陣列基板、顯示裝置及陣列基板制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種陣列基板、顯示裝置及陣列基板制作方法，屬于顯示器領(lǐng)域。所述陣列基板包括基板和設(shè)置在所述基板上的電極層，所述電極層包括多個(gè)第一電極和多個(gè)第二電極，所述多個(gè)第一電極和所述多個(gè)第二電極交替間隔設(shè)置在所述基板上，且任一所述第二電極的高度大于任一所述第一電極的高度；所述第一電極和所述第二電極的極性相反。在本發(fā)明中，通過(guò)將電極層中的第二電極設(shè)置成比第一電極高，從而使得第二電極和第一電極間的水平電場(chǎng)發(fā)生傾斜，傾斜后，第二電極和第一電極的間隔區(qū)域的中間位置處電場(chǎng)水平方向的分量相對(duì)于水平電場(chǎng)而言變強(qiáng)，使得兩個(gè)電極中間位置對(duì)應(yīng)的液晶偏轉(zhuǎn)角度增大，從而提高了兩個(gè)電極中間位置光透過(guò)率。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
陣列基板、顯示裝置及陣列基板制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及顯示器領(lǐng)域，特別涉及一種陣列基板、顯示裝置及陣列基板制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在液晶顯不技術(shù)中，高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換(Advanced Super Dimens1n Switch，簡(jiǎn)稱(chēng)ADS)技術(shù)以透過(guò)率高、視角寬、響應(yīng)速度快和功耗低等優(yōu)點(diǎn)逐漸成為液晶顯示領(lǐng)域的重要技術(shù)之一?；贏DS模式的顯示面板通過(guò)狹縫電極層中狹縫電極之間所產(chǎn)生的電場(chǎng)，以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場(chǎng)形成多維電場(chǎng)，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。
[0003]現(xiàn)有的基于ADS模式的顯示面板包括彩膜基板、陣列基板、以及兩者對(duì)盒之后灌注的液晶，其中，陣列基板包括依次設(shè)置在襯底基板上的公共電極層(即板狀電極層)、絕緣層和像素電極層(即狹縫電極層)。當(dāng)加電壓時(shí)，液晶在電場(chǎng)作用下發(fā)生扭曲旋轉(zhuǎn)，從而達(dá)到控制光線(xiàn)的目的。
[0004]像素電極層包括交替間隔設(shè)置的多個(gè)正電極和負(fù)電極，每?jī)蓚€(gè)相鄰的正電極和負(fù)電極的間隔區(qū)域形成水平電場(chǎng)，該水平電場(chǎng)在間隔區(qū)域中從外向內(nèi)呈下降趨勢(shì)，因此該間隔區(qū)域的中間位置的水平電場(chǎng)最小，該位置對(duì)應(yīng)的液晶偏轉(zhuǎn)角度較小，導(dǎo)致該位置的光透過(guò)率過(guò)較小，從而影響顯示面板的顯示效果。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005]為了解決兩個(gè)相鄰的電極的間隔的中間位置光透過(guò)率過(guò)小的問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板、顯示裝置及陣列基板制作方法。所述技術(shù)方案如下:
[0006]第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板，所述陣列基板包括基板和設(shè)置在所述基板上的電極層，所述電極層包括多個(gè)第一電極和多個(gè)第二電極，所述多個(gè)第一電極和所述多個(gè)第二電極交替間隔設(shè)置在所述基板上，且任一所述第二電極的高度大于任一所述第一電極的高度;所述第一電極和所述第二電極的極性相反。
[0007]在本發(fā)明實(shí)施例的一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述基板包括襯底基板、設(shè)置在所述襯底基板上的公共電極層、設(shè)置在所述公共電極層上的絕緣層，所述電極層設(shè)置在所述絕緣層上，所述第一電極和所述第二電極為像素電極。
[0008]在本發(fā)明實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述絕緣層包括:子絕緣層和設(shè)置在所述子絕緣層上的多個(gè)平行間隔設(shè)置的長(zhǎng)條形絕緣塊;所述多個(gè)第一電極設(shè)置在所述子絕緣層上，所述多個(gè)第二電極分別設(shè)置在多個(gè)絕緣塊上，且每個(gè)所述絕緣塊上設(shè)置一個(gè)所述第二電極。
[0009]在本發(fā)明實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述第二電極覆蓋在所述絕緣塊的頂面上。
[0010]在本發(fā)明實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述絕緣塊在垂直于所述絕緣塊的長(zhǎng)度方向上的截面為梯形，所述第二電極覆蓋在所述絕緣塊的頂面和側(cè)面上。
[0011]在本發(fā)明實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述絕緣塊在垂直于所述絕緣塊的長(zhǎng)度方向上的截面為等腰梯形。
[0012]在本發(fā)明實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述等腰梯形的底角為75-85度。
[0013]在本發(fā)明實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述等腰梯形的高為I微米-3微米。
[0014]在本發(fā)明實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述絕緣塊為樹(shù)脂塊。
[0015]在本發(fā)明實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述絕緣層包括多個(gè)平行間隔設(shè)置的長(zhǎng)條形凸臺(tái)，所述多個(gè)第一電極設(shè)置在多個(gè)凸臺(tái)之間，所述多個(gè)第二電極分別設(shè)置在所述多個(gè)凸臺(tái)上，且每個(gè)所述凸臺(tái)上設(shè)置一個(gè)第二電極。
[0016]第二方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括第一方面任一項(xiàng)所述的陣列基板。
[0017]第三方面，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種陣列基板制作方法，所述方法包括:
[0018]制作基板；
[0019]在基板上形成電極層，所述電極層包括多個(gè)第一電極和多個(gè)第二電極，所述多個(gè)第一電極和所述多個(gè)第二電極交替間隔設(shè)置在所述基板上，且任一所述第二電極的高度大于任一所述第一電極的高度;所述第一電極和所述第二電極的極性相反。
[0020]在本發(fā)明實(shí)施例的一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述制作基板，包括:
[0021 ]在襯底基板上制作公共電極層；
[0022]在所述公共電極層上制作絕緣層，所述電極層設(shè)置在所述絕緣層上，所述第一電極和所述第二電極為像素電極。
[0023]在本發(fā)明實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述絕緣層包括:所述子絕緣層和設(shè)置在所述子絕緣層上的多個(gè)平行間隔設(shè)置的長(zhǎng)條形絕緣塊，所述在所述公共電極層作絕緣層，包括:
[0024]在所述公共電極層上制作子絕緣層；
[0025]在所述子絕緣層上制作多個(gè)絕緣塊；
[0026]所述多個(gè)第一電極設(shè)置在所述子絕緣層上，所述多個(gè)第二電極分別設(shè)置在所述多個(gè)絕緣塊上，且每個(gè)所述絕緣塊上設(shè)置一個(gè)所述第二電極。
[0027]在本發(fā)明實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，所述在所述公共電極層作絕緣層，包括:
[0028]在所述公共電極層上沉積絕緣層；
[0029]通過(guò)構(gòu)圖工藝在所述絕緣層上形成多個(gè)平行間隔設(shè)置的長(zhǎng)條形凸臺(tái)，所述多個(gè)第一電極設(shè)置在多個(gè)凸臺(tái)之間，所述多個(gè)第二電極分別設(shè)置在所述多個(gè)凸臺(tái)上，且每個(gè)所述凸臺(tái)上設(shè)置一個(gè)第二電極。
[0030]本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案帶來(lái)的有益效果是:
[0031]在本發(fā)明中，通過(guò)將電極層中的第二電極設(shè)置成比第一電極高，從而使得第二電極和第一電極間的水平電場(chǎng)發(fā)生傾斜，傾斜后，第二電極和第一電極的間隔區(qū)域的中間位置處電場(chǎng)水平方向的分量相對(duì)于水平電場(chǎng)而言變強(qiáng)，使得兩個(gè)電極中間位置對(duì)應(yīng)的液晶偏轉(zhuǎn)角度增大，從而提高了兩個(gè)電極中間位置光透過(guò)率。
【附圖說(shuō)明】
[0032]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0033]圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0034]圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0035]圖3是現(xiàn)有的陣列基板結(jié)構(gòu)的透過(guò)率示意圖；
[0036]圖4是圖2所示陣列基板結(jié)構(gòu)的透過(guò)率示意圖；
[0037]圖5是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0038]圖6是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0039]圖7是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0040]圖8是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板制作方法的流程圖；
[0041 ]圖9是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種陣列基板制作方法的流程圖；
[0042]圖10是本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板制作過(guò)程中的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0043]圖11是本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板制作過(guò)程中的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0044]圖12是本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板制作過(guò)程中的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0045]圖13是本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板制作過(guò)程中的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0046]圖14是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種陣列基板制作方法的流程圖；
[0047]圖15是本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板制作過(guò)程中的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0048]圖16是本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板制作過(guò)程中的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0049]圖17是本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板制作過(guò)程中的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0050]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。
[0051]圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，參見(jiàn)圖1，陣列基板包括基板100和設(shè)置在基板100上的電極層200，電極層200包括多個(gè)第一電極201和多個(gè)第二電極202，多個(gè)第一電極201和多個(gè)第二電極202交替間隔設(shè)置在基板100上，且任一第二電極202的高度大于任一第一電極201的高度;第一電極201和第二電極202的極性相反。
[0052]其中，第二電極202的高度為第二電極202的頂面到基板100的距離，第一電極201的高度為第一電極201的頂面到基板100的距離?；蛘?，第二電極202的高度為第二電極202的頂面到第二電極202的底面的距離，第一電極201的高度為第一電極201的頂面到第一電極201的底面的距離。第一電極201和第二電極202的頂面為遠(yuǎn)離基板100的一面，第一電極201和第二電極202的底面為靠近基板100的一面。
[0053]在本發(fā)明中，通過(guò)將電極層中的第二電極設(shè)置成比第一電極高，從而使得第二電極和第一電極間的水平電場(chǎng)發(fā)生傾斜，傾斜后，第二電極和第一電極的間隔區(qū)域的中間位置處電場(chǎng)水平方向的分量相對(duì)于水平電場(chǎng)而言變強(qiáng)，使得兩個(gè)電極中間位置對(duì)應(yīng)的液晶偏轉(zhuǎn)角度增大，從而提高了兩個(gè)電極中間位置光透過(guò)率。
[0054]本實(shí)施例提供的上述陣列基板適用于ADS型液晶顯示面板，當(dāng)該陣列基板為ADS型液晶顯示面板的陣列基板時(shí)，第一電極201和第二電極202均為像素電極。
[0055]在具體實(shí)現(xiàn)時(shí)，可以通過(guò)設(shè)計(jì)支撐物(具體可以是后文中的凸臺(tái)或絕緣塊)使第二電極202的高度大于第一電極201的高度，具體參見(jiàn)后文圖2?圖7提供的陣列基板。
[0056]在具體實(shí)現(xiàn)時(shí)，還可以通過(guò)增大第二電極202的厚度(第二電極202的厚度大于第一電極201的厚度)，使得第二電極202的高度大于第一電極201的高度。
[0057]除此之外，本實(shí)施例提供的上述陣列基板還可以適用于其他類(lèi)型的顯示面板，例如平面轉(zhuǎn)換(In-Plane Switching，簡(jiǎn)稱(chēng)IPS)型液晶顯示面板，當(dāng)該陣列基板為IPS型液晶顯示面板的陣列基板時(shí)，第一電極201為像素電極，第二電極202為公共電極;或者，第一電極201為公共電極，第二電極202為像素電極。
[0058]在具體實(shí)現(xiàn)時(shí)，同樣可以采用設(shè)計(jì)支撐物或者增大第二電極的厚度的方式，使得第二電極202的高度大于第一電極201的高度，這里不再贅述。
[0059]圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，參見(jiàn)圖2，陣列基板包括襯底基板101、設(shè)置在襯底基板101上的公共電極層102、設(shè)置在公共電極層102上的絕緣層103、設(shè)置在絕緣層103上的像素電極層200，像素電極層200包括多個(gè)第一像素電極201(也即前述第一電極)和多個(gè)第二像素電極202(也即前述第二電極)，多個(gè)第一像素電極201和多個(gè)第二像素電極202交替間隔設(shè)置在絕緣層103上，且任一第二像素電極202的高度大于任一第一像素電極201的高度;第一像素電極201和第二像素電極202的極性相反。
[0060]在本發(fā)明中，通過(guò)將像素電極層200中的第二像素電極202設(shè)置成比第一像素電極201高，從而使得第二像素電極202和第一像素電極201間的水平電場(chǎng)發(fā)生傾斜，傾斜后，第二像素電極202和第一像素電極201的間隔區(qū)域的中間位置處電場(chǎng)水平方向的分量相對(duì)于水平電場(chǎng)而言變強(qiáng)，使得兩個(gè)像素電極中間位置對(duì)應(yīng)的液晶偏轉(zhuǎn)角度增大，從而提高了兩個(gè)像素電極中間位置光透過(guò)率。
[0061]圖3所示為現(xiàn)有的陣列基板結(jié)構(gòu)(第一像素電極和第二像素電極設(shè)置在同一水平面)的透過(guò)率示意圖，圖中A所示位置為兩個(gè)像素電極的間隔區(qū)域的中間位置。圖4所示為圖2中陣列基板結(jié)構(gòu)的透過(guò)率示意圖。根據(jù)圖3和圖4可以看出，采用圖2所示陣列基板結(jié)構(gòu)能夠提高兩個(gè)像素電極的間隔區(qū)域的中間位置的透過(guò)率。
[0062]在如圖2所示的陣列基板中，上述絕緣層103為一體結(jié)構(gòu)，絕緣層103上形成有多個(gè)凸臺(tái)103A，所述多個(gè)第一電極設(shè)置在所述多個(gè)凸臺(tái)之間，多個(gè)第二像素電極202分別設(shè)置在多個(gè)凸臺(tái)103A上，且每個(gè)凸臺(tái)103A上設(shè)置一個(gè)第二像素電極202，如圖2所示。
[0063]其中，多個(gè)凸臺(tái)103A可以為多個(gè)平行間隔設(shè)置的長(zhǎng)條形凸臺(tái)。本發(fā)明實(shí)施例中，平行設(shè)置指的是長(zhǎng)條形凸臺(tái)的長(zhǎng)度方向平行設(shè)置或者寬度方向平行設(shè)置。
[0064]在本實(shí)施例中，襯底基板101可以是玻璃基板，公共電極層102和像素電極層200可以為氧化銦錫(Indium Tin Oxides，簡(jiǎn)稱(chēng)ITO)薄膜層。絕緣層103可以為氮化娃或氮氧化娃層。
[0065]圖5是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，參見(jiàn)圖5，該陣列基板與圖2所示的陣列基板的不同之處在于，絕緣層103包括:子絕緣層1031和設(shè)置在子絕緣層1031上的多個(gè)絕緣塊1032。
[0066]多個(gè)第一像素電極201設(shè)置在子絕緣層1031上，多個(gè)第二像素電極202分別設(shè)置在多個(gè)絕緣塊1032上，且每個(gè)絕緣塊1032上設(shè)置一個(gè)第二像素電極202。在該實(shí)現(xiàn)方式中，通過(guò)將第二像素電極202設(shè)置在絕緣塊1032上，從而抬高了第二像素電極202的高度，使得水平電場(chǎng)發(fā)生傾斜。
[0067]其中，多個(gè)絕緣塊1032可以為多個(gè)平行間隔設(shè)置的長(zhǎng)條形絕緣塊。本發(fā)明實(shí)施例中，平行設(shè)置指的是長(zhǎng)條形絕緣塊的長(zhǎng)度方向平行設(shè)置或者寬度方向平行設(shè)置。
[0068]在本發(fā)明實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，第二像素電極202覆蓋在絕緣塊1032的頂面上。這種設(shè)置既能保證第二像素電極202的正常布置，又不至于使得絕緣塊1032所占面積過(guò)大，影響相鄰像素電極的設(shè)置。
[0069]在本發(fā)明實(shí)施例中，子絕緣層1031可以為氮化硅或氮氧化硅層。絕緣塊1032可以為樹(shù)脂塊。采用樹(shù)脂材料，不僅絕緣性能好，且透光性能好。當(dāng)然在其他實(shí)施例中，絕緣塊1032也可以采用其他絕緣材料制成，例如氮化硅、氮氧化硅等。
[0070]圖6是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，參見(jiàn)圖6，該陣列基板與圖2的陣列基板的不同之處在于:凸臺(tái)103A在垂直于凸臺(tái)103A的長(zhǎng)度方向上的截面為梯形，第二像素電極202覆蓋在梯形的頂面和側(cè)面上，這種方式可以進(jìn)一步提高兩個(gè)像素電極之間的中間位置的水平電場(chǎng)強(qiáng)度，從而進(jìn)一步提高了兩個(gè)像素電極之間的中間位置的透過(guò)率。
[0071]進(jìn)一步地，凸臺(tái)103A在垂直于凸臺(tái)103A的長(zhǎng)度方向上的截面為等腰梯形。
[0072]具體地，等腰梯形的底角可以為75-85度，這種角度設(shè)置能夠獲得較好的水平電場(chǎng)強(qiáng)度增強(qiáng)效果。
[0073]具體地，等腰梯形的高可以為I微米-3微米。高度過(guò)小，不能使兩個(gè)像素電極中間位置處電場(chǎng)水平方向的分量獲得足夠的增強(qiáng);高度過(guò)大，會(huì)導(dǎo)致陣列基板過(guò)厚。
[0074]圖7是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，參見(jiàn)圖7，該陣列基板與圖5的陣列基板的不同之處在于:絕緣塊1032在垂直于絕緣塊1032的長(zhǎng)度方向上的截面為梯形，第二像素電極202覆蓋在梯形的頂面和側(cè)面上。
[0075]進(jìn)一步地，絕緣塊1032在垂直于絕緣塊1032的長(zhǎng)度方向上的截面為等腰梯形。
[0076]具體地，等腰梯形的底角可以為75-85度。
[0077]具體地，等腰梯形的高可以為I微米-3微米。等腰梯形的高度過(guò)小，不能使兩個(gè)像素電極中間位置處電場(chǎng)水平方向的分量獲得足夠的增強(qiáng);高度過(guò)大，會(huì)導(dǎo)致陣列基板過(guò)厚。
[0078]在本發(fā)明實(shí)施例中，絕緣塊1032可以為樹(shù)脂塊。采用樹(shù)脂材料，不僅絕緣性能好，且透光性能好。當(dāng)然在其他實(shí)施例中，絕緣塊1032也可以采用其他絕緣材料制成，例如氮化娃、氮氧化娃等。
[0079]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括圖1?圖7提供的陣列基板。
[0080]在具體實(shí)施時(shí)，本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示裝置可以為手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0081]在本發(fā)明中，通過(guò)將電極層中的第二電極設(shè)置成比第一電極高，從而使得第二電極和第一電極間的水平電場(chǎng)發(fā)生傾斜，傾斜后，第二電極和第一電極的間隔區(qū)域的中間位置處電場(chǎng)水平方向的分量相對(duì)于水平電場(chǎng)而言變強(qiáng)，使得兩個(gè)電極中間位置對(duì)應(yīng)的液晶偏轉(zhuǎn)角度增大，從而提高了兩個(gè)電極中間位置光透過(guò)率。
[0082]圖8是本發(fā)明實(shí)施例還提供的一種陣列基板制作方法的流程圖，參見(jiàn)圖8，方法包括:
[0083]步驟301:制作基板。
[0084]步驟302:在基板上形成電極層，電極層包括多個(gè)第一電極和多個(gè)第二電極，多個(gè)第一電極和多個(gè)第二電極交替間隔設(shè)置在基板上，且任一第二電極的高度大于任一第一電極的高度;第一電極和第二電極的極性相反。
[0085]本實(shí)施例提供的上述陣列基板制作方法適用于ADS型液晶顯示面板的陣列基板制作，當(dāng)該陣列基板制作方法用于制作ADS型液晶顯示面板的陣列基板時(shí)，上述第一電極和第二電極均為像素電極。
[0086]在具體實(shí)現(xiàn)時(shí)，可以通過(guò)設(shè)計(jì)支撐物(具體可以是后文中的凸臺(tái)或絕緣塊)使第二電極的高度大于第一電極的高度，具體參見(jiàn)后文圖9?圖10提供的陣列基板制作方法。
[0087]在具體實(shí)現(xiàn)時(shí)，還可以通過(guò)增大第二電極的厚度(第二電極的厚度大于第一電極的厚度)，使得第二電極的高度大于第一電極的高度。
[0088]除此之外，本實(shí)施例提供的上述陣列基板制作方法還可以適用于其他類(lèi)型的顯示面板的陣列基板制作，例如平面轉(zhuǎn)換(In-Plane Switching，簡(jiǎn)稱(chēng)IPS)型液晶顯示面板，當(dāng)該陣列基板制作方法用于制作IPS型液晶顯示面板的陣列基板時(shí)，上述第一電極為像素電極，第二電極為公共電極;或者，第一電極為公共電極，第二電極為像素電極。
[0089]在具體實(shí)現(xiàn)時(shí)，同樣可以采用設(shè)計(jì)支撐物或者增大第二電極的厚度的方式，使得第二電極的高度大于第一電極的高度，這里不再贅述。
[0090]在本發(fā)明中，通過(guò)將電極層中的第二電極設(shè)置成比第一電極高，從而使得第二電極和第一電極間的水平電場(chǎng)發(fā)生傾斜，傾斜后，第二電極和第一電極的間隔區(qū)域的中間位置處電場(chǎng)水平方向的分量相對(duì)于水平電場(chǎng)而言變強(qiáng)，使得兩個(gè)電極中間位置對(duì)應(yīng)的液晶偏轉(zhuǎn)角度增大，從而提高了兩個(gè)電極中間位置光透過(guò)率。
[0091]圖9是本發(fā)明實(shí)施例還提供的另一種陣列基板制作方法的流程圖，參見(jiàn)圖9，方法包括:
[0092]步驟401:在襯底基板上制作公共電極層。
[0093]如圖10所示，在襯底基板101上制作公共電極層102。
[0094]其中，襯底基板可以是玻璃基板，公共電極層可以為ITO薄膜層。
[0095]步驟402:在公共電極層上制作子絕緣層。
[0096]如圖11所示，在公共電極層102上制作子絕緣層1031。
[0097]其中，子絕緣層可以為氮化硅或氮氧化硅層。
[0098]步驟403:在子絕緣層上制作多個(gè)平行間隔設(shè)置的長(zhǎng)條形絕緣塊。
[0099]如圖12或圖11所示，在子絕緣層1031上制作多個(gè)絕緣塊1032。
[0100]其中，絕緣塊可以為樹(shù)脂塊。采用樹(shù)脂材料，不僅絕緣性能好，且透光性能好。當(dāng)然在其他實(shí)施例中，絕緣塊也可以采用其他絕緣材料制成，例如氮化硅、氮氧化硅等。
[0101]步驟404:在絕緣層上制作像素電極層，像素電極層包括多個(gè)第一像素電極和多個(gè)第二像素電極，多個(gè)第一像素電極和多個(gè)第二像素電極交替間隔設(shè)置在絕緣層上，多個(gè)第一像素電極設(shè)置在子絕緣層上，多個(gè)第二像素電極分別設(shè)置在多個(gè)絕緣塊上，且每個(gè)絕緣塊上設(shè)置一個(gè)第二像素電極。
[0102]如圖13所示，在本發(fā)明實(shí)施例的一種實(shí)現(xiàn)方式中，絕緣塊1032在垂直于絕緣塊1032的長(zhǎng)度方向上的截面為矩形，在該實(shí)現(xiàn)方式中，第二像素電極202覆蓋在絕緣塊1032的頂面上，如圖5所示。
[0103]如圖12所示，在本發(fā)明實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，絕緣塊1032在垂直于絕緣塊1032的長(zhǎng)度方向上的截面為梯形，在該實(shí)現(xiàn)方式中，第二像素電極202覆蓋在絕緣塊1032的頂面和側(cè)面上，如圖7所示。
[0104]具體地，絕緣塊在垂直于絕緣塊的長(zhǎng)度方向上的截面為等腰梯形。
[0105]其中，等腰梯形的底角可以為75-85度。
[0106]其中，等腰梯形的高可以為I微米-3微米。等腰梯形的高度過(guò)小，不能使兩個(gè)像素電極中間位置處電場(chǎng)水平方向的分量獲得足夠的增強(qiáng);高度過(guò)大，會(huì)導(dǎo)致陣列基板過(guò)厚。
[0107]本實(shí)施例中，像素電極層可以為ITO薄膜層。
[0108]在本發(fā)明中，通過(guò)將像素電極層中的第二像素電極設(shè)置成比第一像素電極高，從而使得第二像素電極和第一像素電極間的水平電場(chǎng)發(fā)生傾斜，傾斜后，第二像素電極和第一像素電極的間隔區(qū)域的中間位置處電場(chǎng)水平方向的分量相對(duì)于水平電場(chǎng)而言變強(qiáng)，使得兩個(gè)像素電極中間位置對(duì)應(yīng)的液晶偏轉(zhuǎn)角度增大，從而提高了兩個(gè)像素電極中間位置光透過(guò)率。
[0109]圖14是本發(fā)明實(shí)施例還提供的另一種陣列基板制作方法的流程圖，該制作方法與圖9提供的方法的區(qū)別在于制作絕緣層的步驟不同，參見(jiàn)圖14，方法包括:
[0110]步驟501:在襯底基板上制作公共電極層。
[0111]如圖10所示，在襯底基板101上制作公共電極層102。
[0112]步驟502:在公共電極層上沉積絕緣層。
[0113]如圖15所示，在公共電極層102上沉積絕緣層103。
[0114]步驟503:通過(guò)構(gòu)圖工藝在絕緣層上形成多個(gè)平行間隔設(shè)置的長(zhǎng)條形凸臺(tái)。
[0115]如圖16或圖15所示，通過(guò)構(gòu)圖工藝在絕緣層103上形成多個(gè)凸臺(tái)103A。
[0116]步驟404:在絕緣層上制作像素電極層，像素電極層包括多個(gè)第一像素電極和多個(gè)第二像素電極，多個(gè)第一像素電極和多個(gè)第二像素電極交替間隔設(shè)置在絕緣層上，且多個(gè)第一電極設(shè)置在多個(gè)凸臺(tái)之間，多個(gè)第二像素電極分別設(shè)置在多個(gè)凸臺(tái)上，且每個(gè)凸臺(tái)上設(shè)置一個(gè)第二像素電極。
[0117]如圖17所示，在本發(fā)明實(shí)施例的一種實(shí)現(xiàn)方式中，凸臺(tái)103A在垂直于凸臺(tái)103A的長(zhǎng)度方向上的截面為矩形，在該實(shí)現(xiàn)方式中，第二像素電極202覆蓋在凸臺(tái)103A的頂面上，如圖2所示。
[0118]如圖16所示，在本發(fā)明實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，凸臺(tái)103A在垂直于凸臺(tái)103A的長(zhǎng)度方向上的截面為梯形，在該實(shí)現(xiàn)方式中，第二像素電極202覆蓋在凸臺(tái)103A的頂面和側(cè)面上，如圖6所示。
[0119]進(jìn)一步地，凸臺(tái)在垂直于凸臺(tái)的長(zhǎng)度方向上的截面為等腰梯形。
[0120]具體地，等腰梯形的底角可以為75-85度。
[0121]具體地，等腰梯形的高可以為I微米-3微米。等腰梯形的高度過(guò)小，不能使兩個(gè)像素電極中間位置處電場(chǎng)水平方向的分量獲得足夠的增強(qiáng);高度過(guò)大，會(huì)導(dǎo)致陣列基板過(guò)厚。
[0122]在本發(fā)明中，通過(guò)將像素電極層中的第二像素電極設(shè)置成比第一像素電極高，從而使得第二像素電極和第一像素電極間的水平電場(chǎng)發(fā)生傾斜，傾斜后，第二像素電極和第一像素電極的間隔區(qū)域的中間位置處電場(chǎng)水平方向的分量相對(duì)于水平電場(chǎng)而言變強(qiáng)，使得兩個(gè)像素電極中間位置對(duì)應(yīng)的液晶偏轉(zhuǎn)角度增大，從而提高了兩個(gè)像素電極中間位置光透過(guò)率。
[0123]以上僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括基板和設(shè)置在所述基板上的電極層，所述電極層包括多個(gè)第一電極和多個(gè)第二電極，所述多個(gè)第一電極和所述多個(gè)第二電極交替間隔設(shè)置在所述基板上，且任一所述第二電極的高度大于任一所述第一電極的高度;所述第一電極和所述第二電極的極性相反。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述基板包括襯底基板、設(shè)置在所述襯底基板上的公共電極層、設(shè)置在所述公共電極層上的絕緣層，所述電極層設(shè)置在所述絕緣層上，所述第一電極和所述第二電極為像素電極。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述絕緣層包括:子絕緣層和設(shè)置在所述子絕緣層上的多個(gè)平行間隔設(shè)置的長(zhǎng)條形絕緣塊;所述多個(gè)第一電極設(shè)置在所述子絕緣層上，所述多個(gè)第二電極分別設(shè)置在多個(gè)絕緣塊上，且每個(gè)所述絕緣塊上設(shè)置一個(gè)所述第二電極。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述第二電極覆蓋在所述絕緣塊的頂面上。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述絕緣塊在垂直于所述絕緣塊的長(zhǎng)度方向上的截面為梯形，所述第二電極覆蓋在所述絕緣塊的頂面和側(cè)面上。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述絕緣塊在垂直于所述絕緣塊的長(zhǎng)度方向上的截面為等腰梯形。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述等腰梯形的底角為75-85度。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述等腰梯形的高為I微米-3微米。9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述絕緣塊為樹(shù)脂塊。10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述絕緣層包括多個(gè)平行間隔設(shè)置的長(zhǎng)條形凸臺(tái)，所述多個(gè)第一電極設(shè)置在多個(gè)凸臺(tái)之間，所述多個(gè)第二電極分別設(shè)置在所述多個(gè)凸臺(tái)上，且每個(gè)所述凸臺(tái)上設(shè)置一個(gè)第二電極。11.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括權(quán)利要求1至10任一項(xiàng)所述的陣列基板。12.一種陣列基板制作方法，其特征在于，所述方法包括: 制作基板； 在基板上形成電極層，所述電極層包括多個(gè)第一電極和多個(gè)第二電極，所述多個(gè)第一電極和所述多個(gè)第二電極交替間隔設(shè)置在所述基板上，且任一所述第二電極的高度大于任一所述第一電極的高度;所述第一電極和所述第二電極的極性相反。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述制作基板，包括: 在襯底基板上制作公共電極層； 在所述公共電極層上制作絕緣層，所述電極層設(shè)置在所述絕緣層上，所述第一電極和所述第二電極為像素電極。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，所述絕緣層包括:所述子絕緣層和設(shè)置在所述子絕緣層上的多個(gè)平行間隔設(shè)置的長(zhǎng)條形絕緣塊，所述在所述公共電極層作絕緣層，包括: 在所述公共電極層上制作子絕緣層； 在所述子絕緣層上制作多個(gè)絕緣塊； 所述多個(gè)第一電極設(shè)置在所述子絕緣層上，所述多個(gè)第二電極分別設(shè)置在所述多個(gè)絕緣塊上，且每個(gè)所述絕緣塊上設(shè)置一個(gè)所述第二電極。15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，所述在所述公共電極層作絕緣層，包括: 在所述公共電極層上沉積絕緣層； 通過(guò)構(gòu)圖工藝在所述絕緣層上形成多個(gè)平行間隔設(shè)置的長(zhǎng)條形凸臺(tái)，所述多個(gè)第一電極設(shè)置在多個(gè)凸臺(tái)之間，所述多個(gè)第二電極分別設(shè)置在所述多個(gè)凸臺(tái)上，且每個(gè)所述凸臺(tái)上設(shè)置一個(gè)第二電極。
【文檔編號(hào)】G02F1/1343GK105824158SQ201610369998
【公開(kāi)日】2016年8月3日
【申請(qǐng)日】2016年5月30日
【發(fā)明人】王海燕
【申請(qǐng)人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司