一種陣列基板和包括其的液晶顯示面板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種陣列基板和包括其的液晶顯示面板。其中，陣列基板的各顯示像素內(nèi)包括像素電極和用于與像素電極形成橫向電場的公共電極。本發(fā)明的方案，通過在像素電極上設(shè)置與掃描線重疊的電極部，增大了各個顯示像素中的存儲電容的容量，從而改善顯示時的閃爍、殘像等問題，提升了顯示效果。
【專利說明】
一種陣列基板和包括其的液晶顯示面板
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板和包括其的液晶顯示面板。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示面板通常包括陣列基板、與陣列基板相對設(shè)置的彩膜基板和位于陣列基板和彩膜基板之間的液晶層。其中陣列基板上設(shè)置有薄膜晶體管陣列、像素電極陣列以及公共電極。薄膜晶體管陣列的各薄膜晶體管向像素電極陣列中的各像素電極施加數(shù)據(jù)信號，并通過公共電壓信號線向公共電極施加公共電壓，使得像素電極和公共電極之間形成電場，液晶層中的液晶分子在電場作用下偏轉(zhuǎn)，從而實現(xiàn)預(yù)定畫面的顯示。
[0003]依據(jù)像素電極和公共電極之間形成電場的方向，可將液晶顯示面板分為縱向電場的液晶顯示面板以及橫向電場的液晶顯示面板?？v向電場的液晶顯示面板中，像素電極和公共電極之間形成的電場的方向為垂直于液晶顯示面板所在平面的方向。而橫向電場的液晶顯示面板中，像素電極和公共電極之間形成的電場的方向為平行于液晶顯示面板所在平面的方向。
[0004]在現(xiàn)有的橫向電場的液晶顯示面板(例如，IPS，In_Plane Switching)中，由于其各像素內(nèi)的存儲電容較小，在顯示過程中容易出現(xiàn)閃爍、殘像等問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]鑒于現(xiàn)有技術(shù)中的上述缺陷或不足，本發(fā)明提供一種陣列基板和包括其的液晶顯示面板，以期解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題。
[0006]第一方面，本發(fā)明提供了一種陣列基板，包括多條掃描線以及與多條掃描線交叉的多條數(shù)據(jù)線；多條掃描線和多條數(shù)據(jù)線交叉形成像素陣列，像素陣列包括陣列排布的多個顯示像素；顯示像素內(nèi)包括像素電極和用于與像素電極形成橫向電場的公共電極;陣列基板還包括薄膜晶體管陣列，薄膜晶體管陣列包括陣列排布的薄膜晶體管，各薄膜晶體管包括柵極、第一極和第二極，各薄膜晶體管的柵極與其中一條掃描線電連接，各薄膜晶體管的第一極與其中一條數(shù)據(jù)線電連接，各薄膜晶體管的第二極與像素電極電連接;像素電極包括第一條形電極部和第一連接部，第一條形電極部包括至少一個第一條形電極和至少一個第二條形電極，第一連接部用于電連接各第一條形電極和各第二條形電極;公共電極包括第二條形電極部和第二連接部，第二條形電極部包括至少一個第三條形電極，第二連接部用于電連接各第三條形電極;第一條形電極部在陣列基板的正投影與第二條形電極部在陣列基板的正投影相互獨立;第二條形電極包括與各第一條形電極延伸方向一致的第一部分，且第二條形電極還包括延伸方向與掃描線的延伸方向一致的第二部分，第二條形電極的第二部分在陣列基板的正投影與至少一條掃描線在陣列基板的正投影至少部分地重疊；第一條形電極延伸方向與掃描線延伸方向相交，第二條形電極的第二部分在掃描線延伸方向的長度大于第二條形電極的第一部分在掃描線延伸方向的長度。
[0007]第二方面，本發(fā)明還提供了一種液晶顯示面板，包括如上的陣列基板。
[0008]按照本發(fā)明實施例的方案，通過在像素電極上設(shè)置與掃描線重疊的電極部，增大了各個顯示像素中的存儲電容的容量，從而改善顯示時的閃爍、殘像等問題，提升了顯示效果O
[0009]此外，本發(fā)明實施例的方案中，額外的存儲電容形成在掃描線之處而不是顯示像素的透光區(qū)域中。因此，采用本發(fā)明實施例的方案增加的存儲電容不會對液晶顯示面板的透過率造成不良影響。
【附圖說明】
[0010]通過閱讀參照以下附圖所作的對非限制性實施例所作的詳細(xì)描述，本發(fā)明的其它特征、目的和優(yōu)點將會變得更明顯:
[0011]圖1示出了本發(fā)明各實施例的陣列基板的示意性結(jié)構(gòu)圖；
[0012]圖2示出了本發(fā)明的陣列基板中，位于同一顯示像素內(nèi)的像素電極與公共電極的相對位置關(guān)系的一個實施例的示意圖；
[0013]圖3為圖2中的像素電極的示意性結(jié)構(gòu)圖；
[0014]圖4為圖2中的公共電極的示意性結(jié)構(gòu)圖；
[0015]圖5示出了本發(fā)明的陣列基板中，分別位于沿掃描線相鄰的兩個顯示像素內(nèi)的像素電極與公共電極的相對位置關(guān)系的一個實施例的示意圖；
[0016]圖6示出了本發(fā)明的的陣列基板中，位于同一顯示像素內(nèi)的像素電極與公共電極的相對位置關(guān)系的另一個實施例的示意圖；
[0017]圖7示出了本發(fā)明的的陣列基板中，位于同一顯示像素內(nèi)的像素電極與公共電極的相對位置關(guān)系的又一個實施例的示意圖；
[0018]圖8示出了本發(fā)明的陣列基板中，沿掃描線方向相鄰的二顯示像素中，像素電極、公共電極、掃描線、公共電極線以及薄膜晶體管之間的連接關(guān)系示意圖；
[0019]圖9為沿圖8中A-B的剖視圖。
【具體實施方式】
[0020]下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說明?？梢岳斫獾氖?，此處所描述的具體實施例僅僅用于解釋相關(guān)發(fā)明，而非對該發(fā)明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與發(fā)明相關(guān)的部分。
[0021]需要說明的是，在不沖突的情況下，本發(fā)明中的實施例及實施例中的特征可以相互組合。下面將參考附圖并結(jié)合實施例來詳細(xì)說明本發(fā)明。
[0022]此外，需要說明的是，以下各實施例中及其對應(yīng)附圖中，附圖標(biāo)記SI和S2表示相鄰的兩條掃描線，而附圖標(biāo)記Dl和D2表示相鄰的兩條數(shù)據(jù)線。
[0023]參見圖1至圖4，其中，圖1為本發(fā)明各實施例的陣列基板的示意性結(jié)構(gòu)圖，圖2為本發(fā)明的陣列基板中，像素電極與公共電極的一個實施例的示意性結(jié)構(gòu)圖，圖3為圖2中的像素電極的示意性結(jié)構(gòu)圖，圖4為圖2中的公共電極的示意性結(jié)構(gòu)圖。
[0024]下面，結(jié)合圖1?圖4來對本發(fā)明一個實施例的陣列基板進(jìn)行描述。
[0025]如圖1所示，本實施例的陣列基板包括多條掃描線SI?Sn以及與多條掃描線SI?Sn交叉的多條數(shù)據(jù)線Dl?Dm。多條掃描線SI?Sn和多條數(shù)據(jù)線Dl?Dm交叉形成像素陣列，像素陣列包括陣列排布的多個顯示像素11。
[0026]陣列基板還包括薄膜晶體管陣列，薄膜晶體管陣列包括陣列排布的薄膜晶體管
12。各薄膜晶體管12包括柵極、第一極和第二極。
[0027]各薄膜晶體管12的柵極與SI?Sn中的一條掃描線電連接，各薄膜晶體管12的第一極與Dl?Dm中的一條數(shù)據(jù)線電連接，各薄膜晶體管12的第二極與像素電極電連接。
[0028]請繼續(xù)參照圖2，其示出了本發(fā)明的陣列基板中，像素電極與公共電極的相對位置關(guān)系的一個實施例的示意圖。顯示像素內(nèi)包括像素電極13和用于與像素電極13形成橫向電場的公共電極14。
[0029]如圖3所示，像素電極13可進(jìn)一步包括第一條形電極部130和第一連接部135。
[0030]第一條形電極部130包括至少一個第一條形電極131和至少一個第二條形電極132，第一連接部135用于電連接各第一條形電極131和各第二條形電極132。
[0031]第二條形電極132包括與各第一條形131電極延伸方向一致的第一部分132a，且第二條形電極132還包括延伸方向與掃描線的延伸方向一致的第二部分132b，第二條形電極132的第二部分132b在陣列基板的正投影與至少一條掃描線在陣列基板的正投影至少部分地重疊。
[0032]此外，結(jié)合圖1?圖3可以看出，第一條形電極131的延伸方向與掃描線SI?Sn的延伸方向相交。
[0033]第二條形電極132的第二部分132b在掃描線延伸方向的長度大于第二條形電極132的第一部分132a在掃描線延伸方向的長度。這樣一來，由于第二條形電極132的第二部分132b在掃描線延伸方向的長度大于第二條形電極132的第一部分132a在掃描線延伸方向的長度，相應(yīng)地像素電極中能夠與掃描線交疊形成電容的面積更大，進(jìn)而使得顯示像素內(nèi)形成的存儲電容較大。
[0034]如圖4所示，公共電極14可包括第二條形電極部141和第二連接部142。第二條形電極部141包括至少一個第三條形電極141a，第二連接部142用于電連接各第三條形電極141a0
[0035]結(jié)合圖1至圖4，第一條形電極部130在陣列基板的正投影與第二條形電極部141在陣列基板的正投影相互獨立。這樣一來，本實施例中，僅有公共電極14的第二連接部142在陣列基板的正投影和像素電極13的第二條形電極的第一部分132a在陣列基板的正投影之間存在交疊，像素電極13和公共電極14在陣列基板的正投影交疊較少，從而使得像素電極13與公共電極14之間盡可能地不產(chǎn)生垂直于陣列基板所在平面的垂直電場，進(jìn)而盡量避免水平電場和垂直電場共同作用下導(dǎo)致液晶分子旋轉(zhuǎn)紊亂造成的顯示效果劣化。
[0036]在這里需要說明的是，本發(fā)明各實施例的陣列基板中，與某一像素區(qū)域中的像素電極的第二條形電極的第二部分交疊的掃描線和與薄膜晶體管的柵極連接、并用于打開該薄膜晶體管的掃描線不是相同的掃描線。
[0037]例如，第i條掃描線向與像素電極電連接的薄膜晶體管的柵極提供掃描信號，那么，與該像素電極的第二條形電極的第二部分部分交疊的可以是第1-Ι條掃描線或者是第i+1條掃描線。
[0038]以圖2為例，與像素電極13的第二條形電極的第二部分交疊的掃描線為圖2中附圖標(biāo)記SI所示，那么，由掃描線S1、S2、數(shù)據(jù)線D1、D2交叉形成的像素區(qū)域中的像素電極13的第二條形電極的第二部分(也即圖3所示的132b)交疊的掃描線(例如，圖2中的掃描線SI)，和與該像素區(qū)域?qū)?yīng)的薄膜晶體管的柵極連接、并用于打開該薄膜晶體管的掃描線(例如，圖2中的掃描線S2)互不相同。
[0039]本實施例的陣列基板，通過在像素電極設(shè)置一與掃描線交疊的部分，可以在各顯示像素內(nèi)形成存儲電容，進(jìn)一步地，與單純地將條形電極延伸到與掃描線交疊位置處相比，像素電極與掃描線交疊的部分在掃描線延伸方向的長度較大，因此，能夠形成較大的存儲電容，進(jìn)一步改善顯示時的閃爍和殘像現(xiàn)象，提升顯示效果。
[0040]參見圖5所示，為本發(fā)明的陣列基板中，分別位于沿掃描線相鄰的兩個顯示像素內(nèi)的像素電極與公共電極的相對位置關(guān)系的一個實施例的示意圖。
[0041]與圖2?圖4所示的像素電極和公共電極類似，本實施例中，各顯示像素內(nèi)均包括像素電極和用于與像素電極形成橫向電場的公共電極。例如，圖5的顯示像素5a中具有像素電極51a和公共電極52a。顯示像素5b中，具有像素電極51b和公共電極52b。
[0042]此外，與圖2?圖4所示的實施例類似，圖5的實施例中，各像素區(qū)域中的像素電極同樣包括第一條形電極部和第一連接部。其中，第一條形電極部包括至少一個第一條形電極和至少一個第二條形電極，第一連接部用于電連接各第一條形電極和各第二條形電極。
[0043]第二條形電極包括與各第一條形電極延伸方向一致的第一部分，且第二條形電極還包括延伸方向與掃描線S1、S2的延伸方向一致的第二部分，第二條形電極的第二部分在陣列基板的正投影與至少一條掃描線在陣列基板的正投影至少部分地重疊。圖5中，位于像素區(qū)域5a中的第二條形電極511的第二部分511b以及位于像素區(qū)域5b中的第二條形電極521的第二部分521b在陣列基板的正投影均與掃描線SI在陣列基板的正投影部分地重疊。使得位于像素區(qū)域5a中的第二條形電極511的第二部分511b可以與掃描線SI形成一存儲電容，且位于像素區(qū)域5b中的第二條形電極521的第二部分521b也與掃描線SI形成一存儲電容。
[0044]類似地，本實施例中，公共電極52a、52b也可包括第二條形電極部和第二連接部。公共電極52a、52b的第二條形電極部分別包括至少一個第三條形電極513、523，公共電極52a、52b的第二連接部分別用于電連接各第三條形電極513、523。
[0045]與圖2?圖4所示實施例不同的是，本實施例的沿掃描線S1、S2方向相鄰的二像素區(qū)域5a和5b中，每個像素電極(51a、51b)的第二條形電極(511、521)的第一部分(511a、521a)分別設(shè)置在同一像素區(qū)域中的各第一條形電極(512、522)的相同側(cè)，而在沿掃描線S1、S2方向相鄰的該二像素區(qū)域5a和5b中，像素電極51a、51b的第二條形電極511、521的第一部分51 la、521a互為鏡像，例如，像素電極51a、51b的第二條形電極511、521的第一部分511a、521a可以關(guān)于位于二像素區(qū)域5a和5b之間的數(shù)據(jù)線D2成鏡像對稱。具體地，如圖5所示，像素區(qū)域5a中，第二條形電極511的第一部分511a設(shè)置在該像素區(qū)域51中的全部第一條形電極512的左側(cè)，相應(yīng)地，像素區(qū)域5b中，第二條形電極521的第一部分521a設(shè)置在該像素區(qū)域5b中的全部第一條形電極522的右側(cè)。這樣一來，當(dāng)將相鄰二像素區(qū)域5a、5b中的公共電極52a、52b連接至公共電極線Cl以向各公共電極52a、52b施加公共電壓時，公共電極52a、52b可以共用一個通孔53，從而實現(xiàn)公共電極52a、52b與位于陣列基板的其它膜層(例如，與掃描線S1、S2相同的膜層)的公共電極線Cl的電連接。
[0046]在本實施例中，像素電極51a、51b的第二條形電極511、521包括第二部分511b、521b，且第二部分511b、521b在陣列基板上的投影與掃描線SI具有重疊部分，相鄰二像素區(qū)域5a、5b的公共電極52a、52b共用一個通孔53連接至公共電極線Cl。因此，本實施例提供的陣列基板不僅能夠形成存儲電容以改善閃爍、殘像等顯示不良，還能減少通孔的數(shù)量使得陣列基板應(yīng)用于液晶顯示面板時，彩膜基板上的間隔柱在受力情況下滑落到通孔的概率降低，從而降低間隔住被劃傷的概率。
[0047]參見圖6所示，為本發(fā)明的陣列基板中，位于同一顯示像素內(nèi)的像素電極與公共電極的相對位置關(guān)系的另一個實施例的示意圖。
[0048]對比圖6和圖2、圖3可以看出，本實施例中的像素電極具有與圖2?圖4所示的實施例類似的結(jié)構(gòu)。
[0049]與圖2?圖4所示實施例不同的是，本實施例中，各顯示像素內(nèi)均包括兩個相互獨立的公共電極，兩個相互獨立的公共電極如圖6中的附圖標(biāo)記64和附圖標(biāo)記65所示。
[0050]此外，本實施例中，像素電極包括第一包括第一條形電極部和第一連接部，第一條形電極部包括至少一個第一條形電極632和至少一個第二條形電極631，第一連接部用于電連接各第一條形電極632和各第二條形電極631。其中，第二條形電極631包括第一部分631a和第二部分631b。且第二條形電極631的第一部分631a在陣列基板的正投影位于兩個相互獨立的公共電極64、65分別在陣列基板的正投影之間。相互獨立的公共電極64、65分別包括至少一第三條形電極641、651。
[0051 ]這樣一來，同一個顯不像素內(nèi)包含了被像素電極的第二條形電極631的第一部分631a分隔的兩個獨立的公共電極64、65，從而使得同一個顯示像素內(nèi)，像素電極在陣列基板的正投影和兩個公共電極64、65在陣列基板的正投影無交疊，進(jìn)而使得像素電極與公共電極64、65之間形成的電場的方向中，垂直于陣列基板方向的分量進(jìn)一步地減小，進(jìn)一步避免水平電場和垂直電場共同作用下導(dǎo)致液晶分子旋轉(zhuǎn)紊亂造成的顯示效果劣化。
[0052]參見圖7所示，為本發(fā)明的陣列基板中，位于同一顯示像素內(nèi)的像素電極與公共電極的相對位置關(guān)系的又一個實施例的示意圖。
[0053]對比圖7和圖6可以看出，本實施例中，同一個顯示像素內(nèi)的像素電極和公共電極74、75可以具有與圖6所示實施例完全相同的結(jié)構(gòu)。
[0054]與圖6所示結(jié)構(gòu)不同的是，本實施例中，像素電極和公共電極74、75同層設(shè)置。
[0055]這樣一來，同一個顯示像素內(nèi)包含了被像素電極的第二條形電極731的第一部分73 Ia分隔的兩個獨立的公共電極74、75，使得像素電極與公共電極74、75之間形成的電場的方向不包含垂直于陣列基板方向的分量。此時，像素電極和公共電極位于同一層，不僅可以減少制備步驟，還可以進(jìn)一步減少垂直電場的分量，從而進(jìn)一步避免水平電場和垂直電場共同作用下導(dǎo)致液晶分子旋轉(zhuǎn)紊亂造成的顯示效果劣化。
[0056]需要說明的是，盡管如圖5、圖6和圖7所示，一個獨立的公共電極(例如，圖5中的附圖標(biāo)記52a、52b所示，圖6中的附圖標(biāo)記64、65所示，圖7中的附圖標(biāo)記74、75所示)中兩條相鄰的第三條形電極(例如，圖5中的附圖標(biāo)記513、523所示，圖6中附圖標(biāo)記641,651所示，圖7中附圖標(biāo)記741、751所示)之間形成有一條或者兩條第一條形電極(例如，圖5中的附圖標(biāo)記512、522所示，圖6中的附圖標(biāo)記632所示，圖7中的附圖標(biāo)記732所示)，或者，如圖2?圖4中所示，一個獨立的公共電極14的相鄰兩條第三條形電極141a中設(shè)置一個第一條形電極131或者第二條形電極132，但這僅僅是示意性的。本領(lǐng)域技術(shù)人員在得知本發(fā)明公開的技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，可以對相鄰二第三條形電極之間形成的第一條形電極的數(shù)量進(jìn)行設(shè)置以適應(yīng)具體應(yīng)用場景的需求。在這里，“獨立的公共電極”可以理解為公共電極與公共電極之間沒有直接連接，但是并不意味著公共電極與公共電極之間沒有電連接。
[0057]此外，在本發(fā)明各實施例的陣列基板中，第一條形電極、第二條形電極的第一部分和第三條形電極可以為直線型電極，或者，第一條形電極、第二條形電極的第一部分和第三條形電極可以為折線型電極。需要說明的是，第一條形電極、第二條形電極的第一部分和第三條形電極可以根據(jù)需要設(shè)計成為直線型，折線型或者曲線型，本發(fā)明對此不做限制，但是，不論第一條形電極、第二條形電極的第一部分和第三條形電極是形狀為哪一種，第二條形電極的第二部分都具有與掃描線交疊的部分，都能夠形成存儲電容，改善閃爍和殘像現(xiàn)象。
[0058]在一些可選的實現(xiàn)方式中，本發(fā)明各實施例的像素電極中，第二條形電極的第二部分在掃描線延伸方向上的長度大于或者等于像素電極的第一條形電極部中所有沿第一條形電極延伸方向延伸的電極在掃描線延伸方向上的長度之和。
[0059]以圖3所示的像素電極為例，第二條形電極132的第二部分132b在掃描線延伸方向上的長度為di，第一條形電極131在掃描線延伸方向上的長度為d2，而第二條形電極132的第一部分132a在掃描線延伸方向上的長度為d3，那么d1、d2和d3滿足:di彡2d2+d3?，F(xiàn)有技術(shù)中，掃描線和數(shù)據(jù)線交叉形成多個像素區(qū)域，而公共電極線包括形成在像素區(qū)域中的部分，且延伸方向可以與像素電極的延伸方向相交，從而使得公共電極線與像素電極之間形成存儲電容。然而，在此類現(xiàn)有技術(shù)中，公共電極線通常與掃描線同層設(shè)置，因而公共電極線通常與掃描線寬度相當(dāng)且延伸方向平行。這樣一來，在此類現(xiàn)有技術(shù)中，公共電極與像素電極交疊部的面積將正比于公共電極線的寬度和像素電極所包含的各支電極在平行于公共電極線延伸方向的寬度之和的乘積。而采用本實施例的方案后，由于像素電極中，第二條形電極的第二部分在掃描線延伸方向上的長度大于或者等于像素電極的第一條形電極部中所有沿第一條形電極延伸方向延伸的電極在掃描線延伸方向上的長度之和，因而第二條形電極的第二部分與掃描線交疊的面積比上述現(xiàn)有技術(shù)中公共電極線與像素電極交疊的面積更大，進(jìn)而，與上述現(xiàn)有技術(shù)相比，本實施例的方案可以形成更大的存儲電容，此外，由于本實施例的方案沒有在像素區(qū)域內(nèi)設(shè)置額外的結(jié)構(gòu)進(jìn)而提高像素的開口率。
[0060]下面，將結(jié)合圖8和圖9來示意性地描述沿掃描線方向相鄰的二顯示像素中，像素電極、公共電極、掃描線、公共電極線以及薄膜晶體管之間的連接關(guān)系，其中，圖8為本發(fā)明的陣列基板中，沿掃描線方向相鄰的二顯示像素中，像素電極、公共電極、掃描線、公共電極線以及薄膜晶體管之間的連接關(guān)系示意圖，圖9為沿圖8中A-B的剖視圖。
[0061]需要說明的是，盡管圖8中的各像素電極和各公共電極具有如圖6所示的形狀和結(jié)構(gòu)，然而這僅僅是示意性的。本領(lǐng)域技術(shù)人員在得到本發(fā)明公開的技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，可以任意選擇采用如圖2、圖5或圖7所示的像素電極和公共電極的形狀和結(jié)構(gòu)。
[0062]如圖8所示，陣列基板還包括多個第一導(dǎo)體塊810。沿掃描線方向相鄰的兩個第二條形電極831和832之間的公共電極841和842通過第一導(dǎo)體塊810電連接。
[0063]在一些可選的實現(xiàn)方式中，公共電極線820與公共電極可以設(shè)置在陣列基板的不同導(dǎo)體層，例如，如圖8所示，公共電極線820可以與掃描線S1、S2處于相同的導(dǎo)體層。在這些可選的實現(xiàn)方式中，與第一導(dǎo)體塊810電連接的公共電極841和842可通過形成于第一導(dǎo)體塊810和公共電極線820之間的過孔811與公共電極線820電連接。
[0064]此外，在一些可選的實現(xiàn)方式中，如圖8所示，陣列基板還可以包括多個第二導(dǎo)體塊850。各像素電極中的第一連接部833和各第二導(dǎo)體塊850通過形成于第一連接部833和第二導(dǎo)體塊850之間的第二過孔851電連接。
[0065]其中，第一連接部833向陣列基板的正投影和與之電連接的第二導(dǎo)體塊850向陣列基板的正投影至少部分地重疊。
[0066]請繼續(xù)參見圖8所示，在一些可選的實現(xiàn)方式中，陣列基板還可包括多個第三導(dǎo)體塊860。各第三導(dǎo)體塊860向陣列基板的正投影與其中一個第二導(dǎo)體塊850向陣列基板的正投影至少部分地重疊，且各第三導(dǎo)體塊860與公共極線820同層設(shè)置并電連接。這樣一來，像素電極的第一連接部833通過過孔851與第二導(dǎo)體塊850電連接。又由于第二導(dǎo)體塊850與第三導(dǎo)體塊860之間形成一存儲電容，因此像素電極的第一連接部833也與第三導(dǎo)體塊860之間形成一存儲電容，進(jìn)而進(jìn)一步減輕顯示時的閃爍和殘像。
[0067]在一些可選的實現(xiàn)方式中，薄膜晶體管陣列中的各薄膜晶體管的第二極870可以與其中一個第二導(dǎo)體塊850電連接。這樣一來，當(dāng)薄膜晶體管的柵極接收到掃描線的掃描信號時，可控制薄膜晶體管的第二極870和與數(shù)據(jù)線電連接的薄膜晶體管的第一極導(dǎo)通，從而向第二導(dǎo)體塊850施加數(shù)據(jù)信號。又由于第二導(dǎo)體塊850與像素電極電連接，像素電極也可以接收到數(shù)據(jù)線上的數(shù)據(jù)信號，從而使得液晶分子在像素電極和公共電極之間形成的橫向電場的作用下偏轉(zhuǎn)，并顯示預(yù)定畫面。
[0068]在這里，薄膜晶體管的第一極可以是源極，相應(yīng)地，薄膜晶體管的第二極870可以是漏極。
[0069]本發(fā)明還公開了一種液晶顯示面板，其可包括如上各實施例任意一種的陣列基板、與該陣列基板相對設(shè)置的彩膜基板，以及形成在陣列基板和彩膜基板之間的液晶層。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以明白，本實施例的液晶顯示面板還可以包括其它公知的結(jié)構(gòu)。為了不模糊本發(fā)明的重點，在此將不再對這些公知的結(jié)構(gòu)進(jìn)行進(jìn)一步的描述。
[0070]本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明中所涉及的發(fā)明范圍，并不限于上述技術(shù)特征的特定組合而成的技術(shù)方案，同時也應(yīng)涵蓋在不脫離所述發(fā)明構(gòu)思的情況下，由上述技術(shù)特征或其等同特征進(jìn)行任意組合而形成的其它技術(shù)方案。例如上述特征與本發(fā)明中公開的(但不限于)具有類似功能的技術(shù)特征進(jìn)行互相替換而形成的技術(shù)方案。
【主權(quán)項】
1.一種陣列基板，其特征在于，包括多條掃描線以及與多條所述掃描線交叉的多條數(shù)據(jù)線； 多條所述掃描線和多條所述數(shù)據(jù)線交叉形成像素陣列，所述像素陣列包括陣列排布的多個顯示像素； 所述顯示像素內(nèi)包括像素電極和用于與所述像素電極形成橫向電場的公共電極； 所述陣列基板還包括薄膜晶體管陣列，所述薄膜晶體管陣列包括陣列排布的薄膜晶體管，各所述薄膜晶體管包括柵極、第一極和第二極，各所述薄膜晶體管的所述柵極與其中一條所述掃描線電連接，各所述薄膜晶體管的所述第一極與其中一條所述數(shù)據(jù)線電連接，各所述薄膜晶體管的所述第二極與所述像素電極電連接； 所述像素電極包括第一條形電極部和第一連接部，所述第一條形電極部包括至少一個第一條形電極和至少一個第二條形電極，所述第一連接部用于電連接各所述第一條形電極和各所述第二條形電極； 所述公共電極包括第二條形電極部和第二連接部，所述第二條形電極部包括至少一個第三條形電極，所述第二連接部用于電連接各所述第三條形電極； 所述第一條形電極部在所述陣列基板的正投影與所述第二條形電極部在所述陣列基板的正投影相互獨立； 所述第二條形電極包括與各所述第一條形電極延伸方向一致的第一部分，且所述第二條形電極還包括延伸方向與所述掃描線的延伸方向一致的第二部分，所述第二條形電極的所述第二部分在所述陣列基板的正投影與至少一條所述掃描線在所述陣列基板的正投影至少部分地重疊； 所述第一條形電極延伸方向與所述掃描線延伸方向相交，所述第二條形電極的所述第二部分在所述掃描線延伸方向的長度大于所述第二條形電極的所述第一部分在所述掃描線延伸方向的長度。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于: 所述顯示像素包括兩個相互獨立的所述公共電極，所述第二條形電極的第一部分在所述陣列基板的正投影位于所述兩個相互獨立的所述公共電極分別在所述陣列基板的正投影之間。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于: 所述第二條形電極的所述第二部分在所述掃描線延伸方向上的長度大于或者等于所述第一條形電極部中所有沿所述第一條形電極延伸方向延伸的電極在述掃描線延伸方向上的長度之和。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于: 所述像素電極與所述公共電極同層設(shè)置。5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于: 各所述公共電極中任意兩條相鄰的所述第三條形電極之間形成有所述第一條形電極或所述第二條形電極。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于: 所述第一條形電極、所述第二條形電極的第一部分和所述第三條形電極為直線型電極、折線型電極或曲線形電極。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于: 所述第二條形電極的第一部分位于同一所述像素區(qū)域中的所述第一條形電極的同一側(cè)； 沿掃描線相鄰的二所述像素區(qū)域中的所述第二條形電極的第一部分關(guān)于位于所述沿掃描線相鄰的二所述像素區(qū)域之間的所述數(shù)據(jù)線成鏡像對稱。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于: 所述沿掃描線相鄰的二像素區(qū)域中的公共電極通過同一個通孔與公共電極線電連接。9.根據(jù)權(quán)利要求所述2的陣列基板，其特征在于: 所述陣列基板還包括多個第一導(dǎo)體塊； 沿掃描線方向相鄰的兩個所述第二條形電極之間的所述公共電極通過所述第一導(dǎo)體塊電連接。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板，其特征在于: 與第一導(dǎo)體塊電連接的所述公共電極通過形成于所述第一導(dǎo)體塊和公共電極線之間的過孔與所述公共電極線電連接。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的陣列基板，其特征在于: 所述陣列基板還包括多個第二導(dǎo)體塊； 各所述像素電極中的第一連接部和各所述第二導(dǎo)體塊通過形成于所述第一連接部和所述第二導(dǎo)體塊之間的第二過孔電連接； 其中，所述第一連接部向所述陣列基板的正投影和與之電連接的所述第二導(dǎo)體塊向所述陣列基板的正投影至少部分地重疊。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的陣列基板，其特征在于: 所述陣列基板還包括多個第三導(dǎo)體塊； 各所述第三導(dǎo)體塊向所述陣列基板的正投影與其中一個所述第二導(dǎo)體塊向所述陣列基板的正投影至少部分地重疊； 各所述第三導(dǎo)體塊與所述公共極線同層設(shè)置并電連接。13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的陣列基板，其特征在于:所述薄膜晶體管陣列中的各所述薄膜晶體管的所述第二極與其中一個所述第二導(dǎo)體塊電連接。14.一種液晶顯示面板，包括如權(quán)利要求1-13任意一項所述的陣列基板、與所述陣列基板相對設(shè)置的彩膜基板，以及形成在所述陣列基板和所述彩膜基板之間的液晶層。
【文檔編號】G02F1/1343GK105929610SQ201610514146
【公開日】2016年9月7日
【申請日】2016年7月1日
【發(fā)明人】金慧俊
【申請人】上海中航光電子有限公司, 天馬微電子股份有限公司