電光相位調(diào)制系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明實(shí)施例提供一種電光相位調(diào)制系統(tǒng)，包括：電光晶體、射頻電路以及光源，其中，電光晶體的光入射面與光出射面平行，電光晶體的上電極面與下電極面平行，光入射面與光出射面位于上電極面與下電極面之間，且光入射面與上電極面之間的夾角為布儒斯特角；射頻電路的兩個(gè)電極分別與上電極面和下電極面連接，用于向上電極面和下電極面發(fā)送射頻信號(hào)，以使上電極面和下電極面之間形成電場(chǎng)方向垂直與上電極面的電場(chǎng)；光源位于光入射面一側(cè)，光源產(chǎn)生的光束與光入射面的夾角為布儒斯特角。用于減少剩余幅度調(diào)制，進(jìn)而提高相位調(diào)制的精確度。
【專利說明】
電光相位調(diào)制系統(tǒng)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明實(shí)施例涉及激光控制技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種電光相位調(diào)制系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002] 由于電光相位調(diào)制技術(shù)具有較高的靈敏度，因此，電光相位調(diào)制技術(shù)廣泛應(yīng)用于 原子光譜、超穩(wěn)激光等技術(shù)領(lǐng)域，目前，一般通過電光相位調(diào)制器實(shí)現(xiàn)電光相位調(diào)制，電光 相位調(diào)制器的核心部件為電光晶體。
[0003] 目前，電光相位調(diào)制分為橫向電光相位調(diào)制和縱向電光相位調(diào)制，在橫向電光調(diào) 制中，需要保證電場(chǎng)方向和電光晶體內(nèi)部的光束方向垂直，一般通過如下方式實(shí)現(xiàn):通過射 頻電路在長(zhǎng)方體狀的電光晶體的上表面和下表面發(fā)送射頻信號(hào)，使得上表面和下表面之間 形成電場(chǎng)方向垂直與上表面的電場(chǎng)，然后將光源發(fā)出的光束垂直于光入射面入射至該電光 晶體內(nèi)部，使得進(jìn)入到電光晶體內(nèi)部的光束方向與電場(chǎng)方向垂直。在上述方式中，當(dāng)光束到 達(dá)光出射面(與光入射面平行)時(shí)，光出射面會(huì)對(duì)光束進(jìn)行反射，并將光束反射至光入射面， 光入射面對(duì)接收到的反射光束進(jìn)行再次反射，導(dǎo)致電光晶體內(nèi)部的光束在光入射面和光出 射面之間來回反射，進(jìn)而引起剩余幅度調(diào)制，剩余幅度調(diào)制對(duì)相位調(diào)制的精確度造成不良 的影響，且剩余幅度調(diào)制越尚，對(duì)相位調(diào)制的精確度的影響越大。
[0004] 在現(xiàn)有技術(shù)中，為了降低剩余幅度調(diào)制，一般在電光晶體的光入射面和光出射面 上鍍光透膜，通過光透膜減少光束在光入射面和光出射面之間來回反射，然而，通過光透膜 并不能完全避免光束在光入射面和光出射面之間來回反射，使得光入射面和光出射面之間 仍然存在來回反射的光束，進(jìn)而引起剩余幅度調(diào)制，進(jìn)而影響相位調(diào)制的精確度。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明實(shí)施例提供一種電光相位調(diào)制系統(tǒng)，減少了剩余幅度調(diào)制，進(jìn)而提高了相 位調(diào)制的精確度。
[0006] 本發(fā)明實(shí)施例提供一種電光相位調(diào)制系統(tǒng)，包括：電光晶體、射頻電路以及光源， 其中，
[0007] 所述電光晶體的光入射面與光出射面平行，所述電光晶體的上電極面與下電極面 平行，所述光入射面與所述光出射面位于所述上電極面與所述下電極面之間，且所述光入 射面與所述上電極面之間的夾角為布儒斯特角；
[0008] 所述射頻電路的兩個(gè)電極分別與所述上電極面和所述下電極面連接，用于向所述 上電極面和所述下電極面發(fā)送射頻信號(hào)，以使所述上電極面和所述下電極面之間形成電場(chǎng) 方向垂直與所述上電極面的電場(chǎng)；
[0009] 所述光源位于所述光入射面一側(cè)，所述光源產(chǎn)生的光束與所述光入射面的夾角為 布儒斯特角。
[0010] 本發(fā)明實(shí)施例提供的電光相位調(diào)制系統(tǒng)，包括：電光晶體、射頻電路以及光源，電 光晶體的光入射面與光出射面平行，電光晶體的上電極面與下電極面平行，光入射面與光 出射面位于上電極面與下電極面之間，且光入射面與上電極面之間的夾角為布儒斯特角， 射頻電路的兩個(gè)電極分別與上電極面和下電極面連接，用于向上電極面和下電極面發(fā)送射 頻信號(hào)，以使上電極面和下電極面之間形成電場(chǎng)方向垂直與上電極面的電場(chǎng)，光源位于光 入射面一側(cè)，光源產(chǎn)生的光束與光入射面的夾角為布儒斯特角;在該電光相位調(diào)制系統(tǒng)中， 由于光束進(jìn)入到電光晶體時(shí)的入射角為布儒斯特角，且光入射面與上電極面之間的夾角為 布儒斯特角，因此，進(jìn)入到電光晶體的折射光與電光晶體的上電極面平行，使得折射光的方 向與電光晶體中的電場(chǎng)的方向垂直，滿足了橫向電光調(diào)制的條件，進(jìn)一步的，電光晶體中的 折射光與光出射面之間夾角為布儒斯特角(非直角），因此，在光出射面發(fā)生反射的少量光 束不會(huì)反射到光入射面，避免了光束在光入射面和光出射面之間來回反射，有效減少了剩 余幅度調(diào)制，進(jìn)而提尚了相位調(diào)制的精確度。
【附圖說明】
[0011] 為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn) 有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作一簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā) 明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以 根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0012] 圖1為本發(fā)明提供的電光相位調(diào)制系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖一；
[0013] 圖2為本發(fā)明提供的光束傳輸過程示意圖一；
[0014] 圖3為本發(fā)明提供的電光相位調(diào)制系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖二；
[0015] 圖4為本發(fā)明提供的光束傳輸過程示意圖二；
[0016] 圖5為本發(fā)明提供的檢測(cè)剩余幅度調(diào)制的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0017] 為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例 中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是 本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員 在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0018] 本發(fā)明實(shí)施例所涉及的電光相位調(diào)制系統(tǒng)應(yīng)用于橫向電光相位調(diào)制，該電光相位 調(diào)制系統(tǒng)可以對(duì)光束的相位進(jìn)彳丁調(diào)制，本發(fā)明提供的電光相位調(diào)制系統(tǒng)旨在解決現(xiàn)有技術(shù) 中，在進(jìn)行電光相位調(diào)制過程中由于產(chǎn)生較大剩余幅度調(diào)制而影響相位調(diào)制的精確度的問 題。下面通過具體實(shí)施例對(duì)電光相位調(diào)制系統(tǒng)進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0019] 圖1為本發(fā)明提供的電光相位調(diào)制系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖一，請(qǐng)參照?qǐng)D1，該系統(tǒng)可以 包括:電光晶體101、射頻電路102以及光源103,其中，
[0020] 電光晶體101的光入射面ADHE與光出射面BFGC平行，電光晶體的上電極面AB⑶與 下電極面EFGH平行，光入射面ADHE與光出射面BFGC位于上電極面ABCD與下電極面EFGH之 間，且光入射面ADHE與上電極面AB⑶之間的夾角為布儒斯特角；
[0021] 射頻電路102的兩個(gè)電極分別與上電極面ABCD和下電極面EFGH連接，用于向上電 極面ABCD和下電極面EFGH發(fā)送射頻信號(hào)，以使上電極面ABCD和下電極面EFGH之間形成電場(chǎng) 方向垂直與上電極面的電場(chǎng)；
[0022] 光源103位于光入射面一側(cè)，光源產(chǎn)生的光束與光入射面的夾角為布儒斯特角。
[0023] 布儒斯特角與光源發(fā)出光束的波長(zhǎng)和電光晶體的屬性(例如折射率)有關(guān)，當(dāng)光源 固定（即光源發(fā)出光束的波長(zhǎng)固定）、電光晶體固定時(shí)，布儒斯特角為一個(gè)固定的角度;進(jìn)一 步的，為了便于對(duì)電光晶體的生產(chǎn)加工，電光晶體的第一橫截面CGHD與第二橫截面BFEA平 行，第一橫截面CGHD和第二橫截面BFEA位于上電極面AB⑶與下電極面EFGH之間、以及光入 射面ADHE和光出射面BFGC之間，第一橫截面CGHD與上電極面ABCD垂直，第一橫截面CGHD與 光入射面ADHE垂直。
[0024] 在本發(fā)明實(shí)施例中，光源可以為激光器，電光晶體可以為鈮酸鋰晶體、摻鎂鈮酸鋰 晶體、磷酸鈦氧鉀晶體中的一種，當(dāng)然在實(shí)際應(yīng)用過程中，電光晶體還可以為其它材質(zhì)，本 發(fā)明對(duì)此不作具體限定;進(jìn)一步的，為了保證電光相位調(diào)制系統(tǒng)的精確性，電光晶體的加工 參數(shù)可以如下:相對(duì)面的平行度為0.02毫米，表面粗糙度為0.012微米，透光率為98%。
[0025] 下面，結(jié)合圖2所示的光束在電光晶體中的傳輸過程，對(duì)圖1實(shí)施例所示的電光相 位調(diào)制系統(tǒng)進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0026] 圖2為本發(fā)明提供的光束傳輸過程示意圖一，其中，圖2中的電光晶體與圖1中的電 光晶體一樣，為了便于描述，圖2中的電光晶體以平面圖表示。
[0027] 在射頻電路102通電后，在電光晶體101的上電極面和下電極面之間形成電場(chǎng)方向 垂直與上電極面的電場(chǎng)，光源103產(chǎn)生的光束Sl與光入射面的夾角為布儒斯特角Θ，光束Sl 在進(jìn)入電光晶體后發(fā)生折射得到折射光S2,由于光入射面和上電極面之間的夾角為布儒斯 特角，且光束Sl與光入射面之間的夾角為布儒斯特角，因此，折射光S2的傳輸方向與上電極 面平行，進(jìn)而使得折射光S2的傳輸方向與上電極面和下電極面之間的電場(chǎng)方向垂直，滿足 了橫向電光調(diào)制的條件。
[0028] 在折射光S2到達(dá)光出射面時(shí)，大部分的折射光S2從光出射面射出，形成出射光S3， 該出射光S3與入射光Sl平行，少部分的折射光S2在光出射面發(fā)生反射形成反射光S4,由于 折射光S2與光出射面之間的夾角為布儒斯特角，該布儒斯特角不是直角，因此，該反射光S4 不會(huì)被再次反射至光入射面，進(jìn)而避免了光束在光入射面和光出射面之間來回反射，進(jìn)而 有效減少了剩余幅度調(diào)制;進(jìn)一步的，在圖1所示的電光相位調(diào)制系統(tǒng)中，無需在電光晶體 的光入射面和光出射面上鍍光透膜，節(jié)省了加工成本。
[0029] 本發(fā)明實(shí)施例提供的電光相位調(diào)制系統(tǒng)，包括：電光晶體、射頻電路以及光源，電 光晶體的光入射面與光出射面平行，電光晶體的上電極面與下電極面平行，光入射面與光 出射面位于上電極面與下電極面之間，且光入射面與上電極面之間的夾角為布儒斯特角， 射頻電路的兩個(gè)電極分別與上電極面和下電極面連接，用于向上電極面和下電極面發(fā)送射 頻信號(hào)，以使上電極面和下電極面之間形成電場(chǎng)方向垂直與上電極面的電場(chǎng)，光源位于光 入射面一側(cè)，光源產(chǎn)生的光束與光入射面的夾角為布儒斯特角;在該電光相位調(diào)制系統(tǒng)中， 由于光束進(jìn)入到電光晶體時(shí)的入射角為布儒斯特角，且光入射面與上電極面之間的夾角為 布儒斯特角，因此，進(jìn)入到電光晶體的折射光與電光晶體的上電極面平行，使得折射光的方 向與電光晶體中的電場(chǎng)的方向垂直，滿足了橫向電光調(diào)制的條件，進(jìn)一步的，電光晶體中的 折射光與光出射面之間夾角為布儒斯特角(非直角），因此，在光出射面發(fā)生反射的少量光 束不會(huì)反射到光入射面，避免了光束在光入射面和光出射面之間來回反射，進(jìn)而有效減少 了剩余幅度調(diào)制。
[0030] 在圖1所示實(shí)施例的基礎(chǔ)上，為了便于用戶對(duì)光源產(chǎn)生的光束與光入射面之間的 夾角的調(diào)節(jié)，還可以在電光相位調(diào)制系統(tǒng)中增設(shè)角度檢測(cè)裝置，具體的，請(qǐng)參見圖3所示的 實(shí)施例。
[0031] 圖3為本發(fā)明提供的電光相位調(diào)制系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)示意圖二，在圖1所示實(shí)施例的基礎(chǔ) 上，請(qǐng)參照?qǐng)D3,該系統(tǒng)還可以包括角度檢測(cè)裝置104,其中，
[0032] 角度檢測(cè)裝置104用于檢測(cè)光源產(chǎn)生的光束與光入射面之間的夾角，并顯示該夾 角，以使用戶根據(jù)該夾角以及布儒斯特角對(duì)光源或電光晶體的位置進(jìn)行調(diào)節(jié)。
[0033] 可選的，角度檢測(cè)裝置104可以通過如下可行的實(shí)現(xiàn)方式檢測(cè)光束與光入射面之 間的夾角：將角度檢測(cè)裝置設(shè)置在光源和光入射面之間，并使得角度檢測(cè)裝置與光入射面 平行，角度檢測(cè)裝置檢測(cè)光束與角度檢測(cè)裝置之間的夾角，并確定光束與角度檢測(cè)裝置之 間的夾角為光束與光入射面之間的夾角;可選的，角度檢測(cè)裝置上可以設(shè)置有顯示屏，通過 顯示屏顯示光束與光入射面之間的夾角，進(jìn)一步的，還可以在顯示屏上布儒斯特角的大小， 以使用戶更加方便的根據(jù)光束與光入射面之間的夾角、以及布儒斯特角對(duì)光源或電光晶體 的位置進(jìn)行調(diào)節(jié)，使得光源產(chǎn)生的光束與光入射面之間的夾角為布儒斯特角；需要說明的 是，角度檢測(cè)裝置中用于穿設(shè)光束的區(qū)域可以為透鏡，不對(duì)光束的特性造成影響。
[0034] 進(jìn)一步的，該電光相位調(diào)制系統(tǒng)還可以包括偏振片105，偏振片105位于光源103與 電光晶體101之間，用于將光源發(fā)出的光束調(diào)整成為偏振光，可選的，可以將偏振片105設(shè)置 在光源103和角度檢測(cè)裝置104之間，也可以將偏振片105設(shè)置在角度檢測(cè)裝置104和光入射 面之間。
[0035] 光源產(chǎn)生的光束通過偏振片后，將光束調(diào)整成為線偏振光，下面，結(jié)合圖4所示的 先偏振光在電光晶體中的傳輸過程，對(duì)圖3實(shí)施例所示的電光相位調(diào)制系統(tǒng)進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0036] 圖4為本發(fā)明提供的光束傳輸過程示意圖二，其中，圖4中的電光晶體與圖3中的電 光晶體一樣，為了便于描述，圖4中的電光晶體以平面圖表示。
[0037] 光源103產(chǎn)生的光束經(jīng)過偏振片105后被調(diào)整成為線偏振光束，線偏振光束經(jīng)過角 度檢測(cè)裝置104,角度檢測(cè)裝置104檢測(cè)并顯示線偏振光束與光入射面之間的夾角，用戶可 以根據(jù)該系統(tǒng)的布儒斯特角以及角度檢測(cè)裝置104檢測(cè)得到的夾角，對(duì)電光晶體101或者光 源103的位置進(jìn)行調(diào)節(jié)，直至線偏振光束與光入射面之間的夾角為布儒斯特角。
[0038] 假設(shè)經(jīng)過角度檢測(cè)裝置104的線偏振光為Al，線偏振光Al可以分解為兩束偏振相 互垂直的線偏振光：平行于上電極面的線偏振光和垂直于上電極面的線偏振光，當(dāng)線偏振 光Al以布儒斯特角為入射角入射到光入射面時(shí)，垂直于上電極面的線偏振光全部進(jìn)入到電 光晶體得到折射光A3,且折射光A3與電光晶體的上電極面平行，折射光A3在到達(dá)光出射面 時(shí)，大部分光束從光出射面射出得到出射光A5，出射光A5與入射光Al平行，少部分光束在光 出射面發(fā)生反射得到反射光A6,該反射光A6不會(huì)直接反射到光入射面;平行于上電極面的 線偏振光大部分在光入射面發(fā)生發(fā)射得到反射光A2,平行于上電極面的線偏振光少部分進(jìn) 入到電光晶體得到折射光A4,且折射光A4與電光晶體的上電極面不平行，折射光A4在到達(dá) 光出射面時(shí)，大部分光束從光出射面射出得到出射光A7，少部分光束在光出射面發(fā)生反射 得到反射光A8，該反射光A8不會(huì)直接反射到光入射面，由上可知，在光出射面發(fā)生發(fā)射的光 束均不會(huì)直接反射至光入射面，避免了光束在光入射面和光出射面之間來回反射，進(jìn)而有 效減少了剩余幅度調(diào)制。
[0039] 在上述過程中，由于電光晶體對(duì)不同偏振光的折射率不一樣，當(dāng)垂直于上電極面 的線偏振光在電光晶體內(nèi)部傳輸，與上電極面平行時(shí)，平行于上電極面的線偏振光在電光 晶體內(nèi)部傳輸時(shí)，與上電極面不平行，這樣可以將垂直于上電極面的線偏振光與平行于上 電極面的線偏振光在空間上分離，有效抑制了不需要的偏振光對(duì)需要的偏振光的影響，也 就抑制了由于晶體雙折射引起的剩余幅度調(diào)制；同時(shí)，垂直于上電極面的線偏振光(需要的 偏振光)可以無損耗的通過電光晶體，平行于上電極面的線偏振光(不需要的偏振光)大部 分被反射，這也對(duì)抑制晶體雙折射引起的剩余幅度調(diào)制起到了作用。
[0040] 在實(shí)際應(yīng)用過程中，優(yōu)選的，上電極面和下電極面正對(duì)的部分鍍有導(dǎo)電膜，以使在 上電極面和下電極面之間形成的電場(chǎng)方向垂直與上電極面的電場(chǎng)。
[0041] 下面，結(jié)合圖5所示實(shí)施例，以電光晶體為鈮酸鋰晶體為例，對(duì)電光相位調(diào)制系統(tǒng) 減少剩余幅度調(diào)制的過程進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0042] 圖5為本發(fā)明提供的檢測(cè)剩余幅度調(diào)制的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)示意圖，具體的，請(qǐng)參見圖5。 [0043]假設(shè)該系統(tǒng)中的電光晶體為鈮酸鋰晶體，該鈮酸鋰晶體的長(zhǎng)度為50毫米，鈮酸鋰 晶體的高度(上電極面和下電極面之間的高度)d = 5毫米，鈮酸鋰晶體的上電極面和下電極 面正對(duì)的部分的長(zhǎng)度1=45.5毫米，則在上電極面和下電極面正對(duì)的部分鍍有導(dǎo)電膜，假設(shè) 電光晶體的電光系數(shù)Y=31pm/V，假設(shè)激光器產(chǎn)生光束的波長(zhǎng)λ=1550ηπι，電光晶體的折射 率η = 2.21;根據(jù)上述參數(shù)可以得到鈮酸鋰晶體的半波電壓K = ^ = 509/7，在實(shí)際應(yīng)用 η γ? 中，可以在系統(tǒng)中增加一個(gè)升壓電路，以減少射頻電路的輸出電壓，例如，在系統(tǒng)中增加一 個(gè)20倍升壓電路，可以使得射頻電路的輸出電壓減少至25伏特。
[0044]打開射頻電路509，使得射頻電路509在電光晶體503的上電極面和下電極面之間 產(chǎn)生電場(chǎng)，激光器501產(chǎn)生的光束經(jīng)過偏振片502后，得到線偏振光，線偏振光經(jīng)過到電光晶 體503后，再經(jīng)過一個(gè)偏振片504,然后通過透鏡505進(jìn)入探測(cè)器506,探測(cè)器506輸出電壓分 為兩路:一路進(jìn)入頻譜儀507，由頻譜儀507測(cè)剩余幅度調(diào)制的大小，另一路進(jìn)入混頻器508， 混頻器508將得到的電壓信號(hào)和射頻電路509產(chǎn)生的參考信號(hào)混頻后得到剩余幅度調(diào)制的 誤差信號(hào)，并將誤差信號(hào)發(fā)送至FFT分析儀510和數(shù)字電壓表511，由FFT分析儀510和數(shù)字電 壓表511測(cè)剩余幅度調(diào)制誤差信號(hào)的穩(wěn)定度。
[0045] 通過頻譜儀測(cè)量得到的剩余幅度調(diào)制約為1.3Χ10-5,比常用的電光調(diào)制器所產(chǎn) 生的剩余幅度調(diào)制（1〇_ 3)降低了兩個(gè)數(shù)量級(jí)。
[0046] 通過FFT分析儀和數(shù)字電壓表測(cè)剩余幅度調(diào)制的穩(wěn)定度如下:剩余幅度調(diào)制的1秒 穩(wěn)定降低了 8倍，10秒穩(wěn)定度降低了 50倍;FFT分析儀測(cè)得的功率噪聲譜密度在IHz處，上述 系統(tǒng)相比常用的電光調(diào)制器降低了 30倍。
[0047] 最后應(yīng)說明的是：以上各實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制;盡 管參照前述各實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解:其依 然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分或者全部技術(shù)特征進(jìn) 行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù) 方案的范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種電光相位調(diào)制系統(tǒng)，其特征在于，包括:電光晶體、射頻電路以及光源，其中， 所述電光晶體的光入射面與光出射面平行，所述電光晶體的上電極面與下電極面平 行，所述光入射面與所述光出射面位于所述上電極面與所述下電極面之間，且所述光入射 面與所述上電極面之間的夾角為布儒斯特角； 所述射頻電路的兩個(gè)電極分別與所述上電極面和所述下電極面連接，用于向所述上電 極面和所述下電極面發(fā)送射頻信號(hào)，以使所述上電極面和所述下電極面之間形成電場(chǎng)方向 垂直與所述上電極面的電場(chǎng)； 所述光源位于所述光入射面一側(cè)，所述光源產(chǎn)生的光束與所述光入射面的夾角為布儒 斯特角。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述電光晶體的第一橫截面與第二橫截面 平行，所述第一橫截面和所述第二橫截面位于所述上電極面與所述下電極面之間、以及所 述光入射面和所述光出射面之間，所述第一橫截面與所述上電極面垂直，所述第一橫截面 與所述光入射面垂直。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述系統(tǒng)還包括偏振片，所述偏振片位于 所述光源與所述電光晶體之間，用于將所述光源發(fā)出的光束調(diào)整成為偏振光。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其特征在于，還包括角度檢測(cè)裝置，所述角度檢測(cè)裝置 用于檢測(cè)所述光源產(chǎn)生的光束與所述光入射面之間的夾角，并顯示所述夾角，以使用戶根 據(jù)所述夾角以及所述布儒斯特角對(duì)所述光源或所述電光晶體的位置進(jìn)行調(diào)節(jié)。5. 根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述上電極面和所述下電極面正 對(duì)的部分鍍有導(dǎo)電膜，以使在所述上電極面和所述下電極面之間形成的電場(chǎng)方向垂直與所 述上電極面的電場(chǎng)。6. 根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述光源為激光器。7. 根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述電光晶體為鈮酸鋰晶體、摻 鎂鈮酸鋰晶體、磷酸鈦氧鉀晶體中的一種。
【文檔編號(hào)】G02F1/03GK105940340SQ201680000566
【公開日】2016年9月14日
【申請(qǐng)日】2016年1月11日
【發(fā)明人】姜海峰, 邰朝陽, 張顏艷, 張龍, 閆露露, 趙文宇, 張首剛
【申請(qǐng)人】中國(guó)科學(xué)院國(guó)家授時(shí)中心