液晶顯示裝置的制造方法
【專(zhuān)利摘要】提供一種抑制對(duì)置基板相對(duì)于TFT基板的錯(cuò)位及防止由柱狀間隔件導(dǎo)致的對(duì)取向膜的磨削的液晶顯示裝置。液晶顯示裝置配置有TFT基板和對(duì)置基板，TFT基板中掃描線(xiàn)(10)沿第一方向延伸，影像信號(hào)線(xiàn)(20)沿第二方向延伸并沿第一方向排列，在由掃描線(xiàn)和影像信號(hào)線(xiàn)包圍的區(qū)域形成像素電極(112)，相對(duì)于像素電極隔著絕緣膜而形成公共電極，對(duì)置基板具有間隔件(40)，與TFT基板相對(duì)配置，在TFT基板與對(duì)置基板之間夾持有液晶，以覆蓋影像信號(hào)線(xiàn)或掃描線(xiàn)的方式，與公共電極層疊地形成公共金屬布線(xiàn)(30)，在公共金屬布線(xiàn)形成有通孔(70)，間隔件的頂端配置在通孔的內(nèi)部。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
液晶顯示裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示裝置，尤其涉及針對(duì)黑顯示時(shí)的漏光對(duì)策的高對(duì)比度的液晶顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示裝置具有液晶顯示面板，該液晶顯示面板包括:具有像素電極及薄膜晶體管(TFT)等的像素形成為矩陣狀的TFT基板、與TFT基板相對(duì)的對(duì)置基板、夾持于TFT基板與對(duì)置基板之間的液晶。并且，通過(guò)按各像素控制基于液晶分子的光透過(guò)率，由此來(lái)形成圖像。
[0003]在液晶顯示裝置中，為了維持TFT基板與對(duì)置基板的間隔，在一方的基板形成柱狀間隔件。若要變得高分辨率，難以與所有像素對(duì)應(yīng)地形成柱狀間隔件。在“專(zhuān)利文獻(xiàn)I”中記載了通過(guò)在不配置柱狀間隔件的像素配置突起，由此在所有像素，使液晶的初始取向均一。
[0004]在先專(zhuān)利文獻(xiàn)
[0005]專(zhuān)利文獻(xiàn)
[0006]專(zhuān)利文獻(xiàn)I:日本特開(kāi)特開(kāi)2006 — 23458公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]在為了將TFT基板與對(duì)置基板之間的間隔保持恒定而在對(duì)置基板側(cè)設(shè)置柱狀間隔件的情況下，用手指等按壓對(duì)置基板時(shí)，柱狀間隔件的位置偏移，此時(shí)，產(chǎn)生柱狀間隔件磨肖IjTFT基板側(cè)的取向膜的現(xiàn)象。若發(fā)生取向膜的磨削碎肩、取向膜的缺損，則在該部分產(chǎn)生漏光，因此導(dǎo)致亮點(diǎn)。
[0008]另一方面，為使液晶初始取向而使用取向膜，但若取向膜的取向軸與影像信號(hào)線(xiàn)等的朝向不同，則在影像信號(hào)線(xiàn)的側(cè)面反射的光的偏振方向發(fā)生變化，該反射光未被充分遮光，因此對(duì)比度降低。
[0009]本發(fā)明解決以上的課題。
[0010]用于解決課題的手段
[0011]本發(fā)明克服了上述課題，主要的具體手段如下所示。
[0012](I)一種液晶顯示裝置，配置有TFT基板和對(duì)置基板，所述TFT基板中，掃描線(xiàn)10沿第一方向延伸并沿第二方向排列，影像信號(hào)線(xiàn)沿第二方向延伸并沿第一方向排列，在由所述掃描線(xiàn)和所述影像信號(hào)線(xiàn)包圍的區(qū)域形成像素電極，相對(duì)于所述像素電極隔著絕緣膜形成公共電極，所述對(duì)置基板具有柱狀間隔件，與所述TFT基板相對(duì)配置，在所述TFT基板與所述對(duì)置基板之間夾持有液晶，其中，
[0013]以覆蓋所述影像信號(hào)線(xiàn)或所述掃描線(xiàn)的方式，與所述公共電極層疊地形成公共金屬布線(xiàn)，在所述公共金屬布線(xiàn)形成有通孔，所述間隔件的頂端配置在所述通孔的內(nèi)部。
[0014](2)—種液晶顯示裝置，配置有TFT基板和對(duì)置基板，所述TFT基板中，掃描線(xiàn)10沿第一方向延伸并沿第二方向排列，影像信號(hào)線(xiàn)沿第二方向延伸并沿第一方向排列，在由所述掃描線(xiàn)和所述影像信號(hào)線(xiàn)包圍的區(qū)域形成像素電極，相對(duì)于所述像素電極隔著第一絕緣膜形成公共電極，所述對(duì)置基板具有柱狀間隔件，與所述TFT基板相對(duì)配置，在所述TFT基板與所述對(duì)置基板之間夾持有液晶，其中，
[0015]所述像素電極、所述第一絕緣膜和所述公共電極形成在第二絕緣膜之上，在所述第二絕緣膜形成有用于連接所述像素電極和TFT的接觸孔，以覆蓋所述影像信號(hào)線(xiàn)或所述掃描線(xiàn)的方式，與所述公共電極層疊地形成公共金屬布線(xiàn)，在所述公共金屬布線(xiàn)形成有通孔，所述柱狀間隔件配置在所述通孔的內(nèi)部，覆蓋所述影像信號(hào)線(xiàn)的所述公共金屬布線(xiàn)，在形成有所述接觸孔的附近，在所述第一方向上每隔I條影像信號(hào)線(xiàn)地形成。
[0016](3)—種液晶顯示裝置，配置有TFT基板和對(duì)置基板，所述TFT基板中，掃描線(xiàn)10沿第一方向延伸并沿第二方向排列，影像信號(hào)線(xiàn)沿第二方向延伸并沿第一方向排列，在由所述掃描線(xiàn)和所述影像信號(hào)線(xiàn)包圍的區(qū)域形成像素電極，相對(duì)于所述像素電極隔著絕緣膜形成公共電極，所述對(duì)置基板具有柱狀間隔件，與所述TFT基板相對(duì)配置，在所述TFT基板與所述對(duì)置基板之間夾持有液晶，其中，
[0017]所述影像信號(hào)線(xiàn)的延伸方向相對(duì)于液晶的初始取向方向具有規(guī)定角度，以覆蓋所述影像信號(hào)線(xiàn)的方式，與所述公共電極層疊地形成公共金屬布線(xiàn)，所述公共電極的寬度大于所述影像信號(hào)線(xiàn)的寬度，所述影像信號(hào)線(xiàn)的厚度大于所述公共電極的厚度。
【附圖說(shuō)明】
[0018]圖1是應(yīng)用本發(fā)明的液晶顯示裝置的剖視圖。
[0019]圖2是實(shí)施例1的像素的俯視圖。
[0020]圖3是圖2的A—A剖視圖。
[0021]圖4是圖2的B—B剖視圖。
[0022]圖5是表示本發(fā)明的效果的剖視圖。
[0023]圖6是表示TFT基板與對(duì)置基板的錯(cuò)位大時(shí)的本發(fā)明的效果的剖視圖。
[0024]圖7是表示取向軸與反射面平行時(shí)的偏振光的反射的示意圖。
[0025]圖8是表示取向軸與反射面不平行時(shí)的偏振光的反射的示意圖。
[0026]圖9是表示實(shí)施例2的剖視圖。
[0027]圖10是表示本發(fā)明中的影像信號(hào)線(xiàn)的寬度與公共金屬布線(xiàn)的寬度之間關(guān)系的剖視圖。
[0028]圖11是表示公共金屬布線(xiàn)的截面為梯形時(shí)的剖視圖。
[0029]圖12是公共金屬布線(xiàn)的剖視圖的其他例。
[0030]圖13是公共金屬布線(xiàn)的剖視圖的又一其他例。
[0031]圖14是公共金屬布線(xiàn)的剖視圖的又一其他例。
[0032]圖15是實(shí)施例3的剖視圖。
[0033]圖16是公共金屬布線(xiàn)的截面為梯形時(shí)的其他剖視圖。
[0034]圖17是公共金屬布線(xiàn)的剖視圖的其他例。
[0035]圖18是公共金屬布線(xiàn)的剖視圖的又一其他例。
[0036]圖19是TFT基板與對(duì)置基板不存在錯(cuò)位時(shí)的剖視圖。
[0037]圖20是在TFT基板與對(duì)置基板存在錯(cuò)位、產(chǎn)生混色時(shí)的剖視圖。
[0038]圖21是在本發(fā)明中在TFT基板與對(duì)置基板不存在錯(cuò)位時(shí)的剖視圖。
[0039]圖22是表示本發(fā)明的效果的剖視圖。
[0040]圖23是表示本發(fā)明的其他方式的剖視圖。
[0041 ]圖24是實(shí)施例5的俯視圖。
[0042]圖25是表示實(shí)施例5的其他方式的俯視圖。
[0043]圖26是實(shí)施例6的第一例。
[0044]圖27是實(shí)施例6的第二例。
[0045]圖28是實(shí)施例6的第三例。
[0046]圖29是實(shí)施例6的第四例。
[0047]圖30是實(shí)施例6的第五例。
[0048]圖31是圖26的C—C剖視圖。
[0049]圖32是圖28的D—D剖視圖。
[0050]圖33是實(shí)施例7的俯視圖。
[0051 ] 圖34是圖33的E—E剖視圖。
[0052]圖35是實(shí)施例8的俯視圖。
[0053]圖36是圖35的F—F剖視圖。
[0054]附圖標(biāo)記的說(shuō)明
[0055]10…掃描線(xiàn)10，20…影像信號(hào)線(xiàn)，30...公共金屬布線(xiàn)，31...Α1合金，32...上層金屬，33...下層金屬，35...紅像素側(cè)增量，36...藍(lán)像素側(cè)增量，40...主柱狀間隔件，50...副柱狀間隔件，60R."R像素，60G."G像素，60Β...Β像素，70…通孔，80…透過(guò)率，90...取向方向，10-TFT基板，101…第I基底膜，102…第2基底膜，103…半導(dǎo)體層，104…柵極絕緣膜，105…柵電極，106…層間絕緣膜，107…接觸電極，109…有機(jī)鈍化膜，110…公共電極，111...電容絕緣膜，112…像素電極，113…取向膜，120…接觸孔，130…接觸孔，132…電容絕緣膜接觸孔，200…對(duì)置基板，201…濾色器，201R...紅濾色器，201G…綠濾色器，201B…藍(lán)濾色器，202…黑矩陣，203…保護(hù)膜，300…液晶層，301…液晶分子，1101...保護(hù)ΙΤ0，1105…公共電極的狹縫，1111...電容絕緣膜的通孔，D…漏極部，S…源極部。
【具體實(shí)施方式】
[0056]液晶顯示裝置中視場(chǎng)角成為問(wèn)題。IPS(In Plane Switching，平面轉(zhuǎn)換)方式中通過(guò)使液晶分子旋轉(zhuǎn)來(lái)控制透過(guò)率，因此具有優(yōu)異的視場(chǎng)角特性。IPS方式也存在多種，但如下方式比較能增大透過(guò)率，因此成為當(dāng)前主流，即，例如將公共電極形成為平面狀，在公共電極之上隔著絕緣膜配置梳齒狀(線(xiàn)狀)的像素電極，通過(guò)在像素電極與公共電極之間產(chǎn)生的電場(chǎng)使液晶分子取向(旋轉(zhuǎn))。另外，也可以將像素電極做成平面狀，將公共電極做成線(xiàn)狀電極。
[0057]圖1是這種IPS方式的液晶顯示面板的剖視圖。圖1中的TFT(薄膜晶體管)是所謂的頂柵型的TFT，作為所使用的半導(dǎo)體，使用LTPS (Low Temperature Po Iy — Si I icon，低溫多晶硅)。另一方面，在使用a — Si(無(wú)定形硅)半導(dǎo)體、一部分LTPS的情況下，多使用底柵型的TFT。在以后的說(shuō)明中，以采用頂柵型TFT的情況為例進(jìn)行說(shuō)明，但對(duì)于采用底柵型TFT的情況也能同樣適用本發(fā)明。
[0058]在圖1中，在由玻璃、樹(shù)脂等形成的TFT基板100之上，通過(guò)CVD(Chemical VaporDeposit1n)形成由氮化硅形成的第I基底膜101及由氧化硅(S12)形成的第2基底膜102。第I基底膜101及第2基底膜102的作用是防止來(lái)自基板100的雜質(zhì)污染半導(dǎo)體層103。
[0059]在第2基底膜102之上形成半導(dǎo)體層103。該半導(dǎo)體層103是通過(guò)CVD而在第2基底膜102上形成a — Si膜，通過(guò)對(duì)其進(jìn)行激光退火而變換為多晶硅(poly — Si)膜。通過(guò)利用光刻對(duì)該poly — Si膜進(jìn)行圖案形成而形成島狀的半導(dǎo)體膜。
[0060]在半導(dǎo)體膜I 03之上形成柵極絕緣膜I 04。該柵極絕緣膜I 04是基于TEOS(tetraethoxysilane，正娃酸乙酯)的氧化娃膜。該膜也通過(guò)CVD形成。在其上形成柵電極105。柵電極105兼作為掃描線(xiàn)10。柵電極105例如由鎢化鉬(MoW)膜等高熔點(diǎn)金屬、它們的合金而形成。在需要減小柵電極105或掃描線(xiàn)10的電阻時(shí)，使用鋁(Al)、銅(Cu)等低電阻金屬與高恪點(diǎn)金屬的層疊膜。
[0061 ]其后，覆蓋柵電極1 5地由氮化硅和氧化硅形成層間絕緣膜106。層間絕緣膜106用于使柵電極105與接觸電極107絕緣。在層間絕緣膜106及柵極絕緣膜104，形成有用于使半導(dǎo)體層103的源極部S與接觸電極107連接的接觸孔120。用于在層間絕緣膜106和柵極絕緣膜104形成接觸孔120的光刻同時(shí)進(jìn)行。
[0062 ]在層間絕緣膜106之上形成接觸電極1 7。接觸電極1 7經(jīng)由接觸孔130與像素電極112連接。TFT的漏極D經(jīng)由接觸孔與影像信號(hào)線(xiàn)20連接。
[0063]接觸電極107及影像信號(hào)線(xiàn)20在同層同時(shí)形成。接觸電極107及影像信號(hào)線(xiàn)為了減小電阻而使用例如Al、A1合金。由于Al、Al合金發(fā)生小丘(hi I lock)、或Al向其他層擴(kuò)散，由此采取通過(guò)例如未圖示的T1、Mo等高熔點(diǎn)金屬的阻隔層及覆蓋層將A1、A1合金夾入的構(gòu)造。有時(shí)將影像信號(hào)線(xiàn)中的連接漏極D的部分稱(chēng)為漏極電極，將接觸電極稱(chēng)為源電極。需要說(shuō)明的是，TFT的源極和漏極通過(guò)施加于TFT的電壓而適當(dāng)替換。
[0064]覆蓋接觸電極107地形成有機(jī)鈍化膜109。有機(jī)鈍化膜109由感光性的丙烯酸樹(shù)脂形成。有機(jī)鈍化膜109除了丙烯酸樹(shù)脂之外，可以由硅樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂、聚酰亞胺樹(shù)脂等形成。有機(jī)鈍化膜109具有作為平坦化膜的作用，因此形成得較厚。有機(jī)鈍化膜109的膜厚為I?4μπι，但多數(shù)情況下為2?3μπι左右。另外，可以在有機(jī)鈍化膜與接觸電極之間設(shè)置無(wú)機(jī)鈍化膜。
[0065]為了取得像素電極112與接觸電極107的導(dǎo)通，在有機(jī)鈍化膜109形成接觸孔130。由于有機(jī)鈍化膜109使用感光性的樹(shù)脂，因此在涂布感光性的樹(shù)脂之后，若對(duì)該樹(shù)脂進(jìn)行曝光，則僅光照射的部分溶解于特定的顯影液。即，通過(guò)使用感光性樹(shù)脂，能夠省略抗蝕劑的形成。在感光性樹(shù)脂形成接觸孔130之后，在230°C左右進(jìn)行燒制，由此完成有機(jī)鈍化膜109。
[0066]其后通過(guò)派射形成作為公共電極110的IT0(Indium Tin Oxide，銦錫氧化物)，進(jìn)行圖案形成，以從接觸孔130及其周邊除去ΙΤ0。公共電極110能夠在各像素共通地形成為平面狀。其后，通過(guò)CVD在整面形成作為電容絕緣膜111的氮化硅。其后，在接觸孔130內(nèi)，在電容絕緣膜111形成用于取得接觸電極107與像素電極112的導(dǎo)通的接觸孔。
[0067]其后，通過(guò)濺射形成ΙΤ0，進(jìn)行圖案形成而形成像素電極112。在像素電極112之上通過(guò)柔性印刷或噴墨等涂布取向膜材料，進(jìn)行燒制而形成取向膜113。取向膜113的取向處理，除了摩擦法之外，使用基于偏振紫外線(xiàn)的光取向法。
[0068]當(dāng)在像素電極112與公共電極110之間施加電壓時(shí)，產(chǎn)生圖1所示的電力線(xiàn)。通過(guò)該電場(chǎng)使液晶分子301旋轉(zhuǎn)，按各像素控制通過(guò)液晶層300的光的量，由此形成圖像。
[0069]在圖1中，隔著液晶層300地配置對(duì)置基板200。在對(duì)置基板200的液晶層側(cè)形成有濾色器201。濾色器201按各像素形成紅、綠、藍(lán)的濾色器，由此形成彩色圖像。在濾色器201與濾色器201之間形成遮光膜(黑矩陣)202，提高了圖像的對(duì)比度。需要說(shuō)明的是，遮光膜202也具有對(duì)TFT遮光的作用，防止光電流流向TFT。
[0070]覆蓋濾色器201及黑矩陣202地形成保護(hù)(overcoat)膜203。由于濾色器201及黑矩陣202的表面成為凹凸，通過(guò)保護(hù)膜203使表面平坦。在保護(hù)膜之上(液晶層300側(cè))形成用于決定液晶的初始取向的取向膜113。取向膜113的取向處理與TFT基板100側(cè)的取向膜113同樣，使用摩擦法或光取向法。
[0071]TFT基板100與對(duì)置基板200之間的間隔由柱狀間隔件40規(guī)定。柱狀間隔件40在對(duì)置基板200中在形成了保護(hù)膜203后形成，或與保護(hù)膜203同時(shí)形成。柱狀間隔件40除了柱狀以外，還包括錘狀、它們的組合等各種形狀。本發(fā)明的特征在于在TFT基板100，柱狀間隔件40的頂端所接觸的部分。TFT基板100側(cè)的公共電極110由ITO形成，因此電阻值大。為了降低公共電極110的電阻，在掃描線(xiàn)及影像信號(hào)線(xiàn)的上方，在公共電極110與TFT基板之間、或公共電極110與液晶層300之間形成公共金屬布線(xiàn)30。
[0072]然而，在本說(shuō)明書(shū)中，將在與柱狀間隔件40等接觸的部分形成的公共金屬布線(xiàn)30等上所形成的孔(公共金屬布線(xiàn)的除去部)稱(chēng)為通孔或公共金屬布線(xiàn)的開(kāi)口，將與接觸電極107等取得導(dǎo)通的孔稱(chēng)為接觸孔。在圖1中，柱狀間隔件40在形成于公共金屬布線(xiàn)30的通孔內(nèi)與TFT基板側(cè)接觸。因而，即使在用手指等對(duì)對(duì)置基板等施加了壓力的情況下，柱狀間隔件40的移動(dòng)被通孔的側(cè)壁妨礙，柱狀間隔件40止步于通孔內(nèi)。就是說(shuō)，柱狀間隔件40磨削取向膜113的機(jī)會(huì)減少，發(fā)生取向膜113的碎肩的概率也變小。而且，TFT基板100與對(duì)置基板200的錯(cuò)位也得以抑制。
[0073]需要說(shuō)明的是，以上的結(jié)構(gòu)僅是例子，例如有時(shí)在接觸電極107與有機(jī)鈍化膜109之間形成無(wú)機(jī)鈍化膜。而且，有時(shí)接觸孔130的形成工藝也根據(jù)品種的不同而不同。以下使用實(shí)施例詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明。
[0074]【實(shí)施例1】
[0075]圖2是表不本發(fā)明的實(shí)施例1的像素部的俯視圖。在圖2中，決定液晶分子的初始取向的取向膜的取向方向90為紙面的縱向。像素電極112是具有狹縫的條狀(多個(gè)線(xiàn)狀)的電極。需要說(shuō)明的是，有時(shí)像素電極112是不具有狹縫的I根線(xiàn)狀電極。在對(duì)液晶施加電壓時(shí)，為了規(guī)定液晶分子的旋轉(zhuǎn)方向，像素電極112的長(zhǎng)徑相對(duì)于取向方向90具有規(guī)定的角度Θ。該角度Θ為5度至15度。
[0076]像素電極112形成在由掃描線(xiàn)10和影像信號(hào)線(xiàn)20包圍的區(qū)域。影像信號(hào)線(xiàn)20與像素電極的傾斜Θ相應(yīng)地傾斜，因此彎曲著向縱向延伸、并沿橫向排列。此外，掃描線(xiàn)1向橫向延伸、沿縱向排列。在圖2中，在公共電極110以覆蓋影像信號(hào)線(xiàn)20及掃描線(xiàn)10的方式連接有公共金屬布線(xiàn)30。
[0077]由于公共電極110由ITO形成，因此為了降低公共電極110的電阻而連接公共金屬布線(xiàn)30。公共金屬布線(xiàn)30由以電阻低的Al為主體的金屬形成，厚度為150nm以上，但比影像信號(hào)線(xiàn)20的厚度薄。需要說(shuō)明的是，影像信號(hào)線(xiàn)20的厚度為500nm左右。在圖2中，影像信號(hào)線(xiàn)20和掃描線(xiàn)10交叉的附近，大于公共金屬布線(xiàn)30的面積，在該部分的公共金屬布線(xiàn)30形成通孔70。
[0078]形成于對(duì)置基板200的主柱狀間隔件40的頂端及副柱狀間隔件50的頂端配置在該通孔70內(nèi)。即，主柱狀間隔件40和副柱狀間隔件50的頂端成為被公共金屬布線(xiàn)包圍的狀態(tài)。在此，主柱狀間隔件40在通常狀態(tài)下規(guī)定TFT基板100與對(duì)置基板200之間的間隔，頂端始終與TFT基板100側(cè)接觸。另一方面，副柱狀間隔件50的頂端在通常狀態(tài)下不與TFT基板100側(cè)接觸，在被對(duì)置基板200按壓而施加了壓力時(shí)與TFT基板100接觸，發(fā)揮作用以使TFT基板100與對(duì)置基板200之間的間隔不過(guò)度變小。以后，對(duì)于柱狀間隔件，以主柱狀間隔件40為代表進(jìn)行說(shuō)明。
[0079]圖3是圖2的A—A剖視圖。在圖3中，影像信號(hào)線(xiàn)20下側(cè)的層省略圖示。在以下的說(shuō)明中記述的剖視圖也同樣。在圖3中，在影像信號(hào)線(xiàn)20的上方，隔著有機(jī)鈍化膜109配置公共金屬布線(xiàn)30。公共金屬布線(xiàn)30的厚度比影像信號(hào)線(xiàn)薄，寬度比影像信號(hào)線(xiàn)寬。如在后所述，由公共金屬布線(xiàn)30對(duì)從影像信號(hào)線(xiàn)的側(cè)面反射的光進(jìn)行遮光，防止對(duì)比度的降低。
[0080]圖4是圖2的B— B剖視圖。在圖4中，在公共金屬布線(xiàn)30形成有通孔，形成于對(duì)置基板的柱狀間隔件40與同通孔對(duì)應(yīng)的凹部接觸。圖5是表示對(duì)對(duì)置基板200施加外力而柱狀間隔件40在水平方向錯(cuò)位的情況的剖視圖。在該情況下，柱狀間隔件40與凹部的側(cè)壁接觸，柱狀間隔件40防止對(duì)置基板200相對(duì)于TFT基板100在水平方向上進(jìn)一步錯(cuò)位。此外，也能抑制由柱狀間隔件40對(duì)取向膜113的磨削。即，取向膜的磨削碎肩成為亮點(diǎn)的發(fā)生原因，因此通過(guò)本發(fā)明能夠抑制亮點(diǎn)的發(fā)生。
[0081]圖6是表示對(duì)對(duì)置基板200的橫向的力大、柱狀間隔件40超過(guò)凹部而攀上到周邊時(shí)的狀態(tài)的剖視圖。如圖6所示，通孔的周邊形成有公共布線(xiàn)金屬的突起，通過(guò)涂布取向膜材料時(shí)的調(diào)平效果，取向膜113的膜厚與凹部?jī)?nèi)相比變小。因而，即使如圖6所示，發(fā)生了柱狀40攀上到通孔的周邊，也能將取向膜113的磨削抑制得較小。
[0082]如此，根據(jù)本發(fā)明，在公共金屬布線(xiàn)30形成通孔70，并在與該通孔部分對(duì)應(yīng)地配置形成于對(duì)置基板200的柱狀間隔件40，由此能夠抑制對(duì)置基板200與TFT基板100的錯(cuò)位，能夠抑制由柱狀間隔件40對(duì)取向膜的磨削。
[0083]【實(shí)施例2】
[0084]圖7是表示在液晶的取向方向90與影像信號(hào)線(xiàn)20的延伸方向?yàn)橄嗤较驎r(shí)的從液晶側(cè)面的光的反射的示意圖。此時(shí)，沒(méi)有P偏振成分，S偏振與P偏振的比例不變，因此反射光的偏振軸的方向不變化。圖8是表示液晶的取向方向90與影像信號(hào)線(xiàn)20的延伸方向具有某角度、例如Θ的情形。此時(shí)，P偏振的反射率小于s偏振的反射率，因此入射光和反射光的偏振軸發(fā)生變化。并且，Θ越大則偏振軸的偏移越大。于是，上偏振板的檢光作用變得不夠充分，在黑顯示時(shí)產(chǎn)生漏光。也就是說(shuō)對(duì)比度降低。
[0085]但是，在IPS方式中，為了防止域(domain)的發(fā)生，規(guī)定的角度Θ必須為5至15度左右的角度。也就是說(shuō)，為了防止對(duì)比度的降低，需要盡可能對(duì)來(lái)自影像信號(hào)線(xiàn)20側(cè)面的反射光進(jìn)行遮光。
[0086]圖9是表示本發(fā)明的結(jié)構(gòu)的剖視圖。如圖9所示，示出如下結(jié)構(gòu):使形成于影像信號(hào)線(xiàn)20上的公共金屬布線(xiàn)30的寬度大于影像信號(hào)線(xiàn)20的寬度，通過(guò)公共金屬布線(xiàn)30將來(lái)自影像信號(hào)線(xiàn)20側(cè)面的反射光遮擋。雖然也有從公共金屬布線(xiàn)30側(cè)面的反射，但由于公共金屬布線(xiàn)30的厚度小于影像信號(hào)線(xiàn)的厚度，因此能夠使來(lái)自公共金屬布線(xiàn)30側(cè)面的反射小于來(lái)自影像信號(hào)線(xiàn)20側(cè)面的反射。因此，能夠提高對(duì)比度。
[0087]圖10是表示相對(duì)于影像信號(hào)線(xiàn)20的寬度將公共金屬布線(xiàn)30的寬度增大到何種程度為好的示意圖。在圖10中，設(shè)有機(jī)鈍化膜109的膜厚為y，在片側(cè)的公共金屬布線(xiàn)30和影像信號(hào)線(xiàn)20的寬度為X時(shí)，X = ytanri。需要說(shuō)明的是，該式中，影像信號(hào)線(xiàn)的厚度與有機(jī)鈍化膜的厚度相比而言可無(wú)視。在有機(jī)鈍化膜109與影像信號(hào)線(xiàn)20之間存在無(wú)機(jī)鈍化膜時(shí)，無(wú)機(jī)鈍化膜的膜厚與有機(jī)鈍化膜的膜厚相比也可無(wú)視。此外，設(shè)公共金屬布線(xiàn)30的寬度為wl，影像信號(hào)線(xiàn)20的寬度為w2時(shí)，x=(wl — w2)/2。
[0088]在圖10的結(jié)構(gòu)中，若設(shè)Tl為5度以上則能得到顯著效果。也就是說(shuō)，對(duì)于對(duì)比度的印象，尤其是在從畫(huà)面的正面觀(guān)察時(shí)的對(duì)比度的影響特別大。就是說(shuō)，考慮到光從液晶顯示面板向外部出射使光發(fā)生折射，為了得到顯著效果，在圖10中，需要使η為5度以上。另一方面，若增大X，則對(duì)比度提高，但透過(guò)率變小。從確保透過(guò)率觀(guān)點(diǎn)考慮，希望X為3μπι以下，更優(yōu)選是抑制為2.5μηι以下。
[0089]在以上的說(shuō)明中，公共金屬布線(xiàn)30作為例如Al合金單層進(jìn)行了說(shuō)明，但不限于此，公共金屬布線(xiàn)30可以形成多層。例如可以在Al、Al合金的上層及下層形成MoW等的薄膜。通過(guò)由高熔點(diǎn)金屬形成上層，由此能夠防止Al的小丘成長(zhǎng)而突破電容電極及取向膜到達(dá)液晶層，擾亂液晶中的電場(chǎng)。而且，若Al合金與ITO直接接觸，則Al被氧化，Al合金與ITO的電導(dǎo)通可能變得不充分。通過(guò)由高熔點(diǎn)金屬形成下層，由此可防止Al被氧化、使得ITO與公共金屬布線(xiàn)充分導(dǎo)通。
[0090]此外，公共金屬布線(xiàn)30的截面不僅是為矩形的情況，如圖11所示，可以為梯形。若公共金屬布線(xiàn)30的截面為梯形，則在公共金屬布線(xiàn)30之上形成其他膜時(shí)，能夠減少引起斷層的危險(xiǎn)。在圖11中，Al合金31的厚度為130nm，上層32的MoW的厚度為1nm，下層33MoW的厚度為20nm左右。作為Al合金，例如使用AlS1、AlCu、AlNb等，作為上層及下層，除了MoW之外，還使用MoCr、Mo、Ti等。可以用比下層的金屬的反射率低的金屬形成上層的金屬。關(guān)于Al合金、上層、下層的厚度、材料，在公共金屬布線(xiàn)30的截面為矩形時(shí)也同樣。除此之外，公共金屬布線(xiàn)30截面形狀可以是如圖12、圖13、圖14等所示的形狀。圖12是上層32及下層33的金屬的寬度大于Al合金31的寬度的情形。圖13是下層33的寬度大于Al合金31的寬度、上層32的寬度小于Al合金31的寬度的情形。圖14是上層32的寬度大于Al合金31的寬度、下層33的寬度小于Al合金31的寬度的情形。在任一情況下都能獲得本發(fā)明的效果。
[0091]【實(shí)施例3】
[0092]實(shí)施例1及實(shí)施例2中，公共金屬布線(xiàn)30配置在公共電極110的上側(cè)。但是，公共金屬布線(xiàn)30可以形成在公共電極110的下側(cè)。圖15表示該例。在圖15中，在有機(jī)鈍化膜109的上偵叭液晶層側(cè))形成公共金屬布線(xiàn)30，在公共金屬布線(xiàn)30上形成公共電極110，在公共電極110上形成電容絕緣膜111，在電容絕緣膜111上形成取向膜113。
[0093]公共金屬布線(xiàn)30的平面配置與圖2相同，以覆蓋掃描線(xiàn)和影像信號(hào)線(xiàn)的方式形成并且，如圖4所示，在公共金屬布線(xiàn)30形成通孔、使柱狀間隔件40的頂端與凹部接觸的結(jié)構(gòu)也相同。而且，在圖5及圖6中說(shuō)明的效果也相同。
[0094]本實(shí)施例的公共金屬布線(xiàn)30也可以做成Al布線(xiàn)與高熔點(diǎn)金屬的層疊結(jié)構(gòu)。本實(shí)施例中，由于在上層配置由ITO形成的公共電極110，因此下層的高熔點(diǎn)金屬不一定是必須的。公共金屬布線(xiàn)30的截面形狀不需要是矩形，可以是梯形，這一點(diǎn)與實(shí)施例1相同。
[0095]圖16是公共金屬布線(xiàn)30的截面形狀為梯形的情形。在圖16中，Al合金31的厚度為130nm，上層32的MoW的厚度為10nm，下層不存在。圖17是上層32的寬度大于Al合金31的寬度的情形，圖18是上層32的寬度小于Al合金31的寬度的情形。圖17和圖18中也不存在下層。
[0096]在本實(shí)施例的任一情形中，都能得到如下等的本發(fā)明的效果:能抑制對(duì)置基板200與TFT基板100的錯(cuò)位、能抑制取向膜113的磨削。需要說(shuō)明的是，在本實(shí)施例中也是通過(guò)實(shí)施例2的構(gòu)成，利用來(lái)自影像信號(hào)線(xiàn)20側(cè)面的反射，由此能夠防止因偏振軸偏移導(dǎo)致的對(duì)比度降低。在至此的實(shí)施例中，可以做成將公共金屬布線(xiàn)的通孔部70的公共電極110除去的結(jié)構(gòu)。
[0097]【實(shí)施例4】
[0098]本實(shí)施例是將公共金屬布線(xiàn)30用于混色抑制的結(jié)構(gòu)。圖19及圖20是表示混色問(wèn)題的剖視圖。在圖19中，在對(duì)置基板側(cè)形成有藍(lán)濾色器201B、紅濾色器201R、綠濾色器201G，在各濾色器之間配置有黑矩陣202。在隔著液晶層300位于下側(cè)的TFT基板，形成有藍(lán)像素60B、紅像素60R、綠像素60G ο各像素的透過(guò)率通過(guò)曲線(xiàn)80而顯示。
[0099]圖19是TFT基板與對(duì)置基板無(wú)錯(cuò)位的情形，不產(chǎn)生混色。圖20是在TFT基板與對(duì)置基板之間產(chǎn)生了錯(cuò)位的情形。在圖20中，例如從斜向射出紅像素60R的光的一部分通過(guò)綠濾色器201G。這就是混色。混色使色純度變差。
[0100]圖21是本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)。在圖21中，在TFT基板的各像素的邊界形成具有規(guī)定寬度的公共金屬布線(xiàn)30。其他結(jié)構(gòu)與在圖19中說(shuō)明的相同。圖21是TFT基板與對(duì)置基板無(wú)錯(cuò)位的情形。
[0101]圖22是TFT基板與對(duì)置基板產(chǎn)生了錯(cuò)位的情形。如圖22所示，根據(jù)本發(fā)明，通過(guò)形成公共金屬布線(xiàn)30，對(duì)于從斜向射出TFT基板的像素的光也能抑制混色。這是由于公共金屬布線(xiàn)30對(duì)產(chǎn)生混色的光進(jìn)行了遮光的緣故。另外，即使在不產(chǎn)生錯(cuò)位的情況下，根據(jù)遮光膜202的寬度、觀(guān)察者相對(duì)于顯示面板法線(xiàn)方向的角度，有時(shí)會(huì)產(chǎn)生混色，在這種情況下通過(guò)設(shè)置公共金屬布線(xiàn)，有時(shí)也能抑制混色。
[0102]關(guān)于混色的影響，不是在各色都同樣產(chǎn)生，例如有時(shí)紅色的混色尤其容易醒目。有時(shí)藍(lán)色的混色容易醒目。因此，根據(jù)顯示裝置的種類(lèi)，有時(shí)采用尤其對(duì)混色容易醒目的顏色進(jìn)行遮光的結(jié)構(gòu)是有效的。根據(jù)本發(fā)明，通過(guò)按各顏色改變公共金屬布線(xiàn)30的寬度，能夠容易實(shí)現(xiàn)該結(jié)構(gòu)。
[0103]圖23是表示該結(jié)構(gòu)的例子。圖23是使與混色容易醒目的紅像素201R及藍(lán)像素201B對(duì)應(yīng)的公共金屬布線(xiàn)30的寬度增加的例子。在圖23中，用35表示紅像素60R側(cè)的增加量，用36表示藍(lán)像素60B側(cè)的增加量。與其他顏色相比，綠像素60G對(duì)明亮度的影響大，因此與其他像素相比，使綠像素的透過(guò)率變大。
[0104]在紅像素60R對(duì)混色的影響特別大時(shí)等，可以?xún)H增大紅像素60R的邊界部的公共金屬布線(xiàn)30的寬度，在藍(lán)像素60B對(duì)混色的影響特別大時(shí)等，可以?xún)H增大藍(lán)像素60B的邊界部的公共金屬布線(xiàn)30的寬度。就是說(shuō)，可以使各像素的邊界部的公共金屬布線(xiàn)30的寬度僅向一方的像素?cái)U(kuò)展。此外，在同一像素的兩側(cè)，可以?xún)H增大一側(cè)的公共金屬布線(xiàn)30的寬度。任一情況下，都能通過(guò)僅改變用于對(duì)公共金屬布線(xiàn)30圖案形成的曝光掩模就能實(shí)現(xiàn)所需的結(jié)構(gòu)。另外，不限于使公共金屬布線(xiàn)30的寬度在各像素的邊界部不同的結(jié)構(gòu)，可以做成公共金屬布線(xiàn)30的寬度相同，在各像素的邊界部，使公共金屬布線(xiàn)的中心和影像信號(hào)線(xiàn)的中心錯(cuò)開(kāi)。通過(guò)該結(jié)構(gòu)，能夠防止開(kāi)口率的減少。
[0105]【實(shí)施例5】
[0106]在公共金屬布線(xiàn)30形成通孔，并在通孔中配置柱狀間隔件40或副柱狀間隔件50的頂端的情況下，有時(shí)在通孔的凹部，取向膜形成得較厚。以后，通過(guò)柱狀間隔件40說(shuō)明該現(xiàn)象。在這種情況下，有恐由柱狀間隔件40對(duì)取向膜的磨削變大的隱患。本實(shí)施例中，如圖24所示，在公共金屬布線(xiàn)30的形成通孔70的一部分公共金屬布線(xiàn)形成切缺(非形成部位)，涂布取向膜時(shí)，取向膜材料容易經(jīng)由切缺而向凹部的外側(cè)流出，抑制了取向膜在凹部?jī)?nèi)形成得較厚。在圖24中，切缺為一個(gè)部位，但不限于此，切缺可以是2處以上，切缺的位置也不限于圖24的位置。
[0107]圖25是本實(shí)施例的其他例。在圖25中，通孔70的一半開(kāi)放。在該情況下，通孔70開(kāi)放的一側(cè)成為不存在柱狀間隔件40的止擋部的狀態(tài)。在圖25中，202表示形成于對(duì)置基板的遮光膜(黑矩陣)，從通孔70的中心到黑矩陣202的寬度方向的端部為止的距離，在通孔70的存在切缺(開(kāi)放部)的一側(cè)較大。即，該方向上，即使不存在針對(duì)柱狀間隔件40的止擋部，由于相對(duì)于漏光的余量大，因此也能抑制對(duì)比度的降低。
[0108]如以上所示，根據(jù)本實(shí)施例，通過(guò)在收納柱狀間隔件40的公共金屬布線(xiàn)30的通孔70形成切缺，能夠防止取向膜在通孔70內(nèi)形成得較厚，因此能夠抑制由柱狀間隔件40導(dǎo)致的取向膜磨削。另外，在圖25中，從沿平行于掃描線(xiàn)的方向延伸的公共金屬布線(xiàn)向上側(cè)(夾著掃描線(xiàn)而設(shè)置一方像素的方向)設(shè)有開(kāi)放部，在下側(cè)(夾著掃描線(xiàn)而設(shè)置另一方像素的方向)不設(shè)置開(kāi)放部。雖然將這樣的結(jié)構(gòu)做成使通孔的一半開(kāi)放，但也可以從沿平行于掃描線(xiàn)的方向延伸的公共金屬布線(xiàn)向上側(cè)設(shè)置一部分公共金屬布線(xiàn)。而且，在沿平行于掃描線(xiàn)的方向延伸的公共金屬布線(xiàn)不與通孔連接的情況下，將本來(lái)的通孔的全周中的大致一半圓周除去而做成一半開(kāi)放。開(kāi)放部不限定于一半，可以是一半以上，也可以是一半以下。
[0109]【實(shí)施例6】
[0110]本實(shí)施例是表示公共IT0110與公共金屬布線(xiàn)30的位置關(guān)系的例子。圖26是表示本實(shí)施例的第一形態(tài)的俯視圖。在圖26中，像素電極省略。為了使像素電極與接觸電極導(dǎo)通，在接觸孔130內(nèi)，在電容絕緣膜111形成接觸孔132。
[0111]在圖26中，在遍及整個(gè)畫(huà)面的范圍形成公共電極110。另一方面，在接觸孔130內(nèi)，像素電極延伸，因此為了避免在接觸孔內(nèi)130中像素電極和公共電極發(fā)生短路，而在接觸孔內(nèi)不形成公共電極110。
[0112]圖31是表示該情形的剖視圖。圖31是圖26的C一C剖視圖。在圖31中省略了像素電極。在圖31中，在接觸孔130的包含側(cè)壁的內(nèi)側(cè)未形成公共電極110。在圖31中，在接觸孔130的內(nèi)側(cè)的電容絕緣膜111形成接觸孔132。
[0113]返回圖26，公共金屬布線(xiàn)30覆蓋影像信號(hào)線(xiàn)20地以比影像信號(hào)線(xiàn)20的寬度大的寬度形成。為了配置前述的柱狀間隔件，在圖26中，在接觸孔130的附近，每隔I條影像信號(hào)線(xiàn)地設(shè)置覆蓋影像信號(hào)線(xiàn)20的公共金屬布線(xiàn)30。就是說(shuō)，每隔I條地設(shè)置前述的開(kāi)放部。公共金屬布線(xiàn)30的開(kāi)放部(切缺)不限于每隔I條，也可以每隔多條地設(shè)置。通過(guò)做成這樣的結(jié)構(gòu)，由此能夠同時(shí)實(shí)現(xiàn)防止由間隔件對(duì)取向膜的磨削和減少公共布線(xiàn)的電阻。
[0114]圖27是本實(shí)施例的第二形態(tài)。在圖27中，公共電極110夾著接觸孔130在橫向形成為帶狀。相反而言，在接觸孔130的部分，未形成公共電極的區(qū)域在多個(gè)像素的區(qū)域呈帶狀設(shè)置。圖27中的上側(cè)的公共電極110和下側(cè)的公共電極110由公共金屬布線(xiàn)30連接。公共金屬布線(xiàn)30由金屬形成，且膜厚也比公共電極厚，因此能夠使上下的公共電極110之間的電阻充分小。而且，在本實(shí)施例中，也是在接觸孔130的部分，相對(duì)于影像信號(hào)線(xiàn)20每隔I條地形成公共金屬布線(xiàn)30，但不限于每隔I條，也可以每隔多條地設(shè)置。圖28是表示本實(shí)施例的第三形態(tài)的俯視圖。圖28與圖26的不同之處在于，以覆蓋接觸孔130的方式形成與公共電極110同時(shí)形成的保護(hù)IT01101。圖32是圖28的D — D剖視圖。圖32與圖31的不同之處在于，在接觸孔130的底部附近，在有機(jī)鈍化膜109與電容絕緣膜111之間及接觸電極107與電容絕緣膜111之間形成有保護(hù)IT01101。
[0115]接觸孔130內(nèi)的形狀復(fù)雜，在電容絕緣膜111容易產(chǎn)生裂紋等。另一方面，有機(jī)鈍化膜109容易含有水分，若該水分通過(guò)電容絕緣膜111的裂紋等而侵入液晶層，則使液晶的動(dòng)作劣化。因此，在圖32，在有機(jī)鈍化膜109與電容電極111之間形成保護(hù)IT01101，由此來(lái)防止存在于有機(jī)鈍化膜109的水分侵入液晶內(nèi)。需要說(shuō)明的是，保護(hù)IT01101與公共電極110同時(shí)形成，但由于在圖案形成后與接觸電極連接，因此即使在電容絕緣膜111產(chǎn)生了裂紋，即使像素電極與保護(hù)ITOl 1I在該部分接觸也不會(huì)對(duì)特性產(chǎn)生影響。
[0116]圖29是表示本實(shí)施例的第四形態(tài)的俯視圖。圖29與圖27的不同之處在于以覆蓋接觸孔130的方式存在保護(hù)IT01101。保護(hù)IT01101的作用如圖28中所述。
[0117]圖30是表示本實(shí)施例的第五形態(tài)的俯視圖。在圖30中，在接觸孔130附近，公共金屬布線(xiàn)30每隔I條影像信號(hào)線(xiàn)20地形成這一點(diǎn)與圖29相同，但在圖30中，接觸孔130、電容絕緣膜的接觸孔132向沒(méi)有公共金屬布線(xiàn)30的一側(cè)偏移形成。由此，公共金屬布線(xiàn)30進(jìn)入接觸孔內(nèi)，能夠容易防止與像素電極發(fā)生短路。需要說(shuō)明的是，在圖30中，相對(duì)于接觸電極107而言，接觸孔130、保護(hù)ITO的位置及形成于電容絕緣膜的接觸孔132的中心也向不存在公共金屬布線(xiàn)的一側(cè)偏心。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，接觸孔130附近的布局變得更容易。
[0118]如以上所述，根據(jù)本實(shí)施例，能夠避開(kāi)接觸孔地容易配置公共金屬布線(xiàn)。從接觸電極107的中央偏移的是接觸孔130、保護(hù)ITO的位置及形成于電容絕緣膜的接觸孔132的各自的中心，但可以?xún)H使它們的一部分錯(cuò)開(kāi)。而且，這些結(jié)構(gòu)可以適用于其他實(shí)施方式。
[0119]【實(shí)施例7】
[0120]圖33是表示本實(shí)施例的俯視圖。在圖33中，在形成于公共金屬布線(xiàn)30的通孔的一半形成有切缺(開(kāi)放部)這一點(diǎn)與實(shí)施例5的圖25相同。圖33與圖25的不同之處在于，在公共金屬布線(xiàn)30的通孔內(nèi)也形成電容絕緣膜111的通孔1111。圖33中的虛線(xiàn)表示電容絕緣膜的通孔1111。
[0121]圖34是圖33的E— E剖視圖。在圖33中，柱狀間隔件40在形成于公共金屬布線(xiàn)30及電容絕緣膜111的通孔內(nèi)與TFT基板側(cè)接觸。如圖33、34所示，柱狀間隔件40欲向圖33的下偵叭或向圖34的左側(cè)移動(dòng)時(shí)，存在與公共金屬布線(xiàn)30和電容絕緣膜111的層疊膜相當(dāng)?shù)谋?，與其他實(shí)施例相比，能夠作為更有效的障壁。
[0122]此外，柱狀間隔件40欲向圖33的上側(cè)、或向圖34的右側(cè)移動(dòng)時(shí)，至少存在相當(dāng)于電容絕緣膜111膜厚的障壁，能夠形成針對(duì)柱狀間隔件40的障壁。這一點(diǎn)與實(shí)施例5的圖25相比，較為有利。
[0123]需要說(shuō)明的是，與實(shí)施例5對(duì)比地說(shuō)明了本實(shí)施例，但在實(shí)施例1的情況下，通過(guò)在公共金屬布線(xiàn)30的通孔的部分重疊地形成電容絕緣膜111的通孔1111，由此能夠形成相對(duì)于柱狀間隔件40的動(dòng)作而言更有效的障壁。如此，在本實(shí)施例，在電容絕緣膜111也形成通孔1111，由此能夠更有效地抑制TFT基板與對(duì)置基板的錯(cuò)位。
[0124]【實(shí)施例8】
[0125]在以上的實(shí)施例，針對(duì)在IPS方式，在公共電極110的上側(cè)存在像素電極112時(shí)的結(jié)構(gòu)說(shuō)明了本發(fā)明。在IPS方式中也存在如下方式:像素電極112在下側(cè)(TFT基板側(cè))，隔著電容絕緣膜111而公共電極110存在于上側(cè)(液晶層側(cè))。在該情況下，可以使用如下結(jié)構(gòu):在整個(gè)畫(huà)面將公共電極110形成為平面狀，在與形成為平面狀的像素電極112對(duì)應(yīng)的部分，在公共電極110形成有狹縫1105。
[0126]圖35是公共電極110存在于上側(cè)時(shí)的像素的俯視圖。在圖35，覆蓋影像信號(hào)線(xiàn)及掃描線(xiàn)地存在公共金屬布線(xiàn)30，而且，在由影像信號(hào)線(xiàn)和掃描線(xiàn)包圍的區(qū)域存在像素電極，這一點(diǎn)與圖2相同。在圖35，像素電極省略，但在與像素電極對(duì)應(yīng)的部分存在公共電極110的狹縫1105。電力線(xiàn)通過(guò)狹縫1105向液晶中延伸來(lái)控制液晶分子。
[0127]在圖35，在影像信號(hào)線(xiàn)與掃描線(xiàn)交叉的區(qū)域的公共金屬布線(xiàn)30形成通孔70。在該通孔70內(nèi)配置主柱狀間隔件40和副柱狀間隔件50。
[0128]圖36是圖35的F—F剖視圖。在圖36中，在有機(jī)鈍化膜109之上形成像素電極112。像素電極112在像素與像素之間被分隔。俯視看在像素電極112與像素電極112之間存在影像信號(hào)線(xiàn)20。覆蓋像素電極112及有機(jī)鈍化膜109地形成電容絕緣膜111。
[0129]在電容絕緣膜111之上，以覆蓋影像信號(hào)線(xiàn)20的方式形成公共金屬布線(xiàn)30。覆蓋公共金屬布線(xiàn)30地形成公共電極110。在F—F截面，在公共電極110的兩側(cè)存在狹縫1105，因此公共電極110看起來(lái)呈島狀，但在其他區(qū)域，如圖35所示，在各像素共通地形成為較寬。返回圖36，覆蓋公共電極110地形成取向膜113。
[0130]在這種膜結(jié)構(gòu)中也是在公共金屬布線(xiàn)30的通孔70部分，通孔70的側(cè)壁成為柱狀間隔件40動(dòng)作的障壁，妨礙柱狀間隔件40的移動(dòng)，抑制TFT基板與對(duì)置基板的錯(cuò)位，這一點(diǎn)與在實(shí)施例1中說(shuō)明的相同。
[0131]在圖36中，公共金屬布線(xiàn)30形成在比公共電極110靠下側(cè)(TFT基板側(cè))，但公共金屬布線(xiàn)30可以形成在公共電極110的上側(cè)(液晶層側(cè))。此外，在實(shí)施例1至7說(shuō)明的內(nèi)容也能適用于本實(shí)施例。
[0132]如此，即使在公共電極110存在于比像素電極112靠上側(cè)的情況下，通過(guò)適用本發(fā)明，也能防止取向膜磨削、抑制TFT基板與對(duì)置基板的錯(cuò)位、防止因來(lái)自影像信號(hào)線(xiàn)20側(cè)面的反射所引起的漏光。由此，能夠抑制由于取向膜磨削導(dǎo)致的亮點(diǎn)的發(fā)生，抑制了因TFT基板與對(duì)置基板的錯(cuò)位導(dǎo)致的混色等的發(fā)生，抑制由來(lái)自影像信號(hào)線(xiàn)的側(cè)面的反射所引起的對(duì)比度降低。
[0133]在以上的說(shuō)明中，對(duì)液晶的介電常數(shù)各向異性Δη為正、即正型液晶進(jìn)行了說(shuō)明，但本發(fā)明也能適用于液晶的介電常數(shù)各向異性A η為負(fù)時(shí)、即負(fù)型液晶。在該情況下，取向膜的取向軸與圖2的取向軸90呈直角。
[0134]此外，在以上的實(shí)施例的說(shuō)明中，公共金屬布線(xiàn)以覆蓋影像信號(hào)線(xiàn)及掃描線(xiàn)的方式形成，但在公共金屬布線(xiàn)形成為覆蓋影像信號(hào)線(xiàn)或掃描線(xiàn)的任一項(xiàng)的情況下也能適用本發(fā)明。而且，公共金屬布線(xiàn)和公共電極為在有機(jī)鈍化膜109與電容絕緣膜111之間層疊的結(jié)構(gòu)，但也可以在公共金屬布線(xiàn)和公共電極之間設(shè)置絕緣膜，利用接觸孔形成雙方的導(dǎo)通。此夕卜，在實(shí)施例1?7的像素電極設(shè)置于液晶層側(cè)的結(jié)構(gòu)中，可以在公共金屬層30的通孔內(nèi)部的全部、或比像素電極更遠(yuǎn)離規(guī)定距離的一部分上設(shè)置與像素電極同層的ITO。由此，可以形成取向膜不被部分損壞的區(qū)域，有時(shí)能夠提高取向膜的磨削防止效果。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種液晶顯示裝置，包括:TFT基板，其形成有掃描線(xiàn)、影像信號(hào)線(xiàn)、在由所述掃描線(xiàn)和所述影像信號(hào)線(xiàn)包圍的區(qū)域形成的像素電極、和相對(duì)于所述像素電極隔著絕緣膜而形成的公共電極;對(duì)置基板，其具有間隔件;液晶層，被夾持于所述TFT基板與所述對(duì)置基板之間，其特征在于， 以覆蓋所述影像信號(hào)線(xiàn)或所述掃描線(xiàn)的方式，與所述公共電極層疊地形成公共金屬布線(xiàn)，在所述公共金屬布線(xiàn)形成有通孔， 所述間隔件的頂端配置在所述通孔的內(nèi)部。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 在所述通孔的一部分設(shè)有開(kāi)放部，所述通孔向所述公共金屬布線(xiàn)的外側(cè)開(kāi)放。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 所述開(kāi)放部在俯視下在所述通孔的一半以下的范圍形成。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 所述公共金屬布線(xiàn)形成在所述公共電極的上側(cè)。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 顯示互不相同顏色的所述像素沿第一方向排列，所述像素的所述第一方向的邊界處的所述公共金屬布線(xiàn)的寬度與在所述第一方向上相鄰的邊界處的所述公共金屬布線(xiàn)的寬度不同。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 顯示互不相同顏色的所述像素沿第一方向排列，在以所述邊界處的所述影像信號(hào)線(xiàn)的中心為基準(zhǔn)的情況下，所述像素的所述第一方向的邊界處的所述公共金屬布線(xiàn)在所述中心的左右寬度不同。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 與所述公共金屬布線(xiàn)的所述通孔重疊地在所述絕緣膜形成通孔。8.根據(jù)權(quán)利要求1?7中任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 所述公共電極形成在所述像素電極的上側(cè)。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 所述公共金屬布線(xiàn)為3層結(jié)構(gòu)。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 所述公共金屬布線(xiàn)為2層結(jié)構(gòu)。11.一種液晶顯示裝置，配置有TFT基板和對(duì)置基板，所述TFT基板中，掃描線(xiàn)沿第一方向延伸，影像信號(hào)線(xiàn)沿第二方向延伸，在由所述掃描線(xiàn)和所述影像信號(hào)線(xiàn)包圍的區(qū)域形成像素電極，相對(duì)于所述像素電極隔著第一絕緣膜而形成公共電極，所述對(duì)置基板具有間隔件，與所述TFT基板相對(duì)配置，在所述TFT基板與所述對(duì)置基板之間夾持有液晶，其特征在于， 所述像素電極、所述第一絕緣膜和所述公共電極形成在第二絕緣膜之上，在所述第二絕緣膜形成有用于連接所述像素電極和TFT的接觸孔， 以覆蓋所述影像信號(hào)線(xiàn)或所述掃描線(xiàn)的方式，與所述公共電極層疊地形成公共金屬布線(xiàn)，在所述公共金屬布線(xiàn)形成有通孔， 所述間隔件配置在所述通孔的內(nèi)部， 覆蓋所述影像信號(hào)線(xiàn)的所述公共金屬布線(xiàn)，在形成有所述接觸孔的附近，在所述第一方向上每隔I條影像信號(hào)線(xiàn)地形成。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 所述接觸孔的中心在所述第一方向上相對(duì)于所述像素的中心而言，在形成有所述接觸孔的附近，配置向遠(yuǎn)離形成有所述影像信號(hào)線(xiàn)的部分的方向。13.—種液晶顯示裝置，配置有TFT基板和對(duì)置基板，所述TFT基板中，掃描線(xiàn)沿第一方向延伸，影像信號(hào)線(xiàn)沿第二方向延伸，在由所述掃描線(xiàn)和所述影像信號(hào)線(xiàn)包圍的區(qū)域形成像素電極，相對(duì)于所述像素電極隔著絕緣膜而形成公共電極，所述對(duì)置基板具有間隔件，與所述TFT基板相對(duì)配置，在所述TFT基板與所述對(duì)置基板之間夾持有液晶，其特征在于， 所述影像信號(hào)線(xiàn)的延伸方向相對(duì)于液晶的初始取向方向具有規(guī)定角度， 以覆蓋所述影像信號(hào)線(xiàn)的方式，與所述公共電極層疊地形成公共金屬布線(xiàn)， 所述公共電極的寬度大于所述影像信號(hào)線(xiàn)的寬度， 所述影像信號(hào)線(xiàn)的厚度大于所述公共電極的厚度。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 所述規(guī)定角度為5度至15度。15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 在所述影像信號(hào)線(xiàn)與所述公共金屬布線(xiàn)之間，以剖視圖觀(guān)察，存在絕緣膜，設(shè)所述絕緣膜的厚度為y，所述公共金屬布線(xiàn)的寬度為wl，所述影像信號(hào)線(xiàn)的寬度為w2，則x=(wl —w2) /2時(shí)，X ^ytan5°。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 所述X為3μηι以下。17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 所述公共金屬布線(xiàn)為3層結(jié)構(gòu)。18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的液晶顯示裝置，其特征在于， 所述公共金屬布線(xiàn)為2層結(jié)構(gòu)。
【文檔編號(hào)】G02F1/1362GK105892180SQ201610080829
【公開(kāi)日】2016年8月24日
【申請(qǐng)日】2016年2月4日
【發(fā)明人】森本政輝, 杉山里織, 宮本素明
【申請(qǐng)人】株式會(huì)社日本顯示器