有源矩陣基板、有源矩陣基板的制造方法和顯示裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種有源矩陣基板的制造方法、有源矩陣基板和包括該有源矩陣基板的顯示裝置，該有源矩陣基板及其方法能夠在層間絕緣膜設(shè)置調(diào)整孔，而沒有基板表面被削到或發(fā)生異常放電的危險，能夠?qū)φ兆钕聦拥哪さ奈恢脕砣菀椎匦拚纬傻哪さ奈恢茫哂辛己玫寞B合精度。有源矩陣基板的層間絕緣膜(14)是以使用具有感光性的SOG材料，并具有用于對基板(10)和層間絕緣膜(14)的上側(cè)形成的柵極絕緣膜(15)、第一半導體膜(16)、第二半導體膜(17)和源極金屬的圖案進行調(diào)整的調(diào)整孔(14b)的方式形成的。從調(diào)整孔(14b)觀察柵極布線(11)的邊緣部來調(diào)整各膜的位置。
【專利說明】
有源矩陣基板、有源矩陣基板的制造方法和顯示裝置
技術(shù)領(lǐng)域 本發(fā)明涉及電視接收機、個人計算機等具備的有源矩陣基板的制造方法、有源矩陣基 板和包括有源矩陣基板的顯示裝置。
【背景技術(shù)】 顯示裝置中，液晶顯示裝置具有薄型、耗電低的特征。尤其是包括在各像素具有薄膜晶 體管(TFT)等開關(guān)元件的有源矩陣基板的液晶顯示裝置，由于具有高對比度和優(yōu)異的響應(yīng) 特性，性能優(yōu)越，所以能適用于電視接收機、個人計算機等。 有源矩陣基板上，形成有多個柵極布線(掃描布線)和隔著層間絕緣膜與各柵極布線交 叉的多個源極布線(信號布線），在柵極布線與源極布線交叉的部分附近，設(shè)有對像素進行 開關(guān)的薄膜晶體管。 在柵極布線和源極布線的交叉部分形成的電容(寄生電容）由于會成為顯示品質(zhì)下降 的原因，所以優(yōu)選減小該電容。 專利文獻1中公開了涉及有源矩陣基板的發(fā)明，該有源矩陣基板通過將覆蓋柵極布線 的絕緣膜做成具有第一絕緣層和第二絕緣層的多層絕緣膜，并用包含有機成分的絕緣材料 構(gòu)成第一絕緣層，實現(xiàn)了所述寄生電容的減小。 圖20是表示所述專利文獻1等的現(xiàn)有有源矩陣基板的TFT構(gòu)造的一部分的示意剖視圖。 如圖20所示，有源矩陣基板的玻璃制的基板10上形成有柵電極lla(構(gòu)成柵極布線11的 一部分)。 由SOG(Spin On Glass，旋轉(zhuǎn)涂布玻璃)構(gòu)成的層間絕緣膜14覆蓋基板10、柵電極11a的 周緣部而形成。層間絕緣膜14的靠柵電極11a的周緣部的內(nèi)側(cè)設(shè)有未被層間絕緣膜14覆蓋 的接觸孔14a。 當形成由S0G構(gòu)成的層間絕緣膜14時，首先，在基板10和柵極布線11上涂布S0G材料形 成涂層，烘烤之后，形成光致抗蝕劑。然后，通過使用光掩模進行曝光并顯影，形成抗蝕劑圖 案。接下來，對未被抗蝕劑覆蓋的所述涂層部分，使用例如四氟化碳和氧的混合氣體進行干 蝕刻等蝕刻，形成接觸孔14a等。最后，剝離抗蝕劑。 該層間絕緣膜14上和柵電極11a上形成有柵極絕緣膜15,柵極絕緣膜15上形成有第一 半導體膜16。而且，覆蓋第一半導體膜16形成有由n+型膜構(gòu)成的第二半導體膜17。 為了對該第一半導體膜16和第二半導體膜17進行圖案化，形成有抗蝕劑圖案18。 然后，在利用抗蝕劑圖案18進行圖案化所得的第二半導體膜17上，或在由于第一半導 體膜16和第二半導體膜17被除去而露出的柵極絕緣膜15上，通過例如濺射法沉積Cu等的膜 并進行圖案化，由此形成包含源電極和源極布線的源極金屬(未圖示）。 在以上的TFT構(gòu)造中，通過在柵極布線11和源極布線之間設(shè)置層間絕緣層14,能夠制造 不發(fā)生布線電阻增加和TFT驅(qū)動性能下降現(xiàn)象的高清顯示面板。 當使用曝光裝置進行圖案化時，在柵極布線11的上側(cè)形成的膜對照柵極布線11的圖案 邊緣部來修正疊合位置。 為了對此后形成的第一半導體膜16和第二半導體膜17的圖案位置進行修正，要修正抗 蝕劑圖案18。此時，通過顯微鏡測量抗蝕劑圖案18距柵極布線11的邊緣部的距離。根據(jù)其結(jié) 果再次形成光致抗蝕劑，使用光掩模重新形成抗蝕劑圖案18之后，對抗蝕劑圖案18未覆蓋 的部分進行蝕刻，得到被圖案化的第一半導體膜16和第二半導體膜17。 圖21A是表示沒有層間絕緣膜14時的抗蝕劑圖案18和柵極布線11的位置關(guān)系的示意 圖，圖21B是表示有層間絕緣膜14時的抗蝕劑圖案18的示意圖。 如圖21A所示，當由SOG構(gòu)成的層間絕緣膜14不存在時，能觀察柵極布線11的邊緣部，因 此，能夠容易地對抗蝕劑圖案18的位置進行調(diào)整。 如圖21B所示，當具有由SOG構(gòu)成的層間絕緣膜14時，在上側(cè)形成像第一半導體膜16和 第二半導體膜17那樣有色的膜時，柵極布線11的邊緣部難以看到。如圖20所示，覆蓋柵電極 11a的邊緣部(斜面部)形成有層間絕緣膜14。可以認為大多入射光會被柵極絕緣膜15、第一 半導體膜16、和第二半導體膜17這三層膜中的反射膜反射，因為在柵極絕緣膜15的背面和 柵極布線11之間存在層間絕緣膜14,所以基本看不到柵極布線11的邊緣部。 因此，抗蝕劑圖案18利用層間絕緣膜14的圖案（圖21B中的接觸孔14a)來調(diào)整位置。因 此，導致相對于柵極布線11的邊緣部產(chǎn)生偏離，疊合精度變差。尤其是當使之與超高清電視 (例如8K Ultra High Definition Television，8K超高清電視)等高清的數(shù)字視頻格式適 應(yīng)時，要求高度的疊合精度，但存在難以滿足該要求的問題。 另外，一般來說，曝光裝置要按各個處理成為基準的膜的裝置進行條件設(shè)定，當處理層 間絕緣膜14的抗蝕劑圖案的裝置的設(shè)定條件變化了時，需要對處理上側(cè)的膜的抗蝕劑圖案 的裝置重新進行條件設(shè)定，存在形成工序變得繁瑣的問題。 可以考慮將用于位置調(diào)整的層間絕緣膜14的孔跨越柵極布線11的邊緣部形成。但是， 由于層間絕緣膜14的形成工序如上述所述具有干蝕刻工序，所以當柵電極11a的斜面部分 不存在層間絕緣膜14時，在干蝕刻時有削到基板10的危險。而且，有可能在柵電極11a的斜 面部分產(chǎn)生異常放電造成的缺陷，成品率降低。 因此，存在如下問題，即，不能在除了柵極布線11上以外的層間絕緣膜14上形成校準用 的孔。 現(xiàn)有技術(shù)文獻 專利文獻 專利文獻1:日本特許第4450834號公報
【發(fā)明內(nèi)容】
發(fā)明要解決的課題 本發(fā)明鑒于上述情況而作出，其目的在于提供有源矩陣基板的制造方法、有源矩陣基 板和包括該有源矩陣基板的顯示裝置，該有源矩陣基板及其制造方法能夠在層間絕緣膜設(shè) 置校準用的孔，而沒有基板表面被削到或發(fā)生異常放電的危險，能夠?qū)φ兆钕聦拥哪さ奈?置來容易地修正形成的膜的位置，具有良好的疊合精度。 用于解決課題的手段 本發(fā)明的有源矩陣基板的制造方法，在基板上將多個柵極布線和多個源極布線以立體 交叉的方式形成，在所述柵極布線和所述源極布線交叉的部分附近形成薄膜晶體管，至少 在所述柵極布線和所述源極布線之間形成層間絕緣膜，所述層間絕緣膜包含旋轉(zhuǎn)涂布玻璃 (SOG)材料而成，所述制造方法的特征在于，所述層間絕緣膜是以使用具有感光性的SOG材 料，并具有用于對所述基板和所述層間絕緣膜的上側(cè)形成的膜的圖案進行調(diào)整的孔的方式 形成的。 本發(fā)明中，由于使用具有感光性的SOG材料形成層間絕緣膜，所以成膜過程不需要干蝕 刻工序，不會發(fā)生上述的基板表面被削到或發(fā)生異常放電這樣的問題，能夠在層間絕緣膜 的除了下側(cè)的膜上以外的部分設(shè)置校準用的孔。因此，能夠以所述下側(cè)的膜的圖案為基準 進行疊合調(diào)整，疊合精度變得良好。 而且，根據(jù)本發(fā)明，能夠在位置調(diào)整容易、缺陷的發(fā)生被抑制且成品率良好的狀態(tài)下制 造有源矩陣基板。 本發(fā)明的有源矩陣基板的制造方法，其特征在于，具有在形成所述層間絕緣膜之前在 所述基板上形成所述柵極布線的工序，通過所述孔能夠觀察所述柵極布線的邊緣部。 本發(fā)明中，由于能夠以挨著基板上表面設(shè)置的、即最下層的柵極布線的邊緣部為基準 進行疊合調(diào)整，所以疊合精度變的更好。 本發(fā)明的有源矩陣基板的制造方法，其特征在于，所述孔跨所述柵極布線的邊緣部而 形成。 本發(fā)明中，能夠可靠地確認柵極布線的邊緣部。 本發(fā)明的有源矩陣基板的制造方法，其特征在于，包括通過所述孔觀察所述柵極布線 的邊緣部而在所述柵極布線的上側(cè)形成半導體膜的工序。 本發(fā)明中，能夠?qū)娱g絕緣膜和半導體膜以柵極布線的圖案為基準進行圖案化，疊合 精度良好。 本發(fā)明的有源矩陣基板的制造方法，其特征在于，包括通過所述孔觀察所述柵極布線 的邊緣部而在所述半導體膜的上側(cè)形成包括所述源極布線或源電極的源極金屬的工序。 本發(fā)明中，能夠?qū)娱g絕緣膜、半導體膜和源極金屬以柵極布線的圖案為基準進行圖 案化，疊合精度良好。 本發(fā)明的有源矩陣基板的制造方法，在基板上將多個柵極布線和多個源極布線以立體 交叉的方式形成，在所述柵極布線和所述源極布線交叉的部分附近形成薄膜晶體管，所述 制造方法的特征在于，在所述基板上形成所述柵極布線，在與所述源極布線交叉的所述柵 極布線的部分的表面，使用具有感光性的SOG材料形成層間絕緣膜，觀察所述柵極布線的邊 緣部，在所述層間絕緣膜上、所述基板上、以及所述柵極布線上成膜。 本發(fā)明中，由于層間絕緣膜僅在柵極布線和源極布線交叉的部分形成，所以，在層間絕 緣膜上以及沒有設(shè)置層間絕緣膜的基板和柵極布線的上側(cè)成膜時，能夠確認柵極布線的邊 緣部，良好地調(diào)整圖案化。 本發(fā)明的有源矩陣基板的制造方法，其特征在于，所述SOG材料含有至少兩種以上的聚 硅氧烷、重氮萘醌衍生物和溶劑，其中，該至少兩種以上的聚硅氧烷在四甲基氫氧化銨水溶 液中的溶解速度不同。 本發(fā)明中，SOG材料具有良好的感光性，層間絕緣膜具有良好的耐熱性、透明性和絕緣 性。 本發(fā)明的有源矩陣基板，在基板上將多個柵極布線和多個源極布線以立體交叉的方式 形成，在所述柵極布線和所述源極布線交叉的部分附近形成薄膜晶體管，至少在所述柵極 布線和所述源極布線之間存在層間絕緣膜，所述層間絕緣膜包含旋轉(zhuǎn)涂布玻璃(SOG)材料 而成，所述有源矩陣基板的特征在于，所述層間絕緣膜使用具有感光性的SOG材料形成，具 有所述基板和所述層間絕緣膜的上側(cè)形成的膜的圖案調(diào)整孔。 本發(fā)明中，使用具有感光性的SOG材料形成層間絕緣膜，成膜過程不需要干蝕刻，不會 發(fā)生上述的基板表面被削到或發(fā)生異常放電這樣的問題，因此，在層間絕緣膜的除了下側(cè) 的膜上以外的部分設(shè)有校準用的孔。因此，上側(cè)的膜能以所述下側(cè)的膜的圖案為基準精度 良好地疊合。 本發(fā)明的顯示裝置，其特征在于，包括:前述的有源矩陣基板、配置在該有源矩陣基板 上的顯示介質(zhì)層和與所述有源矩陣基板隔著所述顯示介質(zhì)層對置的對置基板。 本發(fā)明中，由于包括前述的有源矩陣基板，所以能實現(xiàn)顯示裝置的高清化。 發(fā)明的效果
[0034]根據(jù)本發(fā)明，由于使用具有感光性的S0G材料形成層間絕緣膜，所以能夠在層間絕 緣膜的除了該層間絕緣膜的下側(cè)的膜上以外的部分設(shè)置校準用的孔，而沒有基板的表面被 削到或發(fā)生異常放電的危險。通過該孔，能夠?qū)φ兆钕聦拥哪さ奈恢眯拚趯娱g絕緣膜的 上側(cè)形成的膜的位置，因此，能夠以良好的疊合精度成膜。 而且，根據(jù)本發(fā)明，能夠在位置調(diào)整變得容易、缺陷的發(fā)生被抑制且成品率良好的狀態(tài) 下制造有源矩陣基板，能夠得到高清的顯示裝置，能夠適應(yīng)顯示裝置的大型化。 【附圖說明】 圖1是表示包括本發(fā)明的液晶顯示裝置(顯示模塊)的TV接收機的概略立體圖。 圖2是表示顯示模塊具有的顯示面板的概略剖視圖。 圖3是表示柵極布線與層間絕緣膜的接觸孔、調(diào)整孔的關(guān)系的俯視圖。 圖4是圖3的IV-IV線剖視圖。 圖5是圖3的V-V線剖視圖。 圖6是表示在形成了第二半導體膜的情況下的第二半導體膜與層間絕緣膜的接觸孔、 調(diào)整孔的關(guān)系的俯視圖。 圖7是圖6的VII-VII線剖視圖。 圖8是圖6的VIII-VIII線剖視圖。 圖9是圖6的IX-IX線剖視圖。 圖10是圖6的X-X線剖視圖。 圖11A是表示層間絕緣膜的形成工序的示意剖視圖。 圖11B是表示層間絕緣膜的形成工序的示意剖視圖。 圖11C是表示層間絕緣膜的形成工序的示意剖視圖。 圖12是表示柵極布線與層間絕緣膜的接觸孔、調(diào)整孔的關(guān)系的俯視圖。 圖13是表示在形成了第二半導體膜的情況下的第二半導體膜與接觸孔、調(diào)整孔的關(guān)系 的俯視圖。 圖14是表示柵極布線與層間絕緣膜的接觸孔的關(guān)系的俯視圖。 圖15是表示在形成了第二半導體膜的情況下的第二半導體膜與接觸孔的關(guān)系的俯視 圖。 圖16是圖15的XVI-XVI線剖視圖。 圖17是表示柵極布線、層間絕緣膜、和源極布線的形成位置俯視圖。 圖18是圖17的XVIII-XVIII線剖視圖。 圖19是圖17的XIX-XIX線剖視圖。 圖20是表示專利文獻1等的現(xiàn)有有源矩陣基板的TFT構(gòu)造的一部分的示意剖視圖。 圖21A是表示沒有層間絕緣膜時的抗蝕劑圖案與柵極布線的位置關(guān)系的示意圖。 圖21B是表示有層間絕緣膜時的抗蝕劑圖案的示意圖。 【具體實施方式】 以下，基于表示本發(fā)明實施方式的附圖對本發(fā)明進行具體說明。 實施方式1 圖1是表示包括本發(fā)明的液晶顯示裝置(顯示模塊91)的TV接收機90的概略立體圖，圖2 是表示顯示模塊91具有的顯示面板30的概略剖視圖。 TV接收機90包括顯示影像的橫向較長的顯示模塊91、從天線(未圖示)接收廣播電波的 調(diào)諧器94和將被編碼的廣播電波解碼的解碼器95。TV接收機90將由調(diào)諧器94接收的廣播電 波用解碼器95解碼，基于解碼后的信息在顯示模塊91上顯示影像。在TV接收機90的下部設(shè) 有支承TV接收機90的底座96。 顯示模塊91以豎立姿態(tài)被前殼92和后殼93收納，前殼92和后殼93呈豎立姿態(tài)前后配 置。前殼92是覆蓋顯示模塊91的周緣部的矩形狀框體，后殼93呈前側(cè)開放的矩形托盤狀。 顯示模塊91包括顯示面板30、呈大致箱狀的框架（以下未圖示）、隔著反射片收納在框 架的底面的導光板、在框架的側(cè)面與導光板的側(cè)面對置地設(shè)置的LED(Light Emitting Diode，發(fā)光二極管)基板和配置在導光板的表面的例如3塊光學片。本實施方式的顯不模塊 91為側(cè)光型，但顯示模塊91也可以是直下型，在這種情況下，取代導光板而包括擴散板。另 外，光源也不限于LED。 如圖2所示，顯示面板30具有隔開規(guī)定間隔對置的一對由透明玻璃構(gòu)成的基板10、32和 夾在該基板10與32之間的液晶層36。 基板10上形成有柵極布線11，并覆蓋基板10和柵極布線11形成有層間絕緣膜14。層間 絕緣膜14上形成有多個像素電極20,覆蓋該像素電極20形成有透明的取向膜31。像素電極 20與有源矩陣一起形成，在圖2中示出了有源矩陣的柵極布線11。以包含基板10、柵極布線 11、層間絕緣膜14和像素電極20的方式構(gòu)成有源矩陣基板(TFT基板)37。在此，省略了層間 絕緣膜14與像素電極20之間的膜。 基板32上依次層疊有彩色濾光片33、共用電極34和取向膜35。以包含基板32、彩色濾光 片33和共用電極34的方式構(gòu)成彩色濾光片基板38。 而且，取向膜31、35夾著液晶層36粘在一起，從而固定基板10、32，基板10、32的外側(cè)設(shè) 有偏振板39、40。 圖3是表示有源矩陣基板37的柵極布線11與層間絕緣膜14的接觸孔14a、調(diào)整孔14b的 關(guān)系的俯視圖，圖4是圖3的IV-IV線剖視圖，圖5是圖3的V-V線剖視圖，圖6是表示在形成了 第二半導體膜17的情況下的第二半導體膜17與層間絕緣膜14的接觸孔14a、調(diào)整孔14b的關(guān) 系的俯視圖，圖7是圖6的VII-VII線剖視圖，圖8是圖6的VIII-VIII線剖視圖，圖9是圖6的 IX-IX線剖視圖，圖10是圖6的X-X線剖視圖。 在有源矩陣基板37的基板10上，柵極布線11沿圖3的橫向延伸并如后述那樣形成，在柵 極布線11的圖3的大致中央部，形成有在露出基板10的狀態(tài)下沿橫向延伸的孔lib。柵極布 線11的一端側(cè)的部分成為柵電極11a。 層間絕緣膜14覆蓋基板10并如后述那樣形成。層間絕緣膜14從基板10架到柵電極11a 的周緣部而形成，在周緣部的內(nèi)側(cè)設(shè)有接觸孔14a。 而且，層間絕緣膜14上設(shè)有校準用的孔(調(diào)整孔）14b，使得圖3所示的孔lib的右上角的 邊緣部分露出。 層間絕緣膜14上和設(shè)有接觸孔14a、孔11b、調(diào)整孔14b的基板10的部分形成有柵極絕緣 膜15。柵極絕緣膜15例如使用氧化娃或氮化娃等通過CVD(Chemical Vapor Deposition，化 學氣相沉積)法形成膜并進行圖案化而形成。層間絕緣膜14具有350°C以上的耐熱性，即便 經(jīng)受柵極絕緣膜15的成膜工序的熱處理也不引起物性變化。 在柵極絕緣膜15上，通過CVD法依次形成有例如由非晶硅等構(gòu)成的第一半導體膜16、例 如由n+型非晶硅等構(gòu)成的第二半導體膜17。 如圖9所示，抗蝕劑圖案18從第二半導體膜17的接觸孔14a上的部分架到邊緣部分形 成?？刮g劑圖案18的邊緣部位于比柵電極11a的上表面的邊緣部靠內(nèi)側(cè)的位置。使用抗蝕劑 圖案18將第一半導體膜16和第二半導體膜17圖案化。 在被圖案化的第二半導體膜17上或在由于第一半導體膜16和第二半導體膜17被除去 而露出的柵極絕緣膜15上，例如通過濺射法沉積Cu等的膜，通過光刻技術(shù)進行圖案化，形成 包含源電極和源極布線的源極金屬(未圖示）。 另外，在源極金屬上，例如通過CVD法形成氮化硅等的膜，通過圖案化形成鈍化膜(未圖 示），在鈍化膜上形成例如由丙烯酸(acrylic)類的樹脂構(gòu)成的膜，通過圖案化形成第二層 間絕緣膜(未圖示）。 在第二層間絕緣膜上，例如通過濺射法形成IT0(氧化銦錫)膜并圖案化，由此形成上述 的像素電極20。 圖11是表示層間絕緣膜14的形成工序的示意剖視圖。 首先，在整個基板10上，通過濺射法形成依次層疊了例如鈦膜、Cu膜、和鈦膜等的金屬 膜，然后，通過使用光掩模進行光刻、對金屬膜進行濕蝕刻等，形成被圖案化的柵極布線(也 形成成為柵電極11a的部分)11(圖11A)。 接下來，將具有感光性的S0G材料通過狹縫涂布而涂布到柵極布線11上，形成膜14e (圖 llB)〇 在此，作為S0G材料，可以列舉含有至少兩種以上的聚硅氧烷、重氮萘醌衍生物和溶劑 的組成物，其中，該至少兩種以上的聚硅氧烷在四甲基氫氧化銨(TMAH)水溶液中的溶解度 不同。 而且，例如作為兩種聚硅氧烷，可以列舉以下的聚硅氧烷（I)和聚硅氧烷（II)的混合 物。 關(guān)于聚硅氧烷（I)，將下述式（1)表示的硅烷化合物和下述式(2)表示的硅烷化合物在 存在堿性催化劑的情況下加水分解并聚合得到的膜在預烘(pre-bake)后可溶于5質(zhì)量％的 TMAH溶液，其溶解度在1 〇〇〇A/秒以下。 RSKOR1、? ? ?（1) SKOR1^ ? ? ? (2) (式中，R表示任意的亞甲基可用氧置換的碳原子數(shù)為1~20的直鏈、支鏈或環(huán)狀的烷 基，或碳原子數(shù)為6~20且任意的氫可由氟置換的芳基;R1表示碳原子數(shù)為1~5的烷基。） 作為可由通式（1)表示的硅烷化合物的具體例，可舉出例如甲基三甲氧基硅烷、甲基三 乙氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷等。 作為可由通式(2)表示的硅烷化合物的具體例，可以舉出例如四甲氧基硅烷、四乙氧基 硅烷等。 關(guān)于聚硅氧烷(II )，至少將通式（1)的硅烷化合物在存在酸性或堿性催化劑的情況下 加水分解并聚合所得的膜在預烘后在2.38質(zhì)量％TMAH水溶液中的溶解度為1〇〇人/|少以上。 形成膜14e之后，例如在KKTC下預烘90秒，調(diào)整膜厚。 預烘后，使用光掩模對膜14a進行曝光，曝光后，利用2.38%TMAH水溶液進行顯影。由 此，接觸孔14a被形成無殘渣等的清晰圖案。 然后，例如在250°C下進行后烘，使膜14e硬化而得到層間絕緣膜14(圖11C)。 本實施方式中，由于使用具有感光性的S0G材料形成層間絕緣膜14,所以成膜過程不需 要干蝕刻，不會像現(xiàn)有的有源矩陣基板制造時那樣發(fā)生基板10的表面被削到或發(fā)生異常放 電那樣的問題。因此，能夠在層間絕緣膜14的除了柵極布線11上以外的部分設(shè)置上述的調(diào) 整孔14b。 而且，在如圖6~圖10所示在第二半導體膜17上形成了抗蝕劑圖案18的情況下，能夠從 調(diào)整孔14b觀察柵電極11a的邊緣部。測量抗蝕劑圖案18的位置與所述邊緣部的偏差，基于 所測量的偏差重新形成光致抗蝕劑，并使用光掩模進行曝光、顯影，重新形成抗蝕劑圖案 18,從而能夠?qū)ξ葱纬煽刮g劑圖案18的第一半導體膜16和第二半導體膜17的部分進行蝕 亥IJ，將第一半導體膜16和第二半導體膜17圖案化。 另外，當在被圖案化的第二半導體膜17上形成源極金屬時，也能夠從調(diào)整孔14b確認源 極金屬上形成的抗蝕劑圖案相對于柵極布線11的位置，調(diào)整該抗蝕劑圖案的位置進行源極 金屬的圖案化。 柵極絕緣膜15以能夠通過調(diào)整孔14b確認柵極布線11的邊緣部的位置的方式形成，第 一半導體膜16、第二半導體膜17以及源極金屬也能以如上述那樣確認柵極布線11的邊緣部 的位置的方式形成。 即，由于能夠以柵極布線11的膜的圖案為基準進行疊合調(diào)整，所以疊合精度良好。 能夠在位置調(diào)整容易、條件設(shè)定的次數(shù)減少，缺陷的發(fā)生被抑制且成品率良好的狀態(tài) 下制造有源矩陣基板37。 由于有源矩陣基板37的成膜的位置精度良好，所以具備本實施方式的有源矩陣基板37 的顯示模塊91能夠?qū)崿F(xiàn)高清化和大型化。 實施方式2 在本發(fā)明的實施方式2的有源矩陣基板中，除了層間絕緣膜14具有兩個調(diào)整孔之外，具 有與實施方式1的有源矩陣基板37同樣的結(jié)構(gòu)。 圖12是表示柵極布線11與層間絕緣膜14的接觸孔14a、調(diào)整孔14b、14c的關(guān)系的俯視 圖，圖13是表示在形成了第二半導體膜17的情況下的第二半導體膜17與接觸孔14a、調(diào)整孔 14b、14c的關(guān)系的俯視圖。 層間絕緣膜14上，除了調(diào)整孔14b，還設(shè)有調(diào)整孔14c，使得圖12所示的柵極布線11的孔 lib的右下角的邊緣部分露出。 本實施方式中，由于層間絕緣膜14具有兩個調(diào)整孔14b、14c，所以能夠以挨著基板10的 上表面設(shè)置的最下層的柵極布線11的兩處邊緣部為基準，利用各調(diào)整孔調(diào)整例如橫向和縱 向的對位，能夠更可靠地對柵極布線11上形成的所有膜的疊合進行調(diào)整。因此，疊合精度更 為良好。 實施方式3 本發(fā)明實施方式3的有源矩陣基板，除了設(shè)于層間絕緣膜14的接觸孔14d的形狀和大小 不同之外，具有與實施方式1的有源矩陣基板37相同的結(jié)構(gòu)。 圖14是表示柵極布線11與層間絕緣膜14的接觸孔14d的關(guān)系的俯視圖，圖15是表示在 形成了第二半導體膜17的情況下的第二半導體膜17與接觸孔14d的關(guān)系的俯視圖，圖16是 圖15的XVI-XVI線剖視圖。 如圖14和圖15所示，層間絕緣膜14的接觸孔14d被設(shè)置得比柵極布線11的寬度大。如圖 16所示，柵極絕緣膜15形成在層間絕緣膜14上、接觸孔14d的底面上以及柵極布線11上，柵 極絕緣膜15上依次形成有第一半導體膜16和第二半導體膜17。第二半導體膜17的接觸孔 14d上的部分設(shè)有抗蝕劑圖案18。 本實施方式中，能夠觀察接觸孔14d上的柵極布線11的邊緣部，測量抗蝕劑圖案18的位 置與所述邊緣部的偏差，重新形成抗蝕劑圖案18,將第一半導體膜16和第二半導體膜17圖 案化。 而且，當在被圖案化的第二半導體膜17上形成源極金屬用的膜并圖案化時，也能觀察 接觸孔14d上的柵極布線11的邊緣部來進行圖案的調(diào)整。 實施方式4. 本實施方式中，僅在柵極布線11和源極金屬12交叉的部分形成有層間絕緣膜14。 圖17是表示柵極布線11、層間絕緣膜14和源極布線12a的形成位置的俯視圖，圖18是圖 17的XVIII-XVIII線剖視圖，圖19是圖17的XIX-XIX線剖視圖。 層間絕緣膜14僅在柵極布線11和源極布線12a交叉的部分形成。 在層間絕緣膜14上以及基板10和柵極布線11的未形成層間絕緣膜14的部分的上側(cè)，形 成有柵極絕緣膜15。 在形成于柵電極11a上的柵極絕緣膜15上，形成有第一半導體膜16和第二半導體膜17， 在第二半導體膜17上形成有源電極12b。 本實施方式中，由于層間絕緣膜14僅形成在柵極布線11和源極布線12交叉的部分，所 以當形成第一半導體膜16和第二半導體膜17時以及在形成源極布線12a和源電極12b時，能 夠確認柵極布線11的邊緣部，對圖案化進行調(diào)整。 應(yīng)該認為，此次公開的實施方式中所有內(nèi)容均為例示，并不是限制性的。本發(fā)明的范圍 并非上述說明所示，而是包含與權(quán)利要求均等的含義和權(quán)利要求的范圍內(nèi)的各種變更。 例如有源矩陣基板的層疊構(gòu)造不限于上述的情況，另外，層間絕緣膜14除了可由具有 感光性的SOG材料形成之外，能夠使用適宜的膜材料。 附圖標記說明 10基板 11柵極布線 11a柵電極 lib孔 12源極金屬 12a源極布線 12b源電極 14層間絕緣膜 14a、14d接觸孔 14b、14c調(diào)整孔 20像素電極 30顯示面板 31、35取向膜 32基板 33彩色濾光片 34共用電極 36液晶層 37有源矩陣基板 38彩色濾光片基板 39、40偏振板 90 TV接收機 91顯不|旲塊 92前殼 93后殼 94調(diào)諧器 95解碼器 96底座
【主權(quán)項】
1. 一種有源矩陣基板的制造方法，在基板上將多個柵極布線和多個源極布線以立體交 叉的方式形成，在所述柵極布線和所述源極布線交叉的部分附近形成薄膜晶體管，至少在 所述柵極布線和所述源極布線之間形成層間絕緣膜，所述層間絕緣膜包含旋轉(zhuǎn)涂布玻璃 (SOG)材料而成，所述制造方法的特征在于， 所述層間絕緣膜是以使用具有感光性的SOG材料，并具有用于對所述基板和所述層間 絕緣膜的上側(cè)形成的膜的圖案進行調(diào)整的孔的方式形成的。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源矩陣基板的制造方法，其特征在于， 具有在形成所述層間絕緣膜之前在所述基板上形成所述柵極布線的工序， 通過所述孔能夠觀察所述柵極布線的邊緣部。3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的有源矩陣基板的制造方法，其特征在于， 所述孔跨所述柵極布線的邊緣部而形成。4. 根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的有源矩陣基板的制造方法，其特征在于，包括通過所述孔 觀察所述柵極布線的邊緣部而在所述柵極布線的上側(cè)形成半導體膜的工序。5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的有源矩陣基板的制造方法，其特征在于， 包括通過所述孔觀察所述柵極布線的邊緣部而在所述半導體膜的上側(cè)形成包括所述 源極布線或源電極的源極金屬的工序。6. -種有源矩陣基板的制造方法，在基板上將多個柵極布線和多個源極布線以立體交 叉的方式形成，在所述柵極布線和所述源極布線交叉的部分附近形成薄膜晶體管，所述制 造方法的特征在于， 在所述基板上形成所述柵極布線， 在與所述源極布線交叉的所述柵極布線的部分的表面，使用具有感光性的SOG材料形 成層間絕緣膜， 觀察所述柵極布線的邊緣部，在所述層間絕緣膜上、所述基板上以及所述柵極布線上 成膜。7. 根據(jù)權(quán)利要求1至6中的任意一項所述的有源矩陣基板的制造方法，其特征在于， 所述SOG材料含有至少兩種以上的聚硅氧烷、重氮萘醌衍生物和溶劑，其中，至少兩種 以上的聚硅氧烷在四甲基氫氧化銨水溶液中的溶解速度不同。8. -種有源矩陣基板，在基板上將多個柵極布線和多個源極布線以立體交叉的方式形 成，在所述柵極布線和所述源極布線交叉的部分附近形成薄膜晶體管，至少在所述柵極布 線和所述源極布線之間存在層間絕緣膜，所述層間絕緣膜包含旋轉(zhuǎn)涂布玻璃(SOG)材料而 成，所述有源矩陣基板的特征在于， 所述層間絕緣膜使用具有感光性的SOG材料形成，具有所述基板和所述層間絕緣膜的 上側(cè)形成的膜的圖案調(diào)整孔。9. 一種顯示裝置，其特征在于，包括： 根據(jù)權(quán)利要求8所述的有源矩陣基板、 配置在該有源矩陣基板上的顯示介質(zhì)層、和 與所述有源矩陣基板隔著所述顯示介質(zhì)層對置的對置基板。
【文檔編號】G02F1/1333GK105900001SQ201480072505
【公開日】2016年8月24日
【申請日】2014年1月8日
【發(fā)明人】加藤真裕, 宇津木覺
【申請人】堺顯示器制品株式會社