用于后光學鄰近修正修復的方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種用于后光學鄰近修正修復的方法。所述方法包括：第一步驟：基于所述后光學鄰近修正修復之前的光學鄰近修正過程所產生的錯誤標記形成局部修正區(qū)域；以及第二步驟：在所述局部修正區(qū)域內實施局部光學鄰近修正，直到不再產生錯誤標記。本發(fā)明所提供的用于后光學鄰近修正修復的方法基于局部修正區(qū)域進行后光學鄰近修正，可以大大減少運算量，提高效率。
【專利說明】
用于后光學鄰近修正修復的方法
技術領域
[0001]本發(fā)明涉及半導體技術領域，具體而言涉及一種用于后光學鄰近修正修復(postOptical Proximity Correct1n repair, post-OPC repair)的方法。
【背景技術】
[0002]隨著集成電路的復雜度越來越高，特征尺寸也變的越來越小。當集成電路的特征尺寸接近光刻機曝光的系統(tǒng)極限，即特征尺寸接近或小于光刻光源時，硅片上制造出的版圖會出現(xiàn)明顯的畸變，該現(xiàn)象稱為光學鄰近效應。為了應對光學鄰近效應，提出了分辨率增強技術。其中，光學鄰近修正(即0PC)已成為最重要的技術。
[0003]OPC不是一個一次就能得到精確結果的過程，它是一個不斷迭代的過程，需要多次驗證修改。于是post-OPC r印air (即對已經做過OPC的版圖進行驗證后的修復)成為提高OPC質量的必需步驟?，F(xiàn)有的post-OPC repair方法是基于整個版圖例如整個芯片的區(qū)域重做0PC，這樣的方法非常耗時，運算量大且效率低下。

【發(fā)明內容】

[0004]針對現(xiàn)有技術的不足，本發(fā)明提供一種用于后光學鄰近修正修復的方法。所述方法包括:第一步驟:基于所述后光學鄰近修正修復之前的光學鄰近修正過程所產生的錯誤標記(error mark)形成局部修正區(qū)域；以及第二步驟:在所述局部修正區(qū)域內實施局部光學鄰近修正，直到不再產生錯誤標記。
[0005]在本發(fā)明的一個實施例中，所述方法還包括在所述第二步驟之后進行基于整個芯片的全局光學鄰近修正。
[0006]在本發(fā)明的一個實施例中，所述方法還包括在所述第二步驟進行的中間階段穿插進行一次全局光學鄰近修正。
[0007]在本發(fā)明的一個實施例中，所述第二步驟進行的中間階段為:所述局部光學鄰近修正已進行了預定閾值的次數(shù)。
[0008]在本發(fā)明的一個實施例中，所述預定閾值為10。
[0009]在本發(fā)明的一個實施例中，所述方法是針對連接孔層的光學鄰近修正。
[0010]在本發(fā)明的一個實施例中，所述連接孔為接觸孔(contact，CT)。
[0011 ] 在本發(fā)明的一個實施例中，所述局部光學鄰近修正包括接觸孔圖案的邊緣移動。
[0012]在本發(fā)明的一個實施例中，所述邊緣移動的移動距離為0.5納米。
[0013]在本發(fā)明的一個實施例中，所述局部修正區(qū)域的大小為0.9微米X 0.9微米。
[0014]本發(fā)明所提供的用于后光學鄰近修正修復的方法基于局部修正區(qū)域進行后光學鄰近修正，可以大大減少運算量，提高效率。
【附圖說明】
[0015]本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實施例及其描述，用來解釋本發(fā)明的原理。
[0016]附圖中:
[0017]圖1示出了對接觸孔的光學鄰近修正的示例；
[0018]圖2示出了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的用于后光學鄰近修正修復的方法的流程圖；
[0019]圖3示出了采用圖2的方法對圖1的接觸孔的后光學鄰近修正修復的示例；以及
[0020]圖4示出了根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的用于后光學鄰近修正修復的方法的流程圖。
【具體實施方式】
[0021]在下文的描述中，給出了大量具體的細節(jié)以便提供對本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對于本領域技術人員而言顯而易見的是，本發(fā)明可以無需一個或多個這些細節(jié)而得以實施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對于本領域公知的一些技術特征未進行描述。
[0022]應當理解的是，本發(fā)明能夠以不同形式實施，而不應當解釋為局限于這里提出的實施例。相反地，提供這些實施例將使公開徹底和完全，并且將本發(fā)明的范圍完全地傳遞給本領域技術人員。
[0023]在此使用的術語的目的僅在于描述具體實施例并且不作為本發(fā)明的限制。在此使用時，單數(shù)形式的“一”、“一個”和“所述/該”也意圖包括復數(shù)形式，除非上下文清楚指出另外的方式。還應明白術語“組成”和/或“包括”，當在該說明書中使用時，確定所述特征、整數(shù)、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一個或更多其它的特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、部件和/或組的存在或添加。在此使用時，術語“和/或”包括相關所列項目的任何及所有組合。
[0024]為了徹底理解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳細的步驟以及詳細的結構，以便闡釋本發(fā)明提出的技術方案。本發(fā)明的較佳實施例詳細描述如下，然而除了這些詳細描述夕卜，本發(fā)明還可以具有其他實施方式。
[0025]OPC已經成為集成電路制造工藝中關鍵尺寸(critical dimens1n,⑶)控制和良率提升不可缺少的途徑。通過修改設計圖形來預補償制程偏差以提高圖像的還原能力和解析度。然而，在當前階段，OPC驗證過程在整個芯片上實施，這要求進行許多次迭代過程，非常耗時。例如，對接觸孔和通孔等連通孔的0PC。
[0026]圖1示出了對接觸孔的光學鄰近修正的示例。接觸孔的OPC修正程序被設計為確保晶圓上的圖形輪廓可以與接觸孔目標相吻合。然而，即使經過較好準備和調整的修正程序(recipe)仍然可能使一些輪廓偏離目標。如圖1所示，光學鄰近修正后接觸孔輪廓與柵極(gate，GT)太過接近，其距離小于10納米的規(guī)格，這會對電路的電學屬性產生不良影響。圖1中的方框B標出了需要向內移動的問題邊緣。為了進行問題邊緣的移動，需要進行后光學鄰近修正修復。如前所述，現(xiàn)有的后光學鄰近修正修復過程在整個芯片上實施，需要許多次迭代修復才能清除所有錯誤，該過程將消耗大量的CPU時間。
[0027]圖2示出了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的用于后光學鄰近修正修復的方法200的流程圖。如圖2所示，方法200包括以下步驟:
[0028]步驟201:基于后光學鄰近修正修復之前的光學鄰近修正過程所產生的錯誤標記形成局部修正區(qū)域。
[0029]步驟202:在步驟201中所形成的局部修正區(qū)域內實施局部光學鄰近修正，直到不再產生錯誤標記。
[0030]通過前一道工序的OPC驗證，將會得到錯誤標記?；诔跏嫉腻e誤標記可以產生局部修正區(qū)域。該局部修正區(qū)域包圍初始錯誤標記。接著圖1的示例，圖3示出了采用圖2的方法對圖1的接觸孔的后光學鄰近修正修復的示例。如圖3所示，基于原始的錯誤標記(圖1的方框B)產生局部修正區(qū)域，該局部修正區(qū)域可以表示為RE0PC，如圖3所示，該局部修正區(qū)域REOPC僅是整個芯片的很小一個區(qū)域。例如，該區(qū)域的大小例如為0.9微米X
0.9微米。該局部修正區(qū)域REOPC可以視為整個芯片的濾波器。所有接下來的修復和驗證將在該局部修正區(qū)域REOPC內進行。局部光學鄰近修正可以包括接觸孔圖案的邊緣移動。可選地，邊緣移動的大小可以設置為0.5納米。
[0031]具體地，該局部修正區(qū)域內的第一次循環(huán)的驗證又會產生新的錯誤標記，該新的錯誤標記數(shù)量會比上個循環(huán)(即，后光學鄰近修正修復之前的光學鄰近修正過程)所產生的錯誤標記數(shù)量少很多。而在該局部修正區(qū)域內的第一次循環(huán)的驗證產生的錯誤標記會傳遞給下一個循環(huán)繼續(xù)做修復及驗證。這樣，錯誤標記隨著循環(huán)次數(shù)越來越少，直到完全清除。因此，可以大大減小CPU時間。經過試驗發(fā)現(xiàn)，對于某些大尺寸芯片(例如10毫米X 10毫米的芯片)，采用現(xiàn)有的方法需要兩周時間做修復，而根據(jù)本發(fā)明的方法只要兩天即可完成。
[0032]本領域普通技術人員可以理解，圖3所示出的對接觸孔的后光學鄰近修正修復僅是一個示例，根據(jù)本發(fā)明實施例的用于后光學鄰近修正修復的方法還可以適用于任何其他需要post-OPC repair的應用。
[0033]圖4示出了根據(jù)本發(fā)明另一個實施例的用于后光學鄰近修正修復的方法400的流程圖。如圖4所示，方法400包括以下步驟:
[0034]步驟401:基于后光學鄰近修正修復之前的光學鄰近修正過程所產生的錯誤標記形成局部修正區(qū)域。
[0035]步驟402:在步驟401中所形成的局部修正區(qū)域內實施局部光學鄰近修正，直到不再產生錯誤標記。
[0036]步驟403:在步驟402之后進行基于整個芯片的全局光學鄰近修正。
[0037]其中，步驟401和步驟402分別與方法200的步驟201和步驟202類似，因此此處不再贅述。
[0038]在方法400中，當在步驟402后增加了步驟403，在步驟403中進行一次全局光學鄰近修正。這樣可以確保整個芯片沒有剩下的錯誤標記。
[0039]優(yōu)選地，還可以在步驟402進行的中間階段穿插進行一次全局光學鄰近修正，以使修復效果更好。具體地，步驟402進行的中間階段例如可以是局部光學鄰近修正已進行了預定閾值的次數(shù)。該預定閾值例如可以為10次。也就是說，當在步驟402中已進行了 10次基于局部修正區(qū)域的局部光學鄰近修正后，可以進行一次基于整個芯片的全局光學鄰近修正，稍后繼續(xù)進行步驟402的局部光學鄰近修正，并且進行10次。
[0040]這樣，整個后光學鄰近修正修復主要基于局部光學鄰近修正，并在局部光學鄰近修正的中間階段和最后分別進行全局光學鄰近修正，不僅提高了修復效率，還確保了更好的修復質量。
[0041]本發(fā)明已經通過上述實施例進行了說明，但應當理解的是，上述實施例只是用于舉例和說明的目的，而非意在將本發(fā)明限制于所描述的實施例范圍內。此外本領域技術人員可以理解的是，本發(fā)明并不局限于上述實施例，根據(jù)本發(fā)明的教導還可以做出更多種的變型和修改，這些變型和修改均落在本發(fā)明所要求保護的范圍以內。本發(fā)明的保護范圍由附屬的權利要求書及其等效范圍所界定。
【主權項】
1.一種用于后光學鄰近修正修復的方法，其特征在于，所述方法包括: 第一步驟:基于所述后光學鄰近修正修復之前的光學鄰近修正過程所產生的錯誤標記形成局部修正區(qū)域；以及 第二步驟:在所述局部修正區(qū)域內實施局部光學鄰近修正，直到不再產生錯誤標記。2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括在所述第二步驟之后進行基于整個芯片的全局光學鄰近修正。3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法還包括在所述第二步驟進行的中間階段穿插進行一次全局光學鄰近修正。4.如權利要求3所述的方法，其特征在于，所述第二步驟進行的中間階段為:所述局部光學鄰近修正已進行了預定閾值的次數(shù)。5.如權利要求4所述的方法，其特征在于，所述預定閾值為10。6.如權利要求1-5中的任意一項所述的方法，其特征在于，所述方法是針對連接孔層的光學鄰近修正。7.如權利要求6所述的方法，其特征在于，所述連接孔為接觸孔。8.如權利要求7所述的方法，其特征在于，所述局部光學鄰近修正包括接觸孔圖案的邊緣移動。9.如權利要求8所述的方法，其特征在于，所述邊緣移動的移動距離為0.5納米。10.如權利要求7所述的方法，其特征在于，所述局部修正區(qū)域的大小為0.9微米X.0.9微米。
【文檔編號】G03F1/36GK105842977SQ201510018670
【公開日】2016年8月10日
【申請日】2015年1月14日
【發(fā)明人】杜杳雋
【申請人】中芯國際集成電路制造(上海)有限公司