一種基板及其制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)了一種基板及其制作方法。所述基板包括至少一個(gè)待形成顯示基板的圖形區(qū)域，每一所述圖形區(qū)域外圍的設(shè)定區(qū)域設(shè)置有第一防靜電結(jié)構(gòu)，用于釋放靜電，增加了靜電釋放的路徑，由于所述圖形區(qū)域外圍具有大面積的空白區(qū)域，能夠形成大面積的所述防靜電結(jié)構(gòu)，快速釋放靜電，有效保證產(chǎn)品的質(zhì)量和良率。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
一種基板及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種基板及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在液晶顯示器件的制作過(guò)程中，特別是對(duì)盒前的摩擦配向，均會(huì)產(chǎn)生和積累大面積的靜電，如果不及時(shí)釋放靜電，靜電擊傷會(huì)造成顯示不良。
[0003]為了釋放靜電，在陣列基板的顯示區(qū)域一般設(shè)置靜電環(huán)來(lái)釋放靜電。但是，顯示區(qū)域外圍的非顯示區(qū)域，卻沒(méi)有設(shè)置靜電保護(hù)電路，在受到靜電擊傷后也會(huì)造成顯示不良。而彩膜基板上也暫無(wú)靜電保護(hù)電路，無(wú)法及時(shí)釋放靜電。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明提供一種基板及其制作方法，用以解決如何有效釋放基板制作過(guò)程中產(chǎn)生的靜電的問(wèn)題。
[0005]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例中提供一種基板，所述基板包括至少一個(gè)待形成顯示基板的圖形區(qū)域，每一所述圖形區(qū)域外圍的設(shè)定區(qū)域設(shè)置有第一防靜電結(jié)構(gòu)。
[0006]如上所述的基板，優(yōu)選的是，所述基板還包括位于每一圖形區(qū)域外圍的空白區(qū)域，所述設(shè)定區(qū)域位于所述空白區(qū)域的外圍。
[0007]如上所述的基板，優(yōu)選的是，所述設(shè)定區(qū)域設(shè)置有多個(gè)所述第一防靜電結(jié)構(gòu)。
[0008]如上所述的基板，優(yōu)選的是，所述第一防靜電結(jié)構(gòu)為閉合的導(dǎo)電圖形，或所述第一防靜電結(jié)構(gòu)具有至少一個(gè)用于放電的尖端。
[0009]如上所述的基板，優(yōu)選的是，所述圖形區(qū)域包括取向膜圖形。
[0010]如上所述的基板，優(yōu)選的是，所述待形成顯示基板為薄膜晶體管陣列基板，所述第一防靜電結(jié)構(gòu)由透明導(dǎo)電層、柵金屬層、源漏金屬層中的其中一層、任意兩個(gè)的復(fù)合層或三個(gè)的復(fù)合層制得。
[0011]如上所述的基板，優(yōu)選的是，所述待形成顯示基板為彩膜基板。
[0012]如上所述的基板，優(yōu)選的是，每一所述圖形區(qū)域包括顯示區(qū)域和位于顯示區(qū)域外圍的非顯示區(qū)域，所述非顯示區(qū)域包括密封區(qū)域，每一所述圖形區(qū)域設(shè)置有位于密封區(qū)域和顯示區(qū)域之間的第二防靜電結(jié)構(gòu)，所述第二防靜電結(jié)構(gòu)與所述第一防靜電結(jié)構(gòu)電連接。
[0013]本發(fā)明實(shí)施例中還提供一種如上所述的基板的制作方法，所述基板包括至少一個(gè)待形成顯示基板的圖形區(qū)域，所述制作方法包括:
[0014]在每一所述圖形區(qū)域外圍的設(shè)定區(qū)域形成第一防靜電結(jié)構(gòu)。
[0015]如上所述的制作方法，優(yōu)選的是，所述制作方法還包括:
[0016]在每一所述圖形區(qū)域形成取向膜圖形，并對(duì)取向膜摩擦取向；
[0017]具體在對(duì)所述取向膜摩擦取向之前，在每一所述圖形區(qū)域外圍的設(shè)定區(qū)域形成所述第一防靜電結(jié)構(gòu)，所述第一防靜電結(jié)構(gòu)用于釋放在對(duì)取向膜摩擦取向時(shí)產(chǎn)生的靜電。
[0018]如上所述的制作方法，優(yōu)選的是，所述待形成顯示基板為薄膜晶體管陣列基板；
[0019]通過(guò)對(duì)透明導(dǎo)電層、柵金屬層和源漏金屬層中的其中一層、任意兩個(gè)的復(fù)合層或三個(gè)的復(fù)合層進(jìn)行構(gòu)圖工藝，形成所述第一防靜電結(jié)構(gòu)。
[0020]如上所述的制作方法，優(yōu)選的是，所述待形成顯示基板為彩膜基板；
[0021]通過(guò)對(duì)透明導(dǎo)電層進(jìn)行構(gòu)圖工藝，形成所述第一防靜電結(jié)構(gòu)。
[0022]如上所述的制作方法，優(yōu)選的是，所述制作方法還包括:
[0023 ]在對(duì)取向膜進(jìn)行摩擦取向時(shí)，還通過(guò)靜電中和方法來(lái)中和靜電電荷。
[0024]如上所述的制作方法，優(yōu)選的是，每一所述圖形區(qū)域包括顯示區(qū)域和位于顯示區(qū)域外圍的非顯示區(qū)域，所述非顯示區(qū)域包括密封區(qū)域，所述制作方法還包括:
[0025]在每一所述圖形區(qū)域的密封區(qū)域和顯示區(qū)域之間形成第二防靜電結(jié)構(gòu)，所述第二防靜電結(jié)構(gòu)與所述第一防靜電結(jié)構(gòu)電連接。
[0026]本發(fā)明的上述技術(shù)方案的有益效果如下:
[0027]上述技術(shù)方案中，在制作顯示基板時(shí)，在顯示基板的圖形區(qū)域外圍形成防靜電結(jié)構(gòu)，增加了靜電釋放的路徑，由于所述圖形區(qū)域外圍具有大面積的空白區(qū)域，能夠形成大面積的所述防靜電結(jié)構(gòu)，快速釋放靜電，有效保證產(chǎn)品的質(zhì)量和良率。
【附圖說(shuō)明】
[0028]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0029]圖1表不本發(fā)明實(shí)施例中基板的結(jié)構(gòu)不意圖一；
[0030]圖2表不本發(fā)明實(shí)施例中基板的結(jié)構(gòu)不意圖一.；
[0031 ]圖3表示本發(fā)明實(shí)施例中基板的每一圖形區(qū)域的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032]圖4表示本發(fā)明實(shí)施例中基板的制作方法流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0033]下面將結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說(shuō)明本發(fā)明，但不用來(lái)限制本發(fā)明的范圍。
[0034]在顯示器件的實(shí)際生產(chǎn)過(guò)程中，會(huì)在一塊基板上同時(shí)制作多個(gè)顯示基板的圖形，并在對(duì)盒工藝后，進(jìn)行切割，形成多個(gè)獨(dú)立的顯示面板。所述顯示基板可以為液晶顯示基板，也可以為OLED顯示基板，具體可以為陣列基板，也可以為彩膜基板或封裝基板，陣列基板與彩膜基板(或封裝基板)對(duì)盒形成顯示面板。
[0035]結(jié)合圖1和圖2所示，為了有效釋放制作工藝中產(chǎn)生的靜電，本實(shí)施例中提供一種基板，所述基板包括至少一個(gè)待形成顯示基板的圖形區(qū)域100，每一圖形區(qū)域100外圍的設(shè)定區(qū)域200設(shè)置有第一防靜電結(jié)構(gòu)I，用于釋放靜電，增加了靜電釋放的路徑。由于圖形區(qū)域100的外圍具有大面積的空白區(qū)域，能夠設(shè)置大面積的第一防靜電結(jié)構(gòu)1，快速釋放靜電，有效保證產(chǎn)品的質(zhì)量和良率。
[0036]其中，第一防靜電結(jié)構(gòu)I可以為閉合的導(dǎo)電圖形，或具有至少一個(gè)用于放電的尖端，都能夠釋放靜電，起到靜電保護(hù)的作用。當(dāng)然，第一防靜電結(jié)構(gòu)I的結(jié)構(gòu)并不局限于此，還可以為其他能夠釋放靜電的結(jié)構(gòu)。
[0037]本實(shí)施例的第一防靜電結(jié)構(gòu)I為閉合的導(dǎo)電圖形，具體可以為閉合的導(dǎo)電環(huán)，設(shè)定區(qū)域200內(nèi)設(shè)置多個(gè)閉合的導(dǎo)電環(huán)，如圖1所示。第一防靜電結(jié)構(gòu)I也可以為覆蓋整個(gè)設(shè)定區(qū)域200的導(dǎo)電層圖形，面積很大，釋放靜電的效果更好，如圖2所示。第一防靜電結(jié)構(gòu)I的材料可以選擇金屬或其他導(dǎo)電材料。
[0038]對(duì)于液晶顯示器件，為了使液晶分子正確取向，還需要形成取向膜，所述取向膜經(jīng)過(guò)摩擦取向后，表面會(huì)形成取向溝槽，為液晶分子提供一定的預(yù)傾角。所述取向膜暴露在顯示基板的最外側(cè)，在對(duì)盒工藝后，注入液晶，所述取向膜與液晶分子接觸設(shè)置，對(duì)液晶分子進(jìn)行取向。在摩擦取向工藝中會(huì)產(chǎn)生大量的靜電，而本實(shí)施例中，摩擦輥輪在摩擦取向時(shí)會(huì)接觸到外圍的第一防靜電結(jié)構(gòu)I，第一防靜電結(jié)構(gòu)I能夠快速釋放在對(duì)取向膜摩擦取向時(shí)產(chǎn)生的靜電，使顯不基板的內(nèi)部少受摩?祭靜電的影響，提尚廣品良率。
[0039]本實(shí)施例中，如圖3所示，在圖形區(qū)域100還設(shè)置有第二防靜電結(jié)構(gòu)2，用于釋放在顯示基板的制作工藝中產(chǎn)生的靜電。第二防靜電結(jié)構(gòu)2可以為閉合的導(dǎo)電圖形，或具有至少一個(gè)用于放電的尖端，或其他能夠釋放靜電的結(jié)構(gòu)?？蛇x的，將第二防靜電結(jié)構(gòu)2與第一防靜電結(jié)構(gòu)I電連接，增加顯示面板內(nèi)部產(chǎn)生的靜電的釋放路徑，使第一防靜電結(jié)構(gòu)I起到更好的靜電保護(hù)作用。第二防靜電結(jié)構(gòu)2通常設(shè)置在顯示基板的密封區(qū)域103和顯示區(qū)域101之間。密封區(qū)域103位于非顯示區(qū)域102，對(duì)盒工藝中會(huì)在該區(qū)域形成密封材料，實(shí)現(xiàn)密封對(duì)合
ΙΤΓΤ.0
[0040]為了便于后續(xù)切割工藝的對(duì)位，設(shè)計(jì)所述基板還包括位于每一圖形區(qū)域100外圍的空白區(qū)域300，設(shè)定區(qū)域200位于空白區(qū)域300的外圍，從而在對(duì)所述基板進(jìn)行切割，形成獨(dú)立的顯示面板時(shí)，能夠快速對(duì)位，結(jié)合圖1和圖2所示。而在切割之前，設(shè)定區(qū)域200設(shè)置的多個(gè)第一防靜電結(jié)構(gòu)I都能夠用于釋放靜電，實(shí)現(xiàn)靜電保護(hù)的作用。
[0041]當(dāng)本實(shí)施例中的待形成顯示基板為薄膜晶體管陣列基板時(shí)，圖形區(qū)域100包括薄膜晶體管陣列基板的各膜層圖形，如:像素電極、柵線、數(shù)據(jù)線，以及薄膜晶體管的柵電極、源電極和漏電極。第一防靜電結(jié)構(gòu)I可以由透明導(dǎo)電層、柵金屬層、源漏金屬層中的其中一層、任意兩個(gè)的復(fù)合層或三個(gè)的復(fù)合層制得，其中，所述透明導(dǎo)電層還用于形成像素電極，所述柵金屬層還用于形成柵電極、柵金屬等，所述源漏金屬層還用于形成源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線等，從而在薄膜晶體管陣列基板的制作工藝中同時(shí)形成第一防靜電結(jié)構(gòu)1，不需要增加單獨(dú)的制作工藝，降低生產(chǎn)成本。而且在制作取向膜之前即制作完成第一防靜電結(jié)構(gòu)I，在對(duì)取向膜進(jìn)行摩擦取向時(shí)，第一防靜電結(jié)構(gòu)I能夠快速釋放摩擦產(chǎn)生的靜電。進(jìn)一步地，如圖3所示，圖形區(qū)域100包括顯示區(qū)域101和非顯示區(qū)域102，以及位于非顯示區(qū)域102的密封區(qū)域103，在密封區(qū)域103和顯示區(qū)域101之間設(shè)置第二防靜電結(jié)構(gòu)2，第二防靜電結(jié)構(gòu)2用于釋放薄膜晶體管陣列基板的制作工藝中產(chǎn)生的靜電。優(yōu)選地，在形成顯示區(qū)域101的某一導(dǎo)電層圖形時(shí)，例如:柵金屬層圖形，利用所述某一導(dǎo)電層在顯示區(qū)域101和密封區(qū)域103之間形成第二防靜電結(jié)構(gòu)2，簡(jiǎn)化制作工藝，降低生產(chǎn)成本。在形成第二防靜電結(jié)構(gòu)2后，第二防靜電結(jié)構(gòu)2就能夠釋放后續(xù)制作工藝中產(chǎn)生的靜電，防止靜電損壞顯示基板的內(nèi)部，提高產(chǎn)品良率。
[0042]本實(shí)施例中的待形成顯示基板也可以為彩膜基板或封裝基板，第一防靜電結(jié)構(gòu)I可以釋放彩膜基板或封裝基板的制作工藝中產(chǎn)生的靜電，尤其是在對(duì)彩膜基板的取向膜進(jìn)行摩擦取向時(shí)產(chǎn)生的靜電，防止在對(duì)盒后，將靜電引入顯示面板內(nèi)部，造成損壞，克服了彩膜基板或封裝基板上沒(méi)有防靜電結(jié)構(gòu)，無(wú)法釋放制作工藝中產(chǎn)生的靜電的問(wèn)題。進(jìn)一步地，當(dāng)彩膜基板上形成有公共電極時(shí)，第一防靜電結(jié)構(gòu)I可以與所述公共電極由同一透明導(dǎo)電層制得，簡(jiǎn)化制作工藝。
[0043]結(jié)合圖1和圖2所示，本實(shí)施例中所述基板具體包括:
[0044]至少一個(gè)待形成顯示基板的圖形區(qū)域100，每一圖形區(qū)域100的外圍具有空白區(qū)域300，在除圖形區(qū)域100和空白區(qū)域300的其他區(qū)域200設(shè)置有大面積的第一防靜電結(jié)構(gòu)1，第一防靜電結(jié)構(gòu)I為閉合的導(dǎo)電圖形；
[0045]每一圖形區(qū)域100包括顯示區(qū)域101和非顯示區(qū)域102，以及位于非顯示區(qū)域102的密封區(qū)域103，在密封區(qū)域103和顯示區(qū)域101之間設(shè)置有第二防靜電結(jié)構(gòu)2，第二防靜電結(jié)構(gòu)2為閉合的導(dǎo)電圖形，第二防靜電結(jié)構(gòu)2和第一防靜電結(jié)構(gòu)I電連接；
[0046]每一圖形區(qū)域100包括取向膜(圖中未示出)，在對(duì)取向膜摩擦取向時(shí)，第一防靜電結(jié)構(gòu)I用于釋放摩擦靜電。
[0047]至于圖形區(qū)域100的其他膜層圖形，取決于所述待形成顯示基板的類(lèi)型，如:陣列基板、彩膜基板，請(qǐng)參照現(xiàn)有技術(shù)，在此不再詳述。
[0048]基于同一發(fā)明構(gòu)思，如圖4所示，本實(shí)施例中還提供一種如上所述的基板的制作方法，所述基板包括至少一個(gè)待形成顯示基板的圖形區(qū)域，所述制作方法包括:
[0049]在每一所述圖形區(qū)域外圍的設(shè)定區(qū)域形成第一防靜電結(jié)構(gòu)。
[0050]通過(guò)上述制作方法形成的第一防靜電結(jié)構(gòu)，增加了靜電釋放的路徑。同時(shí)，由于能夠形成大面積的第一防靜電結(jié)構(gòu)，快速釋放靜電，有效保證產(chǎn)品的質(zhì)量和良率。
[0051]當(dāng)所述待形成顯示基板為液晶顯示基板時(shí)，如圖4所示，所述制作方法還包括:
[0052]在每一所述圖形區(qū)域形成取向膜圖形，并對(duì)取向膜摩擦取向。
[0053]在對(duì)取向膜摩擦取向時(shí)會(huì)產(chǎn)生大面積的靜電，如果不能快速、有效得釋放靜電，會(huì)對(duì)顯示基板內(nèi)部造成嚴(yán)重?fù)p壞。為了解決該技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)施例中具體在對(duì)所述取向膜摩擦取向之前，在每一所述圖形區(qū)域外圍的設(shè)定區(qū)域形成所述第一防靜電結(jié)構(gòu)。由于所述圖形區(qū)域的外圍具有大面積的空白區(qū)域，能夠形成大面積的所述第一防靜電結(jié)構(gòu)，在對(duì)取向膜摩擦取向時(shí)，摩擦輥輪與所述第一防靜電結(jié)構(gòu)接觸，所述第一防靜電結(jié)構(gòu)能夠有效釋放摩擦取向時(shí)產(chǎn)生的靜電。
[0054]由于對(duì)取向膜摩擦取向時(shí)會(huì)產(chǎn)生大量的靜電，為了增加靜電的釋放路徑，所述制作方法還包括:
[0055]在對(duì)取向膜進(jìn)行摩擦取向時(shí)，還通過(guò)靜電中和方法來(lái)中和靜電電荷。
[0056]需要說(shuō)明的是，靜電中和法是利用空氣中的帶電離子來(lái)中和物體表面的靜電電荷的方法，具體可以利用離子風(fēng)機(jī)或X射線向空氣中散發(fā)帶電粒子的設(shè)備，以有效地中和物體表面的靜電電荷，或提供濕度較高的空氣環(huán)境(>30 % Rh)也具有靜電中和的作用。
[0057]本實(shí)施例中在所述圖形區(qū)域還形成第二防靜電結(jié)構(gòu)，用于釋放在待形成顯示基板的制作工藝中產(chǎn)生的靜電?？蛇x的，將所述第二防靜電結(jié)構(gòu)與第一防靜電結(jié)構(gòu)電連接，增加顯示面板內(nèi)部產(chǎn)生的靜電的釋放路徑，使所述第一防靜電結(jié)構(gòu)起到更好的靜電保護(hù)作用。通常在顯示基板的密封區(qū)域和顯示區(qū)域之間形成所述第二防靜電結(jié)構(gòu)。所述密封區(qū)域位于非顯示區(qū)域，對(duì)盒工藝中會(huì)在該區(qū)域形成密封材料，實(shí)現(xiàn)密封對(duì)盒。
[0058]當(dāng)本實(shí)施例中的所述待形成顯示基板為薄膜晶體管陣列基板時(shí)，所述制作方法還包括:在所述圖形區(qū)域形成薄膜晶體管陣列基板的各膜層圖形，如:像素電極、柵線、數(shù)據(jù)線，以及薄膜晶體管的柵電極、源電極和漏電極?？蛇x的，通過(guò)對(duì)透明導(dǎo)電層、柵金屬層和源漏金屬層中的其中一層、任意兩個(gè)的復(fù)合層或三個(gè)的復(fù)合層進(jìn)行構(gòu)圖工藝，形成所述第一防靜電結(jié)構(gòu)。其中，對(duì)所述透明導(dǎo)電層進(jìn)行的構(gòu)圖工藝還用于形成像素電極，對(duì)所述柵金屬層進(jìn)行的構(gòu)圖工藝還用于形成柵電極、柵金屬等，對(duì)所述源漏金屬層進(jìn)行的構(gòu)圖工藝還用于形成源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線等，從而在薄膜晶體管陣列基板的制作工藝中同時(shí)形成所述第一防靜電結(jié)構(gòu)，不需要增加單獨(dú)的制作工藝，降低生產(chǎn)成本。而且在制作取向膜之前即制作完成所述第一防靜電結(jié)構(gòu)，在對(duì)取向膜進(jìn)行摩擦取向時(shí)，所述第一防靜電結(jié)構(gòu)能夠快速釋放摩擦產(chǎn)生的靜電。進(jìn)一步地，所述制作方法還包括:
[0059]在密封區(qū)域和顯示區(qū)域之間形成第二防靜電結(jié)構(gòu)。
[0060]通過(guò)上述步驟形成所述第二防靜電結(jié)構(gòu)后，所述第二防靜電結(jié)構(gòu)能夠釋放后續(xù)制作工藝中產(chǎn)生的靜電，防止靜電損壞顯示基板的內(nèi)部，提高產(chǎn)品良率。其中，在制作薄膜晶體管陣列基板的工藝中，所述第二防靜電結(jié)構(gòu)由最先形成的導(dǎo)電層形成，例如:柵金屬層。所述第二防靜電結(jié)構(gòu)與柵線和柵電極同層形成，簡(jiǎn)化制作工藝，降低生產(chǎn)成本。
[0061 ]本實(shí)施例中所述基板的制作方法具體包括:
[0062]在所述基板上除圖形區(qū)域100和空白區(qū)域300的其他區(qū)域200形成大面積的閉合的導(dǎo)電圖形，由所述閉合的導(dǎo)電圖形形成第一防靜電結(jié)構(gòu)I，結(jié)合圖1和圖2所示；
[0063]在每一圖形區(qū)域100的密封區(qū)域103和顯示區(qū)域101之間形成閉合的導(dǎo)電圖形，由閉合的導(dǎo)電圖形形成第二防靜電結(jié)構(gòu)2，第二防靜電結(jié)構(gòu)2和第一防靜電結(jié)構(gòu)I電連接，如圖3所示；
[0064]在每一圖形區(qū)域100形成取向膜(圖中未示出)，在對(duì)取向膜摩擦取向時(shí)，第一防靜電結(jié)構(gòu)I用于釋放摩擦靜電。
[0065]至于圖形區(qū)域100的其他膜層圖形的制作工藝，取決于所述待形成顯示基板的類(lèi)型，如:陣列基板、彩膜基板，請(qǐng)參照現(xiàn)有技術(shù)，在此不再詳述。
[0066]以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和替換，這些改進(jìn)和替換也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種基板，所述基板包括至少一個(gè)待形成顯示基板的圖形區(qū)域，其特征在于，每一所述圖形區(qū)域外圍的設(shè)定區(qū)域設(shè)置有第一防靜電結(jié)構(gòu)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板，其特征在于，所述基板還包括位于每一圖形區(qū)域外圍的空白區(qū)域，所述設(shè)定區(qū)域位于所述空白區(qū)域的外圍。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板，其特征在于，所述設(shè)定區(qū)域設(shè)置有多個(gè)所述第一防靜電結(jié)構(gòu)。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板，其特征在于，所述第一防靜電結(jié)構(gòu)為閉合的導(dǎo)電圖形，或所述第一防靜電結(jié)構(gòu)具有至少一個(gè)用于放電的尖端。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板，其特征在于，所述圖形區(qū)域包括取向膜圖形。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基板，其特征在于，所述待形成顯示基板為薄膜晶體管陣列基板，所述第一防靜電結(jié)構(gòu)由透明導(dǎo)電層、柵金屬層、源漏金屬層中的其中一層、任意兩個(gè)的復(fù)合層或三個(gè)的復(fù)合層制得。7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基板，其特征在于，所述待形成顯示基板為彩膜基板，所述第一防靜電結(jié)構(gòu)由透明導(dǎo)電層制得。8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的基板，其特征在于，每一所述圖形區(qū)域包括顯示區(qū)域和位于顯示區(qū)域外圍的非顯示區(qū)域，所述非顯示區(qū)域包括密封區(qū)域，每一所述圖形區(qū)域設(shè)置有位于密封區(qū)域和顯示區(qū)域之間的第二防靜電結(jié)構(gòu)，所述第二防靜電結(jié)構(gòu)與所述第一防靜電結(jié)構(gòu)電連接。9.一種權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的基板的制作方法，所述基板包括至少一個(gè)待形成顯示基板的圖形區(qū)域，其特征在于，所述制作方法包括: 在每一所述圖形區(qū)域外圍的設(shè)定區(qū)域形成第一防靜電結(jié)構(gòu)。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法還包括: 在每一所述圖形區(qū)域形成取向膜圖形，并對(duì)取向膜摩擦取向； 具體在對(duì)所述取向膜摩擦取向之前，在每一所述圖形區(qū)域外圍的設(shè)定區(qū)域形成所述第一防靜電結(jié)構(gòu)，所述第一防靜電結(jié)構(gòu)用于釋放在對(duì)取向膜摩擦取向時(shí)產(chǎn)生的靜電。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述待形成顯示基板為薄膜晶體管陣列基板； 通過(guò)對(duì)透明導(dǎo)電層、柵金屬層和源漏金屬層中的其中一層、任意兩個(gè)的復(fù)合層或三個(gè)的復(fù)合層進(jìn)行構(gòu)圖工藝，形成所述第一防靜電結(jié)構(gòu)。12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述待形成顯示基板為彩膜基板； 通過(guò)對(duì)透明導(dǎo)電層進(jìn)行構(gòu)圖工藝，形成所述第一防靜電結(jié)構(gòu)。13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法還包括: 在對(duì)取向膜進(jìn)行摩擦取向時(shí)，通過(guò)靜電中和方法來(lái)中和靜電電荷。14.根據(jù)權(quán)利要求9-13任一項(xiàng)所述的制作方法，其特征在于，每一所述圖形區(qū)域包括顯示區(qū)域和位于顯示區(qū)域外圍的非顯示區(qū)域，所述非顯示區(qū)域包括密封區(qū)域，所述制作方法還包括: 在每一所述圖形區(qū)域的密封區(qū)域和顯示區(qū)域之間形成第二防靜電結(jié)構(gòu)，所述第二防靜電結(jié)構(gòu)與所述第一防靜電結(jié)構(gòu)電連接。
【文檔編號(hào)】G02F1/13GK105974617SQ201610292570
【公開(kāi)日】2016年9月28日
【申請(qǐng)日】2016年5月5日
【發(fā)明人】劉利萍, 董春壘
【申請(qǐng)人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 合肥鑫晟光電科技有限公司