陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路及液晶顯示面板的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供一種陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路以及液晶顯示面板，陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路包括至少一個(gè)電容器，電容器包括：多晶硅層；柵極絕緣層，置于多晶硅層上；第一金屬電極，置于柵極絕緣層上；第一介質(zhì)層，置于第一金屬電極上；第二金屬電極，置于第一介質(zhì)層上，第二金屬電極通過(guò)第一過(guò)孔與多晶硅層連接；第二介質(zhì)層，置于第二金屬電極上；第三金屬電極，置于第二介質(zhì)層上，第三金屬電極通過(guò)第二過(guò)孔與第一金屬電極連接。本發(fā)明的陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路中的電容器所占面積較小，使得陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路所占空間變小，從而使得液晶顯示面板的邊框更窄。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路及液晶顯不面板
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示領(lǐng)域，特別是涉及一種陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路及液晶顯示面板。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著液晶顯示技術(shù)的快速發(fā)展，人們對(duì)液晶顯示面板的要求逐漸趨于窄邊框化，這就使得非顯示區(qū)域內(nèi)的電路結(jié)構(gòu)所占空間越來(lái)越小，如何合理化設(shè)計(jì)電路以及排布成為一大問(wèn)題。陣列基板行驅(qū)動(dòng)(Gate Driver on Array，簡(jiǎn)稱(chēng)GOA)技術(shù)由于其可以將柵極驅(qū)動(dòng)電路直接制作在陣列基板上，可以大大節(jié)省空間，同時(shí)也降低了制作成本，因而GOA技術(shù)被廣泛應(yīng)用于液晶顯示器中。
[0003]但是，在GOA電路中，一般至少會(huì)設(shè)置一個(gè)自舉電容器，為了可以起到保持柵極信號(hào)點(diǎn)的電位以及拉高柵極信號(hào)點(diǎn)的電位的作用，往往自舉電容器的電容較大，這就使其正對(duì)面積比較大，導(dǎo)致整個(gè)GOA電路占用空間較大，進(jìn)而使得液晶顯示面板的邊框較寬。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于提供一種陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路及液晶顯示面板，以解決現(xiàn)有技術(shù)中因自舉電容器所占空間較大而引起液晶顯示面板的邊框較寬等問(wèn)題。
[0005]本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路，其應(yīng)用在液晶顯示面板中，其包括至少一個(gè)電容器，所述電容器包括:
[0006]多晶硅層；
[0007]柵極絕緣層，置于所述多晶硅層上；
[0008]第一金屬電極，置于所述柵極絕緣層上，且與所述液晶顯示面板中的掃描線處于同一層；
[0009]第一介質(zhì)層，置于所述第一金屬電極上；
[0010]第二金屬電極，置于所述第一介質(zhì)層上，且與所述液晶顯示面板中的數(shù)據(jù)線處于同一層，所述第二金屬電極與所述多晶硅層間設(shè)有至少一個(gè)第一過(guò)孔，所述第二金屬電極通過(guò)所述第一過(guò)孔與所述多晶硅層連接；
[0011 ]第二介質(zhì)層，置于所述第二金屬電極上；
[0012]第三金屬電極，置于所述第二介質(zhì)層上，所述第三金屬電極與所述第一金屬電極間設(shè)置至少一個(gè)第二過(guò)孔，所述第三金屬電極通過(guò)所述第二過(guò)孔與所述第一金屬電極連接；
[0013]其中，所述柵極絕緣層用于絕緣隔離所述多晶硅層與第一金屬電極，所述第一介質(zhì)層用于絕緣隔離所述第一金屬電極與所述第二金屬電極，所述第二介質(zhì)層用于絕緣隔離所述第二金屬電極與所述第三金屬電極。
[0014]在本發(fā)明所述的陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路中，所述第三金屬電極為所述液晶顯示面板中的觸控電極。
[0015]在本發(fā)明所述的陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路中，所述第一過(guò)孔貫穿所述柵極絕緣層和所述第一介質(zhì)層。
[0016]在本發(fā)明所述的陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路中，所述電容器還包括金屬過(guò)孔區(qū)，所述金屬過(guò)孔區(qū)與所述第二金屬電極置于同一層，且與所述第二金屬電極絕緣隔開(kāi)。
[0017]在本發(fā)明所述的陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路中，所述第二過(guò)孔包括第一子過(guò)孔和第二子過(guò)孔，其中，所述第一子過(guò)孔貫穿所述第一介質(zhì)層，使得第一金屬電極與所述金屬過(guò)孔區(qū)連接;所述第二子過(guò)孔貫穿所述第二介質(zhì)層，使得所述金屬過(guò)孔區(qū)與所述第三金屬電極連接。
[0018]在本發(fā)明所述的陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路中，所述金屬過(guò)孔區(qū)與所述第二金屬電極采用同一種金屬材質(zhì)。
[0019]在本發(fā)明所述的陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路中，所述柵極絕緣層、第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層的材質(zhì)包括氮化硅或氧化硅。
[0020]在本發(fā)明所述的陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路中，所述電容器還包括緩沖層和基底，其中，所述緩沖層置于所述基底上，所述多晶硅層置于所述緩沖層上。
[0021]在本發(fā)明所述的陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路中，所述多晶硅層為N型低溫多晶硅。
[0022]本發(fā)明還提供一種液晶顯示面板，其包括上述任意一種陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路。
[0023]相較于現(xiàn)有的陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路，本發(fā)明的陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路中，通過(guò)將電容器設(shè)計(jì)成由多晶硅層、第一金屬電極、第二金屬電極和第三金屬電極組成的夾心結(jié)構(gòu)，即形成三個(gè)電容器，在電容器的電容大小相同的情況下，本發(fā)明的電容器的有效正對(duì)面積更小，其所占面積也小，使得陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路中所占空間變小，尤其是，當(dāng)液晶顯示面板為Incell觸摸液晶顯示面板時(shí)，第三金屬電極可以直接采用現(xiàn)有的觸控電極，這樣既可以達(dá)到減少電容器所占空間，同時(shí)也不會(huì)提高液晶顯示面板的制作成本。
[0024]本發(fā)明提供的液晶顯示面板，由于其采用本發(fā)明的陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路，因此相比于現(xiàn)有的液晶顯示面板而言，其邊框更窄。
【附圖說(shuō)明】
[0025]圖1為本發(fā)明陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路中的電容器結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0026]以下各實(shí)施例的說(shuō)明是參考附加的圖式，用以例示本發(fā)明可用以實(shí)施的特定實(shí)施例。本發(fā)明所提到的方向用語(yǔ)，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內(nèi)」、「外」、「?jìng)?cè)面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語(yǔ)是用以說(shuō)明及理解本發(fā)明，而非用以限制本發(fā)明。
[0027]在圖中，結(jié)構(gòu)相似的單元是以相同標(biāo)號(hào)表示。
[0028]陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)用在液晶顯示面板中，其上至少設(shè)有一個(gè)電容器，即自舉電容器，本發(fā)明陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路中的電容器包括:多晶硅層、柵極絕緣層、第一金屬電極、第一介質(zhì)層、第二金屬電極、第二介質(zhì)層和第三金屬電極。
[0029]在該電容器中，在該多晶硅層上設(shè)置該柵極絕緣層，在柵極絕緣層上設(shè)置第一金屬電極，在第一金屬電極上設(shè)置第一介質(zhì)層，在第一介質(zhì)層上設(shè)置第二金屬電極，在第二金屬電極上設(shè)置第二介質(zhì)層，在第二介質(zhì)層上設(shè)置第三金屬電極，其中，在該第二金屬電極與多晶硅層之間設(shè)置至少一個(gè)第一過(guò)孔，該第二金屬電極通過(guò)第一過(guò)孔與多晶硅層連接;該第三金屬電極與第一金屬電極間設(shè)置至少一個(gè)第二過(guò)孔，該第三金屬電極通過(guò)第二過(guò)孔與第一金屬電極連接，從而使得該多晶娃層與第一金屬電極、該第一金屬電極與第二金屬電極、該第二金屬電極與第三金屬電極之間分別形成電容器，即由四個(gè)電極交叉形成夾心電容器，從而在電容值相同的情況下，該電容器的有效正對(duì)面積更小，從而使得該電容器所占用的空間更小。
[0030]可以理解的是，柵極絕緣層用于絕緣隔離多晶硅層與第一金屬電極，第一介質(zhì)層用于絕緣隔離第一金屬電極與第二金屬電極，第二介質(zhì)層用于絕緣隔離第二金屬電極與第三金屬電極，柵極絕緣層、第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層可以采用氮化硅或者氧化硅等絕緣材料。
[0031]在本優(yōu)選實(shí)施例中，在制作該電容器時(shí)，可以與液晶顯示面板中陣列基板一起制作，在此情況下，該第一金屬電極與液晶顯示面板中的掃描線處于同一層，該第二金屬電極與液晶顯示面板中的數(shù)據(jù)線處于同一層。當(dāng)然，在其他的實(shí)施例中，也可以單獨(dú)制作該電容器，即單獨(dú)在陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路中的相應(yīng)位置上制作該電容器，在此不做具體限制。
[0032]在本優(yōu)選實(shí)施例提供的陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路中，電容器采用由四個(gè)電極形成的夾心電容器結(jié)構(gòu)，即形成三個(gè)電容器，使得在所需電容值不變的情況下，該電容器的有效正對(duì)面積更小，從而使得該電容器所占空間更小，進(jìn)而降低陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路所占空間，從而使得應(yīng)用該陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路的液晶顯示面板的邊框更窄，滿足客戶(hù)的需求。
[0033]請(qǐng)參照?qǐng)D1，圖1為本發(fā)明陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路中的電容器結(jié)構(gòu)示意圖。陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)用在液晶顯示面板中，其至少設(shè)有一個(gè)電容器，即自舉電容器，本發(fā)明陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路中的電容器包括:基底、緩沖層10、多晶硅層20、柵極絕緣層30、第一金屬電極40、第一介質(zhì)層50、第二金屬電極60、第二介質(zhì)層70、第三金屬電極80、金屬過(guò)孔區(qū)90、以及至少一個(gè)第一過(guò)孔101和至少一個(gè)第二過(guò)孔102，其中第二過(guò)孔102包括第一子過(guò)孔1021和第二子過(guò)孔1022。
[0034]基底為玻璃基底，其未在圖中示出。緩沖層10置于基底上；多晶硅層20置于緩沖層10上，其中多晶硅層20為N型低溫多晶硅，當(dāng)然在其他實(shí)施例中也可以采用P型低溫多晶硅或非晶硅等，在此不做具體限制。柵極絕緣層30置于多晶硅層20上;第一金屬電極40置于柵極絕緣層30上;第一介質(zhì)層50置于第一金屬電極40上；第二金屬電極60置于第一介質(zhì)層50上;第二介質(zhì)層70置于第二金屬電極60上;第三金屬電極80置于第二介質(zhì)層70上。
[0035]在第二金屬電極60與多晶硅層20之間設(shè)置至少一個(gè)第一過(guò)孔101，為了避免產(chǎn)生干擾，一般第一金屬電極40靠近第一過(guò)孔101的一側(cè)并不與第二金屬電極60對(duì)齊，如圖1所示，在第一過(guò)孔101—側(cè)，緩沖層10、多晶硅層20、柵極絕緣層30、第一介質(zhì)層50以及第二金屬電極60均從第一金屬電極40的一端突出，在標(biāo)記為501的位置處可以填充與第一介質(zhì)層50相同的材料，使得標(biāo)記501的位置與第一介質(zhì)層50成為一體，從而使得第一過(guò)孔101貫穿于柵極絕緣層30和第一介質(zhì)層50，通過(guò)在第一過(guò)孔101內(nèi)注入金屬材料或其他導(dǎo)電材料，使得多晶硅層20與第二金屬電極60連接。當(dāng)然，在其他的實(shí)施例中，標(biāo)記為501的位置處也可以填充與第一介質(zhì)層50不相同的材料，或者不填充材料，在此不做具體限制。另外，第一金屬電極40靠近第一過(guò)孔101的一側(cè)也可以與第二金屬電極60對(duì)齊，此時(shí)第一過(guò)孔101將貫穿于柵極絕緣層30、第一金屬電極40以及第一介質(zhì)層50，此時(shí)第一過(guò)孔101內(nèi)壁需涂覆絕緣材料，避免第一過(guò)孔101內(nèi)的金屬材料與第一金屬電極40相接觸，當(dāng)然也可以為其他結(jié)構(gòu)，在此不做具體限制。
[0036]在第三金屬電極80與第一金屬電極40間設(shè)置至少一個(gè)第二過(guò)孔102，為了避免產(chǎn)生干擾，一般第二金屬電極60和多晶娃層20中靠近第二過(guò)孔102的一側(cè)并不與第三金屬電極80、第二介質(zhì)層70、第一介質(zhì)層50、第一金屬電極40、柵極絕緣層30對(duì)齊，如圖1中所示，在靠近第二過(guò)孔102的一側(cè)，第三金屬電極80、第二介質(zhì)層70、第一介質(zhì)層50、第一金屬電極40、柵極絕緣層30均從多晶硅層20和第二金屬電極60的一端突出。
[0037]金屬過(guò)孔區(qū)90設(shè)置在第一介質(zhì)層50上，即與第二金屬電極60處于同一層，且與第二金屬電極60絕緣隔開(kāi)，其中金屬過(guò)孔區(qū)90采用與第二金屬電極60相同的金屬材料，當(dāng)然在其他實(shí)施例中，金屬過(guò)孔區(qū)90也可以采用其他金屬材料，在此不做具體限制。
[0038]在第一金屬電極40與金屬過(guò)孔區(qū)90之間設(shè)置第一子過(guò)孔1021，第一子過(guò)孔1021貫穿于第一介質(zhì)層50，在第一子過(guò)孔1021內(nèi)注入金屬材料或其他導(dǎo)電材料，使得第一金屬電極40與金屬過(guò)孔區(qū)90連接。在第三金屬電極80與金屬過(guò)孔區(qū)90之間設(shè)置第二子過(guò)孔1022，第二子過(guò)孔1022貫穿于第二介質(zhì)層70，在第二子過(guò)孔1022內(nèi)注入金屬材料或其他導(dǎo)電材料，使得第三金屬電極80與金屬過(guò)孔區(qū)90連接，即第三金屬電極80與第一金屬電極40通過(guò)第二過(guò)孔102連接。
[0039]可以理解的是，柵極絕緣層30用于絕緣隔離多晶硅層20與第一金屬電極40，第一介質(zhì)層50用于絕緣隔離第一金屬電極40與第二金屬電極60，第二介質(zhì)層70用于絕緣隔離第二金屬電極60與第三金屬電極80，柵極絕緣層30、第一介質(zhì)層50和第二介質(zhì)層70可以采用氮化硅或者氧化硅等絕緣材料。
[0040]請(qǐng)參見(jiàn)圖1中的虛線框，虛線框內(nèi)的部分為該電容器的有效電極部分，在該電容器中，多晶娃層20與第一金屬電極40、第一金屬電極40與第二金屬電極60、第二金屬電極60與第三金屬電極80之間分別形成電容器，即由四個(gè)電極交叉形成夾心電容器結(jié)構(gòu)，從而在電容值相同的情況下，該電容器的有效正對(duì)面積更小，從而使得該電容器所占用的空間更小。
[0041]在圖1中標(biāo)記為301的位置處填充有與柵極絕緣層30相同的材料，從而與柵極絕緣層30形成一體，當(dāng)然，在其他實(shí)施例中也可以填充與柵極絕緣層30不相同的材料，在此不做具體限制。
[0042]在本優(yōu)選實(shí)施例中，陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)用于Incell觸控液晶顯示面板中，為了進(jìn)一步減少陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路所占空間以及降低制作成本，第三金屬電極80為該液晶顯示面板中的觸控電極，這樣，第三金屬電極80既可以充當(dāng)觸控電極，也可以充當(dāng)陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路中自舉電容器的一個(gè)電極，當(dāng)然，在其他的實(shí)施例中，第三金屬電極80也可以為單獨(dú)鋪設(shè)的一層，即其不為液晶顯示面板中的觸控電極，其僅僅作為自舉電容器的一個(gè)電極，在此不做具體限制。
[0043]在本優(yōu)選實(shí)施例中，在制作該電容器時(shí)，可以與液晶顯示面板中陣列基板一起制作，在此情況下，該第一金屬電極40與液晶顯示面板中的掃描線處于同一層，該第二金屬電極60與液晶顯示面板中的數(shù)據(jù)線處于同一層。當(dāng)然，在其他的實(shí)施例中，也可以單獨(dú)制作該電容器，即單獨(dú)在陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路中的相應(yīng)位置上制作該電容器，在此不做具體限制。
[0044]在本優(yōu)選實(shí)施例提供的陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路中，電容器采用由多晶硅層、第一金屬電極、第二金屬電極以及第三金屬電極形成的夾心電容器結(jié)構(gòu)，即形成三個(gè)電容器，使得在所需電容值不變的情況下，該電容器的有效正對(duì)面積更小，從而使得該電容器所占空間大大減小，從而降低陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路所占空間，使得應(yīng)用該陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路的液晶顯示面板的邊框更窄，滿足客戶(hù)的需求。
[0045]同時(shí)，當(dāng)該陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)用在Incell觸控液晶顯示面板中時(shí)，第三金屬電極為觸控電極，即其既可以充當(dāng)觸控電極，也可以作為陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路中電容器的一個(gè)電極，既實(shí)現(xiàn)減少陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路所占的空間，同時(shí)也不增加制作成本。
[0046]本發(fā)明還提供一種液晶顯示面板，其采用本發(fā)明的陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路，由于本發(fā)明的陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路所占用的空間較小，因此本發(fā)明的液晶顯示面板的邊框會(huì)更窄，尤其對(duì)于Incell觸控液晶顯示面板而言，其中的觸控電極既可以起到觸控電極的作用，又可以充當(dāng)陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路中自舉電容器的一個(gè)電極，充分利用液晶顯示面板中的現(xiàn)有結(jié)構(gòu)，在降低液晶顯示面板邊框?qū)挾鹊那闆r下，不會(huì)增加液晶顯示面板的制作成本。
[0047]綜上所述，雖然本發(fā)明已以?xún)?yōu)選實(shí)施例揭露如上，但上述優(yōu)選實(shí)施例并非用以限制本發(fā)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求界定的范圍為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路，其應(yīng)用在液晶顯示面板中，其特征在于，包括至少一個(gè)電容器，所述電容器包括: 多晶娃層； 柵極絕緣層，置于所述多晶硅層上； 第一金屬電極，置于所述柵極絕緣層上，且與所述液晶顯示面板中的掃描線處于同一層； 第一介質(zhì)層，置于所述第一金屬電極上； 第二金屬電極，置于所述第一介質(zhì)層上，且與所述液晶顯示面板中的數(shù)據(jù)線處于同一層，所述第二金屬電極與所述多晶硅層間設(shè)有至少一個(gè)第一過(guò)孔，所述第二金屬電極通過(guò)所述第一過(guò)孔與所述多晶硅層連接； 第二介質(zhì)層，置于所述第二金屬電極上； 第三金屬電極，置于所述第二介質(zhì)層上，所述第三金屬電極與所述第一金屬電極間設(shè)置至少一個(gè)第二過(guò)孔，所述第三金屬電極通過(guò)所述第二過(guò)孔與所述第一金屬電極連接； 其中，所述柵極絕緣層用于絕緣隔離所述多晶硅層與第一金屬電極，所述第一介質(zhì)層用于絕緣隔離所述第一金屬電極與所述第二金屬電極，所述第二介質(zhì)層用于絕緣隔離所述第二金屬電極與所述第三金屬電極。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述第三金屬電極為所述液晶顯示面板中的觸控電極。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述第一過(guò)孔貫穿所述柵極絕緣層和所述第一介質(zhì)層。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述電容器還包括金屬過(guò)孔區(qū)，所述金屬過(guò)孔區(qū)與所述第二金屬電極置于同一層，且與所述第二金屬電極絕緣隔開(kāi)。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述第二過(guò)孔包括第一子過(guò)孔和第二子過(guò)孔，其中，所述第一子過(guò)孔貫穿所述第一介質(zhì)層，使得第一金屬電極與所述金屬過(guò)孔區(qū)連接;所述第二子過(guò)孔貫穿所述第二介質(zhì)層，使得所述金屬過(guò)孔區(qū)與所述第三金屬電極連接。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述金屬過(guò)孔區(qū)與所述第二金屬電極采用同一種金屬材質(zhì)。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述柵極絕緣層、第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層的材質(zhì)包括氮化硅或氧化硅。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述電容器還包括緩沖層和基底，其中，所述緩沖層置于所述基底上，所述多晶硅層置于所述緩沖層上。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述多晶硅層為N型低溫多晶娃。10.—種液晶顯示面板，其特征在于，包括權(quán)利要求1至9中任意一種陣列基板行驅(qū)動(dòng)電路。
【文檔編號(hào)】G02F1/1362GK105954912SQ201610570600
【公開(kāi)日】2016年9月21日
【申請(qǐng)日】2016年7月19日
【發(fā)明人】洪光輝, 龔強(qiáng)
【申請(qǐng)人】武漢華星光電技術(shù)有限公司