曝光裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明有關(guān)于一種曝光裝置及元件制造方法，一曝光裝置，根據(jù)液浸法而能高精度地進(jìn)行曝光處理及測(cè)量處理。曝光裝置(EX)，在投影光學(xué)系統(tǒng)(PL)的像面?zhèn)刃纬梢后w(LQ)的液浸區(qū)域(AR2)，透過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)(PL)與液浸區(qū)域(AR2)的液體(LQ)而使基板(P)曝光，其具備測(cè)量裝置(60)，用以測(cè)量液浸區(qū)域(AR2)形成用的液體(LQ)的性質(zhì)和/或成分。本發(fā)明還公開(kāi)了元件制造方法及曝光裝置的維護(hù)方法。
【專利說(shuō)明】
曝光裝置
[0001 ] 本申請(qǐng)是申請(qǐng)日為2005年6月7日，申請(qǐng)?zhí)枮?01310395481.6,發(fā)明名稱為"曝光裝 置及其維護(hù)方法、以及元件制造方法"的發(fā)明專利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)，是針對(duì)該發(fā)明專利申請(qǐng) 的第一次審查意見(jiàn)通知書(shū)中指出的單一性問(wèn)題而提交的分案申請(qǐng)，該發(fā)明專利申請(qǐng)是申請(qǐng) 日為2005年6月7日，申請(qǐng)?zhí)枮?00580018359.0的發(fā)明名稱為"曝光裝置及元件制造方法"的 發(fā)明專利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。
技術(shù)領(lǐng)域
[0002] 本發(fā)明涉及一種曝光裝置及元件制造方法，透過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)與液體以使基板曝 光。
[0003] 本案，根據(jù)2004年6月9日所申請(qǐng)的日本特愿2004-171115號(hào)而主張優(yōu)先權(quán)，在此援 引其內(nèi)容。
【背景技術(shù)】
[0004] 半導(dǎo)體裝置或液晶顯示裝置，將形成于光罩上的圖案轉(zhuǎn)印至感光性基板上，即所 謂微影方法而制造。在此微影步驟所使用的曝光裝置，具有用以支持光罩的光罩載臺(tái)、與用 以支持基板的基板載臺(tái)，邊逐次移動(dòng)光罩載臺(tái)與基板載臺(tái)，邊透過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)將光罩圖 案轉(zhuǎn)印于基板上。近年來(lái)，為對(duì)應(yīng)元件圖案朝更高集積度發(fā)展，投影光學(xué)系統(tǒng)亦被期望具更 高解析度。投影光學(xué)系統(tǒng)的解析度，隨著使用的曝光波長(zhǎng)愈短、以及投影光學(xué)系統(tǒng)的數(shù)值孔 徑愈大而愈高。因此，曝光裝置所使用的曝光波長(zhǎng)逐年朝更短波長(zhǎng)進(jìn)展，投影光學(xué)系統(tǒng)的數(shù) 值孔徑亦逐漸增大。又，現(xiàn)在主流的曝光波長(zhǎng)是KrF準(zhǔn)分子激光的248nm，然而，更短波長(zhǎng)的 ArF準(zhǔn)分子激光的193nm亦進(jìn)入實(shí)用化階段。
[0005] 又，在進(jìn)行曝光時(shí)，焦點(diǎn)深度(D0F)與解析度同樣重要。對(duì)解析度R及焦點(diǎn)深度S分 別以下式表示。
[0006] R=KiXA/NA..............(1)
[0007] S=±K2XA/NA2.......(2)
[0008] 此處，A表示曝光波長(zhǎng)，NA表示投影光學(xué)系統(tǒng)的數(shù)值孔徑，表示處理系數(shù)。由 (1)式、（2)式可得知，若為了提高解析度R而縮短曝光波長(zhǎng)A、且加大數(shù)值孔徑NA，則焦點(diǎn)深 度S愈小。
[0009] 若是焦點(diǎn)深度S過(guò)小，基板表面不易與投影光學(xué)系統(tǒng)的像面一致，而會(huì)有曝光動(dòng)作 時(shí)的焦點(diǎn)裕度(margin)不足之虞。此處，舉例如下述專利文獻(xiàn)1所揭示的液浸法，乃是可實(shí) 質(zhì)縮短曝光波長(zhǎng)、且使焦點(diǎn)深度變大的方法。該液浸法，是在投影光學(xué)系統(tǒng)的下面與基板表 面之間填滿水或有機(jī)溶劑等液體以形成液浸區(qū)域，利用曝光用光在液體中的波長(zhǎng)為空氣中 的l/n(n為液體的折射率，通常為1.2-1.6左右)的現(xiàn)象來(lái)提高解析度，同時(shí)增大焦點(diǎn)深度約 n倍。
[0010] 專利文獻(xiàn)1:國(guó)際公開(kāi)第99/49504號(hào)公報(bào)
[0011]此外，在液浸法中，為了要以高精度來(lái)透過(guò)液體施以曝光處理及測(cè)量處理，將液體 維持在所要狀態(tài)乃重要的事。因而，在液體有不良狀況時(shí)，或是在透過(guò)液體所進(jìn)行的曝光處 理及測(cè)量處理有不良狀況時(shí)，依照不良狀況迅速施以適當(dāng)處置是相當(dāng)重要的。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0012]本發(fā)明有鑒于此，其目的在于提供曝光裝置及元件制造方法，根據(jù)液浸法而可高 精度進(jìn)行曝光處理及測(cè)量處理。
[0013 ]為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明如圖1 -圖9所示，采用以下的構(gòu)成。
[0014] 本發(fā)明的曝光裝置(EX)，在投影光學(xué)系統(tǒng)(PL)的像面?zhèn)刃纬梢后w(LQ)的液浸區(qū)域 (AR2)，透過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)(PL)與液浸區(qū)域(AR2)的液體(LQ)使基板(P)曝光，其特征在于具 備：
[0015] 測(cè)量裝置(60)，用以測(cè)量液浸區(qū)域(AR2)形成用的液體(LQ)的性質(zhì)和/或成分。
[0016] 依此發(fā)明，因?yàn)橐詼y(cè)量裝置來(lái)測(cè)量液體的性質(zhì)和/或成分，故可根據(jù)其測(cè)量結(jié)果， 來(lái)判斷液體是否是所要狀態(tài)。又，當(dāng)液體有不良狀況時(shí)，可按照不良狀況而迅速施以適當(dāng)處 置。因此，可透過(guò)液體高精度的進(jìn)行曝光處理及測(cè)量處理。
[0017] 此處，作為測(cè)量裝置所測(cè)量的液體的性質(zhì)或成分，其項(xiàng)目可舉例如:液體的比電阻 值、液體中的全有機(jī)碳（T0C:total organic carbon)、含于液體中的包含微粒子 (particle)或氣泡（bubble)的異物、含溶存氧（DO: dissolved oxygen)及溶存氮（DN: dissolved nitrogen)的溶存氣體、以及液體中的二氧化娃濃度、生菌等。
[0018] 本發(fā)明的曝光裝置(EX)，在投影光學(xué)系統(tǒng)(PL)的像面?zhèn)刃纬梢后w(LQ)的液浸區(qū)域 (AR2)，并透過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)(PL)與液浸區(qū)域(AR2)的液體(LQ)使基板(P)曝光，其特征在于 具備：
[0019]功能液供應(yīng)裝置（120)，用以對(duì)與液體(LQ)接觸的預(yù)定構(gòu)件（2、13、23、33、51、70 等），供應(yīng)具有預(yù)定功能的功能液。
[0020] 依此發(fā)明，藉由功能液供應(yīng)裝置，將功能液供應(yīng)至與液體接觸的預(yù)定構(gòu)件，可使預(yù) 定構(gòu)件對(duì)液體成為所要狀態(tài)。因此，就算預(yù)定構(gòu)件或與預(yù)定構(gòu)件接觸的液體具有不良狀況， 可按照不良狀況而供應(yīng)功能液，藉此可使與預(yù)定構(gòu)件接觸的液體維持或變換成所要狀態(tài)。 因此，可透過(guò)液體高精度的進(jìn)行曝光處理及測(cè)量處理。
[0021] 本發(fā)明的曝光裝置(EX)，在投影光學(xué)系統(tǒng)(PL)的像面?zhèn)刃纬梢后w(LQ)的液浸區(qū)域 (AR2)，并透過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)(PL)與液浸區(qū)域(AR2)的液體(LQ)，使設(shè)定在基板(P)上的多個(gè) 照射(shot)區(qū)域(S1-S24)依序曝光，其特征在于具備：
[0022]液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)（10)，用以供應(yīng)液體(LQ);
[0023]第1液體回收機(jī)構(gòu)(20)，用以回收液體(LQ);
[0024] 第2液體回收機(jī)構(gòu)（30)，用以回收第1液體回收機(jī)構(gòu)（20)未能完全回收的液體 (LQ)；
[0025] 檢測(cè)裝置(90)，用以檢測(cè)第2液體回收機(jī)構(gòu)(30)是否已回收液體(LQ);及
[0026] 記憶裝置(MRY)，使檢測(cè)裝置(90)的檢測(cè)結(jié)果與照射區(qū)域(S1-S24)建立對(duì)應(yīng)關(guān)系 而予以記憶。
[0027] 依此發(fā)明，使用檢測(cè)裝置來(lái)檢測(cè)第2液體回收機(jī)構(gòu)是否已回收液體，將其檢測(cè)結(jié)果 與基板上的照射區(qū)域建立對(duì)應(yīng)關(guān)系，而以記憶裝置加以記憶，藉此可使用記憶裝置的記憶 資訊，來(lái)解析照射區(qū)域上所發(fā)生的不良狀況的發(fā)生原因。亦即，就第2液體回收機(jī)構(gòu)有回收 液體時(shí)經(jīng)曝光的照射區(qū)域而言，照射區(qū)域的曝光精度有可能發(fā)生劣化等不良狀況，但在此 狀況時(shí)，可使用記憶資訊來(lái)指定不良狀況的發(fā)生原因。因此，可按照所指定的不良狀況的發(fā) 生原因，迅速施以適當(dāng)處置，而可透過(guò)液體高精度的進(jìn)行曝光處理及測(cè)量處理。
[0028] 本發(fā)明的元件制造方法，其特征在于，使用上述的曝光裝置(EX)來(lái)制造元件。依此 發(fā)明，能在維持良好曝光精度及測(cè)量精度的狀態(tài)下來(lái)制造元件，故能制得具有所要性能的 元件。
[0029] 本發(fā)明的曝光裝置(EX)的維護(hù)方法，該曝光裝置(EX)在投影光學(xué)系統(tǒng)(PL)的像面 側(cè)形成液體(LQ)的液浸區(qū)域(AR2)，并透過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)與液浸區(qū)域的液體來(lái)使基板(P)曝 光;其特征在于具有以下階段：
[0030] 將液浸區(qū)域形成用的液體與具備預(yù)定功能的功能液(LK)置換。依此發(fā)明，與形成 液浸區(qū)域的液體接觸的部分，可根據(jù)功能液的預(yù)定功能而維持。
[0031] 依此發(fā)明，可透過(guò)液體高精度的進(jìn)行曝光處理及測(cè)量處理。
[0032] 上述說(shuō)明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段， 而可依照說(shuō)明書(shū)的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠 更明顯易懂，以下特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，詳細(xì)說(shuō)明如下。
【附圖說(shuō)明】
[0033] 圖1是本發(fā)明的曝光裝置的一實(shí)施形態(tài)的概略構(gòu)成圖。
[0034]圖2是圖1的重要部位放大圖。
[0035] 圖3是液體供應(yīng)部的概略構(gòu)成圖。
[0036] 圖4是由上方俯視基板載臺(tái)PST圖。
[0037] 圖5是用以說(shuō)明本發(fā)明的曝光方法的流程圖。
[0038] 圖6A是用以說(shuō)明第1及第2液體回收機(jī)構(gòu)的液體回收動(dòng)作的示意圖。
[0039]圖6B是用以說(shuō)明第1及第2液體回收機(jī)構(gòu)的液體回收動(dòng)作的示意圖。
[0040]圖7是本發(fā)明的曝光裝置的另一實(shí)施形態(tài)的重要部位放大圖。
[0041 ]圖8是使用功能液的維護(hù)方法的一例的流程圖。
[0042]圖9是半導(dǎo)體元件的制程的一例的流程圖。
[0043] 2:光學(xué)元件 2A:液體接觸面
[0044] 10:液體供應(yīng)機(jī)構(gòu) 11:液體供應(yīng)部
[0045] 12:供應(yīng)口
[0046] 13:供應(yīng)管(供應(yīng)流路、流路形成構(gòu)件）
[0047] 13T:計(jì)時(shí)器 16:純水制造裝置
[0048] 17:調(diào)溫裝置 20:第1液體回收機(jī)構(gòu)
[0049] 21:第1液體回收部 22:第1回收口
[0050] 23:回收管（回收流路、流路形成構(gòu)件）30:第2液體回收機(jī)構(gòu) [00511 31:第2液體回收部 32:第2回收口
[0052] 33:回收管（回收流路、流路形成構(gòu)件）51:上面
[0053] 60:測(cè)量裝置 61-64:測(cè)量器(測(cè)量裝置）
[0054] 61K-64K:分歧管(分支流路） 70:第1嘴構(gòu)件
[0055] 70A:液體接觸面 80:第2嘴構(gòu)件
[0056] 80A:液體接觸面 90:檢測(cè)裝置
[0057] 120:功能液供應(yīng)裝置(洗凈裝置） 161:純水制造器(調(diào)整裝置）
[0058] 162:超純水制造器(調(diào)整裝置） 173:脫氣裝置(調(diào)整裝置）
[0059] 174:過(guò)濾器(調(diào)整裝置） 300:測(cè)量構(gòu)件(基準(zhǔn)構(gòu)件）
[0060] 400、500、600:光測(cè)量部 AR1:投影區(qū)域
[0061 ] AR2:液浸區(qū)域 EX:曝光裝置
[0062] INF:告知裝置 MRY:記憶裝置
[0063] LK:功能液 LQ:液體
[0064] P:基板 PL:投影光學(xué)系統(tǒng)
[0065] PST:基板載臺(tái) S1-S24:照射區(qū)域
[0066] SB1-SB5:步驟
【具體實(shí)施方式】
[0067] 為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合 附圖及較佳實(shí)施例，對(duì)依據(jù)本發(fā)明提出的曝光裝置及元件制造方法其【具體實(shí)施方式】、結(jié)構(gòu)、 特征及其功效，詳細(xì)說(shuō)明如后。
[0068] 圖1是本發(fā)明的曝光裝置的一實(shí)施形態(tài)的概略構(gòu)成圖。
[0069]圖1中的曝光裝置EX包含:光罩載臺(tái)MST，以可移動(dòng)的方式保持光罩M而移動(dòng)；基板 載臺(tái)PST，以可移動(dòng)的方式保持基板P而移動(dòng);照明光學(xué)系統(tǒng)IL，用以將曝光用光EL照明于光 罩載臺(tái)MST所支持的光罩M;投影光學(xué)系統(tǒng)PL，用以將被曝光用光EL所照明的光罩M的圖案 像，投影曝光于基板載臺(tái)PST所支持的基板P上;控制裝置C0NT，用以綜合控制曝光裝置EX整 體的動(dòng)作?？刂蒲b置C0NT，與用以告知曝光處理的相關(guān)資訊的告知裝置INF相連接。告知裝 置INF包含：顯示裝置(顯示器）、及使用聲音或光以發(fā)出警報(bào)(警告）的警報(bào)裝置等。又，控制 裝置C0NT，與用以記憶曝光處理相關(guān)資訊的記憶裝置MRY相連接。曝光裝置EX整體，由電力 公司所供應(yīng)的商用電源(第1驅(qū)動(dòng)源)l〇〇A的電力來(lái)驅(qū)動(dòng)。
[0070]本實(shí)施形態(tài)的曝光裝置EX，適用實(shí)質(zhì)縮短曝光波長(zhǎng)以提高解析度并擴(kuò)大焦點(diǎn)深度 的液浸法的液浸曝光裝置，其具備:液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10,用以將液體LQ供應(yīng)至基板P上；以及第 1液體回收機(jī)構(gòu)20與第2液體回收機(jī)構(gòu)30，用以回收液體LQ。曝光裝置EX，至少在將光罩M的 圖案像轉(zhuǎn)印至基板P上的期間，由液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)1 〇所供應(yīng)的液體LQ，在基板P上至少一部分 (包含投影光學(xué)系統(tǒng)PL的投影區(qū)域AR1)，局部形成較投影區(qū)域AR1為大但較基板P為小的液 浸區(qū)域AR2。具體而言，曝光裝置EX所采用的液浸方式，局部性地將液體填滿投影光學(xué)系統(tǒng) PL的像面?zhèn)榷瞬康墓鈱W(xué)元件2、與配置在像面?zhèn)鹊幕錚表面之間，并透過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)PL 與基板P兩者間的液體LQ及投影光學(xué)系統(tǒng)PL，使通過(guò)光罩M的曝光用光EL照射在基板P，藉以 將光罩M的圖案投影曝光至基板P上?？刂蒲b置C0NT使用液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10以將預(yù)定量的液體 LQ供應(yīng)至基板P上，且使用第1液體回收機(jī)構(gòu)20以回收基板P上的預(yù)定量的液體LQ，藉以在基 板P上局部形成液體LQ的液浸區(qū)域AR2。又，第2液體回收機(jī)構(gòu)30,用以回收由液體供應(yīng)機(jī)構(gòu) 10所供應(yīng)、且未能被第1液體回收機(jī)構(gòu)20完全回收的液體LQ。
[0071]又，曝光裝置EX具備測(cè)量裝置60,用以測(cè)量液浸區(qū)域AR2形成用的液體LQ的性質(zhì) 和/或成分。本實(shí)施形態(tài)中的測(cè)量裝置60,測(cè)量由液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10所供應(yīng)的液體LQ。液體供 應(yīng)機(jī)構(gòu)10包含功能液供應(yīng)裝置120,其可供應(yīng)與液浸區(qū)域AR2形成用的液體LQ具有不同功能 的功能液。又，曝光裝置EX具備檢測(cè)裝置90,用以檢測(cè)第2液體回收機(jī)構(gòu)30是否已回收液體 LQ〇
[0072]在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)雀浇?，具體而言是投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)榷瞬康墓?學(xué)元件2附近，配置有詳述于后的第1嘴構(gòu)件70。第1嘴構(gòu)件70是環(huán)狀構(gòu)件，以在基板P(基板 載臺(tái)PST)的上方圍繞光學(xué)元件2的周緣的方式設(shè)置。又，在以投影光學(xué)系統(tǒng)PL的投影區(qū)域 AR1為基準(zhǔn)第1嘴構(gòu)件70的外側(cè)，配置有不同于第1嘴構(gòu)件70的第2嘴構(gòu)件80。第2嘴構(gòu)件80是 環(huán)狀構(gòu)件，以在基板P(基板載臺(tái)PST)的上方圍繞第1嘴構(gòu)件70的周緣的方式設(shè)置。本實(shí)施形 態(tài)中的第1嘴構(gòu)件70，構(gòu)成各液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10及第1液體回收機(jī)構(gòu)20的一部分。另一方面，第 2嘴構(gòu)件80構(gòu)成第2液體回收機(jī)構(gòu)30的一部分。
[0073]本實(shí)施形態(tài)的曝光裝置EX，以使用掃描型曝光裝置(即掃描步進(jìn)機(jī))為例的情形來(lái) 說(shuō)明，其使光罩M與基板P于掃描方向彼此朝不同方向（逆向）進(jìn)行同步移動(dòng)，并將光罩M所形 成的圖案曝光于基板P上。在以下的說(shuō)明中，與投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光軸AX-致的方向設(shè)為Z 軸方向，在垂直于Z軸方向的平面內(nèi)的光罩M與基板P進(jìn)行同步移動(dòng)的方向（掃描方向）設(shè)為X 軸方向，與X軸方向及X軸方向垂直的方向設(shè)為Y軸方向（非掃描方向）。又，繞X軸、Y軸及Z軸 旋轉(zhuǎn)(傾斜)的方向，分別設(shè)為9X、0Y、及0Z方向。
[0074] 曝光裝置EX具備：設(shè)置在地面上的底座（base)BP、及設(shè)置在底座BP上的主柱架 (main c〇lumn)l。在主柱架1，形成有朝內(nèi)側(cè)突出的上側(cè)段部7及下側(cè)段部8。照明光學(xué)系統(tǒng) IL，用以將曝光用光EL照明于由光罩載臺(tái)MST所支持的光罩M，其被固定在主柱架1的上部的 柱架3所支持。
[0075]照明光學(xué)系統(tǒng)IL具備:曝光用光源、使曝光用光源射出的光束的照度均一化的光 學(xué)積分器、使來(lái)自光學(xué)積分器的曝光用光EL會(huì)聚的聚光鏡、中繼透鏡系統(tǒng)、以及將曝光用光 EL對(duì)光罩M上的照明區(qū)域設(shè)定成狹縫狀的可變視野光圈等。光罩M上的預(yù)定照明區(qū)域，由照 明光學(xué)系統(tǒng)IL以照度均勻分布的曝光用光EL來(lái)照明。自照明光學(xué)系統(tǒng)IL射出的曝光用光 EL，可舉例為，由水銀燈所射出的紫外域光(g線、h線、i線)及KrF準(zhǔn)分子激光(波長(zhǎng)248nm)等 遠(yuǎn)紫外光(DUV光）、或ArF準(zhǔn)分子激光(波長(zhǎng)193nm)&F 2激光(波長(zhǎng)157nm)等真空紫外光(VUV 光）。本實(shí)施形態(tài)使用ArF準(zhǔn)分子激光。
[0076]本實(shí)施形態(tài)的液體LQ使用純水。純水不僅可使ArF準(zhǔn)分子激光透過(guò)，例如水銀燈所 射出的紫外域光線(g線、h線、i線）以及KrF準(zhǔn)分子激光(波長(zhǎng)248nm)等遠(yuǎn)紫外光(DUV光），亦 可透過(guò)純水。
[0077]光罩載臺(tái)MST，以可移動(dòng)的方式來(lái)保持光罩M而移動(dòng)。光罩載臺(tái)MST，以真空吸附（或 靜電吸附)方式來(lái)保持光罩M。在光罩載臺(tái)MST的下面，設(shè)有多個(gè)作為非接觸式軸承的空氣軸 承(air bearing)45。光罩載臺(tái)MST藉由空氣軸承45,以非接觸方式被支持于光罩定盤(pán)4的上 面(導(dǎo)引面）。在光罩載臺(tái)MST及光罩定盤(pán)4的中央部，分別設(shè)有供光罩M的圖案像通過(guò)的開(kāi)口 部MK1、MK2。光罩定盤(pán)4透過(guò)防振裝置46而由主柱架1的上側(cè)段部7所支持。亦即，光罩載臺(tái) MST透過(guò)防振裝置46及光罩定盤(pán)4而由主柱架1(上側(cè)段部7)所支持。又，光罩定盤(pán)4與主柱架 1藉防振裝置46來(lái)分隔振動(dòng)，避免主柱架1的振動(dòng)傳達(dá)至用來(lái)支持光罩載臺(tái)MST的定盤(pán)4。
[0078]光罩載臺(tái)MST，由控制裝置CONT所控制的包含線性馬達(dá)等的光罩載臺(tái)驅(qū)動(dòng)裝置 MSTD來(lái)驅(qū)動(dòng)，以在保持光罩M的狀態(tài)下，在光罩定盤(pán)4上的與投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光軸AX垂直 的平面內(nèi)，亦即是XY平面內(nèi)，進(jìn)行2維移動(dòng)及繞0Z方向的微旋轉(zhuǎn)。光罩載臺(tái)MST能以指定的掃 描速度朝X軸方向移動(dòng)，光罩M的全面至少具有能僅橫切于投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光軸AX的X軸 方向的移動(dòng)行程(stroke)。
[0079]在光罩載臺(tái)MST上，設(shè)置有移動(dòng)鏡41。又，在對(duì)向于移動(dòng)鏡41的位置設(shè)有激光干涉 計(jì)42。在光罩載臺(tái)MST上的光罩M，其在2維方向的位置以及0Z旋轉(zhuǎn)角(視情況而有包含0X、0Y 方向的旋轉(zhuǎn)角），藉由激光干涉計(jì)42作即時(shí)測(cè)量。將激光干涉計(jì)42的測(cè)量結(jié)果輸出至控制裝 置C0NT。控制裝置C0NT根據(jù)激光干涉計(jì)42的測(cè)量結(jié)果來(lái)驅(qū)動(dòng)光罩載臺(tái)驅(qū)動(dòng)裝置MSTD，以進(jìn) 行光罩載臺(tái)MST所支持的光罩M的位置控制。
[0080]投影光學(xué)系統(tǒng)PL以預(yù)定投影倍率0將光罩M的圖案投影曝光至基板P上，其包含設(shè) 置在基板P側(cè)的前端部的光學(xué)元件2的多個(gè)光學(xué)元件，等光學(xué)元件以鏡筒PK支持。本實(shí)施形 態(tài)中的投影光學(xué)系統(tǒng)PL，投影倍率射列如為1/4、1/5或1/8的縮小系統(tǒng)。再者，投影光學(xué)系統(tǒng) PL亦可為等倍系統(tǒng)或放大系統(tǒng)的任一種。又，本實(shí)施形態(tài)中的投影光學(xué)系統(tǒng)PL的前端部光 學(xué)元件2，自鏡筒PK露出，液浸區(qū)域AR2的液體LQ接觸于光學(xué)元件2。
[0081]在保持投影光學(xué)系統(tǒng)PL的鏡筒PK的外周，設(shè)有凸緣PF，投影光學(xué)系統(tǒng)PL透過(guò)凸緣 PF而由鏡筒定盤(pán)5所支持。鏡筒定盤(pán)5透過(guò)防振裝置47而由主柱架1的下側(cè)段部8所支持。亦 即，投影光學(xué)系統(tǒng)PL透過(guò)防振裝置47及鏡筒定盤(pán)5而由主柱架1的下側(cè)段部8所支持。又，鏡 筒定盤(pán)5與主柱架1藉由防振裝置47而分隔振動(dòng)，避免主柱架1的振動(dòng)傳達(dá)至用以支持投影 光學(xué)系統(tǒng)PL的鏡筒定盤(pán)5。
[0082]基板載臺(tái)PST以可移動(dòng)的方式，來(lái)支持供保持基板P的基板保持具PH?；灞３志?PH以例如真空吸附等的方式來(lái)保持基板P。在基板載臺(tái)PST下面，設(shè)有多個(gè)作為非接觸式軸 承的空氣軸承(air bearing)48?；遢d臺(tái)PST藉由空氣軸承48,以非接觸方式被支持于基 板定盤(pán)6的上面（導(dǎo)引面）?；宥ūP(pán)6透過(guò)防振裝置49而被支持于底座BP上。又，基板定盤(pán)6 與主柱架1及底座BP(地面)藉防振裝置49來(lái)分隔振動(dòng)，避免底座BP(地面)或主柱架1的振動(dòng) 傳達(dá)至用以支持基板載臺(tái)PST的基板定盤(pán)6。
[0083]基板載臺(tái)PST，由控制裝置C0NT所控制的包含線性馬達(dá)等的基板載臺(tái)驅(qū)動(dòng)裝置 PSTD來(lái)驅(qū)動(dòng)，在透過(guò)基板保持具PH而保持著基板P的狀態(tài)下，在基板定盤(pán)6上方的XY平面內(nèi) 進(jìn)行2維移動(dòng)、及繞0Z方向的微旋轉(zhuǎn)。再者，基板載臺(tái)PST亦可朝Z軸方向、0X方向、及0Y方向 移動(dòng)。
[0084]在基板載臺(tái)PST上設(shè)有移動(dòng)鏡43。又，在與移動(dòng)鏡43對(duì)向的位置設(shè)有激光干涉計(jì) 44。藉由激光干涉計(jì)44，可即時(shí)測(cè)量基板載臺(tái)PST上的基板P在2維方向的位置及旋轉(zhuǎn)角。又， 盡管未予圖示，在曝光裝置EX中，設(shè)有例如日本特開(kāi)平8-37149號(hào)公報(bào)所揭示的斜入射方式 的焦點(diǎn)調(diào)平(f OCUS 1 eve 1 ing)檢測(cè)系統(tǒng)，來(lái)檢測(cè)由基板載臺(tái)PST所支持的基板P的表面的位 置資訊。再者，焦點(diǎn)調(diào)平檢測(cè)系統(tǒng)，亦可為采用靜電電容型感測(cè)器的方式。焦點(diǎn)調(diào)平檢測(cè)系 統(tǒng)，可檢測(cè)基板P表面在Z軸方向的位置資訊，及基板P的0X方向及0Y方向的傾斜資訊。
[0085]將激光干涉計(jì)44的測(cè)量結(jié)果輸出至控制裝置C0NT。焦點(diǎn)調(diào)平檢測(cè)系統(tǒng)的檢測(cè)結(jié)果 亦輸出至控制裝置C0NT?？刂蒲b置C0NT根據(jù)焦點(diǎn)調(diào)平檢測(cè)系統(tǒng)的檢測(cè)結(jié)果，來(lái)驅(qū)動(dòng)基板載 臺(tái)驅(qū)動(dòng)裝置PSTD，以控制基板P的對(duì)焦位置及傾斜角，俾以自動(dòng)對(duì)焦方式及自動(dòng)調(diào)平方式將 基板P表面對(duì)位于投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面，且根據(jù)激光干涉計(jì)44的測(cè)量結(jié)果，進(jìn)行基板P在X 方向及Y軸方向的位置控制。
[0086]在基板載臺(tái)PST上設(shè)有凹部50,將用以保持基板P的基板保持具PH配置在凹部50。 又，在基板載臺(tái)PST中的凹部50以外的上面51，乃是與被基板保持具PH所保持的基板P的表 面大致等高（同一面)的平坦面(平坦部）。又，在本實(shí)施形態(tài)中，移動(dòng)鏡43的上面亦與基板載 臺(tái)PST的上面51為大致同一平面。
[0087] 因在基板P的周圍設(shè)置有與基板P表面大致是同一平面的上面51，因此，就算對(duì)基 板P的邊緣區(qū)域施以液浸曝光時(shí)，在基板P的邊緣部位的外側(cè)幾乎沒(méi)有段差部，故可使液體 LQ保持在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)榷己玫匦纬梢航^(qū)域AR2。又，基板P的邊緣部，距設(shè)置 在基板P周圍的平坦面(上面)51，其間雖有0.1_2mm左右的間隙，但是，因液體LQ的表面張力 所致，液體LQ幾乎不會(huì)流入間隙，即使對(duì)基板P的周緣附近曝光時(shí)，亦可藉由上面51將液體 LQ保持在投影光學(xué)系統(tǒng)PL之下。
[0088] 液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10是用以將液體LQ供應(yīng)至投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)日撸渚邆洌嚎?送出液體LQ的液體供應(yīng)部11;及以其一端部連接液體供應(yīng)部11的供應(yīng)管13 (13A、13B)。供應(yīng) 管13的另一端部與第1嘴構(gòu)件70相連。
[0089] 本實(shí)施形態(tài)中，液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10用以供應(yīng)純水，其具備:液體供應(yīng)部11、純水制造 裝置16、及用來(lái)對(duì)供應(yīng)的液體(純水)LQ調(diào)整溫度的調(diào)溫裝置17。再者，純水制造裝置亦可不 設(shè)置在曝光裝置EX內(nèi)，而是使用配置有曝光裝置EX的工廠內(nèi)的純水制造裝置。為了在基板P 上形成液浸區(qū)域AR2,液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10將預(yù)定量的液體LQ，供應(yīng)到配置于投影光學(xué)系統(tǒng)PL的 像面?zhèn)鹊幕錚i。
[0090] 在供應(yīng)管13途中，設(shè)有測(cè)量裝置60,以對(duì)于由液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10的液體供應(yīng)部11所 送出、待供往投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)鹊囊后wLQ，測(cè)量其性質(zhì)及成分的至少一方。如上述， 因液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10供應(yīng)水來(lái)作為液體LQ，故測(cè)量裝置60由可測(cè)量水質(zhì)的裝置所構(gòu)成。
[0091]第1液體回收機(jī)構(gòu)20,用以回收投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)鹊囊后wLQ，其具備：可回 收液體LQ的第1液體回收部21，及以其一端部與第1液體回收部21相連接的回收管23?；厥?管23的另一端部與第1嘴構(gòu)件70相連。第1液體回收部21具備:例如真空栗等真空系統(tǒng)(吸引 裝置)26、及用來(lái)將回收液體LQ與氣體分離的氣液分離器27。又，真空系統(tǒng)，亦可不在曝光裝 置EX內(nèi)設(shè)置真空栗，而是使用設(shè)置有曝光裝置EX的工廠內(nèi)的真空系統(tǒng)。為了在基板P上形成 液浸區(qū)域AR2，第1液體回收機(jī)構(gòu)20，將供應(yīng)自液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10的基板P上的液體LQ予以回收 預(yù)定量。
[0092]第2液體回收機(jī)構(gòu)30,用以回收投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)鹊囊后wLQ，其具備：可回 收液體LQ的第2液體回收部31，及以其一端部與第2液體回收部31相連的回收管33?；厥展?33的另一端部與第2嘴構(gòu)件80相連。第2液體回收部31具備:例如真空栗等真空系統(tǒng)(吸引裝 置)36,及用來(lái)將回收液體LQ與氣體分離的氣液分離器37等。又，真空系統(tǒng)，亦可不在曝光裝 置EX內(nèi)設(shè)置真空栗，而是使用設(shè)置有曝光裝置EX的工廠內(nèi)的真空系統(tǒng)。第2液體回收機(jī)構(gòu) 30,可用來(lái)回收第1液體回收機(jī)構(gòu)20所未完全回收的液體LQ。
[0093]又，第2液體回收機(jī)構(gòu)30,具有不斷電電源(第2驅(qū)動(dòng)源）100B，其與作為曝光裝置EX 整體(包含第1液體回收機(jī)構(gòu)20)的驅(qū)動(dòng)源的商用電源100A不同。不斷電電源100B是在例如 商用電源100A停電時(shí)，對(duì)第2液體回收機(jī)構(gòu)30的驅(qū)動(dòng)部供應(yīng)電力（驅(qū)動(dòng)力）。例如，在商用電 源100A停電的狀況，第2液體回收機(jī)構(gòu)30的第2液體回收部31，由不斷電電源100B所供應(yīng)的 電力來(lái)驅(qū)動(dòng)。此時(shí)，包含第2液體回收部31的第2液體回收機(jī)構(gòu)30的液體回收動(dòng)作，并非由控 制裝置C0NT所控制，而是根據(jù)例如內(nèi)設(shè)于第2液體回收機(jī)構(gòu)30的另一控制裝置發(fā)出的指令 信號(hào)來(lái)控制。
[0094] 再者，在商用電源100A停電時(shí)，不斷電電源100B除了對(duì)第2液體回收機(jī)構(gòu)30供電， 亦可將電力供應(yīng)至控制裝置C0NT。在此情形，由不斷電電源100B的電力所驅(qū)動(dòng)的控制裝置 C0NT，亦可控制第2液體回收機(jī)構(gòu)30的液體回收動(dòng)作。又，第2液體回收機(jī)構(gòu)30亦可由不斷電 電源100B來(lái)持續(xù)驅(qū)動(dòng)。此時(shí)，第1液體回收機(jī)構(gòu)20與第2液體回收機(jī)構(gòu)30,各由不同的電源 100A、100B 來(lái)驅(qū)動(dòng)。
[0095]本實(shí)施形態(tài)中，由第1液體回收機(jī)構(gòu)20及第2液體回收機(jī)構(gòu)30所回收的液體LQ，回 到液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10的液體供應(yīng)部11。亦即，本實(shí)施形態(tài)的曝光裝置EX的構(gòu)成中，具有在液體 供應(yīng)機(jī)構(gòu)10、第1液體回收機(jī)構(gòu)20、及第2液體回收機(jī)構(gòu)30之間循環(huán)液體LQ的循環(huán)系統(tǒng)?；氐?液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10的液體供應(yīng)部11的液體LQ，經(jīng)由純水制造裝置16予以精制后，再度供應(yīng)至 投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)?基板P上）。再者，由第1、第2液體回收機(jī)構(gòu)20、30所回收的液體LQ 可全部回流到液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10,或使其中一部分回流亦可?；蛘?，亦可使得由第1、第2液體 回收機(jī)構(gòu)20、30所回收的液體LQ并未回到液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10，而是將另由其他供應(yīng)源所供應(yīng) 的液體LQ、或是將自來(lái)水以純水制造裝置16予以精制后，供應(yīng)至投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)取?再者，亦可依照其必要性而切換于2種模式，即，對(duì)回收的液體LQ加以精制，使再度經(jīng)循環(huán)回 到液體供應(yīng)部11的第1模式:及廢棄已回收的液體LQ，由液體供應(yīng)部11另供應(yīng)新的液體LQ的 第2模式。
[0096]供應(yīng)管13與回收管23透過(guò)連接管9而相連。連接管9的一端部，接至供應(yīng)管13途中 的預(yù)定位置，其另一端部，接至回收管23途中的預(yù)定位置。又，在供應(yīng)管13途中設(shè)有第1閥 13B，用以開(kāi)閉供應(yīng)管13的流路;在回收管23途中設(shè)有第2閥23B，用以開(kāi)閉回收管23的流路； 在連接管9途中設(shè)有第3閥9B，用以開(kāi)閉連接管9的流路。第1閥13B的設(shè)置處，在供應(yīng)管13中 較其與連接管9的連接位置要近于第1嘴構(gòu)件70的側(cè)；第2閥23B的設(shè)置處，在回收管23中較 其與連接管9的連接位置更近于第1嘴構(gòu)件70之側(cè)。各閥13B、23B、9B的動(dòng)作由控制裝置C0NT 所控制。藉由其等的閥13B、23B、9B，使得由液體供應(yīng)部11所送出的液體LQ變更流路。
[0097] 又，第1閥13B與計(jì)時(shí)器13T相連。計(jì)時(shí)器13T可用來(lái)測(cè)量第1閥13B的開(kāi)啟時(shí)間及關(guān) 閉時(shí)間。又，計(jì)時(shí)器13T，可用來(lái)測(cè)知第1閥13B是否有關(guān)閉供應(yīng)管13的流路。
[0098] 在計(jì)時(shí)器13T測(cè)知第1閥13B已打開(kāi)供應(yīng)管13的流路時(shí)，開(kāi)始時(shí)間的測(cè)量。又，在計(jì) 時(shí)器13T測(cè)知第1閥13B已關(guān)閉供應(yīng)管13的流路時(shí)，亦可開(kāi)始時(shí)間的測(cè)量。
[0099] 計(jì)時(shí)器13可用以測(cè)量，自第1閥13B開(kāi)啟供應(yīng)管13的流路時(shí)算起所經(jīng)過(guò)的時(shí)間，亦 即，測(cè)量自液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10開(kāi)始供應(yīng)液體算起所經(jīng)過(guò)的時(shí)間。由計(jì)時(shí)器13T所測(cè)得的上述經(jīng) 過(guò)時(shí)間的相關(guān)資訊，被輸出至控制裝置C0NT。又，計(jì)時(shí)器13T在測(cè)知第1閥13B已關(guān)閉供應(yīng)管 13的流路時(shí)，除了停止時(shí)間測(cè)量動(dòng)作，亦重置測(cè)量的時(shí)間（歸零）。又，計(jì)時(shí)器13T可用來(lái)測(cè)量 自第1閥13B關(guān)閉供應(yīng)管13的流路算起所經(jīng)過(guò)的時(shí)間，亦即，測(cè)量自液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10停止液 體供應(yīng)算起所經(jīng)過(guò)的時(shí)間。由計(jì)時(shí)器13T所測(cè)得的上述經(jīng)過(guò)時(shí)間的相關(guān)資訊，被輸出至控制 裝置C0NT。又，計(jì)時(shí)器13T在測(cè)知第1閥13B已開(kāi)啟供應(yīng)管13的流路時(shí)，除了停止時(shí)間測(cè)量動(dòng) 作，亦重置測(cè)量的時(shí)間（歸零）。
[0100]構(gòu)成液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)1〇及第1液體回收機(jī)構(gòu)20的一部分的第1嘴構(gòu)件70,由第1嘴保 持構(gòu)件52所保持，第1嘴保持構(gòu)件52與主柱架1的下側(cè)段部8相連。構(gòu)成第2液體回收構(gòu)件30 的一部分的第2嘴構(gòu)件80,由第2嘴保持構(gòu)件53所保持，第2嘴保持構(gòu)件53與主柱架1的下側(cè) 段部8相連。第1嘴構(gòu)件70與第2嘴構(gòu)件80乃是彼此獨(dú)立的構(gòu)件。
[0101]圖2是投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)雀浇囊糠糯髨D。圖2中的第1嘴構(gòu)件70,配置在 投影光學(xué)系統(tǒng)PL的前端部光學(xué)元件2附近，其環(huán)狀構(gòu)件，以在基板P(基板載臺(tái)PST)的上方圍 繞光學(xué)元件2的周緣的方式設(shè)置。第1嘴構(gòu)件70的中央部，具有可配置投影光學(xué)系統(tǒng)PL(光學(xué) 元件2)的孔部70H。又，第1嘴構(gòu)件70的下面70A的設(shè)置，與基板載臺(tái)PST所保持的基板P對(duì)向。 又，由第1嘴保持構(gòu)件52(參照?qǐng)D1)所保持的第1嘴構(gòu)件70,與投影光學(xué)系統(tǒng)PL(光學(xué)元件2) 彼此分離。亦即，在本身為環(huán)狀構(gòu)件的第1嘴構(gòu)件70的內(nèi)側(cè)面，與投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光學(xué)元 件2的外側(cè)面之間，有間隙的存在。間隙的設(shè)置目的，是用來(lái)分隔投影光學(xué)系統(tǒng)PL與第1嘴構(gòu) 件70的振動(dòng)。藉此，可防止由第1嘴構(gòu)件70所產(chǎn)生的振動(dòng)傳達(dá)至投影光學(xué)系統(tǒng)PL之側(cè)。
[0102] 第2嘴構(gòu)件80是環(huán)狀構(gòu)件，以在基板P(基板載臺(tái)PST)的上方圍繞第1嘴構(gòu)件70的外 緣的方式設(shè)置。在第2嘴構(gòu)件80的中央部，具有可用來(lái)配置第1嘴構(gòu)件70的一部分的孔部 80H。又，第2嘴構(gòu)件80的下面80A的設(shè)置，與基板載臺(tái)PST所保持的基板P對(duì)向。又，由第1嘴構(gòu) 件52所保持的第1嘴構(gòu)件70,與第2嘴保持構(gòu)件53(參照?qǐng)D1)所保持的第2嘴構(gòu)件80彼此分 離。亦即，本身為環(huán)狀構(gòu)件的第2嘴構(gòu)件80的內(nèi)側(cè)面，與第1嘴構(gòu)件70的外側(cè)面之間存有間 隙。間隙的設(shè)置目的，是為了分離第1嘴構(gòu)件70與第2嘴構(gòu)件80的振動(dòng)。藉此，可防止由第2嘴 構(gòu)件80產(chǎn)生的振動(dòng)傳達(dá)至第1嘴構(gòu)件70之側(cè)。
[0103] 又，透過(guò)第1、第2嘴保持構(gòu)件52、53來(lái)支持第1、第2嘴構(gòu)件70、80的主柱架1，與透過(guò) 凸緣PF來(lái)支持投影光學(xué)系統(tǒng)PL的鏡筒PK的鏡筒定盤(pán)5，透過(guò)防振裝置47，以分隔振動(dòng)。因此， 可防止第1嘴構(gòu)件70及第2嘴構(gòu)件80所發(fā)生的振動(dòng)傳達(dá)至投影光學(xué)系統(tǒng)PL。又，透過(guò)第1、第2 嘴保持構(gòu)件而支持第1、第2嘴構(gòu)件70、80的主柱架1，與用來(lái)支持基板載臺(tái)PST的基板定盤(pán)6， 透過(guò)防振裝置49,以分隔振動(dòng)。因此，可防止第1嘴構(gòu)件70及第2嘴構(gòu)件80所發(fā)生的振動(dòng)，透 過(guò)主柱架1及底座BP而傳達(dá)至基板載臺(tái)PST。又，透過(guò)第1、第2嘴保持構(gòu)件52、53而支持第1、 第2嘴構(gòu)件70、80的主柱架1，與用來(lái)支持光罩載臺(tái)MST的光罩定盤(pán)4,透過(guò)防振裝置46,以分 隔振動(dòng)。因此，可防止第1嘴構(gòu)件70及第2嘴構(gòu)件80所產(chǎn)生的振動(dòng)，透過(guò)主柱架1而傳達(dá)至光 罩載臺(tái)MST。
[0104] 在第1嘴構(gòu)件70的下面70A，設(shè)有構(gòu)成液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10的一部分的供應(yīng)口 12(12A、 12B)。本實(shí)施形態(tài)中設(shè)有2個(gè)供應(yīng)口 12(12A、12B)，隔著投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光學(xué)元件2(投影 區(qū)域AR1)而設(shè)置在X軸方向兩側(cè)。本實(shí)施形態(tài)中的供應(yīng)口 12A、12B雖形成為略圓形，但橢圓 形、矩形、狹縫狀等任意的形狀亦可。又，供應(yīng)口 12A、12B彼此約略等大亦可，彼此大小有異 亦宜。
[0105]在第1嘴構(gòu)件70的下面70A，以投影光學(xué)系統(tǒng)PL的投影區(qū)域AR1作為基準(zhǔn)的供應(yīng)口 12的外側(cè)，設(shè)有構(gòu)成第1液體回收機(jī)構(gòu)20的一部分的第1回收口 22。第1回收口 22為環(huán)狀，以 在第1嘴構(gòu)件70的下面70A繞投影區(qū)域AR1、供應(yīng)口 12A和12B的方式而設(shè)置。又，在第1回收口 22設(shè)有多孔體22P。
[0106]供應(yīng)管13的另一端部，與形成在第1嘴構(gòu)件70的內(nèi)部的供應(yīng)流路14的一端部相連。 另一方面，第1嘴構(gòu)件70的供應(yīng)流路14的另一端部，與形成于第1嘴構(gòu)件70的下面70A的供應(yīng) 口 12相連。此處，形成于第1嘴構(gòu)件70的內(nèi)部的供應(yīng)流路14,自途中開(kāi)始分支，能各以其另一 端部與多個(gè)(2個(gè))供應(yīng)口 12(12A、12B)相連。
[0107]液體供應(yīng)部11的液體供應(yīng)動(dòng)作由控制裝置C0NT所控制。為了要形成液浸區(qū)域AR2， 控制裝置C0NT由液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10的液體供應(yīng)部11來(lái)送出液體LQ。由液體供應(yīng)部11所送出的 液體LQ，流經(jīng)供應(yīng)管13后，流入形成于第1嘴構(gòu)件70的內(nèi)部的供應(yīng)流路14的一端部。又，流入 供應(yīng)流路14的一端部的液體LQ，在途中分支之后，藉由形成于第1嘴構(gòu)件70的下面70A的多 個(gè)(2個(gè))供應(yīng)口 12A、12B，供應(yīng)至光學(xué)元件2與基板P間的空間。
[0108]回收管23的另一端部，與形成于第1嘴構(gòu)件70的內(nèi)部且構(gòu)成第1回收流路24的一部 分的歧管(manifold)流路24M的一端部相連。另一方面，歧管流路24M的另一端部，形成與第 1回收口 22相對(duì)應(yīng)的俯視環(huán)狀，其與連接于第1回收口 22的構(gòu)成第1回收流路24的一部分的 環(huán)狀流路24K的一部分相連接。
[0109]第1液體回收部21的液體回收動(dòng)作由控制裝置C0NT所控制?？刂蒲b置C0NT為了回 收液體LQ，而驅(qū)動(dòng)第1液體回收機(jī)構(gòu)20的第1液體回收部21。借著具有真空系統(tǒng)26的第1液體 回收部21的驅(qū)動(dòng)，在基板P上的液體LQ，透過(guò)設(shè)置在基板P的上方的第1回收口 22，鉛直的朝 上(+Z方向）流入環(huán)狀流路24K。由+Z方向流入環(huán)狀流路24K的液體LQ，在歧管流路24M匯集 后，流動(dòng)于歧管流路24M。之后，液體LQ透過(guò)回收管23而被第1液體回收部21所吸引回收。 [0110]在第2嘴構(gòu)件80的下面80A，設(shè)有構(gòu)成第2液體回收機(jī)構(gòu)30的一部分的第2回收口 32。第2回收口 32形成于，第2嘴構(gòu)件80的中與基板P對(duì)向的下面80A。第2嘴構(gòu)件80設(shè)置在第1 嘴構(gòu)件70的外側(cè)，設(shè)置于第2嘴構(gòu)件80的第2回收口 32,其設(shè)置位置，相對(duì)于投影光學(xué)系統(tǒng)PL 的投影區(qū)域AR1，在較設(shè)置于第1嘴構(gòu)件70的第1回收口 22更居于外側(cè)的處。第2回收口32以 圍繞第1回收口 22的方式而形成為環(huán)狀。 回收管33的另一端部，與形成在第2嘴構(gòu)件80的內(nèi)部且構(gòu)成第2回收流路34的一部 分的歧管流路34M的一端部相連。另一方面，歧管流路34M的另一端部，形成為與第2回收口 32相對(duì)應(yīng)的俯視環(huán)狀，其與連接回收口 32的構(gòu)成第2回收流路34的一部分的環(huán)狀流路34K的 一部分相連。
[0112]第2液體回收部31的液體回收動(dòng)作由控制裝置C0NT所控制?？刂蒲b置C0NT為了要 回收液體LQ，而驅(qū)動(dòng)第2液體回收機(jī)構(gòu)30的第2液體回收部31。藉由具有真空部36的第2液體 回收部31的驅(qū)動(dòng)，基板P上的液體LQ，透過(guò)設(shè)置在基板P的上方的第2回收口 32，鉛直地向上 (+Z方向）流入環(huán)狀流路34K。由+Z方向流入環(huán)狀流路34K的液體LQ，在歧管流路34M聚集后， 流動(dòng)于歧管流路34M。之后，液體LQ透過(guò)回收管33而被第2液體回收部31所吸引回收。又，本 實(shí)施形態(tài)中，控制裝置C0NT藉第2液體回收機(jī)構(gòu)30的液體回收動(dòng)作(吸引動(dòng)作），持續(xù)在基板 P的液浸曝光中及曝光前后進(jìn)行。
[0113]測(cè)量裝置60,用以對(duì)液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10所供應(yīng)的液體LQ測(cè)量其性質(zhì)或成分(水質(zhì)）。 由測(cè)量裝置60所測(cè)量的液體LQ的性質(zhì)或成分，在考慮對(duì)曝光裝置EX的曝光精度的影響或?qū)?曝光裝置EX本身的影響后而決定。表1是以一例來(lái)表示，液體LQ的性質(zhì)或成分、及其對(duì)曝光 裝置EX的曝光精度或曝光裝置EX本身的影響。如同表1所示，液體LQ的性質(zhì)或成分，可舉例 為：比電阻、金屬離子、全有機(jī)碳(T0C:total organic carbon)、微粒子與氣泡、生菌、溶存 氧(D0:dissolved oxygen)、溶存氮(DN:dissolved nitrogen)等。另一方面，會(huì)對(duì)曝光裝置 EX的曝光精度或?qū)ζ毓庋b置EX本身產(chǎn)生影響的項(xiàng)目，可舉例為:透鏡(特別是光學(xué)元件2)的 濁度;水痕(因液體LQ的蒸發(fā)，使液體中的雜質(zhì)固化后所殘留的附著物)的發(fā)生；因折射率變 化或光的散亂而導(dǎo)致的光學(xué)性能的劣化;對(duì)光阻處理(光阻圖案的形成）的影響；以及各構(gòu) 件所發(fā)生的銹蝕等。表1所示，對(duì)何種性質(zhì)或成分會(huì)對(duì)何種性能產(chǎn)生何種程度的影響，作一 匯整陳示，對(duì)于被預(yù)測(cè)為有不可輕忽的影響者，賦與"〇"的記號(hào)。藉測(cè)量裝置60的待測(cè)量的 液體LQ的性質(zhì)或成分，根據(jù)對(duì)曝光裝置EX的曝光精度或曝光裝置EX本身帶來(lái)的影響，而由 表1中按照必要性予以選擇。當(dāng)然，可對(duì)所有項(xiàng)目皆予測(cè)量，亦可測(cè)量未示于表1中的性質(zhì)或 成分。
[0114] 為了要測(cè)量基于上述觀點(diǎn)而選擇的項(xiàng)目，在測(cè)量裝置60具有多個(gè)測(cè)量器。在測(cè)量 裝置60中的測(cè)量器例如有：用以測(cè)量比電阻值的比電阻計(jì)、用以測(cè)量全有機(jī)碳的T0C計(jì)、用 以測(cè)量包含微粒子及氣泡的異物的微粒子測(cè)量計(jì)、用以測(cè)量溶存氧(溶存氧濃度）的D0計(jì)、 用以測(cè)量溶存氮(溶存氮濃度）的DN計(jì)、用以測(cè)量二氧化硅濃度的二氧化硅計(jì)、及可分析生 菌種類或數(shù)量的分析器等。本實(shí)施形態(tài)中的一例，選擇全有機(jī)碳、微粒子氣泡、溶存氧、及比 電阻值作為測(cè)量項(xiàng)目，如圖2所示般，測(cè)量裝置60包含：用以測(cè)量全有機(jī)碳的T0C計(jì)61、用以 測(cè)量包含微粒子及氣泡的異物的微粒子測(cè)量計(jì)62、用以測(cè)量溶存氧的溶存氧計(jì)(D0計(jì))63、 及比電阻計(jì)64。
[0115] (表一）
[0117]如圖2所示，T0C計(jì)61連接于，自相連于供應(yīng)口 12的供應(yīng)管（供應(yīng)流路）13的途中所 分支出來(lái)的分歧管(分支流路)61K。由液體供應(yīng)部11所送出，流經(jīng)供應(yīng)管13的液體LQ中，一 部分的液體LQ由第1嘴構(gòu)件70的供應(yīng)口 12供應(yīng)至基板P上，其余的一部分，流向分歧管61K而 流入T0C計(jì)61 J0C計(jì)61，對(duì)于流經(jīng)由分歧管61K所形成的分支流路的液體LQ，測(cè)量其中的全 有機(jī)碳(TOC)。同樣的，微粒子測(cè)量計(jì)62、溶存氧計(jì)63、及比電阻計(jì)64,分別與自供應(yīng)管13的 途中分支出來(lái)的分歧管62K、63K、64K相連，以對(duì)于流經(jīng)由等分歧管62K、63K、64K所形成的分 支流路的液體LQ，測(cè)量其中的異物(微粒子或氣泡）、溶存氧、及比電阻值。再者，上述二氧化 硅計(jì)或生菌分析器，亦可與分支自供應(yīng)管13途中的分歧管相連接。
[0118] 本實(shí)施形態(tài)中，分歧管61K-64K形成為各自獨(dú)立的分支流路，各測(cè)量器61-64分別 與上述彼此獨(dú)立的分支流路相連。亦即，多個(gè)測(cè)量器61-64透過(guò)并聯(lián)方式透過(guò)分歧管61K-64K與供應(yīng)管13相連。再者，測(cè)量器的構(gòu)成，亦可透過(guò)串聯(lián)方式使多個(gè)測(cè)量器與供應(yīng)管13相 連，例如，以第1的測(cè)量器來(lái)測(cè)量自供應(yīng)管13分支出來(lái)的液體LQ，以第2的測(cè)量器來(lái)測(cè)量已通 過(guò)第1的測(cè)量器的液體LQ。再者，可能因分歧管（分支地點(diǎn)）的數(shù)目或位置相異而發(fā)生異物 (微粒子），因此，可考慮異物發(fā)生的可能性，來(lái)設(shè)定分歧管的數(shù)目或位置。又，亦可在沿供應(yīng) 管13的多個(gè)位置配置同一種類的測(cè)量器。藉由種配置，可以指定究竟在供應(yīng)管13的那一位 置有液體LQ的性質(zhì)或成分的變化，而易于追究變化的原因。
[0119] 本實(shí)施形態(tài)中的測(cè)量裝置60,對(duì)于流經(jīng)分支流路（由供應(yīng)管13所形成的供應(yīng)流路 途中所分支出來(lái))的液體LQ，以線內(nèi)（in-1 ine)的方式測(cè)量其性質(zhì)或成分。藉由線內(nèi)方式的 采用，由于在測(cè)量裝置60持續(xù)供應(yīng)液體LQ，故可在曝光中及曝光前后持續(xù)以測(cè)量裝置60來(lái) 測(cè)量液體LQ的性質(zhì)或成分(水質(zhì)）。亦即，測(cè)量裝置60的液體LQ測(cè)量，能與基板P的液浸曝光 動(dòng)作并行。將測(cè)量裝置60的測(cè)量結(jié)果輸出至控制裝置C0NT?？刂蒲b置C0NT可根據(jù)測(cè)量裝置 60的測(cè)量結(jié)果，對(duì)于由液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10供應(yīng)至基板P上的液體LQ，予以持續(xù)監(jiān)測(cè)其性質(zhì)或成 分(水質(zhì)）。
[0120] 再者，為了要指定含于液體LQ中的金屬離子的種類，可對(duì)液體LQ進(jìn)行取樣，使用與 曝光裝置EX不同的另行設(shè)置的分析裝置，來(lái)指定金屬離子的種類。藉此，可按照所指定的金 屬離子來(lái)施以適當(dāng)處置。又，亦可為了要測(cè)量含于液體LQ中的雜質(zhì)，而對(duì)液體LQ進(jìn)行取樣， 使用與曝光裝置EX不同的另行設(shè)置的全蒸發(fā)殘?jiān)?jì)，以測(cè)量液體LQ中的全蒸發(fā)殘?jiān)?。?時(shí)，亦可由分析裝置及全蒸發(fā)殘?jiān)?jì)定期的自動(dòng)對(duì)液體LQ進(jìn)行取樣，將金屬離子的種類或 全蒸發(fā)殘?jiān)?jì)等的測(cè)量結(jié)果，自動(dòng)通知曝光裝置EX。曝光裝置EX將通知的測(cè)量結(jié)果，與預(yù)為 記憶的基準(zhǔn)值作比較，在超過(guò)基準(zhǔn)值時(shí)，則發(fā)出警報(bào)。
[0121] 檢測(cè)裝置90,用以檢測(cè)第2液體回收機(jī)構(gòu)30是否有回收液體LQ。本實(shí)施形態(tài)中的檢 測(cè)裝置90,以光學(xué)方式來(lái)檢測(cè)液體LQ是否有流入第2液體回收機(jī)構(gòu)30的回收管33,藉以檢測(cè) 出液體LQ是否透過(guò)第2液體回收機(jī)構(gòu)30的第2回收口 32而回收。檢測(cè)裝置90具備：用以射出 檢測(cè)光La的投射部91，及用以接收檢測(cè)光La的受光部92。在回收管33途中，設(shè)有可透過(guò)檢測(cè) 光La的透過(guò)窗93、94。檢測(cè)裝置90透過(guò)投射部91而對(duì)透過(guò)窗93照射檢測(cè)光La。通過(guò)透過(guò)窗93 的檢測(cè)光La，在通過(guò)回收管33的內(nèi)側(cè)后，經(jīng)透過(guò)窗94而由受光部92所接收。將受光部92的受 光結(jié)果輸出至控制裝置C0NT。在回收管33的內(nèi)側(cè)(檢測(cè)光La的光路上），在有液體LQ及無(wú)液 體LQ時(shí)，受光部92的受光量會(huì)呈現(xiàn)不同數(shù)值。因此，控制裝置C0NT可根據(jù)受光部92的受光結(jié) 果，判斷回收管33有無(wú)液體LQ(是否流動(dòng)），亦即，可判斷第2回收機(jī)構(gòu)30是否有回收液體LQ。
[0122] 又，所適用的檢測(cè)裝置90,只要可檢測(cè)出是否有透過(guò)第2回收口32而回收液體LQ即 可，例如，亦可以是設(shè)置在回收管33內(nèi)側(cè)的液體感測(cè)器。又，液體感測(cè)器的設(shè)置位置，并不限 于在回收管33途中，亦可在例如第2嘴構(gòu)件80的第2回收口 32附近、或第2回收流路34的內(nèi) 偵k又，作為所使用的檢測(cè)裝置90,亦可是在例如回收管33途中預(yù)設(shè)流量控制器(流量檢測(cè) 器），以根據(jù)流量控制器的檢測(cè)結(jié)果，判斷是否有透過(guò)第2回收口32來(lái)回收液體LQ。
[0123] 又，由包含投射部及受光部所構(gòu)成的上述檢測(cè)裝置90、或由流量控制器所構(gòu)成的 檢測(cè)裝置，可檢測(cè)第2液體回收機(jī)構(gòu)30的每單位時(shí)間的液體回收量。
[0124] 圖3是液體供應(yīng)部11的詳細(xì)構(gòu)成圖。液體供應(yīng)部11具備:純水制造裝置16、及用以 對(duì)純水制造裝置16所制造的液體LQ調(diào)整溫度的調(diào)溫裝置17。純水制造裝置16包含：純水制 造器161，用以對(duì)包含浮游物或雜質(zhì)等的水施以精制作業(yè)，以制得具預(yù)定純度的純水;及超 純水制造器162,其由純水制造器161制造的純水中，進(jìn)一步去除其雜質(zhì)，以制得更高純度的 純水(超純水）。純水制造器161(或超純水制造器162)，具備離子交換膜或微粒子過(guò)濾器等 液體改質(zhì)構(gòu)件、及紫外光照射裝置(UV燈)等液體改質(zhì)裝置，藉由其等液體改質(zhì)構(gòu)件及液體 改質(zhì)裝置，可將液體的比電阻值、異物(微粒子、氣泡）的量、全有機(jī)碳、及生菌數(shù)量等，調(diào)整 為所要值。
[0125] 又，如上述，由第1液體回收機(jī)構(gòu)20及第2液體回收機(jī)構(gòu)30所回收的液體LQ，回到液 體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10的液體供應(yīng)部11。具體而言，由第1液體回收機(jī)構(gòu)20及第2液體回收機(jī)構(gòu)30所 回收的液體LQ，透過(guò)回注管18,供應(yīng)到液體供應(yīng)部11的純水制造裝置16(純水制造器161)。 回注管18,設(shè)有用來(lái)開(kāi)閉回注管18的流路的閥18B。純水制造裝置16,將透過(guò)回注管18而回 來(lái)的液體經(jīng)使用上述液體改質(zhì)構(gòu)件及液體改質(zhì)裝置等予以精制后，供應(yīng)至調(diào)溫裝置17。又， 在液體供應(yīng)部11的純水制造裝置16(純水制造器161)，透過(guò)供應(yīng)管19而與功能液供應(yīng)裝置 120相連。功能液供應(yīng)裝置120可用以供應(yīng)，與形成液浸區(qū)域AR2的液體LQ不同、具有預(yù)定功 能的功能液LK。本實(shí)施形態(tài)中的功能液供應(yīng)裝置120，乃供應(yīng)具殺菌作用的液體(功能液） LK。在供應(yīng)管19，設(shè)有用來(lái)開(kāi)閉供應(yīng)管19的流路的閥19B?？刂蒲b置C0NT在使閥18B動(dòng)作而打 開(kāi)回注管18的流路以供應(yīng)液體LQ時(shí)，使閥19B動(dòng)作而關(guān)閉供應(yīng)管19的流路，以停止功能液LK 的供應(yīng)。另一方面，控制裝置C0NT在使閥19B動(dòng)作而開(kāi)啟供應(yīng)管19的流路以供應(yīng)功能液LK 時(shí)，使閥18B動(dòng)作而關(guān)閉回注管18的流路，以停止液體LQ的供應(yīng)。
[0126] 調(diào)溫裝置17,用來(lái)對(duì)由純水制造裝置16所制造、且供應(yīng)至供應(yīng)管13的液體(純水） 調(diào)整溫度，使其一端部與純水制造裝置16(超純水制造器162)相連，使另一端部與供應(yīng)管13 接連，在對(duì)純水制造裝置16制出的液體LQ施以調(diào)溫后，將業(yè)已調(diào)整溫度的液體LQ送至供應(yīng) 管13。調(diào)溫裝置17中具備:粗調(diào)溫器171，用以對(duì)來(lái)自純水制造裝置16的超純水制造器162的 液體LQ，進(jìn)行粗調(diào)溫；流量控制器172,設(shè)置在粗調(diào)溫器171的流路下游側(cè)（近供應(yīng)管13的 側(cè)），用以控制流向供應(yīng)管13的側(cè)的液體LQ的每單位時(shí)間流量;脫氣裝置173,用以降低通過(guò) 流量控制器172的液體LQ中的溶存氣體濃度(溶存氧濃度、溶存氮濃度）；過(guò)濾器174，用以去 除已由脫氣裝置173脫氣的液體LQ中的異物(微粒子、氣泡）；及微調(diào)溫器175,用以對(duì)通過(guò)過(guò) 濾器174的液體LQ進(jìn)行溫度微調(diào)。
[0127] 粗調(diào)溫器171，對(duì)于由超純水制造器162送出的液體LQ以粗略精度來(lái)調(diào)溫，使其溫 度與目標(biāo)溫度(例如23°C)達(dá)到例如±0.1°C的粗略精度。流量控制器172配置在粗調(diào)溫器 171與脫氣裝置173之間，以對(duì)于已由粗調(diào)溫器171而調(diào)溫的液體LQ，控制其對(duì)于脫氣裝置 173側(cè)的每單位時(shí)間的流量。
[0128] 脫氣裝置173配置在粗調(diào)溫器171與微調(diào)溫器175之間，具體而言是配置在流量控 制器172與過(guò)濾器174之間，以使流量控制器172送出的液體LQ脫氣，降低液體LQ中的溶存氣 體濃度。所使用的脫氣裝置173,可使用減壓裝置等周知的脫氣裝置，以利用對(duì)供應(yīng)的液體 LQ減壓的方式來(lái)脫氣。又，亦可使用例如包含脫氣過(guò)濾器的裝置，以利用中空纖維膜過(guò)濾層 等來(lái)使液體LQ氣液分離，并使用真空系統(tǒng)來(lái)去除分離出來(lái)的氣體成分;或者使用是包含脫 氣栗的裝置，以利用離心力使液體LQ氣液分離，并使用真空系統(tǒng)來(lái)去除業(yè)已分離的氣體成 分等。脫氣裝置173,利用包含上述脫氣過(guò)濾器的液體改質(zhì)構(gòu)件或包含上述脫氣栗的液體改 質(zhì)裝置，將溶存氣體濃度調(diào)整成所要值。
[0129] 過(guò)濾器174配置在粗調(diào)溫器171與微調(diào)溫器175之間，具體而言是在脫氣裝置173與 微調(diào)溫器175之間，以對(duì)于由脫氣裝置173送出的液體LQ去除其中異物。在通過(guò)流量控制器 172或脫氣裝置173時(shí)，亦有可能將微量異物(particle)混入液體LQ中，但藉由將過(guò)濾器174 設(shè)置在流量控制器172或脫氣裝置173的下游側(cè)(供應(yīng)管13之側(cè)）的作法，可利用過(guò)濾器174 來(lái)去除異物。所使用的過(guò)濾器174,可為中空纖維膜過(guò)濾層或微粒子過(guò)濾器等周知的過(guò)濾 器。包含上述微粒子過(guò)濾器等液體改質(zhì)構(gòu)件的過(guò)濾器174,將液體中的異物(微粒子、氣泡） 調(diào)整為容許值以下。
[0130] 微調(diào)溫器175配置在粗調(diào)溫器171與供應(yīng)管13之間，具體而言是在過(guò)濾器174與供 應(yīng)管13之間，用以高精度的調(diào)整液體LQ的溫度。例如，微調(diào)溫器175對(duì)于過(guò)濾器174送出的液 體lq進(jìn)行溫度的微調(diào)，使其溫度(溫度穩(wěn)定性、溫度均一性)對(duì)目標(biāo)溫度達(dá)到±0.ore-土 0.001°C的高精度。本實(shí)施形態(tài)中，在構(gòu)成調(diào)溫裝置17的復(fù)數(shù)個(gè)機(jī)器中，微調(diào)溫器175配置在 最靠近液體LQ的供應(yīng)對(duì)象、即基板P之處，因此，可將經(jīng)高精度調(diào)溫的液體LQ供應(yīng)至基板P 上。
[0131] 再者，過(guò)濾器174的配置，以在調(diào)溫裝置17內(nèi)的粗調(diào)溫器171與微調(diào)溫器175之間為 較佳，然而，亦可配置在調(diào)溫裝置17內(nèi)的其他位置，亦可配置在調(diào)溫裝置17以外。
[0132] 如上述，純水制造器161、超純水制造器162、脫氣裝置173、及過(guò)濾器174等，分別具 備液體改質(zhì)構(gòu)件及液體改質(zhì)裝置，以構(gòu)成用來(lái)調(diào)整液體LQ的水質(zhì)（性質(zhì)或成分）的調(diào)整裝 置。上揭各裝置161、162、173、174的構(gòu)成，分別設(shè)置在液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10的中的液體1^的流經(jīng) 流路內(nèi)的多個(gè)預(yù)定位置。再者，于本實(shí)施形態(tài)中，雖對(duì)1臺(tái)的曝光裝置EX配置1臺(tái)液體供應(yīng)部 11(參照?qǐng)D1)，但其作法不在此限，亦可將1臺(tái)液體供應(yīng)部11共用在復(fù)數(shù)臺(tái)的曝光裝置EX。如 此一來(lái)，液體供應(yīng)部11的占有面積(底面積)可以縮減?；蛘撸嗫蓪?gòu)成液體供應(yīng)部11的純 水制造裝置16與調(diào)溫裝置17予以分割，使純水制造裝置16共用于復(fù)數(shù)臺(tái)的曝光裝置EX，且 對(duì)每一曝光裝置EX配置有調(diào)溫裝置17。如此，可在縮減底面積的同時(shí)，亦能對(duì)各曝光裝置進(jìn) 行溫度管理。又，在上述的狀況中，若將由復(fù)數(shù)臺(tái)曝光裝置EX所共用的液體供應(yīng)部11或純水 制造裝置16,配置在異于曝光裝置EX所設(shè)置的地面(例如設(shè)在地板下），則能進(jìn)一步有效利 用設(shè)置有曝光裝置EX的潔凈室的空間。
[0133] 接著，邊參照?qǐng)D4及圖5的流程圖，以說(shuō)明如何使用具上述構(gòu)成的曝光裝置EX將光 罩M的圖案像曝光于基板P的方法。
[0134] 圖4是由上方觀看基板載臺(tái)PST的俯視圖。圖4中，由未圖示的搬送系統(tǒng)（負(fù)載裝置） 而被搬入(載置)于基板載臺(tái)PST上的基板，在其上面，設(shè)定有多個(gè)照射區(qū)域S1-S24。在基板P 上的多個(gè)照射區(qū)域S1-S24，各自附隨有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記(al ignment mark)AM。又，在基板載臺(tái)PST 上的預(yù)定位置，配置有基準(zhǔn)構(gòu)件(測(cè)量構(gòu)件)300，其包含有，例如由日本特開(kāi)平4-65603號(hào)公 報(bào)所揭示的基板對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)來(lái)測(cè)量的基準(zhǔn)標(biāo)記PFM、及由特開(kāi)平7-176468號(hào)公報(bào)所揭示的光 罩對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)來(lái)測(cè)量的基準(zhǔn)標(biāo)記MFM。又，在基板載臺(tái)PST上的預(yù)定位置設(shè)有光測(cè)量部，例如特 開(kāi)昭57-117238號(hào)公報(bào)所揭示的照度不均感測(cè)器、特開(kāi)2002-14005號(hào)公報(bào)所揭示的空間像 測(cè)量感測(cè)器500、特開(kāi)平11-16816號(hào)公報(bào)所揭示的照射量感測(cè)器(照度感測(cè)器)600。上揭的 測(cè)量構(gòu)件300、光測(cè)量部400、500、600各自的上面，與基板載臺(tái)PST的上面51大致呈同一平 面。
[0135] 在開(kāi)始基板P的曝光之前，控制裝置C0NT使用基板對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)、光罩對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)、及基 準(zhǔn)構(gòu)件300等，用以測(cè)量，上述基板對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)的檢測(cè)基準(zhǔn)位置與光罩M的圖案像的投影位置 的位置關(guān)系[基線(base line)量]。在測(cè)量基準(zhǔn)構(gòu)件300上的基準(zhǔn)標(biāo)記MFM、PFM時(shí)的基板載 臺(tái)PST的位置，以激光干涉計(jì)44來(lái)測(cè)量。又，在基板P的曝光開(kāi)始之前，控制裝置C0NT使用設(shè) 置在基板載臺(tái)PST上的各光測(cè)量部400、500、600，以進(jìn)行測(cè)量處理，根據(jù)測(cè)量結(jié)果，進(jìn)行透鏡 校正等各種修正處理(步驟SA1)。
[0136] 例如，在使用光罩對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)以進(jìn)行測(cè)量處理時(shí)，控制裝置C0NT進(jìn)行基板載臺(tái)PST的 位置控制以使投影光學(xué)系統(tǒng)PL與基準(zhǔn)構(gòu)件300對(duì)向，由液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10及第1液體回收機(jī)構(gòu) 20進(jìn)行液體供應(yīng)動(dòng)作及液體回收動(dòng)作，在基準(zhǔn)構(gòu)件300上形成有液體LQ的液浸區(qū)域AR2的狀 態(tài)下，透過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)PL及液體LQ來(lái)測(cè)量基準(zhǔn)構(gòu)件300上的基準(zhǔn)標(biāo)記MFM。同樣的，在使用 各光測(cè)量部400、500、600以進(jìn)行測(cè)量處理時(shí)，控制裝置C0NT在光測(cè)量部400、500、600上形成 有液體LQ的液浸區(qū)域AR2的狀態(tài)下，透過(guò)液體LQ進(jìn)行測(cè)量處理。在藉由液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10將液 體LQ供應(yīng)至包含有測(cè)量構(gòu)件及光測(cè)量部的基板載臺(tái)PST上時(shí)，控制裝置C0NT乃是在以第3閥 9B來(lái)關(guān)閉連接管9的流路的狀態(tài)下，驅(qū)動(dòng)第1閥13B以開(kāi)啟供應(yīng)管13的流路。又，在形成液浸 區(qū)域AR2時(shí)，控制裝置C0NT驅(qū)動(dòng)第2閥23B以開(kāi)啟回收管23的流路。如所揭示者，在曝光前的 測(cè)量動(dòng)作中，透過(guò)液體LQ來(lái)進(jìn)行測(cè)量。又，在形成液浸區(qū)域AR2時(shí)，液浸區(qū)域AR2的液體LQ，與 投影光學(xué)系統(tǒng)PL中最靠近像面?zhèn)鹊墓鈱W(xué)元件2的下面(液體接觸面)2A、或嘴構(gòu)件70、80的下 面(液體接觸面)70A、80A接觸。再者，在包含測(cè)量構(gòu)件300、及光測(cè)量部400、500、600的基板 載臺(tái)PST的上面51，亦與液體LQ接觸。
[0137] 接著，控制裝置C0NT為了要重迭于基板P以進(jìn)行曝光，使用基板對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)來(lái)測(cè)量， 各自附隨于基板P上的多個(gè)照射區(qū)域S1-S24而形成的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記AM。基板對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)在測(cè)量對(duì) 準(zhǔn)標(biāo)記AM時(shí)的基板載臺(tái)PST的位置，由激光干涉計(jì)44來(lái)測(cè)量。控制裝置C0NT根據(jù)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記AM 的檢測(cè)結(jié)果，藉以取得，在激光干涉計(jì)44所規(guī)定的座標(biāo)系內(nèi)，照射區(qū)域S1-S24相對(duì)于基板對(duì) 準(zhǔn)系統(tǒng)的檢測(cè)基準(zhǔn)位置的位置資訊，按照位置資訊與先行測(cè)得的基線量，使基板載臺(tái)PST移 動(dòng)，以使光罩M的圖案像的投影位置與照射區(qū)域S1-S24位置重迭。此處，在本實(shí)施形態(tài)中，于 測(cè)量對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記AM或基準(zhǔn)標(biāo)記PFM時(shí)，并未在基板P上(基板載臺(tái)PST上)形成液浸區(qū)域AR2,于 基板對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)的非液浸狀態(tài)(干狀態(tài))測(cè)量對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記AM。當(dāng)并未于基板P上(基板載臺(tái)PST上） 形成液浸區(qū)域AR2的狀況時(shí)，控制裝置C0NT在使用第1閥13B以關(guān)閉供應(yīng)管13的流路的狀態(tài) 下，驅(qū)動(dòng)第3閥9B以開(kāi)啟連接管9的流路。藉此，由包含調(diào)溫裝置17的液體供應(yīng)部11流入供應(yīng) 管13的液體LQ，乃是透過(guò)連接管9而流向回收管23。
[0138] 亦即，本實(shí)施形態(tài)中，包含調(diào)溫裝置17的液體供應(yīng)部11持續(xù)驅(qū)動(dòng)，以朝投影光學(xué)系 統(tǒng)PL的像面?zhèn)裙?yīng)液體時(shí)，控制裝置C0NT驅(qū)動(dòng)第1閥13B以開(kāi)啟供應(yīng)管13的流路，且藉第3閥 9B以關(guān)閉連接管9的流路，以將自液體供應(yīng)部11送出的液體LQ，供應(yīng)到投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像 面?zhèn)?。另一方面，在無(wú)須朝投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)裙?yīng)液體時(shí)，控制裝置C0NT驅(qū)動(dòng)第3閥 9B以開(kāi)啟連接管9的流路，且，藉第1閥13B來(lái)關(guān)閉供應(yīng)管13的流路，使得自液體供應(yīng)部11送 出的液體LQ并未供應(yīng)到投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)?，而是透過(guò)回收管23而由液體回收部21所 回收。
[0139]繼而，控制裝置C0NT輸出開(kāi)始液浸曝光的指令信號(hào)（步驟SA2)。控制裝置C0NT在投 影光學(xué)系統(tǒng)PL的光學(xué)元件2與包含基板P的基板載臺(tái)PST上的預(yù)定區(qū)域?qū)ο虻臓顟B(tài)下，藉第3 閥9B來(lái)關(guān)閉連接管9的流路，驅(qū)動(dòng)第1閥13B以開(kāi)啟供應(yīng)管13的流路，開(kāi)始由液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10 朝基板P上供應(yīng)液體LQ。又，控制裝置C0NT在開(kāi)始由液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10供應(yīng)液體LQ的大致同一 時(shí)間，開(kāi)始由第1液體回收機(jī)構(gòu)20進(jìn)行液體回收。此處，液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10的每單位時(shí)間液體 供應(yīng)量、及第1液體回收機(jī)構(gòu)20的每單位時(shí)間液體回收量，大致為一定值。為對(duì)基板P施以液 浸曝光而形成的液浸區(qū)域AR2的液體LQ，與光學(xué)元件2的下面2A或第1嘴構(gòu)件70的下面70A接 觸。再者，第1液體回收機(jī)構(gòu)20的液體回收動(dòng)作(吸引動(dòng)作），可在開(kāi)始以液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10供 應(yīng)液體之前(在停止液體供應(yīng)的狀態(tài)也算)進(jìn)行。又，如上述，第2液體回收機(jī)構(gòu)30持續(xù)驅(qū)動(dòng)， 由第2液體回收機(jī)構(gòu)30透過(guò)第2回收口 32的吸引動(dòng)作持續(xù)進(jìn)行。
[0140]接著，待第1閥13B的開(kāi)放經(jīng)過(guò)預(yù)定時(shí)間，形成液浸區(qū)域AR2之后，控制裝置C0NT在 投影光學(xué)系統(tǒng)PL與基板P對(duì)向的狀態(tài)下，將曝光用光EL照射于基板P，使光罩M的圖案像透過(guò) 投影光學(xué)系統(tǒng)PL與液體LQ而曝光于基板P上。此處，之所以在第1閥13B的開(kāi)放未達(dá)預(yù)定時(shí)間 前不進(jìn)行曝光，其原因在于，惟恐在甫開(kāi)放閥時(shí)因閥的動(dòng)作所生的氣泡殘存于液浸區(qū)域AR2 內(nèi)。在進(jìn)行基板P的曝光時(shí)，與液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10的液體LQ的供應(yīng)并行，控制裝置C0NT亦由第1 液體回收機(jī)構(gòu)20來(lái)進(jìn)行液體LQ的回收，一邊使支持基板P的基板載臺(tái)PST朝X軸方向（掃描方 向）移動(dòng)，一邊將光罩M的圖案像透過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)PL與基板P間的液體LQ、及投影光學(xué)系統(tǒng) PL，投影曝光在基板Pi。
[0141] 本實(shí)施形態(tài)的曝光裝置EX，使光罩M與基板P邊朝X軸方向（掃描方向）移動(dòng)邊使光 罩M的圖案像投影曝光至基板P者，在掃描曝光時(shí)，將光罩M的一部份的圖案像透過(guò)液浸區(qū)域 AR2的液體LQ及投影光學(xué)系統(tǒng)PL投影在投影區(qū)域AR1內(nèi)，光罩M以速度V朝-X方向（或+X方向） 同步移動(dòng)，基板P則以0X V⑴為投影倍率）的速度相對(duì)于投影區(qū)域AR1朝+X方向（或-X方向） 移動(dòng)。在基板P上所設(shè)定的多個(gè)照射區(qū)域S1-S24中，于結(jié)束對(duì)1個(gè)照射區(qū)域的曝光后，基板P 以步進(jìn)方式移動(dòng)至下一個(gè)照射區(qū)域的掃描開(kāi)始位置，之后再以步進(jìn)掃描方式邊移動(dòng)基板P 邊依序?qū)Ω髡丈鋮^(qū)域S1-S24進(jìn)行掃描曝光處理。又，在對(duì)設(shè)定于基板P的周邊區(qū)域的照射區(qū) 域(例如照射區(qū)域S1、S4、S21、S24等)進(jìn)行液浸曝光時(shí)，較投影區(qū)域AR1為大的液浸區(qū)域AR2 的液體LQ與基板載臺(tái)PST的上面51接觸。
[0142] 在液浸曝光中，由液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10朝基板P上供應(yīng)液體LQ時(shí)的液體LQ的性質(zhì)或成 分（水質(zhì)），由測(cè)量裝置60來(lái)持續(xù)測(cè)量（監(jiān)測(cè)）。將測(cè)量裝置60的測(cè)量結(jié)果輸出至控制裝置 C0NT，控制裝置C0NT將測(cè)量裝置60的測(cè)量結(jié)果(監(jiān)測(cè)資訊)記憶在記憶裝置MRY(步驟SA3)。
[0143] 控制裝置C0NT將測(cè)量裝置60的測(cè)量結(jié)果與經(jīng)過(guò)時(shí)間建立對(duì)應(yīng)關(guān)系，記憶于記憶裝 置MRY?？刂蒲b置C0NT可根據(jù)例如計(jì)時(shí)器13T的輸出，將第1閥13B開(kāi)啟供應(yīng)管13的流路的時(shí) 點(diǎn)，作為測(cè)量經(jīng)過(guò)時(shí)間的開(kāi)始點(diǎn)（基準(zhǔn)），將測(cè)量裝置60的測(cè)量結(jié)果與經(jīng)過(guò)時(shí)間建立對(duì)應(yīng)關(guān) 系而記憶在記憶裝置MRY。在以下的說(shuō)明中，將測(cè)量裝置60的測(cè)量結(jié)果與經(jīng)過(guò)時(shí)間建立對(duì)應(yīng) 關(guān)系后而予以記憶的資訊，稱為"第1登錄資訊"。
[0144] 又，控制裝置C0NT將測(cè)量裝置60的測(cè)量結(jié)果與有待曝光的照射區(qū)域S1-S24建立對(duì) 應(yīng)關(guān)系，記憶于記憶裝置MRY?？刂蒲b置C0NT，可根據(jù)例如進(jìn)行基板載臺(tái)PST的位置測(cè)量的激 光干涉計(jì)44的輸出，求得由激光干涉計(jì)44所規(guī)定的座標(biāo)系的照射區(qū)域S1-S24的位置資訊， 已求得位置資訊的照射區(qū)域被施以曝光時(shí)的測(cè)量裝置60的測(cè)量結(jié)果，與照射區(qū)域建立對(duì)應(yīng) 關(guān)系，記憶于記憶裝置MRY。再者，在由測(cè)量裝置60來(lái)測(cè)量液體LQ的時(shí)點(diǎn)，以及上述的被測(cè)量 液體LQ供應(yīng)至基板P上（照射區(qū)域上）的時(shí)點(diǎn)，隨著測(cè)量裝置60的取樣點(diǎn)（分歧管）與供應(yīng)口 12的距離，而有時(shí)間方面的遲滯，因此，只要考慮上述距離來(lái)對(duì)記憶于記憶裝置MRY的資訊 施以補(bǔ)償即可。在以下的說(shuō)明中，將測(cè)量裝置60的測(cè)量結(jié)果與照射區(qū)域建立對(duì)應(yīng)關(guān)系后而 記憶的資訊，稱為"第2登錄資訊"。
[0145] 控制裝置C0NT對(duì)測(cè)量裝置60的測(cè)量結(jié)果60判斷是否異常(步驟SA4)。又，控制裝置 C0NT根據(jù)上述判斷結(jié)果來(lái)控制曝光動(dòng)作。
[0146] 此處的測(cè)量裝置60的測(cè)量結(jié)果異常，其所指的狀況，是測(cè)量裝置60所測(cè)量的各項(xiàng) 目（比電阻值、T0C、異物、溶存氣體濃度、二氧化硅濃度、生菌等)的測(cè)量值超過(guò)容許范圍外， 透過(guò)液體LQ所進(jìn)行的曝光處理及測(cè)量處理無(wú)法在所要狀態(tài)下進(jìn)行。例如，當(dāng)液體LQ的比電 阻值較容許值(舉一例而言:25°C中的18.2M Q ? cm)為小的狀況(異常的狀況），在液體LQ中 可能含有較多的鈉離子等金屬離子。一旦以含過(guò)多種金屬離子的液體LQ在基板P上形成液 浸區(qū)域AR2，液體LQ的金屬離子可能會(huì)滲透基板P上的感光材料，附著在業(yè)已形成在感光材 料下方的元件圖案(配線圖案），以致引發(fā)元件的動(dòng)作不良等不良狀況。又，若個(gè)別針對(duì)液體 LQ中的離子來(lái)觀之，金屬離子較容許值(一例而言為3ppt，更佳為lppt)為多的狀況時(shí)、含硼 較容許值(一例而言為3ppt，更佳為lppt)為多的狀況時(shí)、含二氧化硅較容許值(一例而言為 lppt，更佳為0.75ppt)為多的狀況時(shí)、含陰離子較容許值(一例而言為400ppt)為多的狀況 時(shí)，可能發(fā)生與上述相同的污染，致引發(fā)元件的動(dòng)作不良等不良狀況。又，在液體LQ中的全 有機(jī)碳的值較容許值(舉一例而言，如5. Oppb，更佳為1. Oppb)為大的狀況時(shí)(異常的狀況）， 可能降低液體LQ的光透過(guò)率。此狀況，將劣化透過(guò)液體LQ的曝光精度、或由光測(cè)量部透過(guò)液 體LQ的測(cè)量精度。具體而言，一旦液體LQ的光透過(guò)率下降而造成基板P上的曝光量變動(dòng)，在 基板P上所形成的曝光線寬會(huì)有不均一性。又，由于光透過(guò)率的下降，液體LQ會(huì)因光透過(guò)率 的下降程度而多吸引光的能量，而使液體溫度上升。由于溫度上升，會(huì)造成投影光學(xué)系統(tǒng)PL 的焦點(diǎn)位置的不均一性。如此，液體LQ的光透過(guò)率的下降會(huì)招致曝光精度的惡化。在此處， 須考慮上述事項(xiàng)，對(duì)液體LQ要求有預(yù)定的光透過(guò)率，而限定相對(duì)應(yīng)的全有機(jī)碳(T0C)的值。 舉一例而言，在液體LQ所要求的光透過(guò)率，為液體LQ的厚度每1mm達(dá)99%以上，與其相對(duì)應(yīng) 的，液體LQ的T0C要在1 .Oppb以下。又，當(dāng)液體LQ中包含微粒子或氣泡的異物量較容許值(舉 一例而言，大小在0. lym以上者，在lml中為0.1個(gè)，更佳為0.02個(gè))為多時(shí)（異常的狀況時(shí)）， 透過(guò)液體LQ而轉(zhuǎn)印在基板P上的圖案發(fā)生缺陷的可能性提高。又，當(dāng)液體LQ中含溶存氧及溶 存氮的溶存氣體(溶存氣體濃度）的值，較容許值(舉一例而言，在溶存氧的狀況為3ppb，較 佳為lppb。在溶存氮的狀況為3ppm)為大時(shí)(異常的狀況時(shí)），例如，透過(guò)供應(yīng)口 12朝基板P上 供應(yīng)的液體LQ有朝著大氣開(kāi)放時(shí)，較可能因液體LQ中的溶存氣體而在液體LQ中產(chǎn)生氣泡。 一旦在液體LQ中產(chǎn)生氣泡，與上述相同的，轉(zhuǎn)印在基板P上的圖案發(fā)生缺陷的可能性升高。 又，當(dāng)生菌的量較容許值(舉一例而言，如l.Ocfu/L，更佳為O.lcfu/L)為大時(shí)（異常的狀況 時(shí)），液體LQ受到污染而劣化光透過(guò)率。再者，當(dāng)生菌的量過(guò)多時(shí)，會(huì)污染與液體LQ接觸的構(gòu) 件(嘴構(gòu)件70、光學(xué)元件2、基板載臺(tái)PST、供應(yīng)管13、回收管23、33等。）又，當(dāng)由光阻所溶出的 PAG(Photo Acid Generator:光酸產(chǎn)生劑)較容許值(舉一例而言，如7.4X10-13mol/cm2)為 多時(shí)、胺類較容許值(舉一例而言，如3.1Xl(T13m〇l/cm2)為多時(shí)，在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光學(xué) 元件2會(huì)因附著水痕等而有濁度。
[0147] 在液浸曝光中（液體LQ的供應(yīng)中），當(dāng)判斷測(cè)量裝置60的測(cè)量結(jié)果并無(wú)異常時(shí)，控 制裝置C0NT乃繼續(xù)液浸曝光動(dòng)作(步驟SA5)。另一方面，在液浸曝光中（液體LQ的供應(yīng)中）， 當(dāng)判斷測(cè)量裝置60的測(cè)量結(jié)果有異常時(shí)，控制裝置C0NT乃停止曝光動(dòng)作(步驟SA6)。此時(shí)， 控制裝置C0NT可驅(qū)動(dòng)第1閥13B以關(guān)閉供應(yīng)管13的流路，停止液體LQ的供應(yīng)。又，在停止曝光 動(dòng)作之后，亦可使用嘴構(gòu)件70、第1液體回收機(jī)構(gòu)20來(lái)回收基板P上的殘留液體LQ。此狀況 時(shí)，亦可使回收的液體LQ不回到液體供應(yīng)部11而徑予廢棄，而將新的液體LQ注入液體供應(yīng) 部11，以置換液體LQ整體。再者，在回收基板P上的殘留液體LQ后，可將基板P由基板載臺(tái)PST 搬出（卸載）。藉此，可避免因?yàn)橥高^(guò)異常的液體LQ來(lái)持續(xù)進(jìn)行曝光處理而形成過(guò)多不良照 射(不良基板)等非理想狀況。
[0148] 又，控制裝置⑶NT將測(cè)量裝置60的測(cè)量結(jié)果（監(jiān)測(cè)資訊）由告知裝置INF來(lái)進(jìn)行告 知(步驟SA7)。例如，可將液體LQ中所含有的T0C或是溶存氣體濃度隨時(shí)間經(jīng)過(guò)的變動(dòng)量的 相關(guān)資訊、或是對(duì)多個(gè)照射區(qū)域S1-S24中某個(gè)照射區(qū)域(例如照射區(qū)域S15)施以曝光時(shí)，含 于其液體LQ中的T0C或溶存氣體濃度的相關(guān)資訊，由構(gòu)成中有包含顯示裝置的告知裝置INF 來(lái)顯示之。又，在判斷測(cè)量裝置60的測(cè)量結(jié)果有異常狀況時(shí)，控制裝置C0NT可由告知裝置 INF發(fā)出警報(bào)(警告）等，以藉由告知裝置INF來(lái)告知，測(cè)量結(jié)果發(fā)生異常的訊息。又，當(dāng)測(cè)量 裝置60沿供應(yīng)管13而在多個(gè)位置設(shè)有同一種類的測(cè)量器時(shí)，控制裝置C0NT可根據(jù)等測(cè)量器 的測(cè)量結(jié)果，從而指定在那一區(qū)間有發(fā)生異常狀況。又，可利用告知裝置INF來(lái)告知，在某一 區(qū)間有發(fā)生異常的訊息，而能促使對(duì)區(qū)間進(jìn)行調(diào)查，以謀求不良狀況的盡早解決。
[0149] 又，如上述，液體供應(yīng)部11分別具有液體改質(zhì)構(gòu)件及液體改質(zhì)裝置，具有多個(gè)調(diào)整 裝置(純水制造器161、超純水制造器、脫氣裝置173、過(guò)濾器174等)來(lái)調(diào)整液體LQ的水質(zhì)(性 質(zhì)或成分）?？刂蒲b置C0NT可根據(jù)測(cè)量裝置60的測(cè)量結(jié)果，從多個(gè)調(diào)整裝置中指定至少一個(gè) 調(diào)整裝置，由告知裝置INF來(lái)告知已指定的調(diào)整裝置的相關(guān)資訊。例如，根據(jù)測(cè)量裝置60中 的D0計(jì)或DN計(jì)的測(cè)量結(jié)果，而判斷溶存氣體濃度有異常時(shí)，控制裝置C0NT藉由告知裝置INF 來(lái)顯示(告知），在多個(gè)調(diào)整裝置中須盡速維護(hù)(檢查、交換)例如脫氣裝置173的脫氣過(guò)濾器 或脫氣栗。又，當(dāng)根據(jù)測(cè)量裝置60中的比電阻計(jì)的測(cè)量結(jié)果而判斷液體LQ的比電阻值有異 常時(shí)，控制裝置C0NT乃利用告知裝置INF來(lái)顯示（告知），在多個(gè)調(diào)整裝置中須盡速維護(hù)(檢 查、交換)例如純水制造裝置的離子交換膜。又，當(dāng)根據(jù)測(cè)量裝置60中的T0C計(jì)的測(cè)量結(jié)果而 判斷液體LQ的全有機(jī)碳有異常時(shí)，控制裝置C0NT乃利用告知裝置INF來(lái)顯示(告知），在多個(gè) 調(diào)整裝置中須盡速維護(hù)(檢查、交換)例如純水制造裝置16的UV燈。又，當(dāng)根據(jù)測(cè)量裝置60中 的微粒子測(cè)量器的測(cè)量結(jié)果而判斷液體LQ中的異物(微粒子、氣泡）的量有異常時(shí)，控制裝 置C0NT乃利用告知裝置INF來(lái)顯示（告知），在多個(gè)調(diào)整裝置中須盡速維護(hù)(檢查、交換)例如 過(guò)濾器174或純水制造裝置16的微粒子過(guò)濾器。又，當(dāng)根據(jù)測(cè)量裝置60中的生菌分析器的分 析結(jié)果而判斷液體LQ中的生菌量有異常時(shí)，控制裝置C0NT乃利用告知裝置INF來(lái)顯示（告 知），在多個(gè)調(diào)整裝置中須盡速維護(hù)(檢查、交換)例如純水制造裝置16的UV燈。又，當(dāng)根據(jù)測(cè) 量裝置60中的二氧化硅計(jì)的測(cè)量結(jié)果而判斷液體LQ中的二氧化硅濃度有異常時(shí)，控制裝置 C0NT乃利用告知裝置INF來(lái)顯示（告知），在多個(gè)調(diào)整裝置中須盡速維護(hù)(檢查、交換)例如純 水制造裝置16的二氧化硅去除濾網(wǎng)。又，控制裝置C0NT亦可根據(jù)液體LQ的水質(zhì)（性質(zhì)或成 分)的狀態(tài)來(lái)控制閥18B，停止液體LQ的循環(huán)。此時(shí)，控制裝置CONT亦可將已受污染的液體LQ 全數(shù)回收及廢棄，而將新的液體LQ注入液體供應(yīng)部11，以將系統(tǒng)內(nèi)的液體LQ換新。
[0150] 又，控制裝置C0NT就算在判斷液體LQ有異常狀況，亦可持續(xù)曝光動(dòng)作。又，例如在 對(duì)照射區(qū)域S15曝光時(shí)，測(cè)量裝置60的微粒子測(cè)量器的測(cè)量結(jié)果判定為異常，控制裝置C0NT 將與照射區(qū)域S15建立對(duì)應(yīng)關(guān)系的微粒子測(cè)量器的測(cè)量結(jié)果、即顯示異常的訊息，作為第2 登錄資訊，記憶在記憶裝置MRY。接著，在對(duì)所有的照射區(qū)域S1-S24進(jìn)行曝光之后，根據(jù)記憶 在記憶裝置MRY的第2登錄資訊，使控制裝置C0NT采取措施，例如，將有可能因液體LQ的異常 (存有異物)而發(fā)生圖案轉(zhuǎn)印不良的照射區(qū)域S15予以去除，或是在其后的重迭曝光時(shí)不予 曝光等。又，經(jīng)檢查照射區(qū)域S15,所形成的圖案并無(wú)異常時(shí)，并不去除照射區(qū)域S15而是使 用照射區(qū)域S15而繼續(xù)形成元件?；蛘?，控制裝置C0NT亦可利用告知裝置INF來(lái)告知，與照射 區(qū)域S15建立對(duì)應(yīng)關(guān)系的微粒子測(cè)量器的測(cè)量結(jié)果有異常的訊息。如上述，控制裝置C0NT除 了能將測(cè)量裝置60的測(cè)量結(jié)果即時(shí)地由告知裝置INF來(lái)顯示以作為監(jiān)測(cè)資訊之用，亦可由 告知裝置INF來(lái)顯示登錄資訊。
[0151] 又，控制裝置C0NT亦可根據(jù)測(cè)量裝置60的測(cè)量結(jié)果來(lái)控制曝光動(dòng)作。例如，如上 述，在基板P的曝光前，使用光測(cè)量部600來(lái)測(cè)量曝光用光EL的照射量（照度）（步驟SA1)，根 據(jù)其測(cè)量結(jié)果將曝光用光EL的照射量(照度)作最佳設(shè)定(補(bǔ)償)后，開(kāi)始曝光動(dòng)作，但是，例 如在基板P的曝光中，有可能因液體LQ中的T0C變動(dòng)，而使液體LQ的光透過(guò)率改變。一旦液體 LQ的光透過(guò)率改變，在基板P上的曝光量(積算曝光量)產(chǎn)生變動(dòng)，其結(jié)果，形成于照射區(qū)域 的元件圖案的曝光線寬有可能發(fā)生不均一性的狀況。此處，可預(yù)為取得液體LQ中的T0C與此 時(shí)的液體LQ的光透過(guò)率的關(guān)系，記憶在記憶裝置MRY，由控制裝置C0NT根據(jù)上述記憶資訊及 測(cè)量裝置 6〇(TOC計(jì)61)的測(cè)量結(jié)果來(lái)控制曝光量，以防止上述不良狀況。亦即，控制裝置 C0NT可根據(jù)上述記憶資訊來(lái)導(dǎo)出隨液體LQ的T0C變動(dòng)的光透過(guò)率，施以控制，以使到達(dá)基板 P的曝光量成為一定。按照T0C計(jì)61所測(cè)得的T0C的變化，來(lái)控制基板P上的曝光量，可使基板 內(nèi)（照射區(qū)域間）、或基板間的曝光量成為一定，能防止曝光線寬的不均一性。
[0152] 再者，T0C與液體LQ的光透過(guò)率的關(guān)系，可藉由以光測(cè)量部600透過(guò)液體LQ進(jìn)行的 測(cè)量處理來(lái)取得。本實(shí)施形態(tài)中，使用激光來(lái)作為曝光用光EL的光源，故可使用控制每1脈 沖的能量(光量）、或控制脈沖數(shù)等方法，來(lái)控制基板P上的曝光量?；蛘?，亦可借著控制基板 P的掃描速度，來(lái)控制基板P上的曝光量。再者，使用光測(cè)量部600的測(cè)量動(dòng)作(步驟SA1)，其 進(jìn)行時(shí)間，在曝光程序中每隔預(yù)定的時(shí)間間隔、或每隔預(yù)定的處理基板片數(shù)，上述的曝光量 的補(bǔ)償控制，在上述曝光程序中的測(cè)量動(dòng)作之間進(jìn)行，對(duì)每次的測(cè)量動(dòng)作實(shí)施重新設(shè)定。
[0153] 如以上所揭示者，借著設(shè)置測(cè)量裝置60用以測(cè)量液體LQ的性質(zhì)及成分至少一方， 可根據(jù)其測(cè)量結(jié)果，判斷用以形成液浸區(qū)域AR2的液體LQ是否在所要狀態(tài)(異常與否）。又， 當(dāng)測(cè)量裝置 60的測(cè)量結(jié)果有異常時(shí)，可迅速采取適當(dāng)處置以使液體LQ成為所要狀態(tài)，或控 制曝光動(dòng)作來(lái)防止曝光精度的劣化。又，可根據(jù)測(cè)量裝置60的測(cè)量結(jié)果來(lái)使液體LQ成為所 要狀態(tài)，藉此，使用測(cè)量構(gòu)件及光測(cè)量部透過(guò)液體LQ進(jìn)行的測(cè)量處理，其精度得以維持。
[0154] 例如，根據(jù)比電阻計(jì)64的測(cè)量結(jié)果而判斷液體LQ的比電阻值有異常時(shí)，可迅速施 以適當(dāng)處置(離子交換膜的維護(hù)等）以使比電阻值成為所要值，以防止發(fā)生元件的動(dòng)作不良 等異狀。同樣的，根據(jù)T0C計(jì)的測(cè)量結(jié)果而判斷液體LQ的全有機(jī)碳的值有異常時(shí)，可迅速施 以適當(dāng)處置(UV燈的維護(hù)等）以使全有機(jī)碳的值成為所要值，以維持良好的曝光精度及測(cè)量 精度。又，根據(jù)微粒子測(cè)量器62的測(cè)量結(jié)果而判斷液體LQ中的異物量有異常時(shí)，可迅速施以 適當(dāng)處置(微粒子過(guò)濾器的維護(hù)等）以使異物的量成為所要值，可防止在轉(zhuǎn)印圖案發(fā)生缺陷 等不良狀況。又，根據(jù)DO計(jì)63(或DN計(jì)）的測(cè)量結(jié)果而判斷液體LQ中的溶存氧(溶存氮）的值 有異常時(shí)，可迅速施以適當(dāng)處置(脫氣栗的維護(hù)等）以使溶存氧(溶存氮）的值成為所要值， 而可防止氣泡的發(fā)生，避免在轉(zhuǎn)印圖案發(fā)生缺陷等不良狀況。同樣的，能根據(jù)生菌分析器的 分析結(jié)果，迅速采取適當(dāng)處置以使生菌的量成為所要值;或是根據(jù)二氧化硅計(jì)的測(cè)量結(jié)果， 迅速采取適當(dāng)處置以使二氧化硅濃度的值成為所要值，以維持液體(純水）的水質(zhì)，而使透 過(guò)液體LQ的曝光精度及測(cè)量精度得以維持。
[0155] 此外，在基板P的液浸曝光中，第1液體回收機(jī)構(gòu)20有可能未能徹底回收液體LQ，而 使液體LQ流出至第1回收口 22的外側(cè)。又，在第1液體回收機(jī)構(gòu)20發(fā)生某種異常而不能有液 體回收動(dòng)作之時(shí)、或是液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10因某方面異常而有誤動(dòng)作，致供應(yīng)出大量的液體LQ， 也有可能僅憑第1液體回收機(jī)構(gòu)20不能徹底回收液體LQ。在此狀況，第2液體回收機(jī)構(gòu)30透 過(guò)第2回收口 32，將第1液體回收機(jī)構(gòu)20回收不徹底而流向第1回收口 22外側(cè)的液體LQ予以 回收。如圖6A的示意圖所示般，在第1液體回收機(jī)構(gòu)20徹底回收液體LQ時(shí)，由第2嘴構(gòu)件80的 第2回收口 32并未回收液體LQ，而僅回收氣體(空氣）。另一方面，如圖6B的示意圖所示般，第 1液體回收機(jī)構(gòu)20對(duì)液體LQ回收不徹底而有液體LQ流向第1回收口 22外側(cè)時(shí)，由第2嘴構(gòu)件 80的第2回收口 32，將液體LQ連同其周圍的氣體一起(仿如咬入的動(dòng)作般）回收。借著第2液 體回收機(jī)構(gòu)30的設(shè)置，可防止液體LQ從基板P上(基板載臺(tái)PST上)流出。因此，可防止因流出 液體LQ而導(dǎo)致機(jī)械零件(構(gòu)件)等有銹蝕或?qū)е买?qū)動(dòng)系統(tǒng)(周邊機(jī)器)漏電的現(xiàn)象、或避免因 流出液體LQ的氣化導(dǎo)致基板P的置放環(huán)境發(fā)生變化(濕度變動(dòng)等)等，而能防止曝光精度及 測(cè)量精度的劣化。又，可持續(xù)驅(qū)動(dòng)第2液體回收機(jī)構(gòu)30而持續(xù)進(jìn)行回收動(dòng)作(吸引動(dòng)作），以 確實(shí)回收液體LQ。
[0156] 本實(shí)施形態(tài)的第1液體回收機(jī)構(gòu)20的構(gòu)成，僅用來(lái)回收液體LQ，故在回收液體LQ時(shí) 不會(huì)產(chǎn)生大的振動(dòng)。另一方面，第2液體回收機(jī)構(gòu)3 0的構(gòu)成，將液體L Q連同其周圍的氣體一 起回收，在從第2液體回收機(jī)構(gòu)30的第2回收口來(lái)回收液體LQ時(shí)，有一起回收液體LQ周圍的 氣體(仿如咬入的動(dòng)作般)的狀況時(shí)，可能因回收的液體LQ成為液滴狀而碰觸于回收流路或 回收管的內(nèi)壁，而在第2嘴構(gòu)件80發(fā)生振動(dòng)。一旦在第2嘴構(gòu)件80發(fā)生振動(dòng)，振動(dòng)可能會(huì)透過(guò) 主柱架1的下側(cè)段部8而傳達(dá)至第1嘴構(gòu)件70,而使與第1嘴構(gòu)件70接觸的液體LQ的液浸區(qū)域 AR2振動(dòng)，進(jìn)而使與液浸區(qū)域AR2接觸的基板P或基板載臺(tái)PST振動(dòng)。
[0157] 又，盡管如以上所述，已利用防振裝置47來(lái)分隔第2嘴構(gòu)件80與投影光學(xué)系統(tǒng)PL的 振動(dòng)，但由第2嘴構(gòu)件80發(fā)生的振動(dòng)仍可能使投影光學(xué)系統(tǒng)PL振動(dòng)，而使得透過(guò)投影光學(xué)系 統(tǒng)PL及液體LQ的成像特性受到劣化。又，亦可能因?yàn)榈?嘴構(gòu)件80所發(fā)生的振動(dòng)，使得液浸 區(qū)域AR2的液體LQ振動(dòng)，以致隨振動(dòng)而劣化成像特性。
[0158] 本實(shí)施形態(tài)，在液浸曝光中及透過(guò)液體LQ的測(cè)量動(dòng)作中（步驟SA1)，第2液體回收 機(jī)構(gòu)30是否已回收液體LQ，是由檢測(cè)裝置90來(lái)持續(xù)施以檢測(cè)(監(jiān)測(cè)）。將檢測(cè)裝置90的檢測(cè) 結(jié)果輸至控制裝置C0NT，控制裝置C0NT將檢測(cè)裝置90的檢測(cè)結(jié)果(監(jiān)測(cè)資訊)記憶于記憶裝 置MRY (步驟SA8)。
[0159] 控制裝置C0NT將檢測(cè)裝置90的檢測(cè)結(jié)果與經(jīng)過(guò)時(shí)間建立對(duì)應(yīng)關(guān)系，記憶在記憶裝 置MRY?？刂蒲b置C0NT可根據(jù)例如計(jì)時(shí)器13T的輸出，將第1閥13B開(kāi)啟供應(yīng)管13的流路的時(shí) 點(diǎn)，作為經(jīng)過(guò)時(shí)間的測(cè)量開(kāi)始點(diǎn)（基準(zhǔn)），將檢測(cè)裝置90的檢測(cè)結(jié)果與經(jīng)過(guò)時(shí)間建立對(duì)應(yīng)關(guān) 系，記憶在記憶裝置MRY。在以下的說(shuō)明中，將檢測(cè)裝置90的檢測(cè)結(jié)果與經(jīng)過(guò)時(shí)間建立對(duì)應(yīng) 關(guān)系后所記憶的資訊，稱為"第3登錄資訊"。
[0160]又，控制裝置C0NT將檢測(cè)裝置90的測(cè)量結(jié)果與有待曝光的照射區(qū)域S1-S24建立對(duì) 應(yīng)關(guān)系，記憶在記憶裝置MRY。控制裝置C0NT可根據(jù)于，例如對(duì)基板載臺(tái)PST進(jìn)行位置測(cè)量的 激光干涉計(jì)44的輸出，求得由激光干涉計(jì)44所規(guī)定的座標(biāo)系內(nèi)的照射區(qū)域S1-S24的位置資 訊，將已求得位置資訊的照射區(qū)域被施以曝光時(shí)的檢測(cè)裝置90的檢測(cè)結(jié)果，與照射區(qū)域建 立對(duì)應(yīng)關(guān)系而記憶于記憶裝置MRY。再者，基板P上（照射區(qū)域上）的液體LQ透過(guò)第2回收口 32 而被回收的時(shí)點(diǎn)，與已回收液體LQ流經(jīng)回收管23而由檢測(cè)裝置90檢測(cè)的時(shí)點(diǎn)，隨著檢測(cè)裝 置90的檢測(cè)區(qū)域(相當(dāng)于透過(guò)窗93、94的位置)與第2回收口 32的距離，而有時(shí)間的遲滯，因 此，只要考慮上述距離而對(duì)記憶于記憶裝置MRY的資訊予以補(bǔ)償即可。在以下的說(shuō)明中，將 檢測(cè)裝置90的檢測(cè)結(jié)果與照射區(qū)域建立對(duì)應(yīng)關(guān)系后而記憶的資訊，稱為"第4登錄資訊"。
[0161 ]又，檢測(cè)裝置90可檢測(cè)出第2液體回收機(jī)構(gòu)30的每單位時(shí)間的液體回收量。控制裝 置C0NT將檢測(cè)裝置90所檢測(cè)出的上述每單位時(shí)間液體回收量的相關(guān)資訊，記憶在記憶裝置 MRY。又，上述每單位時(shí)間液體回收量的相關(guān)資訊，亦可與經(jīng)過(guò)時(shí)間建立對(duì)應(yīng)關(guān)系而作為上 述第3登錄資訊而記憶，亦可與照射區(qū)域建立對(duì)應(yīng)關(guān)系而作為上述第4登錄資訊而記憶。
[0162] 借著設(shè)置檢測(cè)裝置90,以檢測(cè)第2液體回收機(jī)構(gòu)30是否已回收液體LQ，而能根據(jù)其 測(cè)量結(jié)果來(lái)判斷，在進(jìn)行液浸曝光時(shí)的狀態(tài)是否在所要狀態(tài)。亦即，控制裝置C0NT可根據(jù)檢 測(cè)裝置90的檢測(cè)結(jié)果來(lái)判斷，在使基板P(照射區(qū)域)曝光時(shí)，是否有隨第2液體回收機(jī)構(gòu)30 的液體回收動(dòng)作而發(fā)生振動(dòng)。在發(fā)生振動(dòng)的狀態(tài)下將光罩M的圖案像曝光，其照射區(qū)域的圖 案轉(zhuǎn)印精度頗有可能劣化。在此處，控制裝置C0NT可根據(jù)檢測(cè)裝置90的檢測(cè)結(jié)果來(lái)施以適 當(dāng)處置，以避免制造出不良的照射(不良基板），或維持良好的曝光精度及測(cè)量精度。
[0163] 控制裝置C0NT根據(jù)檢測(cè)裝置90的檢測(cè)結(jié)果來(lái)判斷，第2液體回收機(jī)構(gòu)30是否有回 收液體LQ(步驟SA9)。又，控制裝置C0NT根據(jù)上述判斷結(jié)果來(lái)控制曝光動(dòng)作。具體而言，在液 浸曝光中（液體LQ的供應(yīng)中），當(dāng)判斷第2液體回收機(jī)構(gòu)30并未回收液體LQ時(shí)，控制裝置C0NT 乃持續(xù)液浸曝光動(dòng)作(步驟SA5)。另一方面，在液浸曝光中（液體LQ的供應(yīng)中），當(dāng)判斷第2液 體回收機(jī)構(gòu)30有回收液體LQ時(shí)，控制裝置C0NT乃停止曝光動(dòng)作（步驟SA6)。又，在停止曝光 動(dòng)作后，亦可由基板載臺(tái)PST搬出（卸載)基板P。藉此作法，并不會(huì)在隨第2液體回收機(jī)構(gòu)30 的液體回收動(dòng)作而發(fā)生振動(dòng)的狀態(tài)下，仍持續(xù)曝光處理的進(jìn)行，而能避免形成大量不良照 射(不良基板)等非所要狀態(tài)。
[0164] 或者，控制裝置C0NT在根據(jù)檢測(cè)裝置90的檢測(cè)結(jié)果判斷第2液體回收機(jī)構(gòu)30有回 收液體LQ時(shí)，亦可停止來(lái)自液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10的液體供應(yīng)。當(dāng)?shù)?液體回收機(jī)構(gòu)30回收液體LQ 時(shí)，液體LQ流出的可能性高，因此，在狀況時(shí)，借著停止來(lái)自液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10的液體供應(yīng)，可 防止液體LQ的流出?；蛘撸?dāng)判斷第2液體回收機(jī)構(gòu)30有回收液體LQ時(shí)，控制裝置C0NT亦可 對(duì)用來(lái)驅(qū)動(dòng)基板載臺(tái)PST的致動(dòng)器(線性馬達(dá))之類的電氣機(jī)器停止電力供應(yīng)。在第2液體回 收機(jī)構(gòu)30有回收液體LQ時(shí)，液體LQ流出的可能性高，因此，在該狀況中，若停止對(duì)電氣機(jī)器 的電力供應(yīng)，就算流出的液體LQ觸及電氣機(jī)器，仍可防止漏電的發(fā)生。
[0165] 又，控制裝置⑶NT利用告知裝置INF來(lái)告知，檢測(cè)裝置90的檢測(cè)結(jié)果（監(jiān)測(cè)資訊） (步驟SA7)。例如，可將第2液體回收機(jī)構(gòu)30有回收液體LQ的訊息，由構(gòu)成中包含警報(bào)裝置的 告知裝置INF來(lái)發(fā)出警報(bào)(警告）?；蛘?，將第2液體回收機(jī)構(gòu)30的每單位時(shí)間液體回收量的 相關(guān)資訊、或是對(duì)多個(gè)照射區(qū)域S1-S24中的某個(gè)區(qū)域(例如照射區(qū)域S15)施以曝光時(shí)第2液 體回收機(jī)構(gòu)30是否已回收液體LQ的相關(guān)資訊，由構(gòu)成中包含顯示裝置的告知裝置INF來(lái)顯 示的。
[0166] 又，因檢測(cè)裝置90亦可檢測(cè)出第2液體回收機(jī)構(gòu)30的每單位時(shí)間的液體回收量，故 告知裝置INF亦可顯示液體回收量。
[0167] 又，控制裝置C0NT就算判斷出第2液體回收機(jī)構(gòu)30有回收液體LQ，仍可持續(xù)曝光動(dòng) 作。又，例如在對(duì)照射區(qū)域S15進(jìn)行曝光時(shí)，經(jīng)判斷，第2液體回收機(jī)構(gòu)30有回收液體LQ，控制 裝置C0NT可將第2液體回收機(jī)構(gòu)30有回收液體LQ的訊息與照射區(qū)域S15建立對(duì)應(yīng)關(guān)系，作為 第4登錄資訊，記憶在記憶裝置MRY。接著，對(duì)所有的照射區(qū)域S1-S24倶予曝光后，控制裝置 C0NT根據(jù)由記憶裝置MRY所記憶的第4登錄資訊而施以處置，例如，將有可能因第2液體回收 機(jī)構(gòu)30的液體回收(振動(dòng)的發(fā)生)而有圖案轉(zhuǎn)印不良狀況的照射區(qū)域S15予以去除、或者在 其后的重迭曝光時(shí)不予曝光等。又，檢查照射區(qū)域S15,所形成的圖案并無(wú)異常的狀況時(shí)，并 不去除照射區(qū)域S15,而使用照射區(qū)域S15以繼續(xù)形成元件。或者，控制裝置C0NT亦可利用告 知裝置INF來(lái)告知，有與照射區(qū)域S15建立對(duì)應(yīng)關(guān)系，在對(duì)照射區(qū)域S15曝光時(shí)，第2液體回收 機(jī)構(gòu)30有回收液體LQ的訊息。如所揭示者，控制裝置C0NT除了可由告知裝置INF來(lái)即時(shí)地顯 示檢測(cè)裝置90的檢測(cè)結(jié)果以作為監(jiān)測(cè)資訊，亦可由告知裝置INF來(lái)顯示登錄資訊。
[0168] 又，在第2液體回收機(jī)構(gòu)30有回收液體LQ仍持續(xù)曝光動(dòng)作的狀況中，在對(duì)設(shè)定于基 板P上的多個(gè)照射區(qū)域S1-S24中的第1照射區(qū)域(例如照射區(qū)域S15)的曝光中，當(dāng)已經(jīng)由檢 測(cè)裝置90檢測(cè)出第2液體回收機(jī)構(gòu)30有液體回收之時(shí)，應(yīng)等候至檢測(cè)裝置90未檢測(cè)出液體 LQ為止，方對(duì)接續(xù)于第1照射區(qū)域(S15)的第2照射區(qū)域(S16)施以曝光。相對(duì)于以曝光用光 EL朝1個(gè)照射區(qū)域的照射時(shí)間（例如數(shù)百毫秒），由第2液體回收機(jī)構(gòu)30來(lái)回收液體LQ的時(shí)間 (亦即發(fā)生振動(dòng)的時(shí)間）較長(zhǎng)之時(shí)（例如數(shù)秒），若對(duì)多個(gè)照射區(qū)域連續(xù)的曝光，乃是在發(fā)生 振動(dòng)的狀態(tài)下使上述多個(gè)照射區(qū)域接受曝光。此處乃設(shè)置有第1個(gè)照射區(qū)域曝光后的等候 時(shí)間，等候至檢測(cè)裝置90不再測(cè)得第2液體回收機(jī)構(gòu)30有回收液體(等候至振動(dòng)平息后），方 對(duì)照射區(qū)域再度開(kāi)始曝光動(dòng)作，藉此而可防止不良照射的發(fā)生。再者，亦可預(yù)在第2嘴構(gòu)件 80設(shè)置加速度感測(cè)器(振動(dòng)感測(cè)器），在對(duì)第1照射區(qū)域曝光后，等候至振動(dòng)感測(cè)器的檢測(cè)值 降到容許值以下后，方對(duì)第2照射區(qū)域進(jìn)行曝光。
[0169] 在結(jié)束基板P的液浸曝光后，控制裝置⑶NT乃停止由液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10透過(guò)供應(yīng)口 12來(lái)供應(yīng)液體LQ的動(dòng)作。接著，透過(guò)第1液體回收機(jī)構(gòu)20的第1回收口 22、及第2液體回收機(jī) 構(gòu)30的第2回收口 32，來(lái)回收基板P上或基板載臺(tái)PST上的殘留液體LQ。又，在結(jié)束基板P上的 液體LQ的回收動(dòng)作后，將已結(jié)束曝光處理的基板P由基板載臺(tái)PST卸載(步驟SA10)。
[0170] 在結(jié)束液浸曝光后，控制裝置C0NT在使用第1閥13B以關(guān)閉供應(yīng)管13的流路的狀態(tài) 下，驅(qū)動(dòng)第3閥9B以開(kāi)啟連接管9的流路。藉此作法，由包含調(diào)溫裝置17的液體供應(yīng)部11所流 入供應(yīng)管13的液體LQ，透過(guò)連接管9而流向回收管23，在無(wú)須供應(yīng)液體時(shí)，由液體供應(yīng)部11 送出的液體LQ并未供應(yīng)到基板P上，而是透過(guò)回收管23而由液體回收部21所回收。
[0171]又，在將業(yè)已曝光處理完畢的基板P由基板載臺(tái)PST卸載后，將有待曝光處理的新 的基板P，載置于基板載臺(tái)PST。又，重復(fù)上述的曝光程序。在記憶裝置MRY，累積及保存有上 述的第1-第4登錄資訊。
[0172] 如以上所述，在記憶裝置MRY，記憶著與液體LQ的性質(zhì)或成分(水質(zhì))相關(guān)的第1、第 2登錄資訊，以及與第2液體回收機(jī)構(gòu)30的液體回收動(dòng)作（回收狀況)相關(guān)的第3、第4登錄資 訊。使用等登錄資訊，可用于曝光不良（錯(cuò)誤）的解析或曝光裝置EX的管理(步驟SA11)。
[0173] 例如，可根據(jù)第1、第2登錄資訊，以最佳的時(shí)點(diǎn)，對(duì)于構(gòu)成液體供應(yīng)部11的各調(diào)整 裝置(液體改質(zhì)構(gòu)件及液體改質(zhì)裝置)進(jìn)行維護(hù)(檢查、交換）。又，可根據(jù)第1、第2登錄資訊， 設(shè)定各調(diào)整裝置的檢查、交換的最佳頻度。例如，由第1登錄資訊得知，微粒子測(cè)量器的測(cè)量 值(異物的量)會(huì)隨時(shí)間經(jīng)過(guò)而惡化時(shí)，可根據(jù)測(cè)量值隨時(shí)間經(jīng)過(guò)的變化程度，來(lái)預(yù)測(cè)及設(shè) 定微粒子過(guò)濾器的最佳交換時(shí)期(交換頻度）。又，可利用第1登錄資訊，將所使用的微粒子 過(guò)濾器的性能設(shè)定為最佳化。例如，當(dāng)微粒子測(cè)量器的測(cè)量值隨時(shí)間經(jīng)過(guò)而急速惡化時(shí)，若 是使用高性能的微粒子測(cè)量器而無(wú)大變動(dòng)的狀況時(shí)，可使用較低性能(廉價(jià))的微粒子過(guò)濾 器以謀求降低成本。
[0174]如所揭示者，根據(jù)第1、第2登錄資訊來(lái)管理曝光裝置EX，可以防止因過(guò)度(非必要 的）的維護(hù)進(jìn)行而降低曝光裝置的運(yùn)轉(zhuǎn)率，反之，可防止因疏于維護(hù)而無(wú)法供應(yīng)所要狀態(tài)的 液體LQ等不良情形。
[0175] 又，第1登錄資訊與經(jīng)過(guò)時(shí)間建立對(duì)應(yīng)關(guān)系的水質(zhì)資訊，故可指定究竟在那一時(shí)點(diǎn) 開(kāi)始有水質(zhì)惡化現(xiàn)象。因此，能將曝光不良的發(fā)生原因與經(jīng)過(guò)時(shí)間建立對(duì)應(yīng)關(guān)系來(lái)加以解 析。
[0176] 又，使用第1、第2登錄資訊，可對(duì)曝光不良（圖案缺陷）等不良狀況(錯(cuò)誤)的原因進(jìn) 行解析。具體而目，在使基板P曝光后，在其后的步驟(檢查步驟)對(duì)基板P檢查時(shí)，借著將檢 查結(jié)果與第1、第2登錄資訊作對(duì)照、解析，可解析不良狀況的原因及進(jìn)行指定。例如，在特定 的批號(hào)或特定照射區(qū)域發(fā)生多次曝光不良（圖案缺陷）的狀況時(shí)，經(jīng)參照第2登錄資訊，當(dāng)對(duì) 批號(hào)(或照射區(qū)域)進(jìn)行曝光時(shí)的微粒子測(cè)量器的測(cè)量值有顯示異常時(shí)，可解析得知，圖案 缺陷的原因異物(微粒子、氣泡)所致。如上述，根據(jù)第1、第2登錄資訊，藉以解析圖案缺陷與 異物的彼此關(guān)系，可指定不良狀況（圖案缺陷）的原因。又，可根據(jù)項(xiàng)解析結(jié)果，施以適當(dāng)?shù)?處置，例如交換微粒子過(guò)濾器或脫氣過(guò)濾器等，以避免發(fā)生圖案缺陷。同樣的，可參照登錄 資訊，解析元件動(dòng)作不良與比電阻值的彼此關(guān)系、由光測(cè)量部進(jìn)行的液體LQ的光透過(guò)率測(cè) 量值和T0C的彼此關(guān)系等，藉以指定各種不良狀況的原因。
[0177] 又，控制裝置⑶NT根據(jù)第1、第2登錄資訊以控制曝光動(dòng)作及測(cè)量動(dòng)作。例如，根據(jù) 第1登錄資訊，判斷T0C的值隨時(shí)間經(jīng)過(guò)而漸漸惡化時(shí)，曝光裝置EX根據(jù)作為第1登錄資訊而 記憶、隨時(shí)間經(jīng)過(guò)的T0C值(變化量），按照時(shí)間經(jīng)過(guò)來(lái)控制曝光量，使得基板P間的曝光量一 定，則可降低曝光線寬的不均一性。在控制曝光量時(shí)，與上述相同，可采用的方法例如有，控 制每1脈沖的能量(光量）、控制脈沖數(shù)、控制基板P的掃描速度等方法。
[0178] 又，使用第3、第4登錄資訊，亦可用來(lái)解析曝光不良（線寬不均一)等不良狀況(錯(cuò) 誤）的原因。一旦因第2液體回收機(jī)構(gòu)30的液體回收而伴隨有振動(dòng)發(fā)生，易造成圖案的曝光 線寬的不均一性(包含基板內(nèi)線寬的不均一性及照射區(qū)域內(nèi)線寬的不均一性）。此處，具體 而言，在使基板P曝光后，在其后步驟的檢查步驟對(duì)基板P檢查時(shí)，可將檢查結(jié)果與第3、第4 登錄資訊作對(duì)照、解析，來(lái)解析不良狀況的原因及進(jìn)行指定。例如，在特定批號(hào)或特定照射 區(qū)域發(fā)生過(guò)多曝光不良（線寬不均一）的狀況時(shí)，經(jīng)參照第4登錄資訊，在對(duì)該批號(hào)（或照射 區(qū)域)曝光時(shí)第2液體回收機(jī)構(gòu)30有回收液體LQ，即可對(duì)該狀況解析得知，圖案缺陷的原因， 是因第2液體回收機(jī)構(gòu)30的液體回收所伴隨發(fā)生的振動(dòng)所致。如所揭示者，借著解析作為第 3、第4登錄資訊而記憶的檢測(cè)裝置90的檢測(cè)結(jié)果(第2液體回收機(jī)構(gòu)30的液體回收狀況)與 線寬變化的彼此關(guān)系，可得知，第2液體回收機(jī)構(gòu)30的液體回收動(dòng)作對(duì)曝光精度的影響，可 指定不良狀況(線寬不均一)的原因。
[0179]又，一旦因第2液體回收機(jī)構(gòu)30的液體回收而伴隨振動(dòng)的發(fā)生，將會(huì)劣化光罩M(光 罩載臺(tái)MST)與基板P (基板載臺(tái)PST)的同步移動(dòng)精度、或使透過(guò)投影光學(xué)系統(tǒng)PL的液體LQ的 像面與基板P表面的對(duì)位精度(聚焦精度)遭劣化。因此，可將第2液體回收機(jī)構(gòu)30的液體回 收動(dòng)作（回收狀況)的相關(guān)資訊作為第3、第4登錄資訊，予以預(yù)為記憶，借著解析檢測(cè)裝置90 的檢測(cè)結(jié)果（第2液體回收機(jī)構(gòu)30的液體回收狀況)與同步移動(dòng)精度及聚焦精度的彼此關(guān) 系，可以了解，第2液體回收機(jī)構(gòu)30的液體回收動(dòng)作對(duì)曝光精度的影響，可指定不良狀況(同 步移動(dòng)精度及焦點(diǎn)精度的劣化)的原因。
[0180] 又，可根據(jù)其解析結(jié)果來(lái)采取適當(dāng)處置，例如變更液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10的每單位時(shí)間 的液體供應(yīng)量、變更第1液體回收機(jī)構(gòu)20的每單位時(shí)間的液體回收量、或變更基板P的移動(dòng) 速度(掃描速度)等，以避免發(fā)生線寬不均一等現(xiàn)象，具體而言乃是避免有以第2液體回收機(jī) 構(gòu)30來(lái)回收液體LQ。
[0181] 又，第3登錄資訊與經(jīng)過(guò)時(shí)間建立對(duì)應(yīng)關(guān)系的第2液體回收機(jī)構(gòu)30的液體回收動(dòng)作 相關(guān)資訊，因此，可指定究竟在那一時(shí)點(diǎn)有藉由第2液體回收機(jī)構(gòu)30來(lái)回收液體LQ。因此，可 使曝光不良的發(fā)生原因與經(jīng)過(guò)時(shí)間建立對(duì)應(yīng)關(guān)系而加以解析。
[0182] 又，如以上所述般，根據(jù)第2登錄資訊及第4登錄資訊，在對(duì)特定照射區(qū)域曝光中有 液體LQ的異常、或判斷第2液體回收機(jī)構(gòu)30有進(jìn)行液體回收的狀況時(shí)，控制裝置C0NT可施以 適當(dāng)處置，例如，將特定照射區(qū)域予以去除、或在其后的重迭曝光時(shí)不予曝光等。或者，控制 裝置 C0NT亦可對(duì)用來(lái)進(jìn)行檢查程序的檢查裝置發(fā)出指令，促其對(duì)特定照射區(qū)域的檢查進(jìn)行 的較一般狀態(tài)時(shí)更為詳細(xì)。
[0183] 又，如上述，借著解析第2液體回收機(jī)構(gòu)30的液體回收狀況與線寬變化的相互關(guān) 系、或是與同步移動(dòng)精度、對(duì)焦精度的相互關(guān)系，可得知第2液體回收機(jī)構(gòu)30的液體回收動(dòng) 作對(duì)曝光精度（圖案轉(zhuǎn)印精度）的影響。因而，可預(yù)先取得，第2液體回收機(jī)構(gòu)30有回收液體 LQ時(shí)的基板P上的圖案轉(zhuǎn)印精度。再者，按照第2液體回收機(jī)構(gòu)30的每單位時(shí)間的液體回收 量，使得圖案轉(zhuǎn)印精度的劣化程度有變動(dòng)，因此，可依照液體回收量來(lái)預(yù)先取得圖案轉(zhuǎn)印精 度。又，將第2液體回收機(jī)構(gòu)30有回收液體LQ時(shí)的圖案轉(zhuǎn)印精度的相關(guān)資訊，預(yù)為記憶在記 憶裝置MRY內(nèi)，藉此，控制裝置C0NT可根據(jù)檢測(cè)裝置90的檢測(cè)結(jié)果、與記憶在記憶裝置MRY的 上述記憶資訊，來(lái)進(jìn)行預(yù)測(cè)，當(dāng)?shù)?液體回收機(jī)構(gòu)30有回收液體LQ時(shí)，于轉(zhuǎn)印有光罩M的圖案 的基板P上，其照射區(qū)域的圖案轉(zhuǎn)印精度。又，控制裝置C0NT可利用告知裝置INF來(lái)告知預(yù)測(cè) 的結(jié)果。藉此，在基板P的曝光后，若有上述的預(yù)測(cè)圖案轉(zhuǎn)印精度落在容許值以上、而被預(yù)測(cè) 為不良照射的狀況時(shí)，可以不經(jīng)過(guò)檢查程序，而對(duì)不良照射區(qū)域施以去除等處置。
[0184] 再者，于上述實(shí)施形態(tài)中，例如欲測(cè)量液體LQ中的生菌成分時(shí)，可在預(yù)定的時(shí)點(diǎn)對(duì) 所供應(yīng)的液體LQ施以取樣，使用與曝光裝置EX有別的另行設(shè)置的測(cè)量裝置(分析裝置)來(lái)測(cè) 量(分析)液體LQ。又，在測(cè)量微粒子或氣泡、溶存氧等的時(shí)，亦同樣可不采用線內(nèi)的方式，而 是在預(yù)定的時(shí)點(diǎn)對(duì)液體LQ取樣，交由與曝光裝置EX不同的另行設(shè)置的測(cè)量裝置來(lái)測(cè)量?；?者，亦可如同圖2的實(shí)施形態(tài)中所示般，對(duì)例如分歧管61K-63K預(yù)設(shè)有閥件，借著對(duì)閥的操 作，使得流經(jīng)供應(yīng)管13的液體LQ在預(yù)定的時(shí)點(diǎn)流入測(cè)量裝置60,俾以間歇性方式來(lái)測(cè)量液 體LQ。另一方面，可將流經(jīng)供應(yīng)管13的液體LQ持續(xù)供應(yīng)至測(cè)量裝置60以連續(xù)測(cè)量，以謀求測(cè) 量裝置60的測(cè)量的穩(wěn)定化。
[0185] 再者，在上述實(shí)施形態(tài)中的構(gòu)成，分歧管611(、621(、631(、641(，與位在液體供應(yīng)部11 及第1嘴構(gòu)件70間的供應(yīng)管13相連接，測(cè)量裝置60對(duì)分支自供應(yīng)管13的液體LQ施以測(cè)量，然 而，在該狀況時(shí)，分歧管宜盡量的靠近嘴構(gòu)件70附近(供應(yīng)口 12的附近)為佳。
[0186] 再者，于上述實(shí)施形態(tài)中的分歧管611(、621(、631(、641(，具有取樣點(diǎn)（8&11^11叫 port)的功能，用以對(duì)流經(jīng)供應(yīng)管13的液體LQ取樣，由測(cè)量裝置60所測(cè)量的液體LQ，其取樣 點(diǎn)是調(diào)溫裝置17與第1嘴構(gòu)件70間的供應(yīng)管13途中所分支出來(lái)的分支流路，然而，亦可在第 1嘴構(gòu)件70的供應(yīng)口 12(例）附近安裝取樣點(diǎn)，由測(cè)量裝置60對(duì)流經(jīng)供應(yīng)口 12附近的液體LQ 施以測(cè)量。或者，取樣點(diǎn)的設(shè)置，亦可在純水制造裝置16與調(diào)溫裝置17之間、設(shè)在調(diào)溫裝置 17的下游側(cè)正后方亦可?；蛘撸嗫蓪⑷狱c(diǎn)設(shè)置在連接管9,由測(cè)量裝置60對(duì)流經(jīng)連接管9 的液體LQ施以測(cè)量。
[0187] 再者，亦可如圖7所示般，由測(cè)量裝置60'對(duì)第1液體回收機(jī)構(gòu)20所回收的液體LQ施 以測(cè)量。在圖7中，測(cè)量裝置60'的測(cè)量器65,其連接于，自第1液體回收機(jī)構(gòu)20的回收管23的 途中所分支出來(lái)的分歧管65K。亦即，在圖7的例中，測(cè)量裝置60'的取樣點(diǎn)設(shè)置在回收管23。 測(cè)量器65乃是對(duì)與基板P接觸的液體LQ施以測(cè)量。在與基板P接觸的液體LQ中，有可能含有 來(lái)自設(shè)置在基板P上的光阻或被稱為上覆層的保護(hù)膜的析出物。測(cè)量器65可對(duì)于含有等析 出物的液體LQ測(cè)量其性質(zhì)及成分。又，控制裝置C0NT可將測(cè)量器65的測(cè)量結(jié)果，作為與經(jīng)過(guò) 時(shí)間或照射區(qū)域建立對(duì)應(yīng)關(guān)系的登錄資訊，記憶在記憶裝置MRY。
[0188] 例如，控制裝置⑶NT可根據(jù)上述登錄資訊，取得隨時(shí)間經(jīng)過(guò)的析出物的變動(dòng)量。 又，當(dāng)上述變動(dòng)量隨時(shí)間經(jīng)過(guò)而有明顯增大時(shí)，可判斷光阻對(duì)液體LQ具有可溶性。又，控制 裝置C0NT可根據(jù)測(cè)量裝置60的測(cè)量結(jié)果（或登錄資訊），取得所回收的液體LQ的酸性值。酸 性值高的液體LQ，在回收管23等與液體LQ接觸的構(gòu)件會(huì)造成腐蝕(銹蝕）。此處，控制裝置 C0NT可將所回收的液體LQ的性質(zhì)或成分的測(cè)量結(jié)果（登錄資訊），由例如告知裝置INF來(lái)告 知，以迅速對(duì)所使用的光阻的種類采取再檢討(變更)等處置。
[0189] 又，測(cè)量器65透過(guò)設(shè)置在第1回收口22的多孔體22P來(lái)測(cè)量液體LQ，因此，亦可測(cè)量 附著于多孔體22P或回收管23的雜質(zhì)(生菌等）。在多孔體22P附著有雜質(zhì)的狀態(tài)下而進(jìn)行液 浸曝光處理時(shí)，附著在多孔體22P的雜質(zhì)可能混入形成于基板P上的液浸區(qū)域AR2中，而發(fā)生 劣化曝光精度的不良狀況。此處，控制裝置C0NT將所回收液體LQ的性質(zhì)或成分的測(cè)量結(jié)果 (登錄資訊），由例如告知裝置INF來(lái)告知，以速采取多孔體22P的交換或洗凈等的處置。
[0190] 又，亦可如圖7所示般，將測(cè)量裝置60〃設(shè)置在基板載臺(tái)PST。在圖7中的測(cè)量裝置 60〃具備:埋設(shè)在基板載臺(tái)PST的測(cè)量器66、及設(shè)置在基板載臺(tái)PST上面51的取樣點(diǎn)（孔)67。 在以測(cè)量器66測(cè)量液體LQ時(shí)，在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)刃纬梢后wLQ的液浸區(qū)域AR2，使液 浸區(qū)域AR2與基板載臺(tái)PST作相對(duì)移動(dòng)，以將液浸區(qū)域AR2配置在取樣點(diǎn)67上，以使液體LQ流 入取樣點(diǎn)67。測(cè)量器66，對(duì)透過(guò)取樣點(diǎn)67所取得的液體LQ予以測(cè)量。
[0191] 此外，控制裝置C0NT對(duì)于與形成液浸區(qū)域AR2的液體LQ有接觸的各構(gòu)件，能藉由液 體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10來(lái)供應(yīng)功能液LK，以洗凈等構(gòu)件。例如，若是在液體LQ中含有過(guò)量的生菌等， 造成液體LQ受污染而未處于所要狀態(tài)，則有可能會(huì)污染到與液體LQ有接觸的各構(gòu)件，具體 而言例如:第1嘴構(gòu)件70的液體接觸面70A、第2嘴構(gòu)件80的液體接觸面80A、作為第1嘴構(gòu)件 70的內(nèi)部流路的供應(yīng)流路14和第1回收流路24、作為第2嘴構(gòu)件80的內(nèi)部流路的第2回收流 路34、相連于第1嘴構(gòu)件70的作為流路形成構(gòu)件的供應(yīng)管13和回收管23、相連于第2嘴構(gòu)件 80的回收管33、光學(xué)元件2的液體接觸面2A、基板載臺(tái)PST的上面51、基板載臺(tái)PST上的測(cè)量 構(gòu)件300及光測(cè)量部400、500、600等。又，一旦上列構(gòu)件受到污染，就算由液體供應(yīng)部11供應(yīng) 清凈的液體LQ，液體LQ因與等構(gòu)件接觸而受污染，若以已遭受污染的液體LQ來(lái)形成液浸區(qū) ±或八1?2,將會(huì)使透過(guò)液體LQ的曝光精度及測(cè)量精度遭劣化。
[0192] 此處，控制裝置C0NT可根據(jù)測(cè)量裝置60的測(cè)量結(jié)果，例如當(dāng)生菌的量較容許值為 多時(shí)，由構(gòu)成液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10的一部分的功能液供應(yīng)裝置(洗凈裝置）120,將具有殺菌作用 的功能液LK供應(yīng)至上述各構(gòu)件，藉以洗凈上述各構(gòu)件。
[0193] 本實(shí)施形態(tài)中，為了要去除與液體接觸的構(gòu)件內(nèi)的生菌，功能液供應(yīng)裝置120乃供 應(yīng)具殺菌作用的功能液LK。作為具有殺菌作用的功能液LK，例如為過(guò)氧化氫水或含臭氧的 液體。
[0194] 在此邊參照?qǐng)D8邊說(shuō)明使用功能液LK來(lái)維護(hù)的方法?？刂蒲b置C0NT在洗凈上述構(gòu) 件時(shí)，將設(shè)置在供應(yīng)管19(其連接著功能液供應(yīng)裝置120與液體供應(yīng)部11)的閥19B予以驅(qū) 動(dòng)，以開(kāi)啟供應(yīng)管19的流路，且，藉閥18B以關(guān)閉回注管18的流路。藉此，由功能液供應(yīng)裝置 120朝液體供應(yīng)部11供應(yīng)具有殺菌作用的功能液LK(步驟SB1)。由功能液供應(yīng)裝置120所供 應(yīng)的功能液LK，在流經(jīng)包含純水制造裝置16及調(diào)溫裝置17的液體供應(yīng)部11后，流動(dòng)于供應(yīng) 管13,在流向第1嘴構(gòu)件70的供應(yīng)流路14后，由供應(yīng)口 12供應(yīng)至投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)取?功能液供應(yīng)裝置120將功能液LK供應(yīng)至、構(gòu)成液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10的液體LQ的流經(jīng)流路(供應(yīng)管 13、供應(yīng)流路14)，藉此來(lái)洗凈該等流路。然而，若在流路中存在著不可有功能液LK流經(jīng)的構(gòu) 件，必須要預(yù)為取出。具體而言，裝置在純水制造器161的離子交換膜，若有過(guò)氧化氫水的通 過(guò)則受破壞，故應(yīng)預(yù)為去除?？刂蒲b置C0NT在驅(qū)動(dòng)閥19B之前，藉告知裝置INF來(lái)告知，使去 除離子交換膜。
[0195] 當(dāng)功能液供應(yīng)裝置120將功能液LK供應(yīng)至投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面測(cè)時(shí)，在基板載 臺(tái)PST(基板保持具PH)上保持有虛設(shè)(dummy)基板。虛設(shè)基板與用來(lái)制造元件的基板P有相 仿的大小及形狀。本實(shí)施形態(tài)中的虛設(shè)基板對(duì)功能液LK有撥液性。再者，虛設(shè)基板對(duì)功能液 LK不具撥液性亦可。由功能液供應(yīng)裝置120所送出的功能液LK，由供應(yīng)口 12來(lái)供應(yīng)在虛設(shè)基 板上，以在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)刃纬梢航^(qū)域。又，當(dāng)以功能液供應(yīng)裝置120來(lái)供應(yīng)功 能液LK時(shí)，與液浸曝光動(dòng)作時(shí)相同，第1液體回收機(jī)構(gòu)20及第2液體回收機(jī)構(gòu)30進(jìn)行液體回 收動(dòng)作(吸引動(dòng)作）。因此，形成于投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)鹊囊航^(qū)域的功能液LK，透過(guò)第 1回收口 22被回收，在流經(jīng)第1回收流路24及回收管23之后，回收至第1液體回收部21。又，控 制裝置C0NT在例如增大功能液供應(yīng)裝置120的每單位時(shí)間的功能液供應(yīng)量時(shí)，或是第1液體 回收機(jī)構(gòu)20的每單位時(shí)間的功能液回收量減少、而使功能液LK的液浸區(qū)域加大時(shí)，乃透過(guò) 第2液體回收機(jī)構(gòu)30的第2回收口 32來(lái)回收液浸區(qū)域的功能液LK。藉此，透過(guò)第2回收口 32而 回收的功能液LK，在流經(jīng)第2回收流路34及回收管33后，回收到第2液體回收部31。如所揭示 者，以功能液LK來(lái)流經(jīng)第1、第2液體回收機(jī)構(gòu)20、30的流路，藉此來(lái)洗凈該等流路。又，透過(guò) 第1、第2回收口 22、32而回收的功能液LK，亦可不回收至第1、第2液體回收部21、31，而是回 收至與第1、第2液體回收部21、31不同的回收部。又，所回收的功能液LK，可使再回到液體供 應(yīng)部11，亦可予以廢棄。如所揭示者，將液體LQ置換成功能液LK(步驟SB2)。
[0196] 又，形成在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)鹊囊航^(qū)域的功能液LK，亦接觸于光學(xué)元件2 的液體接觸面2A、或嘴構(gòu)件70、80的液體接觸面70A、80A，故能洗凈該等液體接觸面70A、 80A。又，在形成功能液LK的液浸區(qū)域的狀態(tài)下，使基板載臺(tái)PST相對(duì)于液浸區(qū)域往XY方向作 2維移動(dòng)，藉此，可洗凈基板載臺(tái)PST的上面51、或是洗凈設(shè)置在基板載臺(tái)PST上的測(cè)量構(gòu)件 300、光測(cè)量部400、500、600 (步驟SB3)。
[0197] 如所揭示者，以液浸曝光動(dòng)作時(shí)的相同順序，進(jìn)行功能液LK的液浸區(qū)域形成動(dòng)作， 能同時(shí)且高效率的洗凈上述各構(gòu)件。
[0198] 使用功能液LK來(lái)進(jìn)行洗凈處理時(shí)，其順序，是在以功能液供應(yīng)裝置120來(lái)供應(yīng)功能 液LK后，以液浸曝光動(dòng)作時(shí)的同樣順序使功能液LK的供應(yīng)及回收動(dòng)作持續(xù)達(dá)預(yù)定時(shí)間，以 在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)刃纬晒δ芤篖K的液浸區(qū)域。再者，亦可在將功能液LK加熱后，方 使流向液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10及第1、第2液體回收機(jī)構(gòu)20、30的流路。又，在經(jīng)過(guò)預(yù)定時(shí)間后，停止 功能液LK的供應(yīng)及回收動(dòng)作。該狀態(tài)，是在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)缺３钟泄δ芤篖K，成為 浸漬狀態(tài)。又，在使浸漬狀態(tài)維持預(yù)定時(shí)間后，控制裝置C0NT再次操作閥19B、18B而切換配 管的經(jīng)路，以由液體供應(yīng)部11將液體LQ供應(yīng)至供應(yīng)管13 (步驟SB4)。接著，利用液體供應(yīng)機(jī) 構(gòu)10及第1、第2液體回收機(jī)構(gòu)20、30來(lái)進(jìn)行預(yù)定時(shí)間的液體LQ(例如純水）的供應(yīng)及回收動(dòng) 作，以在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)刃纬梢后wLQ的液浸區(qū)域。藉此，可使液體LQ分別流于液體 供應(yīng)機(jī)構(gòu)10、第1液體回收機(jī)構(gòu)20、及第2液體回收機(jī)構(gòu)30各自的流路，以利用液體LQ來(lái)沖掉 殘留在上述流路的功能液LK(步驟SB5)。又，藉由純水的液浸區(qū)域，亦可洗凈光學(xué)元件2的液 體接觸面2A，或第1、第2嘴構(gòu)件70、80的液體接觸面70A、80B。此時(shí)，在形成有液體LQ的液浸 區(qū)域的狀態(tài)下移動(dòng)基板載臺(tái)PST，可由液體LQ來(lái)沖掉與功能液LK有接觸的基板載臺(tái)PST的上 面51、或測(cè)量構(gòu)件300、光測(cè)量部400、500、600上的殘留功能液LK。
[0199] 又，在結(jié)束洗凈處理后，可使用測(cè)量裝置60來(lái)測(cè)量液體LQ，以確認(rèn)是否有良好的施 以洗凈處理，也就是確認(rèn)液體LQ是否在所要狀態(tài)。
[0200] 本實(shí)施形態(tài)中，為了要防止在液浸曝光中有液體LQ流出基板P外側(cè)（上面51的外 側(cè)）、或是為了在液浸曝光后能平順的回收液體LQ而避免液體LQ殘留于上面51，乃使基板載 臺(tái)PST的上面51具有撥液性。上面51例如由四氟化乙烯(鐵氟龍:登錄商標(biāo))等具有撥液性的 材料所形成。再者，亦可對(duì)上面51涂布以例如四氟化乙烯等氟系樹(shù)脂材料、丙烯系樹(shù)脂材 料、硅系樹(shù)脂材料等撥液性材料、或貼合由上述撥液性材料所形成的薄膜等，藉上揭的撥液 化處理而使上面51具有撥液性。
[0201]又，光學(xué)元件2以螢石或石英形成，光學(xué)元件2的液體接觸面2A具有親液性。又，第1 嘴構(gòu)件70的液體接觸面70A(依情況或亦包含第2嘴構(gòu)件80的液體接觸面80A)亦具有親液 性。由于使等液體接觸面具有親液性，能使液體良好的保持在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)纫?形成液浸區(qū)域。又，在對(duì)液體接觸面2A、70A等施以親液化處理使具有親液性時(shí)，例如，可使 附著(涂布)有MGF 2、Al2〇3、Si02等親液性材料。又，本實(shí)施形態(tài)中的液體LQ采用極性大的水， 在親液化處理(親水化處理)時(shí)，例如，能以醇類等大極性的分子結(jié)構(gòu)物質(zhì)來(lái)形成薄膜，以賦 予親水性。又，功能液LK的構(gòu)成，最好采用對(duì)等液體接觸面不會(huì)造成影響的材料。
[0202]又，功能液LK最好是由對(duì)基板載臺(tái)PST的上面51或液體接觸面2A、70A、80A不造成 影響的材料所構(gòu)成。再者，若是基板載臺(tái)PST的上面51等，由對(duì)于具殺菌作用的功能液LK不 具備耐性的材料所形成，此狀況，只要有覆于基板載臺(tái)PST的上面51全域的虛設(shè)基板，使其 載置在基板載臺(tái)PST上，在狀態(tài)下于投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)刃纬晒δ芤篖K的液浸區(qū)域即 可。
[0203] 又，在上述實(shí)施形態(tài)中的說(shuō)明例，根據(jù)測(cè)量裝置60的測(cè)量結(jié)果，控制包含功能液供 應(yīng)裝置120的液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)10的動(dòng)作，以進(jìn)行洗凈處理，然而，當(dāng)然亦可不根據(jù)測(cè)量裝置60 的測(cè)量結(jié)果，而是由每隔預(yù)定時(shí)間（例如每1月、每1年)來(lái)進(jìn)行洗凈處理。又，使得與液體LQ 有接觸的上述構(gòu)件(嘴構(gòu)件70或光學(xué)元件2等)受到污染的污染源，并不僅限于已受到污染 的液體LQ，例如，若是有浮游在空中的雜質(zhì)附著在上述構(gòu)件，亦可能使上述構(gòu)件受污染。在 該類狀況時(shí)，亦可不依照測(cè)量裝置60的測(cè)量結(jié)果而是每隔預(yù)定時(shí)間來(lái)進(jìn)行洗凈處理，藉此， 同樣可防止構(gòu)件的污染、或防止與該構(gòu)件接觸的液體LQ受污染。
[0204] 再者，上述實(shí)施形態(tài)中所使用的功能液LK，供應(yīng)具有殺菌作用（殺菌功能）的洗凈 液，然而，所使用的功能液LK，亦可藉由含氫水的流動(dòng)，來(lái)去除附著在包含供應(yīng)管13或回收 管23等構(gòu)件上的異物。以具有異物去除功能的功能液(含氫水)的流動(dòng)，在洗凈處理時(shí)預(yù)為 去除異物，則在液浸曝光時(shí)，可防止異物混入液浸區(qū)域AR2的不良狀況。又，使用的功能液， 可借著碳酸氣水的流動(dòng)，對(duì)于包含供應(yīng)管13或回收管23等的構(gòu)件，控制其導(dǎo)電度。借著使具 備導(dǎo)電度控制功能的功能液(碳酸氣水)的流動(dòng)，可防止自構(gòu)件的靜電發(fā)生，且，亦可對(duì)帶電 構(gòu)件施以除電，因此，可防止靜電（電氣雜訊）的發(fā)生所伴隨的曝光動(dòng)作不良、或放電導(dǎo)致圖 案受靜電破壞。
[0205] 再者，于上述實(shí)施形態(tài)中，使功能液LK流動(dòng)的處理(洗凈處理），與液浸曝光處理， 乃是分別進(jìn)行，然而，若是功能液LK可作為液浸曝光用的液體來(lái)使用，亦可由功能液LK來(lái)形 成用于液浸曝光的液浸區(qū)域AR2。此狀況中，洗凈處理與液浸曝光處理一起進(jìn)行。
[0206] 又，在上述實(shí)施形態(tài)中的構(gòu)成，功能液供應(yīng)裝置120朝純水制造裝置16供應(yīng)功能液 LK，然而，亦可將功能液供應(yīng)裝置120連接于純水制造裝置16與調(diào)溫裝置17之間，設(shè)置有閥 件，以避免功能液LK逆流至純水制造裝置16，以將功能液LK供應(yīng)至較調(diào)溫裝置17更下游之 例。如此，在供應(yīng)功能液LK時(shí)，無(wú)須去除純水制造裝置16的離子交換膜。
[0207] 上述各實(shí)施形態(tài)中的構(gòu)成，以純水作為液體LQ。使用純水的優(yōu)點(diǎn)在于，在半導(dǎo)體制 造工廠易大量取得，并且，對(duì)于基板P上的光阻或光學(xué)元件(透鏡)等無(wú)不良影響。又，純水不 僅對(duì)環(huán)境無(wú)不良影響，其雜質(zhì)的含量亦極低，對(duì)于基板P的表面，以及設(shè)在投影光學(xué)系統(tǒng)PL 的前端面的光學(xué)元件表面，亦有洗凈作用。又，由工廠供應(yīng)的純水的純度過(guò)低時(shí)，此時(shí)可在 曝光裝置設(shè)置超純水制造器。
[0208]又，純水（水）對(duì)于波長(zhǎng)193nm的曝光用光EL的折射率n，大致為1.44左右，若使用 ArF準(zhǔn)分子激光(波長(zhǎng)193nm)作為曝光用光EL時(shí)，在基板P上，能短波長(zhǎng)化為1/n、即134nm左 右而獲得高解析度。再者，與空氣中相較，其焦點(diǎn)深度為n倍，亦即擴(kuò)大為約1.44倍，因此，當(dāng) 其焦點(diǎn)深度與空氣中使用的情形同程度即可時(shí)，可更增加投影光學(xué)系統(tǒng)PL的數(shù)值孔徑，此 點(diǎn)亦可提高解析度。
[0209]再者，使用如上述般的液浸法時(shí)，投影光學(xué)系統(tǒng)的數(shù)值孔徑NA會(huì)有在0.9-1.3的情 形。當(dāng)投影光學(xué)系統(tǒng)的數(shù)值孔徑NA如此大的情形，習(xí)知作為曝光用光的隨機(jī)偏光光源，會(huì)因 偏光效應(yīng)而使成像特性惡化，因此，較佳為使用偏光照明。在此情形，可進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)光罩(標(biāo)線 片）的等間隔直線（line and space)圖案的線圖案的長(zhǎng)邊方向的直線偏光照明，以使光罩 (標(biāo)線片）圖案射出較多的S偏光成分(TE偏光成分），亦即，射出較多沿線圖案的長(zhǎng)邊方向的 偏光方向成分的繞射光。在投影光學(xué)系統(tǒng)PL與涂布于基板P表面的光阻間填滿液體時(shí)，相較 于在投影光學(xué)系統(tǒng)PL與涂布于基板P表面的光阻間填滿空氣(氣體)時(shí)，由于有助于提高對(duì) 比的S偏光成分(TE偏光成分）的繞射光在光阻表面具有高透過(guò)率，故即使投影光學(xué)系統(tǒng)的 數(shù)值孔徑NA超過(guò)1.0,亦可得到高成像性能。又，若是適當(dāng)組合相移光罩或日本特開(kāi)平6-188169號(hào)公報(bào)所揭示的沿著線圖案的長(zhǎng)邊方向的斜入射照明法(特別是雙極照明法)等將 更具效果。特別是，組合有直線偏光照明光與雙極照明法，對(duì)于線與空間的圖案被局限在預(yù) 定的一個(gè)方向時(shí)、或沿預(yù)定的一方向有密集的孔形圖案(hole pattern)時(shí)，尤有效果。例 如，使透過(guò)率6%的半色調(diào)型的相移光罩(半間距45mm的圖案），與直線偏光照明法和雙極照 明法并用于照明時(shí)，在照明系統(tǒng)的瞳面中，由形成雙極的二光束的外接圓所限定的照明 〇為 0. 95，使該瞳面中的各光束的半徑為0.125〇，使投影光學(xué)系統(tǒng)PL的數(shù)值孔徑NA= 1.2，則相 較于使用隨機(jī)偏光，焦點(diǎn)深度(D0F)可增加150nm左右。
[0210] 又例如，以ArF準(zhǔn)分子激光作為曝光用光，使用縮小倍率1/4左右的投影光學(xué)系統(tǒng) PL，將微細(xì)的線與空間圖案(例如25-50nm左右的線與空間）曝光于基板P上的情形，因光罩M 的構(gòu)造(例如圖案的微細(xì)度或鉻的厚度）的導(dǎo)波(Wave guide)效應(yīng)使光罩M具有偏光板作 用，從光罩所射出的S偏光成分(TE偏光成分)的繞射光，多于會(huì)降低對(duì)比度的P偏光成分(TM 偏光成分）。此時(shí)，雖說(shuō)最好是使用前述的直線偏光照明，但就算以隨機(jī)偏光光源來(lái)照明光 罩M，使用數(shù)值孔徑NA高達(dá)0.9-1.3的投影光學(xué)系統(tǒng)仍能獲得高解析度。
[0211] 又，使光罩M上的極微細(xì)的線與空間圖案曝光于基板P上時(shí)，雖有因?qū)Рㄐ?yīng)而使P 偏光成分(TM偏光成分)大于S偏光成分(TE偏光成分）的可能，但若以ArF準(zhǔn)分子激光為曝光 用光，使用縮小倍率1/4左右的投影光學(xué)系統(tǒng)PL，將25nm以上的線與空間圖案曝光于基板P 上，從光罩所射出的S偏光成分(TE偏光成分)的繞射光會(huì)多于P偏光成分(TM偏光成分），故 即使投影光學(xué)系統(tǒng)的數(shù)值孔徑NA高達(dá)0.9-1.3，仍可獲得高解析度。
[0212] 再者，并不僅止于對(duì)準(zhǔn)光罩(標(biāo)線片）的線圖案的長(zhǎng)邊方向的直線偏光照明（S偏光 照明），亦可組合日本特開(kāi)平6-53120號(hào)公報(bào)所揭示般，朝以光軸為中心的圓的切線（圓周） 方向直線偏光的偏光照明法與斜入射照明法，其效果亦佳。特別是，當(dāng)光罩(標(biāo)線片）的圖案 并不僅朝預(yù)定的單方向延伸的線圖案，在混有朝多個(gè)不同方向的延伸線圖案的情形(混有 周期方向相異的線與空間圖案），若同樣并用日本特開(kāi)平6-53120號(hào)公報(bào)所揭示般，朝以光 軸為中心的圓的接線方向直線偏光的偏光照明法與輪帶照明法，藉此，即使投影光學(xué)系統(tǒng) 的數(shù)值孔徑NA較大的情形，仍能獲得高成像性能。例如，使透過(guò)率6%的半色調(diào)型的相移光 罩(半間距63nm的圖案），連同朝以光軸為中心的圓的接線方向直線偏光的偏光照明法與環(huán) 帶照明法(輪帶比3/4)，并用于照明時(shí)，使照明 〇為0.95,使投影光學(xué)系統(tǒng)PL的數(shù)值孔徑NA = 1. 〇〇，則相較于使用隨機(jī)偏光，焦點(diǎn)深度(DOF)可增加250nm左右，在半間距55nm的圖案，若 投影光學(xué)系統(tǒng)的數(shù)值孔徑NA= 1.2，可增加焦點(diǎn)深度100nm左右。
[0213] 上述實(shí)施形態(tài)中，在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的前端安裝光學(xué)元件(透鏡)2,藉由透鏡的調(diào) 整，可調(diào)整投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光學(xué)特性，例如像差(球面像差、彗形像差等）。上述各實(shí)施形 態(tài)中的構(gòu)成，以液體LQ填滿于投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光學(xué)元件2的射出側(cè)的光路空間，來(lái)使基板 P曝光，然而，亦可如國(guó)際公開(kāi)第2004/019128號(hào)所揭示般，使液體LQ填滿在投影光學(xué)系統(tǒng)PL 的光學(xué)元件2的射入側(cè)的光路空間。此時(shí)，亦可使在上述實(shí)施形態(tài)中說(shuō)明事項(xiàng)的一部或全 部，亦適用在填滿于光學(xué)元件2的射入側(cè)的光路空間的液體LQ。例如，能對(duì)供應(yīng)至光學(xué)元件2 的射入側(cè)的液體LQ的性質(zhì)或成分，施以與供應(yīng)至射出側(cè)的液體LQ同樣的管理?；蛘撸嗫煽?慮對(duì)曝光性能的影響的差異性，在光學(xué)元件2的射入側(cè)與射出側(cè)，對(duì)液體LQ的性質(zhì)或成分的 管理值設(shè)有差值，俾個(gè)別施以管理。再者，亦可將功能液LK導(dǎo)入光學(xué)元件2的射入側(cè)，以進(jìn)行 洗凈或除電。又，安裝在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的前端的光學(xué)元件，亦可使用用來(lái)調(diào)整投影光學(xué)系 統(tǒng)PL的光學(xué)特性的光學(xué)板。或是可使曝光用光EL透過(guò)的平行平面板亦佳。
[0214] 再者，因液體LQ的流動(dòng)而導(dǎo)致投影光學(xué)系統(tǒng)PL前端的光學(xué)元件與基板P間產(chǎn)生過(guò) 大壓力時(shí)，光學(xué)元件亦可使用非替換式者，以避免受壓力移動(dòng)的方式而牢固地固定。
[0215] 又，上述實(shí)施形態(tài)的構(gòu)成，在投影光學(xué)系統(tǒng)PL與基板P表面間填滿液體LQ，然而，亦 可在基板P的表面安裝有平行平面板所構(gòu)成的罩玻璃的狀態(tài)下填滿液體LQ。
[0216] 再者，本實(shí)施形態(tài)中雖以水作為液體LQ，亦可使用水以外的液體，例如，當(dāng)曝光用 光EL*F2激光時(shí)，因?yàn)镕 2激光未能透過(guò)于水，宜使用可使?2激光透過(guò)者來(lái)作為液體LQ，例如 全氟聚醚(PFPE)或氟系油料等氟系的流體。此時(shí)，對(duì)于接觸液體LQ的部分，例如，以含氟的 極性小的分子結(jié)構(gòu)物質(zhì)來(lái)形成薄膜，以實(shí)施親液化處理。又，液體LQ亦可使用其他對(duì)曝光用 光EL具有透過(guò)性且折射率盡可能地高、并對(duì)投影光學(xué)系統(tǒng)PL或基板P表面所涂布的光阻具 穩(wěn)定性者(例如洋杉油）。此時(shí)，亦按照使用的液體LQ的極性來(lái)進(jìn)行表面處理。
[0217] 又，上述各實(shí)施形態(tài)的基板P，并不局限于半導(dǎo)體元件制造用的半導(dǎo)體晶圓，舉凡 顯示元件用的玻璃基板、薄膜磁頭用的陶瓷晶圓、或曝光裝置所使用的光罩或標(biāo)線片的母 盤(pán)(合成石英、硅晶圓）等皆可適用。
[0218] 曝光裝置EX所適用的，除了同步移動(dòng)光罩M與基板P以實(shí)施光罩M圖案的掃描曝光 的步進(jìn)掃描方式的掃描型曝光裝置(掃描步進(jìn)機(jī)），此外尚能適用于，在光罩M與基板P的靜 止?fàn)顟B(tài)下使光罩M圖案整體曝光，進(jìn)而依序步進(jìn)移動(dòng)基板P的步進(jìn)重復(fù)方式的投影曝光裝置 (步進(jìn)機(jī)）。
[0219] 又，本發(fā)明的曝光裝置EX亦適用于，在第1圖案與基板P大致靜止的狀態(tài)下，以投影 光學(xué)系統(tǒng)(例如1/8縮小倍率的未含反射元件的折射型投影光學(xué)系統(tǒng))將第1圖案的縮小像 整體曝光于基板P上的整體曝光方式。亦可適用于，在此的后，在第2圖案與基板P大致靜止 的狀態(tài)下，以投影光學(xué)系統(tǒng)，將第2圖案的縮小像以部分重迭于第1圖案的方式整體曝光于 基板P上的接合方式的整體曝光裝置。又，所適用的接合方式的曝光裝置，尚可舉例如，在基 板P上將至少2個(gè)圖案局部迭合以進(jìn)行轉(zhuǎn)印，使基板P依序移動(dòng)、即步進(jìn)接合（step and stitch)方式的曝光裝置。
[0220] 又，本發(fā)明亦可適用的曝光裝置例如：揭示于日本特開(kāi)平10-163099號(hào)公報(bào)、特開(kāi) 平10-214783號(hào)公報(bào)、及特表2000-505958號(hào)公報(bào)等所揭示的雙載臺(tái)型的曝光裝置。
[0221] 又，上述實(shí)施形態(tài)中所采用的曝光裝置，在投影光學(xué)系統(tǒng)PL與基板P間局部充滿液 體，然而，本發(fā)明亦可應(yīng)用于，如日本特開(kāi)平6-124873號(hào)公報(bào)所揭示般，使曝光對(duì)象(基板） 的保持載臺(tái)于液槽中移動(dòng)的液浸曝光裝置。
[0222] 又，曝光裝置EX的種類，并不限于將半導(dǎo)體元件圖案曝光于基板P的半導(dǎo)體元件制 造時(shí)所使用的曝光裝置，亦可廣泛用于制造液晶顯示元件或顯示器等的曝光裝置、或是用 于制造薄膜磁頭、攝影元件(CCD)、標(biāo)線片或光罩等的曝光裝置。
[0223] 又，基板載臺(tái)PST或光罩載臺(tái)MST使用線性馬達(dá)(參照USP第5，623，853或5，528，118 號(hào)）的情形，可使用空氣軸承的氣浮型、或是使用洛倫茲（Lorentz)力或磁阻力的磁浮型。 又，各載臺(tái)PST、MST，可以是沿著導(dǎo)軌移動(dòng)的方式，或者是未設(shè)有導(dǎo)軌(無(wú)軌式)亦可。
[0224] 各載臺(tái)PST、MST的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)可使用平面馬達(dá)，其使二維配置磁鐵而成的磁鐵單元 與二維配置線圈而成的電樞單元對(duì)向，以電磁力來(lái)驅(qū)動(dòng)各載臺(tái)PST、MST。此時(shí)，可使磁鐵單 元或電樞單元的任一方連接于PST、MST，使磁鐵單元或電樞單元的另一方設(shè)于PST、MST的移 動(dòng)面?zhèn)取?br>[0225] 為了避免基板載臺(tái)PST因移動(dòng)而形成的反作用力傳達(dá)至投影光學(xué)系統(tǒng)PL，可使用 框架(frame)構(gòu)件以機(jī)械性地釋放至地板(大地），例如日本特開(kāi)平8-166475號(hào)公報(bào)(USP第 5,528，118 號(hào)）所載。
[0226] 為了避免光罩載臺(tái)MST因移動(dòng)而形成的反作用力傳達(dá)至投影光學(xué)系統(tǒng)PL，可使用 框架構(gòu)件機(jī)械性地釋放至地面(大地），例如日本特開(kāi)平8-330224號(hào)公報(bào)(US S/N 08/416， 558)所載。
[0227] 本案實(shí)施形態(tài)的曝光裝置EX，是將各種包含本案權(quán)利要求范圍所舉的各構(gòu)成要件 的子系統(tǒng)以保持預(yù)定的機(jī)械精度、電氣精度、光學(xué)精度的方式予以組裝來(lái)制造。為了確保上 述各種精度，在組裝前后，尚進(jìn)行各種調(diào)整，例如，對(duì)各種光學(xué)系統(tǒng)施以供達(dá)成光學(xué)精度的 調(diào)整、對(duì)各種機(jī)械系統(tǒng)施以供達(dá)成機(jī)械精度的調(diào)整、對(duì)各種電氣系統(tǒng)施以供達(dá)成電氣精度 的調(diào)整。
[0228] 各種子系統(tǒng)對(duì)曝光裝置的組裝步驟，亦包含各種子系統(tǒng)彼此間的機(jī)械連接、電路 的配線連接、及氣壓回路的配管連接等。各種子系統(tǒng)對(duì)曝光裝置的組裝步驟前，當(dāng)然有各子 系統(tǒng)的組裝步驟。一旦完成各子系統(tǒng)對(duì)曝光裝置的組裝步驟，即進(jìn)行綜合調(diào)整，以確保曝光 裝置整體的各種精度。再者，曝光裝置的制造，較佳是在溫度及潔凈度等經(jīng)管理的潔凈室內(nèi) 進(jìn)行。
[0229] 半導(dǎo)體元件等微元件的制造，如圖9所示般，經(jīng)由步驟201進(jìn)行微元件的功能、性能 設(shè)計(jì)，接著根據(jù)該設(shè)計(jì)步驟以步驟202制作光罩(標(biāo)線片），以步驟203制造作為元件基材的 基板，以曝光處理步驟204利用上述實(shí)施形態(tài)的曝光裝置EX將光罩圖案曝光于基板，經(jīng)元件 組裝步驟(含切割步驟、接合步驟、封裝步驟)205,以及檢查步驟206等來(lái)制造。
[0230] 以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制，雖 然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人 員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動(dòng)或修飾 為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì) 對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種曝光裝置，是在投影光學(xué)系統(tǒng)的像面?zhèn)刃纬梢后w的液浸區(qū)域，并透過(guò)該投影光 學(xué)系統(tǒng)與該液浸區(qū)域的液體，對(duì)設(shè)定在基板上的多個(gè)照射區(qū)域依序曝光，其特征在于具備： 液體供應(yīng)機(jī)構(gòu)，用以供應(yīng)液體； 第1液體回收機(jī)構(gòu)，用以回收液體； 第2液體回收機(jī)構(gòu)，用以回收該第1液體回收機(jī)構(gòu)未能完全回收的液體； 檢測(cè)裝置，用以檢測(cè)出該第2液體回收機(jī)構(gòu)是否已回收液體;及 記憶裝置，使該檢測(cè)裝置的檢測(cè)結(jié)果與該照射區(qū)域建立對(duì)應(yīng)關(guān)系而予以記憶。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光裝置，其特征在于，該記憶裝置是使該檢測(cè)裝置的檢測(cè)結(jié) 果與經(jīng)過(guò)時(shí)間建立對(duì)應(yīng)關(guān)系而予以記憶。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光裝置，其特征在于，該第1液體回收機(jī)構(gòu)，具有與該基板對(duì) 向的第1回收口； 該第2液體回收機(jī)構(gòu)，具有以該投影光學(xué)系統(tǒng)的投影區(qū)域?yàn)榛鶞?zhǔn)設(shè)于較該第1回收口更 外側(cè)的第2回收口； 該第2液體回收機(jī)構(gòu)，將液體連同其周圍的氣體一起回收。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光裝置，其特征在于，該檢測(cè)裝置，可檢測(cè)出第2液體回收機(jī) 構(gòu)的每單位時(shí)間的液體回收量； 該記憶裝置，是用以記憶與該液體回收量相關(guān)的資訊。
【文檔編號(hào)】G03B27/42GK105911821SQ201610366219
【公開(kāi)日】2016年8月31日
【申請(qǐng)日】2005年6月7日
【發(fā)明人】白石健, 白石健一
【申請(qǐng)人】株式會(huì)社尼康