一種顯影的方法及裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種顯影的方法及裝置，屬于顯示領(lǐng)域。所述方法包括：獲取第一位置的曝光間距變化量，所述第一位置是第二位置在掩膜板上的投射位置，所述第二位置是基板上的一位置；根據(jù)所述曝光間距變化量，確定向所述第二位置噴灑顯影液的流量；根據(jù)所述流量，向所述第二位置噴灑顯影液，所述顯影液用于刻蝕位于所述第二位置處的有機(jī)材料。所述裝置包括：獲取模塊、確定模塊和噴灑模塊。本發(fā)明能夠均一各圖形線寬。
【專利說明】
一種顯影的方法及裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，特別涉及一種顯影的方法及裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 在顯示領(lǐng)域，常常使用顯影方法將有機(jī)材料刻蝕成所需要的圖案。例如，在制作 TFT(Thin Fi Im Transistor，薄膜晶體管)時(shí)，常常在基板上沉積有機(jī)材料，再對(duì)該有機(jī)材 料進(jìn)行曝光，然后使用顯影的方法將該曝光的有機(jī)材料刻蝕成溝道層、源漏電極等。
[0003] 目前對(duì)有機(jī)材料進(jìn)行曝光和顯影的過程可以為:首先將掩膜板放置在曝光機(jī)掩膜 板支架上，沉積有有機(jī)材料的基板位于該掩膜板的下方，從掩膜板的上方向下照射光線，對(duì) 位于基板上的有機(jī)材料進(jìn)行曝光。在曝光結(jié)束后，在該曝光的有機(jī)材料上方均勻地噴灑顯 影液，將該曝光的有機(jī)材料刻蝕成所需要的圖案。
[0004] 在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下問題：
[0005] 由于掩膜板放置在曝光機(jī)掩膜板支架上，掩膜板會(huì)有一定程度的彎曲，導(dǎo)致基板 中間部分的曝光間距（中間部分到掩膜板之間的距離)小于邊緣部分，導(dǎo)致曝光后基板中間 部分的圖形線寬小于邊緣部分，使得基板上的各圖形線寬不一致。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 為了使基板上的各圖形線寬一致，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種顯影的方法及裝置。 所述技術(shù)方案如下：
[0007] 第一方面，提供了一種顯影的方法，所述方法包括：
[0008] 獲取第一位置的曝光間距變化量，所述第一位置是第二位置在掩膜板上的投射位 置，所述第二位置是基板上的一位置，所述第一位置的曝光間距變化量是所述第一位置的 曝光間距與所述掩膜板邊緣的曝光間距之間的差值；
[0009] 根據(jù)所述曝光間距變化量，確定向所述第二位置噴灑顯影液的流量；
[0010] 根據(jù)所述流量，向所述第二位置噴灑顯影液，所述顯影液用于刻蝕位于所述第二 位置處的有機(jī)材料。
[0011] 可選的，所述獲取第一位置的曝光間距變化量，包括：
[0012] 計(jì)算第一位置與掩膜板中心點(diǎn)之間的第一距離，以計(jì)算第一中點(diǎn)到掩膜板邊緣的 第二距離，所述第一中點(diǎn)是所述第一位置與所述掩膜板中心點(diǎn)的連線的中點(diǎn)；
[0013] 根據(jù)所述第一距離和所述第二距離，計(jì)算所述第一位置的曝光間距變化量。
[0014] 可選的，所述根據(jù)所述第一距離和所述第二距離，計(jì)算所述第一位置的曝光間距 變化量，包括：
[0015] 按如下公式計(jì)算所述第一位置的曝光間距變化量Δ h:
[0016] Ah = H · [1-(1/L)n]
[0017] 其中，上述公式中，H為掩膜板中心點(diǎn)的曝光間距變化量，所述掩膜板中心的曝光 間距變化量是所述掩膜板中心點(diǎn)的曝光間距與所述掩膜板邊緣的曝光間距之間的差值，1 為第一距離，L為第二距離，η為第一位置的形變指數(shù)。
[0018] 可選的，所述根據(jù)所述曝光間距變化量，確定向所述第二位置噴灑顯影液的流量， 包括：
[0019] 根據(jù)所述曝光間距變化量，計(jì)算在第二位置處的圖形線寬變化量；
[0020] 根據(jù)所述圖形線寬變化量計(jì)算顯影液流量變化量，所述顯影液流量變化量是在所 述第二位置噴灑顯影液流量與在所述基板中心位置噴灑顯影液流量之間的差值；
[0021] 根據(jù)所述顯影液流量變化量和在所述基板中心位置噴灑顯影液流量，計(jì)算向所述 第二位置噴灑顯影液的流量。
[0022] 可選的，所述根據(jù)所述曝光間距變化量，計(jì)算在第二位置處的圖形線寬變化量，包 括：
[0023] 按如下公式計(jì)算圖形線寬變化量Aro:
[0024] ACD = ki · Ah
[0025] 在上述公式中，1^為常量，Ah為所述曝光間距變化量。
[0026] 可選的，所述根據(jù)所述圖形線寬變化量計(jì)算顯影液流量變化量，包括：
[0027] 按如下公式計(jì)算顯影液流量變化量Δ F:
[0028] ACD = k2 · AF
[0029] 在上述公式中，1?為常量，Δ⑶為所述圖形線寬變化量。
[0030] 可選的，所述根據(jù)所述流量，向所述第二位置噴灑顯影液，包括：
[0031] 控制位于所述第二位置正上方的顯影液噴嘴按所述流量向所述第二位置處噴灑 顯影液。
[0032] 第二方面，提供了一種顯影的裝置，其特征在于，所述裝置包括：
[0033] 獲取模塊，用于獲取第一位置的曝光間距變化量，所述第一位置是第二位置在掩 膜板上的投射位置，所述第二位置是基板上的一位置，所述第一位置的曝光間距變化量是 所述第一位置的曝光間距與所述掩膜板邊緣的曝光間距之間的差值；
[0034]確定模塊，用于根據(jù)所述曝光間距變化量，確定向所述第二位置噴灑顯影液的流 量；
[0035]噴灑模塊，用于根據(jù)所述流量，向所述第二位置噴灑顯影液，所述顯影液用于刻蝕 位于所述第二位置處的有機(jī)材料。
[0036]可選的，所述獲取模塊包括：
[0037]第一計(jì)算單元，用于計(jì)算第一位置與掩膜板中心點(diǎn)之間的第一距離，以計(jì)算第一 中點(diǎn)到掩膜板邊緣的第二距離，所述第一中點(diǎn)是所述第一位置與所述掩膜板中心點(diǎn)的連線 的中點(diǎn)；
[0038]第二計(jì)算單元，用于根據(jù)所述第一距離和所述第二距離，計(jì)算所述第一位置的曝 光間距變化量。
[0039] 可選的，所述第一計(jì)算單元，用于按如下公式計(jì)算所述第一位置的曝光間距變化 量A h:
[0040] Ah = H · [1-(1/L)n]
[0041] 其中，上述公式中，H為掩膜板中心點(diǎn)的曝光間距變化量，所述掩膜板中心的曝光 間距變化量是所述掩膜板中心點(diǎn)的曝光間距與所述掩膜板邊緣的曝光間距之間的差值，1 為第一距離，L為第二距離，η為第一位置的形變指數(shù)。
[0042]可選的，所述確定模塊包括：
[0043]第三計(jì)算單元，用于根據(jù)所述曝光間距變化量，計(jì)算在第二位置處的圖形線寬變 化量；
[0044]第四計(jì)算單元，用于根據(jù)所述圖形線寬變化量計(jì)算顯影液流量變化量，所述顯影 液流量變化量是在所述第二位置噴灑顯影液流量與在所述基板中心位置噴灑顯影液流量 之間的差值；
[0045]第五計(jì)算單元，用于根據(jù)所述顯影液流量變化量和在所述基板中心位置噴灑顯影 液流量，計(jì)算向所述第二位置噴灑顯影液的流量。
[0046] 可選的，所述第三計(jì)算單元，用于按如下公式計(jì)算圖形線寬變化量Δ CD:
[0047] ACD = ki · Ah
[0048] 在上述公式中，kd常量，Δ h為所述曝光間距變化量。
[0049] 可選的，所述第四計(jì)算單元，用于按如下公式計(jì)算顯影液流量變化量AF:
[0050] Δ CD = k2 · AF
[00511在上述公式中，1?為常量，Δ⑶為所述圖形線寬變化量。
[0052] 可選的，所述噴灑模塊包括控制單元和至少一個(gè)顯影噴嘴，所述至少一個(gè)顯影液 噴嘴位于所述基板的上方；
[0053]所述控制單元，用于控制位于所述第二位置正上方的顯影液噴嘴按所述流量向所 述第二位置處噴灑顯影液。
[0054] 本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案帶來的有益效果是：
[0055] 由于獲取基板上的任一第二位置在掩膜板上的投射的第一位置處的曝光間距變 化量，基于該曝光間距變化量，確定出向第二位置噴灑顯影液的流量，這樣保證向圖形線寬 較大的第一圖形噴灑顯影液的總量大于向圖形線寬較小的第二圖形噴灑顯影液的總量，刻 蝕掉第一圖形的線寬量大于刻蝕第二圖形的線寬量，使兩者線寬均一，從而使基板上的各 圖形線寬一致。
【附圖說明】
[0056] 為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使 用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于 本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他 的附圖。
[0057] 圖1-1是本發(fā)明實(shí)施例提供的曝光機(jī)結(jié)標(biāo)示意圖；
[0058] 圖1-2是本發(fā)明實(shí)施例提供的掩膜板結(jié)構(gòu)示意圖；
[0059]圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯影的方法流程圖；
[0060]圖3-1是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種顯影的方法流程圖；
[0061]圖3-2是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種掩膜板俯視圖；
[0062]圖3-3是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯影裝置俯視圖；
[0063]圖3-4是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯影裝置結(jié)構(gòu)示意圖；
[0064]圖4是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯影的裝置結(jié)構(gòu)框圖。
【具體實(shí)施方式】
[0065]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施方 式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。
[0066]目前在顯示領(lǐng)域里，需要對(duì)沉積有有機(jī)材料的基板進(jìn)行曝光顯影處理。在進(jìn)行處 理時(shí)，首先將掩膜板放置在曝光機(jī)掩膜板支架上，將沉積有有機(jī)材料的基板放置于該掩膜 板的下方，然后從掩膜板的上方向下照射光線，對(duì)位于基板上的有機(jī)材料進(jìn)行曝光，使基板 上的有機(jī)材料形成圖形。
[0067]其中，參見圖1-1和1-2,掩膜板4放置在曝光機(jī)掩膜板支架5上，沉積有有機(jī)材料3 的基板2放置在曝光機(jī)機(jī)臺(tái)1上，掩膜板4會(huì)有一定程度的彎曲，導(dǎo)致基板中間部分的曝光間 距小于邊緣部分的曝光間距(也可以說成是掩膜板中間部分的曝光間距小于邊緣部分的曝 光間距），曝光間距是基板2到掩膜板4之間的距離。例如，參見圖1-2,基板邊緣部分的曝光 間距Gl大小于基板2中心部分的瀑光間距G2。其中，曝光間距越小，形成的圖形線寬就越小， 曝光間距越大形成的圖形線寬就越大，這樣導(dǎo)致位于基板中間部分的圖形線寬小于位于基 板邊緣部分的圖形線寬。例如，參見圖1-1，位于基板邊緣部分的圖形線寬CD2大于位于基板 中間部分的圖形線寬CD1。所以經(jīng)過曝光后，基板上的各圖形線寬不均一，利用此基板制作 出的顯示面板的顯示效果較差。
[0068]在進(jìn)行完曝光處理后，需要向基板噴灑顯影液，刻蝕掉曝光形成的圖形附近的有 機(jī)材料，以刻蝕出曝光形成的圖形。其中，需要說明的是：顯影液除了能夠刻蝕掉圖形附近 的有機(jī)材料，還能夠刻蝕圖形的寬度。因此，在對(duì)基板顯影的過程中，通過控制向基板不同 位置噴灑顯影液的流量，使向圖形線寬較寬的部位噴灑顯影液的總量大于向圖形線寬較小 的部位噴灑顯影液的總量，這樣對(duì)于圖形線寬較寬的圖形，該圖形就有部分寬度被顯影液 刻蝕掉，從而使得兩種圖形的線寬相等。該顯影處理的具體過程可以通過如下任一種實(shí)施 例來實(shí)現(xiàn)。
[0069]參見圖2，本發(fā)明實(shí)施例提供了顯影的方法，包括：
[0070]步驟201:獲取第一位置的曝光間距變化量，第一位置是第二位置在掩膜板上的投 射位置，第二位置是基板上的一位置。
[0071] 其中，第一位置的曝光間距變化量是第一位置的曝光間距與掩膜板邊緣的曝光間 距之間的差值。
[0072] 步驟202:根據(jù)該曝光間距變化量，確定向第二位置噴灑顯影液的流量。
[0073]步驟203:根據(jù)該流量，向第二位置噴灑顯影液，該顯影液用于刻蝕位于第二位置 處的有機(jī)材料。
[0074]在本發(fā)明實(shí)施例中，由于獲取基板上的任一第二位置在掩膜板上的投射的第一位 置處的曝光間距變化量，基于該曝光間距變化量，確定出向第二位置噴灑顯影液的流量，這 樣保證向圖形線寬較大的第一圖形噴灑顯影液的總量大于向圖形線寬較小的第二圖形噴 灑顯影液的總量，刻蝕掉第一圖形的線寬量大于刻蝕第二圖形的線寬量，使兩者線寬均一。 [0075]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種顯影的方法，該方法對(duì)經(jīng)過曝光處理的基板上有機(jī)材料 進(jìn)行顯影。參見圖3-1，該方法包括：
[0076]步驟301:計(jì)算第一位置與掩膜板中心點(diǎn)的第一距離，以及計(jì)算第一中點(diǎn)到掩膜板 邊緣的第二距離。
[0077]其中，第一位置是基板上的第二位置在掩膜板上的投射位置，第二位置是基板上 的任一位置。第一中點(diǎn)是第一位置與掩膜板中心點(diǎn)的連線的中點(diǎn)。
[0078]本步驟可以為:根據(jù)第一位置的坐標(biāo)和掩膜板中心點(diǎn)的坐標(biāo)計(jì)算出第一距離，根 據(jù)第一位置的坐標(biāo)和掩板中心點(diǎn)的坐標(biāo)計(jì)算出第一中點(diǎn)的坐標(biāo);根據(jù)第一中點(diǎn)的坐標(biāo)確定 離第一中點(diǎn)垂直距離最近的掩膜板邊緣，如果該掩膜板邊緣與y軸平行，則根據(jù)該第一中點(diǎn) 的X軸坐標(biāo)和該掩膜板邊緣的X軸坐標(biāo)計(jì)算第二距離，如果該掩膜板邊緣與X軸平行，則根據(jù) 該第一中點(diǎn)的y軸坐標(biāo)和該掩膜板邊緣的y軸坐標(biāo)計(jì)算出第二距離。
[0079] 其中，該X軸和y軸都是掩膜板的坐標(biāo)系中的坐標(biāo)軸，該坐標(biāo)系可以以掩膜板中心 點(diǎn)為坐標(biāo)原點(diǎn)，X軸與掩膜板中的兩個(gè)掩膜板邊緣平行，y軸與掩膜板的另外兩個(gè)掩膜板邊 緣平行。
[0080] 例如，參見圖1-1和3-2所示的掩膜板俯視圖，該掩膜板包括1、2、3、4四個(gè)掩膜板邊 緣。第一位置A是基板上的第二位置B在掩膜板上的投射位置，第一位置A的坐標(biāo)為( Xa，ya); 掩膜板中心點(diǎn)C的坐標(biāo)為（^ , I枏抿笛一份詈A的坐標(biāo)(xa，ya)和掩膜板中心點(diǎn)C的坐標(biāo) (xc，y。），計(jì)算出第一距I
根據(jù)第一位置A的坐標(biāo)(xa，ya)和掩膜板 中心點(diǎn)C的坐標(biāo)(X。，y。），計(jì)算出第一中點(diǎn)D的坐標(biāo)為(Xd，yd)。
[0081 ]其 4
[0082 ]再根據(jù)第一中點(diǎn)D的坐標(biāo)(Xd，yd)確定離第一中點(diǎn)最近的掩膜板邊緣1，計(jì)算出第二 距離L= I xi-xd I，其中，Xi為掩膜板邊緣1的X軸坐標(biāo)。
[0083]步驟302:根據(jù)第一距離和第二距離，計(jì)算第一位置的曝光間距變化量。
[0084]該曝光光間距變化量為第一位置的曝光間距和掩膜板邊緣的曝光間距之間的差 值，基板邊緣的曝光間距之間的差值(也可以描述成第一位置在基板上對(duì)應(yīng)的第二位置的 曝光間距和基板邊緣的曝光間距之間的差值）。
[0085]本步驟可以為:按如下公式(1)計(jì)算第一位置的曝光間距變化量Δ h:
[0086] Ah = H · [1-(1/L)n]……(1)；
[0087]其中，在上述公式（1)中，H為掩膜板中心點(diǎn)的曝光間距變化量，掩膜板中心點(diǎn)的曝 光間距變化量是掩膜板中心點(diǎn)的曝光間距與掩膜板邊緣的曝光間距之間的差值，1為第一 距離，L為第二距離，η為第一位置的形變指數(shù)。
[0088]其中，掩膜板中心點(diǎn)的曝光間距變化量是事先測(cè)量得到的，以及第一位置的形變 指數(shù)也是事先測(cè)量得到的。掩膜板中的第一位置的形變指數(shù)用于表示掩膜板在第一位置處 的彎曲情況，是由掩膜板尺寸及曝光機(jī)板搭載機(jī)構(gòu)共同決定的，可事先模擬計(jì)算出。
[0089]步驟303:根據(jù)第一位置的曝光間距變化量，計(jì)算在第二位置處的圖形線寬變化 量。
[0090] 具體地，按如下公式(2)計(jì)算圖形線寬變化量Aro:
[0091] ACD = ki · Ah……(2)；
[0092]在上述公式(2)中，1^為常量，Ah為第一位置的曝光間距變化量。Iu的取值為大于0 且小于1，其具體取值與光刻膠的特性決定。
[0093]步驟304:根據(jù)第二位置的圖形線寬變化量計(jì)算顯影液流量變化量。
[0094] 其中，該顯影液流量變化量是在第二位置噴灑顯影液流量與在基板中心位置噴灑 顯影液流量之間的差值。
[0095] 本步驟可以為:按如下公式(3)計(jì)算顯影液流量變化量Δ F:
[0096] ACD = k2 · AF……(3)；
[0097]在上述公式(3)中，k2為常量，k2的取值為大于0且小于1，其具體取值與光刻膠的特 性決定。
[0098] 步驟305:根據(jù)第二位置的顯影液流量變化量和在基板中心位置噴灑顯影液流量， 計(jì)算向第二位置噴灑顯影液的流量。
[0099]在基板中心位置噴灑顯影液流量可以為預(yù)設(shè)值。在對(duì)基板上的有機(jī)材料進(jìn)行顯影 之前，先設(shè)置向基板中心位置噴灑顯影液流量。本步驟可以為:將第二位置的顯影液流量變 化量和在基板中心位置噴灑顯影液流量相加，得到向第二位置噴灑顯影液的流量。
[0100] 步驟306:根據(jù)第二位置噴灑顯影液的流量，向第二位置噴灑顯影液，該顯影液用 于刻蝕位于第二位置處的有機(jī)材料。
[0101 ]其中，參見圖3_3和3_4,在對(duì)基板上的有機(jī)材料進(jìn)彳丁顯影時(shí)，可以在基板的上方架 設(shè)顯影裝置，該顯影裝置包括至少一個(gè)顯影液噴嘴9。該顯影裝置還可以包括搭載模塊8，至 少一個(gè)噴嘴9安裝在該塔載模塊8上。
[0102]本步驟可以為：根據(jù)第二位置噴灑顯影液的流量，控制位于第二位置上方的顯影 液噴嘴向第二位置噴灑顯影液。
[0103] 其中，該顯影裝置還包括感應(yīng)器7，該感應(yīng)器7安裝在該搭載模塊8上，搭載模塊8內(nèi) 有一顯影坐標(biāo)系，在該顯影坐標(biāo)系中該至少一個(gè)顯影液噴嘴中的每個(gè)顯影液噴嘴都有對(duì)應(yīng) 的位置。通過該感應(yīng)器7可以感應(yīng)到基板的基板坐標(biāo)系與該顯影坐標(biāo)系之間轉(zhuǎn)換關(guān)系，根據(jù) 該轉(zhuǎn)換關(guān)系，確定第二位置正上方的顯影液噴嘴。
[0104] 在本發(fā)明實(shí)施例中，由于獲取基板上的任一第二位置在掩膜板上的投射的第一位 置處的曝光間距變化量，基于該曝光間距變化量，確定出向第二位置噴灑顯影液的流量，這 樣保證向圖形線寬較大的圖形噴灑顯影液的總量大于向圖形線寬較小的圖形噴灑顯影液 的總量，使線寬較大的圖形的寬度多刻蝕一些，從而進(jìn)一步使各圖形線寬達(dá)到均一的目的。
[0105] 參見圖4,本發(fā)明實(shí)施例提供了一種顯影的裝置400,所述裝置400包括：
[0106]獲取模塊401，用于獲取第一位置的曝光間距變化量，所述第一位置是第二位置在 掩膜板上的投射位置，所述第二位置是基板上的一位置，所述第一位置的曝光間距變化量 是所述第一位置的曝光間距與所述掩膜板邊緣的曝光間距之間的差值；
[0107] 確定模塊402,用于根據(jù)所述曝光間距變化量，確定向所述第二位置噴灑顯影液的 流量；
[0108] 噴灑模塊403,用于根據(jù)所述流量，向所述第二位置噴灑顯影液，所述顯影液用于 刻蝕位于所述第二位置處的有機(jī)材料。
[0109] 可選的，所述獲取模塊401包括：
[0110] 第一計(jì)算單元，用于計(jì)算第一位置與掩膜板中心點(diǎn)之間的第一距離，以計(jì)算第一 中點(diǎn)到掩膜板邊緣的第二距離，所述第一中點(diǎn)是所述第一位置與所述掩膜板中心點(diǎn)的連線 的中點(diǎn)；
[0111] 第二計(jì)算單元，用于根據(jù)所述第一距離和所述第二距離，計(jì)算所述第一位置的曝 光間距變化量。
[0112] 可選的，所述第一計(jì)算單元，用于按如下公式計(jì)算所述第一位置的曝光間距變化 量A h:
[0113] Ah = H · [1-(1/L)n]
[0114] 其中，上述公式中，H為掩膜板中心點(diǎn)的曝光間距變化量，所述掩膜板中心點(diǎn)的曝 光間距變化量是所述掩膜板中心點(diǎn)的曝光間距與所述掩膜板邊緣的曝光間距之間的差值， 1為第一距離，L為第二距離，η為第一位置的形變指數(shù)。
[0115] 可選的，所述確定模塊402包括：
[0116]第三計(jì)算單元，用于根據(jù)所述曝光間距變化量，計(jì)算在第二位置處的圖形線寬變 化量；
[0117]第四計(jì)算單元，用于根據(jù)所述圖形線寬變化量計(jì)算顯影液流量變化量，所述顯影 液流量變化量是在所述第二位置噴灑顯影液流量與在所述基板中心位置噴灑顯影液流量 之間的差值；
[0118]第五計(jì)算單元，用于根據(jù)所述顯影液流量變化量和在所述基板中心位置噴灑顯影 液流量，計(jì)算向所述第二位置噴灑顯影液的流量。
[0119] 可選的，所述第三計(jì)算單元，用于按如下公式計(jì)算圖形線寬變化量Δ CD:
[0120] ACD = ki · Ah
[0121] 在上述公式中，1^為常量，Ah為所述曝光間距變化量。
[0122] 可選的，所述第四計(jì)算單元，用于按如下公式計(jì)算顯影液流量變化量AF:
[0123] ACD = k2 · AF
[0124] 在上述公式中，1?為常量，Δ⑶為所述圖形線寬變化量。
[0125] 可選的，所述噴灑模塊403包括控制單元和至少一個(gè)顯影噴嘴，所述至少一個(gè)顯影 液噴嘴位于所述基板的上方；
[0126] 所述控制單元，用于控制位于所述第二位置正上方的顯影液噴嘴按所述流量向所 述第二位置處噴灑顯影液。
[0127] 在本發(fā)明實(shí)施例中，由于獲取基板上的任一第二位置在掩膜板上的投射的第一位 置處的曝光間距變化量，基于該曝光間距變化量，確定出向第二位置噴灑顯影液的流量，這 樣保證向圖形線寬較大的圖形噴灑顯影液的總量大于向圖形線寬較小的圖形噴灑顯影液 的總量，使線寬較大的圖形的寬度多刻蝕一些，從而進(jìn)一步使各圖形線寬達(dá)到均一的目的。
[0128] 需要說明的是：上述實(shí)施例提供的顯影的裝置在顯影時(shí)，僅以上述各功能模塊的 劃分進(jìn)行舉例說明，實(shí)際應(yīng)用中，可以根據(jù)需要而將上述功能分配由不同的功能模塊完成， 即將裝置的內(nèi)部結(jié)構(gòu)劃分成不同的功能模塊，以完成以上描述的全部或者部分功能。另外， 上述實(shí)施例提供的顯影的裝置與顯影的方法實(shí)施例屬于同一構(gòu)思，其具體實(shí)現(xiàn)過程詳見方 法實(shí)施例，這里不再贅述。
[0129] 上述本發(fā)明實(shí)施例序號(hào)僅僅為了描述，不代表實(shí)施例的優(yōu)劣。
[0130] 本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施例的全部或部分步驟可以通過硬件 來完成，也可以通過程序來指令相關(guān)的硬件完成，所述的程序可以存儲(chǔ)于一種計(jì)算機(jī)可讀 存儲(chǔ)介質(zhì)中，上述提到的存儲(chǔ)介質(zhì)可以是只讀存儲(chǔ)器，磁盤或光盤等。
[0131]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和 原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種顯影的方法，其特征在于，所述方法包括： 獲取第一位置的曝光間距變化量，所述第一位置是第二位置在掩膜板上的投射位置， 所述第二位置是基板上的一位置，所述第一位置的曝光間距變化量是所述第一位置的曝光 間距與所述掩膜板邊緣的曝光間距之間的差值； 根據(jù)所述曝光間距變化量，確定向所述第二位置噴灑顯影液的流量； 根據(jù)所述流量，向所述第二位置噴灑顯影液，所述顯影液用于刻蝕位于所述第二位置 處的有機(jī)材料。2. 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述獲取第一位置的曝光間距變化量，包括： 計(jì)算第一位置與掩膜板中心點(diǎn)之間的第一距離，以計(jì)算第一中點(diǎn)到掩膜板邊緣的第二 距離，所述第一中點(diǎn)是所述第一位置與所述掩膜板中心點(diǎn)的連線的中點(diǎn)； 根據(jù)所述第一距離和所述第二距離，計(jì)算所述第一位置的曝光間距變化量。3. 如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述第一距離和所述第二距離，計(jì) 算所述第一位置的曝光間距變化量，包括： 按如下公式計(jì)算所述第一位置的曝光間距變化量Δ h: Ah = H · [1-(1/L)n] 其中，上述公式中，Η為掩膜板中心點(diǎn)的曝光間距變化量，所述掩膜板中心點(diǎn)的曝光間 距變化量是所述掩膜板中心點(diǎn)的曝光間距與所述掩膜板邊緣的曝光間距之間的差值，1為 第一距離，L為第二距離，η為第一位置的形變指數(shù)。4. 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述曝光間距變化量，確定向所述 第二位置噴灑顯影液的流量，包括： 根據(jù)所述曝光間距變化量，計(jì)算在第二位置處的圖形線寬變化量； 根據(jù)所述圖形線寬變化量計(jì)算顯影液流量變化量，所述顯影液流量變化量是在所述第 二位置噴灑顯影液流量與在所述基板中心位置噴灑顯影液流量之間的差值； 根據(jù)所述顯影液流量變化量和在所述基板中心位置噴灑顯影液流量，計(jì)算向所述第二 位置噴灑顯影液的流量。5. 如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述曝光間距變化量，計(jì)算在第二 位置處的圖形線寬變化量，包括： 按如下公式計(jì)算圖形線寬變化量△ CD: Λ CD = ki · Ah 在上述公式中，1^為常量，Ah為所述曝光間距變化量。6. 如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述圖形線寬變化量計(jì)算顯影液流 量變化量，包括： 按如下公式計(jì)算顯影液流量變化量A F: Λ CD = k2 · A F 在上述公式中，1?為常量，△ CD為所述圖形線寬變化量。7. 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述流量，向所述第二位置噴灑顯 影液，包括： 控制位于所述第二位置正上方的顯影液噴嘴按所述流量向所述第二位置處噴灑顯影 液。8. -種顯影的裝置，其特征在于，所述裝置包括： 獲取模塊，用于獲取第一位置的曝光間距變化量，所述第一位置是第二位置在掩膜板 上的投射位置，所述第二位置是基板上的一位置，所述第一位置的曝光間距變化量是所述 第一位置的曝光間距與所述掩膜板邊緣的曝光間距之間的差值； 確定模塊，用于根據(jù)所述曝光間距變化量，確定向所述第二位置噴灑顯影液的流量； 噴灑模塊，用于根據(jù)所述流量，向所述第二位置噴灑顯影液，所述顯影液用于刻蝕位于 所述第二位置處的有機(jī)材料。9. 如權(quán)利要求8所述的裝置，其特征在于，所述獲取模塊包括： 第一計(jì)算單元，用于計(jì)算第一位置與掩膜板中心點(diǎn)之間的第一距離，以計(jì)算第一中點(diǎn) 到掩膜板邊緣的第二距離，所述第一中點(diǎn)是所述第一位置與所述掩膜板中心點(diǎn)的連線的中 占 . 第二計(jì)算單元，用于根據(jù)所述第一距離和所述第二距離，計(jì)算所述第一位置的曝光間 距變化量。10. 如權(quán)利要求9所述的裝置，其特征在于，所述第一計(jì)算單元，用于按如下公式計(jì)算所 述第一位置的曝光間距變化量A h: Ah = H · [1-(1/L)n] 其中，上述公式中，Η為掩膜板中心點(diǎn)的曝光間距變化量，所述掩膜板中心點(diǎn)的曝光間 距變化量是所述掩膜板中心的曝光間距與所述掩膜板邊緣的曝光間距之間的差值，1為第 一距離，L為第二距離，η為第一位置的形變指數(shù)。11. 如權(quán)利要求8所述的裝置，其特征在于，所述確定模塊包括： 第三計(jì)算單元，用于根據(jù)所述曝光間距變化量，計(jì)算在第二位置處的圖形線寬變化量； 第四計(jì)算單元，用于根據(jù)所述圖形線寬變化量計(jì)算顯影液流量變化量，所述顯影液流 量變化量是在所述第二位置噴灑顯影液流量與在所述基板中心位置噴灑顯影液流量之間 的差值； 第五計(jì)算單元，用于根據(jù)所述顯影液流量變化量和在所述基板中心位置噴灑顯影液流 量，計(jì)算向所述第二位置噴灑顯影液的流量。12. 如權(quán)利要求11所述的裝置，其特征在于，所述第三計(jì)算單元，用于按如下公式計(jì)算 圖形線寬變化量A CD: Δ CD = ki · Δ h 在上述公式中，1^為常量，Ah為所述曝光間距變化量。13. 如權(quán)利要求11所述的裝置，其特征在于，所述第四計(jì)算單元，用于按如下公式計(jì)算 顯影液流量變化量A F: Δ CD = k2 · Δ F 在上述公式中，1?為常量，△ CD為所述圖形線寬變化量。14. 如權(quán)利要求8所述的裝置，其特征在于，所述噴灑模塊包括控制單元和至少一個(gè)顯 影噴嘴，所述至少一個(gè)顯影液噴嘴位于所述基板的上方； 所述控制單元，用于控制位于所述第二位置正上方的顯影液噴嘴按所述流量向所述第 二位置處噴灑顯影液。
【文檔編號(hào)】G03F7/30GK105842999SQ201610390340
【公開日】2016年8月10日
【申請(qǐng)日】2016年6月2日
【發(fā)明人】查長(zhǎng)軍, 黎敏, 吳洪江
【申請(qǐng)人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 重慶京東方光電科技有限公司