光纖端帽及其制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明實(shí)施例提供了一種光纖端帽及其制造方法，所述光纖端帽包括光子晶體光纖、第一無(wú)芯光纖以及第二無(wú)芯光纖，所述第一無(wú)芯光纖的一端與所述光子晶體光纖熔接，所述第一無(wú)芯光纖的另一端與所述第二無(wú)芯光纖熔接，所述第一無(wú)芯光纖的包層直徑大于或等于所述光子晶體光纖的包層直徑，所述第二無(wú)芯光纖的包層直徑大于所述第一無(wú)芯光纖的包層直徑。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
光纖端帽及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及光纖技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種光纖端帽及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]光子晶體光纖(PCF)是超連續(xù)譜激光器常用的作為端帽的一種高非線(xiàn)性光纖，由于光子晶體光纖具有空氣孔結(jié)構(gòu)，在與大芯徑光纖熔接時(shí)，高的放電強(qiáng)度會(huì)導(dǎo)致空氣孔結(jié)構(gòu)塌縮，塌縮的PCF無(wú)法束縛PCF纖芯激光，激光在塌縮的PCF處逐漸衍射、擴(kuò)束，使得激光光束質(zhì)量劣化、甚至泄露。
[0003]于是，現(xiàn)有的光纖端帽為將包層直徑125μπι的PCF與包層直徑相同的普通無(wú)芯石英光纖熔接，以避免光子晶體光纖的空氣孔坍縮。
[0004]但是，該現(xiàn)有的光纖端帽，由于端帽直徑過(guò)小，難以承受更高功率超連續(xù)譜輸出。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]有鑒于此，本發(fā)明提供了一種光纖端帽及其制造方法，通過(guò)與光子晶體光纖熔接直徑依次增大的無(wú)芯光纖，以實(shí)現(xiàn)在光子晶體光纖不出現(xiàn)塌縮的情況下，端帽具有更大直徑，改善現(xiàn)有技術(shù)中端帽端帽直徑過(guò)小，難以承受更高功率超連續(xù)譜輸出的問(wèn)題。
[0006]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案:
[0007]—種光纖端帽，所述光纖端帽包括光子晶體光纖、第一無(wú)芯光纖以及第二無(wú)芯光纖，所述第一無(wú)芯光纖的一端與所述光子晶體光纖熔接，所述第一無(wú)芯光纖的另一端與所述第二無(wú)芯光纖熔接，所述第一無(wú)芯光纖的包層直徑大于或等于所述光子晶體光纖的包層直徑，所述第二無(wú)芯光纖的包層直徑大于所述第一無(wú)芯光纖的包層直徑。
[0008]優(yōu)選的，上述光纖端帽中，所述第一無(wú)芯光纖的包層直徑等于所述光子晶體光纖的包層直徑。第一無(wú)芯光纖的包層直徑在可選直徑范圍內(nèi)更大，則其后可以熔接的第二無(wú)芯光纖的包層直徑可以更大，使該光纖端帽可以實(shí)現(xiàn)更高功率的激光輸出。
[0009]優(yōu)選的，上述光纖端帽中，所述光子晶體光纖以及所述第一無(wú)芯光纖的包層直徑為125微米，所述第二無(wú)芯光纖的包層直徑為250微米。包層直徑125微米的光子晶體光纖為常用的光子晶體光纖。
[0010]優(yōu)選的，上述光纖端帽中，所述第一無(wú)芯光纖以及所述第二無(wú)芯光纖的長(zhǎng)度小于或等于125微米。為保證該光纖端帽用于輸出超連續(xù)譜激光時(shí)光束質(zhì)量不會(huì)劣化，需要無(wú)芯光纖的長(zhǎng)度不宜過(guò)長(zhǎng)。
[0011]優(yōu)選的，上述光纖端帽中，所述第一無(wú)芯光纖以及所述第二無(wú)芯光纖的長(zhǎng)度在100微米至125微米之間。
[0012]優(yōu)選的，上述光纖端帽中，還包括第三無(wú)芯光纖，所述第三無(wú)芯光纖的一端與所述第二無(wú)芯光纖遠(yuǎn)離所述第一無(wú)芯光纖的一端熔接，所述第三無(wú)芯光纖的包層直徑大于所述第二無(wú)芯光纖的包層直徑。第三無(wú)芯光纖的包層直徑比第二無(wú)芯光纖更大，使該光纖端帽可以實(shí)現(xiàn)更高功率的激光輸出。
[0013]優(yōu)選的，上述光纖端帽中，所述第一無(wú)芯光纖以及所述第二無(wú)芯光纖的長(zhǎng)度小于或等于125微米，所述第三無(wú)芯光纖的長(zhǎng)度小于或等于150微米。
[0014]優(yōu)選的，上述光纖端帽中，所述光子晶體光纖的包層直徑為125微米，所述第二無(wú)芯光纖的包層直徑為250微米，所述第三無(wú)芯光纖的包層直徑為400微米。
[0015]—種光纖端帽的制造方法，所述方法包括:在第一無(wú)芯光纖的一端熔接第二無(wú)芯光纖;在所述第一無(wú)芯光纖遠(yuǎn)離所述第二無(wú)芯光纖的一端熔接光子晶體光纖，所述第一無(wú)芯光纖的包層直徑大于或等于所述光子晶體光纖的包層直徑，所述第二無(wú)芯光纖的包層直徑大于所述第二無(wú)芯光纖的包層直徑。
[0016]優(yōu)選的，上述制造方法中，在所述第一無(wú)芯光纖遠(yuǎn)離所述第二無(wú)芯光纖的一端熔接光子晶體光纖的步驟之前，還包括，在所述第二無(wú)芯光纖遠(yuǎn)離所述第一無(wú)芯光纖的一端熔接第三無(wú)芯光纖，所述第三無(wú)芯光纖的包層直徑大于所述第二無(wú)芯光纖。
[0017]本發(fā)明實(shí)現(xiàn)的有益效果:本發(fā)明實(shí)施例提供的光纖端帽及其制造方法，與光子晶體光纖熔接包層直徑大于或等于該光子晶體光纖的第一無(wú)芯光纖，并且在第一無(wú)芯光纖后熔接有包層直徑大于該光子晶體光纖的第二無(wú)芯光纖，以實(shí)現(xiàn)更大直徑的光子晶體光纖端帽制作，使可以輸出更高功率的超連續(xù)譜。
【附圖說(shuō)明】
[0018]為了更清楚的說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單的介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0019]圖1示出了本發(fā)明第一實(shí)施例提供的光纖端帽的一種結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖2示出了本發(fā)明第一實(shí)施例提供的光纖端帽的另一種結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖3示出了本發(fā)明第二實(shí)施例提供的光纖端帽的制造方法的流程圖；
[0022]圖4示出了本發(fā)明第二實(shí)施例提供的光纖端帽的制造方法的另一種流程圖。
[0023]其中，附圖標(biāo)記匯總?cè)缦?
[0024]光纖端帽100，光子晶體光纖110，第一無(wú)芯光纖120，第二無(wú)芯光纖130，第三無(wú)芯光纖140。
【具體實(shí)施方式】
[0025]光子晶體制作的光纖端帽用于超連續(xù)譜激光的輸出?，F(xiàn)有技術(shù)中的光纖端帽包層直徑過(guò)小，難以承受高功率的超連續(xù)譜輸出。
[0026]鑒于上述情況，研究者經(jīng)過(guò)長(zhǎng)期的研究和大量的實(shí)踐，提供了一種光纖端帽及其制造方法以改善現(xiàn)有問(wèn)題。該光纖端帽通過(guò)與光子晶體光纖熔接包層直徑依次增大的無(wú)芯光纖實(shí)現(xiàn)大功率的激光輸出。
[0027]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。以下對(duì)在附圖中提供的本發(fā)明的實(shí)施例的詳細(xì)描述并非旨在限制要求保護(hù)的本發(fā)明的范圍，而是僅僅表示本發(fā)明的選定實(shí)施例?；诒景l(fā)明的實(shí)施例，本領(lǐng)域技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0028]第一實(shí)施例
[0029]圖1示出了本發(fā)明第一實(shí)施例提供的光纖端帽100。請(qǐng)參見(jiàn)圖1，該光纖端帽100包括依次連接的光子晶體光纖110、第一無(wú)芯光纖120以及第二無(wú)芯光纖130。
[0030]具體的，第一無(wú)芯光纖120的一端與光子晶體光纖110連接，該第一無(wú)芯光纖120遠(yuǎn)離光子晶體光纖110的另一端與第二無(wú)芯光纖130連接。并且，各光纖之間的具體的連接方式可以是熔接。當(dāng)然，各光纖之間的具體連接方式并不作為本實(shí)施例的限制，以各光纖之間能很好地連接并傳輸激光為宜。
[0031]進(jìn)一步的，該第一無(wú)芯光纖120的包層直徑大于或等于光子晶體光纖110的包層直徑。由于光子晶體光纖110具有空氣孔結(jié)構(gòu)，直接與包層直徑大于其包層直徑的光纖進(jìn)行熔接，會(huì)導(dǎo)致其內(nèi)部的空氣孔結(jié)構(gòu)坍縮，故在本實(shí)施例所提供的光纖端帽中，第一無(wú)芯光纖120的包層直徑等于所述光子晶體光纖110的包層直徑。。
[0032]另外，由于光子晶體光纖110制作的光纖端帽100常用于高功率超連續(xù)譜激光輸出，光纖端帽100直徑越大，才可以承受越高功率的超連續(xù)譜激光的輸出，故與第一無(wú)芯光纖120熔接的第二無(wú)芯光纖130的包層直徑大于第一無(wú)芯光纖120的包層直徑。
[0033]進(jìn)一步的，由于在實(shí)際應(yīng)用中，常用的光子晶體光纖110的包層直徑為125微米，所以，在本實(shí)施例中，所選的光子晶體光纖110的包層直徑可以是125微米。當(dāng)然，光子晶體光纖110的具體包層直徑在本實(shí)施例中并不作為限制，也可以是其他，如范圍為120微米至125微米的包層直徑，具體可以根據(jù)實(shí)際需要確定。
[0034]另外，對(duì)應(yīng)包層直徑為125微米的光子晶體光纖110，第一無(wú)芯光纖120的包層直徑也可以為125微米。當(dāng)然，第一無(wú)芯光纖120的包層直徑也可以大于125微米，在本實(shí)施例中，也不對(duì)其作為限制，使第一無(wú)芯光纖120的包層直徑大于或等于光子晶體光纖110的包層直徑，以第一無(wú)芯光纖120的包層直徑等于光子晶體光纖110的包層直徑為宜。
[0035]進(jìn)一步的，在本實(shí)施例中，第二無(wú)芯光纖130的包層直徑可以為250微米。同樣可以理解的，第二無(wú)芯光纖130的具體包層直徑在本實(shí)施例中也并不作為限制，以滿(mǎn)足第二無(wú)芯光纖130的包層直徑不會(huì)因過(guò)大而導(dǎo)致放電強(qiáng)度過(guò)高，也不會(huì)因過(guò)小而使可輸出的激光功率太低為宜。
[0036]另外，在本實(shí)施例提供的光纖端帽100中，為保證該光纖端帽100用于輸出超連續(xù)譜激光時(shí)光束質(zhì)量不會(huì)劣化，需要無(wú)芯光纖的長(zhǎng)度不宜過(guò)長(zhǎng)，因此，在本實(shí)施例中，可以是，第一無(wú)芯光纖120以及第二無(wú)芯光纖130的長(zhǎng)度小于或等于125微米。
[0037]另外，由于將第一無(wú)芯光纖120與光子晶體光纖110熔接后需要將過(guò)長(zhǎng)的部分切割去除、將第二無(wú)芯光纖130與第一無(wú)芯光纖120熔接后需要將第二無(wú)芯光纖130多余的部分切割去除，若切割的第一無(wú)芯光纖120以及第二無(wú)芯光纖130過(guò)短，離光子晶體光纖110距離過(guò)小，會(huì)使光子晶體光纖110的空氣孔結(jié)構(gòu)出現(xiàn)較長(zhǎng)的坍縮，故在本實(shí)施例中，優(yōu)選的，第一無(wú)芯光纖120以及第二無(wú)芯光纖130的長(zhǎng)度可以為100微米至125微米之間。
[0038]進(jìn)一步的，如圖2所示，在本實(shí)施例所提供的光纖端帽100中，還包括第三無(wú)芯光纖140。具體的，該第三無(wú)芯光纖140的一端與第二無(wú)芯光纖130遠(yuǎn)離第一無(wú)芯光纖120的一端熔接，即熔接的光纖依次為光子晶體光纖110、第一無(wú)芯光纖120、第二無(wú)芯光纖130以及第三無(wú)芯光纖140。
[0039]在本實(shí)施例中，為使該光纖端帽100可以實(shí)現(xiàn)更高功率的激光輸出，使該第三無(wú)芯光纖140的包層直徑大于第二無(wú)芯光纖130的包層直徑。優(yōu)選的，在光子晶體光纖110的包層直徑為125微米，第二無(wú)芯光纖130的包層直徑為250微米時(shí)，該第三無(wú)芯光纖140的包層直徑可以為400微米。
[0040]當(dāng)然，在本實(shí)施例中，第三無(wú)芯光纖140的具體包層直徑并不作為限定，也可以是其他數(shù)值的包層直徑。
[0041]并且，在本實(shí)施例提供的光纖端帽100中，在第一無(wú)芯光纖120以及所述第二無(wú)芯光纖130的長(zhǎng)度小于或等于125微米時(shí)，該第三無(wú)芯光纖140的長(zhǎng)度可以是小于或等于150微米。當(dāng)然，在本實(shí)施例中，第三無(wú)芯光纖140的長(zhǎng)度也并不作為限定。
[0042]當(dāng)然，可以理解的，在本發(fā)明實(shí)施例提供的光纖端帽100中，還可以在第三無(wú)芯光纖140后熔接包層直徑更大的光纖，具體熔接的光纖數(shù)量并不限定，以依次熔接包層直徑更大的光纖并且能很好地傳輸激光為標(biāo)準(zhǔn)。
[0043]該光纖端帽100用于傳輸激光時(shí)，激光從光子晶體光纖110依次傳入第一無(wú)芯光纖120、第二無(wú)芯光纖130以及第三無(wú)芯光纖140，從第三無(wú)芯光纖140輸出。由于第三無(wú)芯光纖140包層直徑較大，使該光纖端帽可以輸出較高功率的激光。
[0044]第二實(shí)施例
[0045]如圖3所示，本實(shí)施例提供了一種光纖端帽100的制造方法，用于制造第一實(shí)施例所述的光纖端帽100 ο具體的，該方法包括:
[0046]步驟S200:在第一無(wú)芯光纖120的一端熔接第二無(wú)芯光纖130。
[0047]將第一無(wú)芯光纖120熔接于第二無(wú)芯光纖130的一端，為保證制作的光纖端帽100在輸出超連續(xù)譜激光時(shí)光束質(zhì)量不會(huì)裂化，還可以將第一無(wú)芯光纖120在遠(yuǎn)離第二無(wú)芯光纖130的方向上進(jìn)行切割，將第二無(wú)芯光纖130在遠(yuǎn)離第一無(wú)芯光纖120的方向上進(jìn)行切割，使第一無(wú)芯光纖120以及第二無(wú)芯光纖130的長(zhǎng)度控制在一定的范圍內(nèi)。在本實(shí)施例中，可以通過(guò)切割使第一無(wú)芯光纖120以及第二無(wú)芯光纖130的長(zhǎng)度小于125微米。優(yōu)選的，第一無(wú)芯光纖120以及第二無(wú)芯光纖130的長(zhǎng)度在100微米至125微米之間。
[0048]當(dāng)然，也可以直接使用滿(mǎn)足要求的長(zhǎng)度范圍內(nèi)的第一無(wú)芯光纖120以及第二無(wú)芯光纖130進(jìn)行熔接。
[0049]步驟S220:在所述第一無(wú)芯光纖120遠(yuǎn)離所述第二無(wú)芯光纖130的一端熔接光子晶體光纖110，所述第一無(wú)芯光纖120的包層直徑大于或等于所述光子晶體光纖110的包層直徑，所述第二無(wú)芯光纖130的包層直徑大于所述光子晶體光纖110的包層直徑。
[0050]優(yōu)選的，在本實(shí)施例中，第一無(wú)芯光纖120的包層直徑等于所述光子晶體光纖110
的包層直徑。
[0051]優(yōu)選的，在本實(shí)施例中，光子晶體光纖110以及第一無(wú)芯光纖120的包層直徑可以是125微米。
[0052]進(jìn)一步的，如圖4所示，在步驟S220之前，還可以包括，
[0053]步驟S210:在所述第二無(wú)芯光纖130遠(yuǎn)離所述第一無(wú)芯光纖120的一端熔接第三無(wú)芯光纖140，所述第三無(wú)芯光纖140的包層直徑大于所述第二無(wú)芯光纖130。
[0054]同樣的，為保證超連續(xù)譜激光輸出的光束質(zhì)量不會(huì)劣化，將第三無(wú)芯光纖140的長(zhǎng)度控制在一定范圍內(nèi)，優(yōu)選的，可以是小于或等于150微米。
[0055]當(dāng)然，在本實(shí)施例中，各光纖之間的具體連接順序并不作為限定。
[0056]綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供的光纖端帽100及其制造方法，與光子晶體光纖110熔接包層直徑大于或等于該光子晶體光纖110的第一無(wú)芯光纖120，優(yōu)選熔接直徑等于該光子晶體光纖110的第一無(wú)芯光纖120，避免光子晶體光纖110因與包層直徑更大的光纖熔接而出現(xiàn)的空氣孔結(jié)構(gòu)坍縮現(xiàn)象，并且，在第一無(wú)芯光纖120后熔接有包層直徑大于該第一無(wú)芯光纖120的第二無(wú)芯光纖130，以實(shí)現(xiàn)更大直徑的光子晶體光纖端帽100制作，使可以輸出更高功率的超連續(xù)譜。
[0057]為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，上面結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行了清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。通常在此處附圖中描述和示出的本發(fā)明實(shí)施例的組件可以以各種不同的配置來(lái)布置和設(shè)計(jì)。
[0058]因此，以上對(duì)在附圖中提供的本發(fā)明的實(shí)施例的詳細(xì)描述并非旨在限制要求保護(hù)的本發(fā)明的范圍，而是僅僅表示本發(fā)明的選定實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0059]應(yīng)注意到:相似的標(biāo)號(hào)和字母在下面的附圖中表示類(lèi)似項(xiàng)，因此，一旦某一項(xiàng)在一個(gè)附圖中被定義，則在隨后的附圖中不需要對(duì)其進(jìn)行進(jìn)一步定義和解釋。
[0060]在本發(fā)明的描述中，需要說(shuō)明的是，術(shù)語(yǔ)“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，或者是該發(fā)明產(chǎn)品使用時(shí)慣常擺放的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡(jiǎn)化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。此外，術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”、“第三”等僅用于區(qū)分描述，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性。
[0061]在本發(fā)明的描述中，還需要說(shuō)明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語(yǔ)“設(shè)置”、“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接;可以是機(jī)械連接，也可以是電連接;可以是直接相連，也可以通過(guò)中間媒介間接相連，可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通。對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以具體情況理解上述術(shù)語(yǔ)在本發(fā)明中的具體含義。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種光纖端帽，其特征在于，所述光纖端帽包括光子晶體光纖、第一無(wú)芯光纖以及第二無(wú)芯光纖，所述第一無(wú)芯光纖的一端與所述光子晶體光纖熔接，所述第一無(wú)芯光纖的另一端與所述第二無(wú)芯光纖熔接，所述第一無(wú)芯光纖的包層直徑大于或等于所述光子晶體光纖的包層直徑，所述第二無(wú)芯光纖的包層直徑大于所述第一無(wú)芯光纖的包層直徑。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光纖端帽，其特征在于，所述第一無(wú)芯光纖的包層直徑等于所述光子晶體光纖的包層直徑。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光纖端帽，其特征在于，所述光子晶體光纖以及所述第一無(wú)芯光纖的包層直徑為125微米，所述第二無(wú)芯光纖的包層直徑為250微米。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光纖端帽，其特征在于，所述第一無(wú)芯光纖以及所述第二無(wú)芯光纖的長(zhǎng)度小于或等于125微米。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光纖端帽，其特征在于，所述第一無(wú)芯光纖以及所述第二無(wú)芯光纖的長(zhǎng)度在100微米至125微米之間。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光纖端帽，其特征在于，還包括第三無(wú)芯光纖，所述第三無(wú)芯光纖的一端與所述第二無(wú)芯光纖遠(yuǎn)離所述第一無(wú)芯光纖的一端熔接，所述第三無(wú)芯光纖的包層直徑大于所述第二無(wú)芯光纖的包層直徑。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光纖端帽，其特征在于，所述第一無(wú)芯光纖以及所述第二無(wú)芯光纖的長(zhǎng)度小于或等于125微米，所述第三無(wú)芯光纖的長(zhǎng)度小于或等于150微米。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光纖端帽，其特征在于，所述光子晶體光纖的包層直徑為125微米，所述第二無(wú)芯光纖的包層直徑為250微米，所述第三無(wú)芯光纖的包層直徑為400微米。9.一種光纖端帽的制造方法，其特征在于，所述方法包括: 在第一無(wú)芯光纖的一端熔接第二無(wú)芯光纖； 在所述第一無(wú)芯光纖遠(yuǎn)離所述第二無(wú)芯光纖的一端熔接光子晶體光纖，所述第一無(wú)芯光纖的包層直徑大于或等于所述光子晶體光纖的包層直徑，所述第二無(wú)芯光纖的包層直徑大于所述第一無(wú)芯光纖的包層直徑。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，在所述第一無(wú)芯光纖遠(yuǎn)離所述第二無(wú)芯光纖的一端熔接光子晶體光纖的步驟之前，還包括，在所述第二無(wú)芯光纖遠(yuǎn)離所述第一無(wú)芯光纖的一端熔接第三無(wú)芯光纖，所述第三無(wú)芯光纖的包層直徑大于所述第二無(wú)芯光纖。
【文檔編號(hào)】G02B6/02GK105929482SQ201610481387
【公開(kāi)日】2016年9月7日
【申請(qǐng)日】2016年6月24日
【發(fā)明人】李超, 趙磊, 梁小寶, 張昊宇, 封建勝, 徐振源, 黎玥, 周泰斗, 王建軍, 景峰
【申請(qǐng)人】中國(guó)工程物理研究院激光聚變研究中心