用于薄膜晶體管的顯示器件及其具有該顯示器件的顯示裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明為用于薄膜晶體管的顯示器件及其具有該顯示器件的顯示裝置，實(shí)施例涉及一種改進(jìn)的像素結(jié)構(gòu)。該像素結(jié)構(gòu)包括第一絕緣層、由公共電極構(gòu)成的公共電極層、第二絕緣層以及由多個(gè)像素電極構(gòu)成的像素電極層。該像素結(jié)構(gòu)的第一絕緣層的上表面、第二絕緣層的上表面、公共電極層和像素電極層中的至少一個(gè)具有凸起。本發(fā)明實(shí)施例還涉及具有上述像素結(jié)構(gòu)的陣列基板、具有該陣列基板的顯示器件、具有該顯示器件的顯示面板和制造該顯示器件的陣列基板的方法。本發(fā)明可使在像素電極的位置、以及相鄰像素電極之間的位置處的液晶分子更容易從垂直狀態(tài)旋轉(zhuǎn)到傾斜狀態(tài)，使液晶分子旋轉(zhuǎn)的方向性更加明確，從而使得兩個(gè)位置處的液晶分子在亮態(tài)和暗態(tài)之間轉(zhuǎn)化時(shí)的變化速度趨于相同，不容易出現(xiàn)閃爍現(xiàn)象。
【專利說明】
用于薄膜晶體管的顯示器件及其具有該顯示器件的顯示裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種用于薄膜晶體管的顯示器件及其具有該顯示器件的顯示裝置，以及制造該顯示器件的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在顯示技術(shù)領(lǐng)域中，薄膜晶體管液晶顯示裝置(Thin Film Transistor LiquidCrystal Display，TFT_LCD)是一種主要的液晶顯示裝置。
[0003]根據(jù)驅(qū)動(dòng)液晶的電場(chǎng)的方向不同，TFT-1XD可分為垂直電場(chǎng)型和水平電場(chǎng)型，其中水平電場(chǎng)型TFT-LCD在陣列基板上同時(shí)形成像素電極和公共電極。水平電場(chǎng)型TFT-1XD包括平面切換(In-Plane Switching，IPS)模式和邊緣場(chǎng)切換(Fringe Field Switching,FFS)模式。
[0004]相比于IPS顯示模式，F(xiàn)FS顯示模式由于高透過率和擴(kuò)大的視角被廣泛應(yīng)用于高端顯示領(lǐng)域。然而，由于在FFS顯示模式中像素電極在正負(fù)幀切換時(shí)亮度突然衰減，使得不同時(shí)刻的亮度差異大，因此TFT-LCD在FFS顯示模式下更容易產(chǎn)生閃爍現(xiàn)象。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為了克服現(xiàn)有技術(shù)中的上述缺點(diǎn)，本發(fā)明提供一種改進(jìn)的像素結(jié)構(gòu)、具有該像素結(jié)構(gòu)的陣列基板、顯示器件、顯示面板以及用于制造該顯示器件的陣列基板的方法。
[0006]根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種像素結(jié)構(gòu)，其設(shè)置在顯示器件的陣列基板上，該像素結(jié)構(gòu)包括第一絕緣層，由公共電極構(gòu)成的公共電極層，第二絕緣層以及由多個(gè)像素電極構(gòu)成的像素電極層，第一絕緣層位于陣列基板的下部，公共電極層設(shè)置在第一絕緣層的上表面，第二絕緣層位于與第一絕緣層相對(duì)的公共電極層的另一側(cè)，多個(gè)像素電極間隔地設(shè)置在第二絕緣層的上表面上，其中第一絕緣層的上表面、公共電極層、第二絕緣層的上表面和像素電極層中的至少一個(gè)具有多個(gè)凸起。
[0007]其中，當(dāng)?shù)诙^緣層的上表面具有多個(gè)凸起時(shí)，多個(gè)像素電極間隔地設(shè)置在第二絕緣層的上表面的凸起上。
[0008]其中，像素電極層的凸起與公共電極層的凸起對(duì)應(yīng)。
[0009]其中，凸起具有相同的形狀。
[0010]其中，凸起的形狀為三角形、梯形、凸多邊形、弧形中的一種。
[0011 ]其中，當(dāng)凸起為三角形時(shí)，凸起的傾斜角為30°。
[0012]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種陣列基板，包括如上所述的像素結(jié)構(gòu)。
[0013]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種顯示器件，包括相對(duì)設(shè)置的彩膜基板和陣列基板，以及在彩膜基板和陣列基板之間填充的液晶分子層，在陣列基板上設(shè)置有如上所述的像素結(jié)構(gòu)的陣列基板。
[0014]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種顯示面板，包括如上所述的顯示器件。
[0015]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種用于制造顯示器件的陣列基板的方法，包括如下步驟:
[0016]在基底上形成第一絕緣層；
[0017]在第一絕緣層的上表面上形成公共電極層；
[0018]在公共電極層上形成第二絕緣層；以及
[0019]在第二絕緣層的上表面上間隔地形成多個(gè)像素電極以構(gòu)成像素電極層，
[0020]其中在第一絕緣層的上表面、公共電極層、第二絕緣層的上表面和像素電極層中的至少一個(gè)上形成多個(gè)凸起。
[0021]其中，當(dāng)?shù)诙^緣層的上表面形成多個(gè)凸起時(shí)，多個(gè)像素電極間隔地設(shè)置在第二絕緣層的上表面的凸起上。
[0022]其中，像素電極層的凸起與公共電極層的凸起對(duì)應(yīng)。
[0023]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的像素結(jié)構(gòu)、包括該像素結(jié)構(gòu)的陣列基板、包括上述陣列基板的顯示器件和包括該顯示器件的顯示面板以及制造上述陣列基板的方法，通過在第一絕緣層的上表面、第二絕緣層的上表面、公共電極層和像素電極層中的至少一個(gè)上設(shè)置多個(gè)凸起，而使在像素電極的位置、以及相鄰像素電極之間的位置處的液晶分子更容易從垂直狀態(tài)旋轉(zhuǎn)到傾斜狀態(tài)，使液晶分子旋轉(zhuǎn)的方向性更加明確，從而使得兩個(gè)位置處的液晶分子在亮態(tài)和暗態(tài)之間轉(zhuǎn)化時(shí)的變化速度趨于相同，不容易出現(xiàn)閃爍現(xiàn)象。
【附圖說明】
[0024]當(dāng)結(jié)合附圖閱讀時(shí)，可從下述優(yōu)選實(shí)施例的描述中獲得本
【發(fā)明內(nèi)容】
的完整理解，在附圖中:
[0025]圖1示出現(xiàn)有技術(shù)的水平電場(chǎng)型顯示器件采用FFS模式中像素電極的電壓為正電壓時(shí)的液晶排布的示意圖。
[0026]圖2示出現(xiàn)有技術(shù)的水平電場(chǎng)型顯示器件采用FFS模式中像素電極的電壓為負(fù)電壓時(shí)的液晶排布的示意圖。
[0027]圖3示出現(xiàn)有技術(shù)的水平電場(chǎng)型顯示器件采用FFS模式中像素電極的電壓為正電壓時(shí)的電場(chǎng)分布的不意圖。
[0028]圖4示出現(xiàn)有技術(shù)的水平電場(chǎng)型顯示器件采用FFS模式中像素電極的電壓為負(fù)電壓時(shí)的電場(chǎng)分布的不意圖。
[0029]圖5示出液晶分子在接近垂直狀態(tài)時(shí)的旋轉(zhuǎn)示意圖。
[0030]圖6示出液晶分子在接近傾斜狀態(tài)時(shí)的旋轉(zhuǎn)示意圖。
[0031]圖7示出在FFS模式下的顯示器件在不同時(shí)間下的亮度曲線。
[0032]圖8示出本發(fā)明的改進(jìn)顯示器件的截面示意圖。
[0033]圖9示出根據(jù)本發(fā)明的改進(jìn)顯示器件的像素電極的電壓為正電壓時(shí)的電場(chǎng)分布的示意圖。
[0034]圖10示出根據(jù)本發(fā)明的改進(jìn)顯示器件的像素電極的電壓為負(fù)電壓時(shí)的電場(chǎng)分布的示意圖。
[0035]圖11示出現(xiàn)有技術(shù)的平面像素結(jié)構(gòu)的截面示意圖。
[0036]圖12示出根據(jù)本發(fā)明的凸起像素結(jié)構(gòu)的截面示意圖。
[0037]圖13示出現(xiàn)有技術(shù)的平面像素結(jié)構(gòu)和本發(fā)明中的凸起像素結(jié)構(gòu)的顯示器件的亮度-時(shí)間曲線。
[0038]圖14示出一種制造本發(fā)明的顯示器件的陣列基板的第一絕緣層的方法的示意圖。
[0039]圖15示出另一種制造本發(fā)明的顯示器件的陣列基板的第一絕緣層的方法的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0040]下面將結(jié)合本發(fā)明的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。應(yīng)理解的是，本發(fā)明具體實(shí)施例僅是示意性的，而不作為對(duì)本發(fā)明保護(hù)范圍的任何限制。
[0041]根據(jù)驅(qū)動(dòng)液晶的電場(chǎng)的方向不同，薄膜晶體管TFT-LCD可分為垂直電場(chǎng)型和水平電場(chǎng)型，其中垂直電場(chǎng)型TFT-LCD在陣列基板上形成像素電極上并且在彩膜基板上形成公共電極，而水平電場(chǎng)型TFT-LCD在陣列基板上同時(shí)形成像素電極和公共電極。水平電場(chǎng)型TFT-1XD包括平面切換(IPS)模式和邊緣場(chǎng)切換(FFS)模式。相比于IPS顯示模式，TFT-1XD在FFS顯示模式下，采用透明的銦錫氧化物(Indium Tin Oxide，ITO)作為電極使得透光率更高，并且將正負(fù)電極通過絕緣層分離重疊排列從而減小電極寬度和間距從而擴(kuò)大視角。
[0042]圖1至圖4示出現(xiàn)有技術(shù)的水平電場(chǎng)型TFT-LCD顯示器件的截面圖。該顯示器件包括彩膜基板、陣列基板、以及設(shè)置在彩膜基板與陣列基板之間的液晶分子層。陣列基板包括信號(hào)線、第一絕緣層、由公共電極構(gòu)成的公共電極層、第二絕緣層以及由多個(gè)像素電極構(gòu)成的像素電極層。彩膜基板與陣列基板相對(duì)準(zhǔn)并且兩者都設(shè)置于背光模組(未示出)的一側(cè)，并且包括黑色矩陣、RGB彩膜和平坦層。TFT陣列基板通過設(shè)置在其上的像素電極和公共電極產(chǎn)生可控制液晶分子的電場(chǎng)。液晶分子層中分布的液晶分子的取向隨陣列基板所產(chǎn)生的電場(chǎng)分布。
[0043]在陣列基板的像素結(jié)構(gòu)中，第一絕緣層位于陣列基板的下部并且其上表面為平面。平面的公共電極設(shè)置在第一絕緣層的上表面。第二絕緣層設(shè)置在與第一絕緣層相對(duì)的公共電極的另一側(cè)并且其上表面為平面。平面像素電極間隔地設(shè)置在第二絕緣層的上表面上。像素電極所在位置為Pl位置，而相鄰的像素電極中間的位置為Ρ2位置。
[0044]現(xiàn)在根據(jù)圖1至圖4分析現(xiàn)有技術(shù)的水平電場(chǎng)型TFT-LCD顯示器件采用FFS模式分別在像素電極電壓為正電壓和負(fù)電壓(即正幀和負(fù)幀)時(shí)的電場(chǎng)分布和液晶排布。
[0045]當(dāng)不對(duì)像素電極施加電壓時(shí)，陣列基板和彩膜基板間不存在電場(chǎng)，此時(shí)液晶分子層中的液晶分子以平行于基板的取向分布。當(dāng)對(duì)像素電極施加正電壓時(shí)，液晶分子沿圖1和圖3所示的電場(chǎng)方向分布，此時(shí)亮區(qū)集中在Pl位置，暗區(qū)集中在Ρ2位置。當(dāng)對(duì)像素電極施加負(fù)電壓時(shí)，液晶分子沿圖2和圖4所示的電場(chǎng)方向分布，此時(shí)亮區(qū)集中在Ρ2位置，暗區(qū)集中在Pl位置。當(dāng)像素在正負(fù)幀之間切換時(shí)，Pl位置和Ρ2位置的亮區(qū)和暗區(qū)發(fā)生切換。
[0046]在理論上，當(dāng)像素單元在Pl位置由亮態(tài)到暗態(tài)的時(shí)間-亮度變化情況與Ρ2位置由暗態(tài)到亮態(tài)的時(shí)間-亮度變化情況完全相同時(shí)，正負(fù)幀的像素單元的亮度和亮度變化速度相同，因此屏幕不會(huì)出現(xiàn)閃爍現(xiàn)象。然而，在實(shí)際情況下，液晶分子在正負(fù)幀切換時(shí)在暗態(tài)和亮態(tài)之間的相互切換的時(shí)間-亮度變化情況不同，因此像素單元在不同時(shí)刻的亮度存在較大的差異，產(chǎn)生閃爍現(xiàn)象。
[0047]圖5進(jìn)一步示出Pl位置處的液晶分子在接近垂直狀態(tài)時(shí)隨電場(chǎng)方向的旋轉(zhuǎn)示意圖。當(dāng)液晶分子接近完全垂直狀態(tài)時(shí)，像素處于亮態(tài)。當(dāng)對(duì)陣列基板上的電極施加電壓時(shí)，陣列基板產(chǎn)生用于將像素轉(zhuǎn)換到暗態(tài)的電場(chǎng)。由于左右兩側(cè)的電場(chǎng)完全相同，液晶分子所收到的力在各個(gè)傾斜方向上相等，因此液晶分子由垂直狀態(tài)向傾斜狀態(tài)旋轉(zhuǎn)的方向性不明確，使得液晶分子越接近完全垂直狀態(tài)，越不容易朝兩邊旋轉(zhuǎn)，從而導(dǎo)致像素由亮態(tài)到暗態(tài)的速度變慢。
[0048]對(duì)應(yīng)地，圖6進(jìn)一步示出Pl位置處的液晶分子在接近傾斜狀態(tài)時(shí)隨電場(chǎng)方向的旋轉(zhuǎn)示意圖。當(dāng)液晶分子處于傾斜狀態(tài)時(shí)，像素處于暗態(tài)。陣列基板產(chǎn)生的電場(chǎng)在位置Pl處的任何方向上相同并且均對(duì)液晶分子產(chǎn)生將其從傾斜狀態(tài)旋轉(zhuǎn)到垂直狀態(tài)的力，因此液晶分子從傾斜狀態(tài)旋轉(zhuǎn)到垂直狀態(tài)相比從垂直狀態(tài)旋轉(zhuǎn)到傾斜狀態(tài)的方向性明確，使得像素由暗態(tài)到亮態(tài)的速度更快。當(dāng)液晶分子傾斜角度越大，液晶分子沿電場(chǎng)方向旋轉(zhuǎn)的方向性越明確，導(dǎo)致像素由暗態(tài)到亮態(tài)的速度變化越快。
[0049]P2位置的像素的亮態(tài)和暗態(tài)之間的切換情況與Pl位置類似。
[0050]因此，如圖1-4中所示的傳統(tǒng)方案在正負(fù)幀顯示的時(shí)候，由于其像素電極和公共電極之間產(chǎn)生的垂直電場(chǎng)較多，使得在正負(fù)幀切換的時(shí)候，中間的液晶分子存在取向不明確的問題。
[0051]由于如上所述的像素亮態(tài)和暗態(tài)之間變化的速度差異，在Pl位置由暗態(tài)變化到亮態(tài)時(shí)，P2位置則由亮態(tài)變化到暗態(tài)，此時(shí)Pl位置的變化速度比較快，而P2位置的變化速度比較慢。反之，Pl位置由亮態(tài)變化到暗態(tài)，P2位置由暗態(tài)變化到暗態(tài)也存在類似的變化速度差異。因此Pl位置和P2位置不能出現(xiàn)完美的亮度互補(bǔ)，中間某個(gè)時(shí)刻將出現(xiàn)亮度衰減現(xiàn)象，從而使得顯示器件在不同時(shí)刻的亮度差異大，產(chǎn)生閃爍現(xiàn)象。
[0052]圖7所示的顯示器件在FFS模式下在不同時(shí)間的亮度曲線體現(xiàn)了上述亮度衰減現(xiàn)象?？梢园l(fā)現(xiàn)，當(dāng)時(shí)刻a和b的亮度相對(duì)差異大時(shí)，閃爍現(xiàn)象更明顯。
[0053]因此，需要對(duì)平面電場(chǎng)型TFT-LCD顯示器件進(jìn)行改進(jìn)以克服或減弱上述亮度差異導(dǎo)致的閃爍。調(diào)整液晶分子從垂直狀態(tài)和傾斜狀態(tài)之間的切換的變化速度使其差異盡可能小是消除上述缺陷的途徑之一。
[0054]如圖8所示，本發(fā)明所提出的改進(jìn)的顯示器件結(jié)構(gòu)的截面圖包括彩膜基板、改進(jìn)的陣列基板以及設(shè)置在兩基板之間的液晶分子層。改進(jìn)的陣列基板包括信號(hào)線8、第一絕緣層
7、由公共電極6構(gòu)成的公共電極層、第二絕緣層5以及由多個(gè)像素電極4構(gòu)成的像素電極層。與現(xiàn)有技術(shù)類似，彩膜基板與陣列基板相對(duì)準(zhǔn)并且兩者都設(shè)置于背光模組的一側(cè)，并且包括黑色矩陣1、RGB彩膜2和平坦層3。
[0055]在陣列基板的像素結(jié)構(gòu)中，第一絕緣層7位于陣列基板的下部并在其上表面上具有多個(gè)凸起。第一絕緣層7由有機(jī)膜構(gòu)成。平面公共電極6設(shè)置在第一絕緣層7的上表面并具有多個(gè)凸起。第二絕緣層5位于與第一絕緣層7相對(duì)的公共電極6(即公共電極層)的另一側(cè)，其下表面與公共電極6接觸，其上表面上也具有多個(gè)凸起。第二絕緣層5由氮化硅構(gòu)成。多個(gè)像素電極4間隔地設(shè)置在第二絕緣層5的上表面上，特別是設(shè)置在第二絕緣層5的上表面的凸起上。像素電極4上的凸起可以與公共電極6上的凸起對(duì)應(yīng)，即像素電極層的凸起與公共電極層的凸起對(duì)應(yīng)。像素電極4由銦錫氧化物(ITO)構(gòu)成。
[0056]可以選擇第一絕緣層7的上表面、第二絕緣層5的上表面、公共電極層和像素電極層中的至少一個(gè)具有多個(gè)凸起。
[0057]第一絕緣層7的上表面、第二絕緣層5的上表面、公共電極層以及像素電極層中的至少一個(gè)的多個(gè)凸起，可采用三角形、梯形、凸多邊形、弧形等多種凸起形狀。在下文中，以三角形凸起形狀作為示例描述本發(fā)明。應(yīng)當(dāng)理解，上述凸起的列舉僅是示例性的，而不應(yīng)作為對(duì)本發(fā)明的限制。
[0058]當(dāng)向圖8的顯示器件的陣列基板上的像素電極施加正電壓以及負(fù)電壓時(shí)，在像素電極與公共電極之間將產(chǎn)生電場(chǎng)，使液晶分子隨電場(chǎng)方向分布。
[0059]圖9和圖10分別示出根據(jù)本發(fā)明的改進(jìn)的顯示器件的像素電極電壓為正電壓和負(fù)電壓(即正幀和負(fù)幀顯示)時(shí)的電場(chǎng)分布。通過將像素電極和公共電極設(shè)置為具有凸起，使得產(chǎn)生的電場(chǎng)中垂直電場(chǎng)較少，大多數(shù)為水平電場(chǎng)。在這種電場(chǎng)中，在Pl和P2位置處的液晶分子更不容易處于垂直狀態(tài)，而更容易處于傾斜狀態(tài)。這樣在Pl和P2位置的陣列基板產(chǎn)生的電場(chǎng)使液晶分子從垂直狀態(tài)或接近垂直狀態(tài)轉(zhuǎn)換為傾斜狀態(tài)時(shí)在液晶分子的不同方向上施加的力不同，使得相比現(xiàn)有技術(shù)，在正負(fù)幀切換時(shí)液晶分子旋轉(zhuǎn)的取向更加明確，更容易從垂直狀態(tài)或接近垂直狀態(tài)轉(zhuǎn)換為傾斜狀態(tài)。這樣Pl和P2位置處的液晶分子從垂直狀態(tài)旋轉(zhuǎn)到傾斜狀態(tài)的變化速度與從傾斜狀態(tài)旋轉(zhuǎn)到垂直狀態(tài)的變化速度趨于相同，更不容易出現(xiàn)由于變化速度差異導(dǎo)致的亮度衰減，可以避免出現(xiàn)閃爍現(xiàn)象。
[0060]通過實(shí)驗(yàn)，可以對(duì)本發(fā)明的改進(jìn)顯示器件結(jié)構(gòu)的技術(shù)效果進(jìn)行驗(yàn)證。在圖11中，現(xiàn)有技術(shù)的顯示器件的陣列基板采用平坦像素結(jié)構(gòu)，像素大小為20μπιΧ60μπι，像素電極到水平寬度為2.5μπι，相鄰像素電極之間的狹縫寬度為4.Ομπι。而圖12中的改進(jìn)的顯示器件的陣列基板，采用凸起像素結(jié)構(gòu)，像素大小與像素電極的水平寬度與圖12完全一致，像素凸起的傾斜(tape)角為30°。
[0061]圖13示出通過TechwizV16模擬分析如圖11中的根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的改進(jìn)顯示器件與圖12中的現(xiàn)有技術(shù)中的顯示器件的亮度-時(shí)間關(guān)系進(jìn)行比較的結(jié)果。其中細(xì)實(shí)線示出采用現(xiàn)有技術(shù)的平坦像素結(jié)構(gòu)的像素的亮度-時(shí)間關(guān)系，粗實(shí)線示出采用本發(fā)明的改進(jìn)顯示器件的凸起像素結(jié)構(gòu)的像素的亮度-時(shí)間關(guān)系。與現(xiàn)有技術(shù)方案對(duì)應(yīng)的平坦像素結(jié)構(gòu)的閃爍(f I i cker)值為16.5 %，而本發(fā)明的凸起像素結(jié)構(gòu)的f I i cker值為10.2 %?？梢?，采用本發(fā)明的凸起像素結(jié)構(gòu)的像素亮度變化幅度顯著小于采用現(xiàn)有技術(shù)中的平坦像素結(jié)構(gòu)的像素的亮度變化幅度，因此可以有效地改善水平電場(chǎng)型TFT-LCD顯示器件在FFS模式下的閃爍現(xiàn)象。
[0062]本發(fā)明還提出采用上述顯示器件的顯示面板。該顯示面板可應(yīng)用于液晶電視、液晶顯示器、手機(jī)、PDA、平板電腦等具有顯示器的設(shè)備。借助于本發(fā)明公開的改進(jìn)的像素結(jié)構(gòu)、具有該像素結(jié)構(gòu)的陣列基板、具有該陣列基板的顯示器件和具有該顯示器件的顯示面板，可以使以FFS模式工作的水平電場(chǎng)型TFT-LCD在像素電極的位置、以及相鄰像素電極之間的位置處的液晶分子從垂直狀態(tài)旋轉(zhuǎn)為傾斜狀態(tài)的方向性更明確，從而使得兩個(gè)位置處的液晶分子在亮態(tài)和暗態(tài)之間轉(zhuǎn)化時(shí)的變化速度趨于相同，不容易出現(xiàn)閃爍現(xiàn)象。
[0063]現(xiàn)在進(jìn)一步介紹根據(jù)本發(fā)明的改進(jìn)的薄膜晶體管顯示器件的陣列基板的制造方法。
[0064]本發(fā)明的陣列基板的制造方法主要包括如下步驟:
[0065]在基底上形成第一絕緣層；
[0066]在第一絕緣層的上表面上形成公共電極層；
[0067]在公共電極層上形成第二絕緣層；以及
[0068]在第二絕緣層的上表面上間隔地形成多個(gè)像素電極以構(gòu)成像素電極層，
[0069]其中，在第一絕緣層的上表面、公共電極層、第二絕緣層的上表面和像素電極層中的至少一個(gè)上形成多個(gè)凸起。
[0070]特別是，當(dāng)?shù)诙^緣層的上表面形成多個(gè)凸起時(shí)，多個(gè)像素電極間隔地形成在該第二絕緣層的上表面上的凸起上。
[0071]其中，像素電極層的凸起與公共電極層的凸起對(duì)應(yīng)。
[0072]其中，制造陣列基板的重點(diǎn)在于制造以有機(jī)膜材料構(gòu)成的第一絕緣層。
[0073]圖14描述了制造第一絕緣層的普通方法。該普通方法通過半透結(jié)構(gòu)的掩膜(Mask)曝光實(shí)現(xiàn)第一絕緣層的凸起。在制備第一絕緣層的上表面時(shí)，在第一絕緣層上部的掩膜版上分為全透結(jié)構(gòu)和半透結(jié)構(gòu)。通過控制半透結(jié)構(gòu)的透過率，對(duì)第一絕緣層的上表面進(jìn)行Mask曝光時(shí)形成與全透部分對(duì)應(yīng)的凸起。
[0074]圖15描述了制造第一絕緣層的特殊方法。該特殊方法在第一絕緣層的上表面使用壓印版，該壓印版具有與凸起對(duì)應(yīng)的凹進(jìn)使得在壓印過程中形成凸起。
[0075]本發(fā)明具有凸起的第一絕緣層的有機(jī)膜結(jié)構(gòu)還可以通過納米印刷的方式獲得。
[0076]如上描述了本發(fā)明公開的像素結(jié)構(gòu)、具有該像素結(jié)構(gòu)的陣列基板、具有該陣列基板的顯示器件、具有該顯示器件的顯示面板和制造該顯示器件的方法。本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，根據(jù)本公開的公開和整體教導(dǎo)可以對(duì)技術(shù)方案中的細(xì)節(jié)進(jìn)行多種修正和替代。因此，在說明書中所描述的特定實(shí)施例僅是說明性的而不作為對(duì)本發(fā)明保護(hù)范圍的限制。本發(fā)明的保護(hù)范圍將在所附權(quán)利要求及其任意和所有等同技術(shù)方案給出。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種像素結(jié)構(gòu)，其設(shè)置在顯示器件的陣列基板上，所述像素結(jié)構(gòu)包括第一絕緣層，由公共電極構(gòu)成的公共電極層，第二絕緣層以及由多個(gè)像素電極構(gòu)成的像素電極層，所述第一絕緣層位于所述陣列基板的下部，所述公共電極層設(shè)置在所述第一絕緣層的上表面，所述第二絕緣層位于與所述第一絕緣層相對(duì)的所述公共電極層的另一側(cè)，所述多個(gè)像素電極間隔地設(shè)置在所述第二絕緣層的上表面上，其中所述第一絕緣層的上表面、所述公共電極層、所述第二絕緣層的上表面和所述像素電極層中的至少一個(gè)具有多個(gè)凸起。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其中當(dāng)所述第二絕緣層的上表面具有多個(gè)凸起時(shí)，所述多個(gè)像素電極間隔地設(shè)置在所述第二絕緣層的上表面的凸起上。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其中所述像素電極層的凸起與所述公共電極層的凸起對(duì)應(yīng)。4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項(xiàng)所述的像素結(jié)構(gòu)，其中所述凸起具有相同的形狀。5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項(xiàng)所述的像素結(jié)構(gòu)，其中所述凸起的形狀為三角形、梯形、凸多邊形、弧形中的一種。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的像素結(jié)構(gòu)，其中所述凸起為三角形并且所述凸起的傾斜角為30。。7.—種陣列基板，包括根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的像素結(jié)構(gòu)。8.—種顯示器件，包括相對(duì)設(shè)置的彩膜基板和陣列基板，以及在所述彩膜基板和陣列基板之間填充的液晶分子層，在所述陣列基板上設(shè)置有根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的像素結(jié)構(gòu)。9.一種顯示面板，包括根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示器件。10.—種用于制造顯示器件的陣列基板的方法，包括如下步驟: 在基底上形成第一絕緣層； 在所述第一絕緣層的上表面上形成公共電極層； 在所述公共電極層上形成第二絕緣層；以及 在所述第二絕緣層的上表面上間隔地形成多個(gè)像素電極以構(gòu)成像素電極層， 其中在所述第一絕緣層的上表面、所述公共電極層、所述第二絕緣層的上表面和所述像素電極層中的至少一個(gè)上形成多個(gè)凸起。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中當(dāng)所述第二絕緣層的上表面形成多個(gè)凸起時(shí)，所述多個(gè)像素電極間隔地設(shè)置在所述第二絕緣層的上表面的凸起上。12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述像素電極層的凸起與所述公共電極層的凸起對(duì)應(yīng)。
【文檔編號(hào)】G02F1/1333GK105842939SQ201610430316
【公開日】2016年8月10日
【申請(qǐng)日】2016年6月17日
【發(fā)明人】郭遠(yuǎn)輝
【申請(qǐng)人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 合肥京東方光電科技有限公司