shè)備中使用的多層反射鏡時(shí)，可以使用石 墨烯。多層反射鏡由多個(gè)交替的金屬層(例如鉬或鎢)和間隔層(諸如硅)形成，這些層被形 成在提供結(jié)構(gòu)支撐的襯底上。成對(duì)的層厚度可以等于將要反射的輻射波長(zhǎng)(例如，13.5nm的 EUV輻射)的一半。從每對(duì)層散射的輻射的相長(zhǎng)干涉引起多層反射鏡反射該輻射。
[0122] 期望，在多層反射鏡中，在相鄰層之間（例如，在鉬層和硅層之間）提供良好地限定 的邊界。隨著時(shí)間流逝，在相鄰層之間發(fā)生擴(kuò)散，使得相鄰層之間的邊界變得限定不足。這 種擴(kuò)散可能部分由于在光刻設(shè)備操作期間反射鏡被加熱。石墨烯可以用作定位在相鄰層之 間的防擴(kuò)散層，石墨烯用以在相鄰層之間保持良好地限定的邊界。
[0123] 石墨烯適于用作防擴(kuò)散層，因?yàn)槠涫遣荒芡高^(guò)的并且可以設(shè)置在薄層內(nèi)（例如，小 于lnm厚度），使得其吸收極少量的EUV輻射。因?yàn)槭┠軌虻挚垢邷?例如達(dá)到大約1500 °C )，因此其可以允許多層反射鏡比常規(guī)的多層反射鏡抵抗更高的溫度。常規(guī)的多層反射鏡 可以例如在大約l〇〇°C的溫度條件下被損壞。如果EUV光刻設(shè)備中的光譜純度濾光片失效， 則入射到光刻設(shè)備的多層反射鏡的紅外輻射可以迅速地將多層反射鏡加熱到超過(guò)l〇〇°C， 這引起多層反射鏡損壞，使得它們必須被更換。通過(guò)使用石墨烯提高多層反射鏡能夠耐受 的最高溫度，由于過(guò)熱導(dǎo)致多層反射鏡損壞的可能性降低。
[0124]使用石墨烯以允許多層反射鏡比常規(guī)多層反射鏡耐受更高的溫度，可以允許多層 反射鏡用在常規(guī)反射鏡所不能使用的位置。例如，多層反射鏡可以用在光譜純度濾光片的 前面。例如，多層反射鏡(或多個(gè)反射鏡)可以用作EUV輻射源S0中的收集器。
[0125]圖15中示意地示出多層反射鏡的一個(gè)實(shí)施例。多層反射鏡包括襯底92,在襯底92 上提供鉬94和硅96(或其他合適的材料）的交替層。石墨烯98的層設(shè)置在鉬94和硅96的每一 層之間。石墨烯的層厚度可以例如小于lnm，或可以具有某些其他的厚度。
[0126] 可以例如通過(guò)在襯底上生長(zhǎng)鉬或硅層(例如使用化學(xué)氣相沉積）、手動(dòng)地將石墨烯 片應(yīng)用到所述層上、生長(zhǎng)下一層等手段來(lái)構(gòu)造多層反射鏡。
[0127] 慣常的方式，在多層反射鏡的最外層上提供釕層，以便防止多層反射鏡的外層氧 化。釕層在暴露至大氣或周?chē)鷼怏w環(huán)境時(shí)將自然氧化，并且在EUV光刻設(shè)備操作期間也將氧 化。這種氧化可能會(huì)將反射鏡的反射率降低大約1 %，這可能足以引起光刻設(shè)備內(nèi)的EUV輻 射強(qiáng)度的顯著的損失(對(duì)于設(shè)備中每個(gè)反射鏡，這種損失是積累的）。通過(guò)使用氫離子清潔 可以從反射鏡去除氧化物。然而，在清潔期間不能被去除的殘余物可能留在反射鏡上。殘余 物將隨時(shí)間而積累在反射鏡上，由此縮短反射鏡的壽命。
[0128] 在一個(gè)實(shí)施例中，石墨烯的層可以設(shè)置為多層反射鏡的最外層，代替釕層(或其他 蓋層）。石墨烯將阻止多層反射鏡的最外層的氧化，因?yàn)槠洳荒芡高^(guò)氧。
[0129] 在多層反射鏡中使用石墨烯(或在最外層頂部上的兩層之間使用石墨烯)是有利 的，因?yàn)槭┛梢砸跃鶆虻暮穸仍O(shè)置(例如，作為單層），并且可以因此可以不扭曲由反射 鏡反射的輻射。相同的優(yōu)點(diǎn)可以適用于設(shè)置在光譜純度濾光片的兩側(cè)或任一側(cè)上的石墨烯 層(見(jiàn)圖9)。
[0130] 石墨烯提供優(yōu)點(diǎn)，其可以設(shè)置作為非常薄的層(例如，0.34nm單層），在這情況下， 對(duì)EUV輻射是高度透明的（例如，厚度為0.34nm時(shí)大約99.8%透明）。此外，石墨烯在被加熱 至EUV光刻設(shè)備中可能出現(xiàn)的溫度時(shí)是穩(wěn)定的。另一優(yōu)點(diǎn)在于，石墨烯是可廣泛應(yīng)用的并且 可以在相對(duì)大的表面區(qū)域上應(yīng)用。
[0131] 石墨烯的另一優(yōu)點(diǎn)在于，其對(duì)氫離子具有化學(xué)耐受性，因而允許在不損壞石墨烯 的情況在EUV光刻設(shè)備內(nèi)執(zhí)行清潔。與釕相比，石墨烯還具有鋅和錫不附著于其上的優(yōu)點(diǎn)。 當(dāng)使用氫離子進(jìn)行清潔時(shí)，錫和鋅可能會(huì)傾向于附著至反射鏡的釕外層(錫和鋅來(lái)自光刻 設(shè)備的其他部件）。這可以形成可能不容易去除的殘余物。這可能會(huì)限制反射鏡的壽命，因 為其反射能力可能隨著時(shí)間而下降。然而，錫和鋅不容易粘附至石墨烯。因此可以避免反射 鏡上的殘余物的積聚，反射鏡的壽命可以延長(zhǎng)。
[0132] 雖然上面提到的是石墨烯，但是在EUV光刻設(shè)備的反射鏡、光譜純度濾光片等中可 以使用石墨烯的衍生物。石墨烯的衍生物包括例如石墨烯、石墨烯氟化物、石墨烯溴化物、 石墨烯氯化物以及石墨烯碘化物。石墨烯和石墨烯衍生物共同之處在于，它們都是隔膜，它 們具有碳SP2鍵合基。石墨烯衍生物的機(jī)械性質(zhì)可以與石墨烯的機(jī)械性質(zhì)相同或類(lèi)似，但是 化學(xué)性質(zhì)可以不同。石墨烯氟化物可以提供優(yōu)點(diǎn)，其具有在被EUV輻射照射時(shí)不如石墨烯鍵 那樣容易斷裂的鍵?；诖?，石墨烯氟化物可以代替石墨烯用于本發(fā)明的實(shí)施例。
[0133] 石墨烯可以包括單個(gè)SP2鍵合的碳層，或可以包括堆疊在一起的多個(gè)SP2鍵合的碳 層，或堆疊在一起的多個(gè)主要地SP2鍵合的碳層。
[0134] 雖然在本文中詳述了光刻設(shè)備用在制造1C(集成電路）中，但是應(yīng)該理解到，這里 所述的光刻設(shè)備可以有其他應(yīng)用，例如制造集成光學(xué)系統(tǒng)、磁疇存儲(chǔ)器的引導(dǎo)和檢測(cè)圖案、 平板顯示器、液晶顯示器(LCDs)、薄膜磁頭等。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，在這種替代應(yīng) 用的情況中，可以將這里使用的任何術(shù)語(yǔ)"晶片"或"管芯"分別認(rèn)為是與更上位的術(shù)語(yǔ)"襯 底"或"目標(biāo)部分"同義。這里所指的襯底可以在曝光之前或之后進(jìn)行處理，例如在軌道(一 種典型地將抗蝕劑層涂到襯底上，并且對(duì)已曝光的抗蝕劑進(jìn)行顯影的工具）、量測(cè)工具和/ 或檢驗(yàn)工具中。在可應(yīng)用的情況下，可以將所述公開(kāi)內(nèi)容應(yīng)用于這種和其他襯底處理工具 中。另外，所述襯底可以處理一次以上，例如為產(chǎn)生多層1C，使得這里使用的所述術(shù)語(yǔ)"襯 底"也可以表示已經(jīng)包含多個(gè)已處理層的襯底。
[0135] 雖然上面詳述了本發(fā)明的實(shí)施例在光學(xué)光刻術(shù)中的應(yīng)用，應(yīng)該注意到，本發(fā)明可 以有其它的應(yīng)用，例如壓印光刻術(shù)，并且只要情況允許，不局限于光學(xué)光刻術(shù)。在壓印光刻 術(shù)中，圖案形成裝置中的拓?fù)湎薅ㄔ谝r底上形成的圖案。圖案形成裝置的拓?fù)淇梢员挥∷?到提供至襯底的抗蝕劑的層中，在其上通過(guò)應(yīng)用電磁輻射、熱、壓力或其組合來(lái)固化抗蝕 劑。在抗蝕劑固化之后從抗蝕劑移開(kāi)圖案形成裝置，在抗蝕劑中留下圖案。
[0136] 在允許的情況下，術(shù)語(yǔ)"透鏡"可以指不同類(lèi)型的光學(xué)部件中的任一個(gè)或其組合， 包括折射型、反射型、磁性的、電磁的以及靜電型光學(xué)部件。
[0137] 盡管以上已經(jīng)描述了本發(fā)明的具體實(shí)施例，但應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，本發(fā)明可以以與上述 不同的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)。以上的描述是說(shuō)明性的，而不是限制性的。因此，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng) 當(dāng)理解，在不背離所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍的條件下，可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行修改。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種光譜純度濾光片，包括石墨烯。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光譜純度濾光片，包括石墨烯層。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光譜純度濾光片，包括石墨烯片。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光譜純度濾光片，包括多個(gè)石墨烯薄片。5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的光譜純度濾光片，其中所述石墨烯片設(shè)置在光譜純度濾光片 框架上。6. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的光譜純度濾光片，其中所述石墨烯片支撐帶外輻射抑制結(jié)構(gòu)。7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的光譜純度濾光片，其中所述石墨烯片配置成防止帶外輻射抑 制結(jié)構(gòu)氧化。8. 根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的光譜純度濾光片，其中所述帶外輻射抑制結(jié)構(gòu)的兩側(cè)覆蓋 有石墨稀。9. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的光譜純度濾光片，其中所述石墨烯薄片支撐帶外輻射抑制結(jié) 構(gòu)。10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的光譜純度濾光片，其中所述石墨烯薄片配置成防止帶外輻射 抑制結(jié)構(gòu)氧化。11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光譜純度濾光片，還包括阻擋帶外輻射的材料，其中石墨烯 配置成保護(hù)所述材料免受氧化和/或除氣。12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的光譜純度濾光片，包括所述材料的柵格以阻擋帶外輻射。13. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的光譜純度濾光片，其中所述柵格是鎢柵格。14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的光譜純度濾光片，其中所述石墨烯被應(yīng)用為使得沒(méi)有鎢柵 格被暴露。15. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的光譜純度濾光片，其中所述石墨烯被應(yīng)用為在鎢柵格的兩 側(cè)或任一側(cè)上的石墨烯層。16. 根據(jù)權(quán)利要求11-15中任一項(xiàng)所述的光譜純度濾光片，其中所述石墨烯被設(shè)置為 層、片或多個(gè)薄片。17. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的光譜純度濾光片，其中所述柵格包括支持結(jié)構(gòu)和反射涂層， 該反射涂層反射帶外輻射。18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的光譜純度濾光片，其中所述反射涂層包括用于反射帶外輻 射的鉬。19. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光譜純度濾光片，還包括柵格，所述石墨烯被設(shè)置在所述柵 格上。20. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的光譜純度濾光片，其中所述柵格配置成阻擋帶外輻射，所述 柵格的節(jié)距小于所想要阻擋的帶外輻射的波長(zhǎng)。
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種光譜純度濾光片，所述光譜純度濾光片包括石墨烯。
【IPC分類(lèi)】G03F1/24, G03F7/20, G02B27/00, G03F1/62
【公開(kāi)號(hào)】CN105700300
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201610210083
【發(fā)明人】A·亞庫(kù)寧, V·班尼恩, E·魯普斯特拉, H·范德斯庫(kù)特, L·史蒂文斯, M·范卡朋
【申請(qǐng)人】Asml荷蘭有限公司
【公開(kāi)日】2016年6月22日
【申請(qǐng)日】2011年3月17日
【公告號(hào)】CN103080840A, CN103080840B, CN103901737A, EP2465012A1, EP2465012B1, EP2518563A1, US9395630, US20130088699, US20140160455, WO2011160861A1