一種陣列基板、顯示面板、顯示裝置及驅(qū)動(dòng)方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種陣列基板、顯示面板、顯示裝置及驅(qū)動(dòng)方法，所述陣列基板包括襯底基板以及設(shè)置于所述襯底基板上的多條柵線、多條數(shù)據(jù)線和位于由所述多條柵線和多條數(shù)據(jù)線限定的區(qū)域中的多個(gè)亞像素單元，所述亞像素單元包括第一亞像素單元和第二亞像素單元，所述第一亞像素單和所述第二亞像素單元在行方向和列方向上均交替設(shè)置，每一所述亞像素單元均包括薄膜晶體管、像素電極和公共電極，所述第一亞像素單元中，公共電極位于像素電極的遠(yuǎn)離襯底基板的一側(cè)，所述第二亞像素單元中，公共電極位于像素電極的靠近襯底基板的一側(cè)。采用本發(fā)明的上述結(jié)構(gòu)之后，使用面反轉(zhuǎn)的驅(qū)動(dòng)方式，可達(dá)到點(diǎn)反轉(zhuǎn)的顯示效果。
【專利說明】
一種陣列基板、顯示面板、顯示裝置及驅(qū)動(dòng)方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板、顯示面板、顯示裝置及驅(qū)動(dòng)方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著液晶顯示面板的發(fā)展，對(duì)液晶顯示面板的要求也越來越高，如高分辨率，低功耗，高畫質(zhì)等。但在眾多要求中往往存在相互制約的情況，以驅(qū)動(dòng)方式來說，現(xiàn)有液晶顯示面板主要的驅(qū)動(dòng)方式有面反轉(zhuǎn)(請(qǐng)參考圖1)，列反轉(zhuǎn)(請(qǐng)參考圖2)和點(diǎn)反轉(zhuǎn)(請(qǐng)參考圖3)，其中，采用點(diǎn)反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)方式的液晶顯示面板，在帶來高畫質(zhì)的同時(shí)也帶來了高功耗，而采用面反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)方式的液晶顯示面板，雖然其功耗最低，但同時(shí)也帶來顯示畫質(zhì)的不足。采用列反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)方式在一定程度上可以很好的滿足功耗和畫質(zhì)的需要，因而，現(xiàn)在的液晶顯示面板通常采用列反轉(zhuǎn)的驅(qū)動(dòng)方式。
[0003]除此之外，也可以通過不同的像素結(jié)構(gòu)來滿足功耗和畫質(zhì)的雙重需要，如“Z”反轉(zhuǎn)的像素結(jié)構(gòu)(請(qǐng)參考圖4)，圖4中，101為柵線，102數(shù)據(jù)線，103為公共電極線，104為TFT(薄膜晶體管)器件，105為像素電極，106為公共電極，107為用于連接公共電極106和公共電極線103的過孔。該種像素結(jié)構(gòu)可以在列反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)方式的情況下達(dá)到點(diǎn)反轉(zhuǎn)的顯示效果。然而從圖4中可以看出，該像素結(jié)構(gòu)中同一列亞像素單元中，相鄰的兩個(gè)亞像素單元的薄膜晶體管104分別位于數(shù)據(jù)線102的兩側(cè)，該種結(jié)構(gòu)對(duì)各膜層對(duì)位精度要求很高，否則會(huì)導(dǎo)致相鄰兩行薄膜晶體管104的寄生電容等會(huì)存在差異。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]有鑒于此，本發(fā)明提供一種陣列基板、顯示面板、顯示裝置及驅(qū)動(dòng)方法，能夠在使用面反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)方式的情況下達(dá)到點(diǎn)反轉(zhuǎn)的顯示效果。
[0005]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種陣列基板，包括襯底基板以及設(shè)置于所述襯底基板上的多條柵線、多條數(shù)據(jù)線和位于由所述多條柵線和多條數(shù)據(jù)線限定的區(qū)域中的多個(gè)亞像素單元，所述亞像素單元包括第一亞像素單元和第二亞像素單元，所述第一亞像素單和所述第二亞像素單元在行方向和列方向上均交替設(shè)置，每一所述亞像素單元均包括薄膜晶體管、像素電極和公共電極，所述第一亞像素單元中，公共電極位于像素電極的遠(yuǎn)離襯底基板的一側(cè)，所述第二亞像素單元中，公共電極位于像素電極的靠近襯底基板的一側(cè)。
[0006]優(yōu)選地，位于同一列的亞像素單元的薄膜晶體管均與同一數(shù)據(jù)線連接，且位于所述數(shù)據(jù)線的同一側(cè)。
[0007]優(yōu)選地，還包括多條公共電極線，所述公共電極線與所述柵線同層同材料設(shè)置，所述第一亞像素單元中的公共電極通過第一過孔與所述公共電極線連接，所述第二亞像素單元中的公共電極通過第二過孔與所述公共電極線連接。
[0008]優(yōu)選地，位于同一行的亞像素單元的公共電極與同一公共電極線連接。
[0009]優(yōu)選地，所述陣列基板包括:
[0010]襯底基板；
[0011]同層同材料設(shè)置的柵電極、柵線和公共電極線；
[0012]柵極絕緣層；
[0013]有源層；
[0014]同層同材料設(shè)置的源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線；
[0015]第一透明電極層，所述第一透明電極層包括所述第一亞像素單元的像素電極和所述第二亞像素單元的公共電極，其中，像素電極與漏電極連接，公共電極通過貫穿所述柵極絕緣層的第二過孔與所述公共電極線連接；
[0016]絕緣層；
[0017]第二透明電極層，所述第二透明電極層包括所述第一亞像素單元的公共電極和所述第二亞像素單元的像素電極，其中，像素電極與漏電極連接，公共電極通過貫穿所述絕緣層和柵極絕緣層的第一過孔與所述公共電極線連接。
[0018]本發(fā)明還提供一種顯示面板，包括上述陣列基板。
[0019]本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括上述顯示面板。
[0020]本發(fā)明還提供一種顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，用于驅(qū)動(dòng)上述顯示裝置;所述方法包括:[0021 ]采用面反轉(zhuǎn)的驅(qū)動(dòng)方式驅(qū)動(dòng)所述顯示面板。
[0022]本發(fā)明的上述技術(shù)方案的有益效果如下:
[0023]本發(fā)明實(shí)施例中，相鄰的亞像素單元采用不同的像素結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，TopCom和TopPixel交替出現(xiàn)，采用上述結(jié)構(gòu)后，使用面反轉(zhuǎn)的驅(qū)動(dòng)方式，可達(dá)到點(diǎn)反轉(zhuǎn)的顯示效果，從而達(dá)到功耗低，顯示畫質(zhì)佳的目的。
【附圖說明】
[0024]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的面反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)方式示意圖；
[0025]圖2為現(xiàn)有技術(shù)中的列反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)方式示意圖；
[0026]圖3為現(xiàn)有技術(shù)中的點(diǎn)反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)方式示意圖；
[0027]圖4為現(xiàn)有技術(shù)中的“Z”反轉(zhuǎn)的像素結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖5為本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖6為本發(fā)明實(shí)施例的第一過孔的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖7為本發(fā)明實(shí)施例的第二過孔的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031 ]圖8為本發(fā)明實(shí)施例的第三過孔的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032]附圖標(biāo)記說明:
[0033]現(xiàn)有技術(shù):101柵線；102數(shù)據(jù)線；103公共電極線；104薄膜晶體管；105像素電極；106公共電極；107過孔；
[0034]本發(fā)明:501柵線；502數(shù)據(jù)線；503公共電極線；504薄膜晶體管；505像素電極;506公共電極;507第一過孔;508第二過孔;509第三過孔;510柵絕緣層;511中間絕緣層;601第一亞像素單元;602第二亞像素單元。
【具體實(shí)施方式】
[0035]為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；谒枋龅谋景l(fā)明的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0036]除非另作定義，此處使用的技術(shù)術(shù)語或者科學(xué)術(shù)語應(yīng)當(dāng)為本發(fā)明所屬領(lǐng)域內(nèi)具有一般技能的人士所理解的通常意義。本發(fā)明專利申請(qǐng)說明書以及權(quán)利要求書中使用的“第一”、“第二”以及類似的詞語并不表示任何順序、數(shù)量或者重要性，而只是用來區(qū)分不同的組成部分。同樣，“一個(gè)”或者“一”等類似詞語也不表示數(shù)量限制，而是表示存在至少一個(gè)?！斑B接”或者“相連”等類似的詞語并非限定于物理的或者機(jī)械的連接，而是可以包括電性的連接，不管是直接的還是間接的?！吧稀薄ⅰ跋隆?、“左”、“右”等僅用于表示相對(duì)位置關(guān)系，當(dāng)被描述對(duì)象的絕對(duì)位置改變后，則該相對(duì)位置關(guān)系也相應(yīng)地改變。
[0037]請(qǐng)參考圖5，圖5為本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，該陣列基板包括襯底基板(圖為示出)以及設(shè)置于所述襯底基板上的多條柵線501、多條數(shù)據(jù)線502和位于由所述多條柵線501和多條數(shù)據(jù)線502限定的區(qū)域中的多個(gè)亞像素單元，所述亞像素單元包括第一亞像素單元601和第二亞像素單元602，所述第一亞像素單601和所述第二亞像素單元602在行方向和列方向上均交替設(shè)置，每一所述亞像素單元均包括薄膜晶體管504、像素電極505和公共電極506，所述第一亞像素單元601中，公共電極506位于像素電極505的遠(yuǎn)離襯底基板的一側(cè)，所述第二亞像素單元602中，公共電極506位于像素電極505的靠近襯底基板的一側(cè)。
[0038]現(xiàn)有的像素結(jié)構(gòu)中，一種是采用TopCom設(shè)計(jì)，即公共電極位于像素電極的遠(yuǎn)離襯底基板的一側(cè)(以從下到上的工藝形成的次序來說，公共電極位于像素電極的上方)，另一種是采用Top Pixel設(shè)計(jì)，即公共電極位于像素電極的靠近襯底基板的一側(cè)(以從下到上的工藝形成的次序來說，公共電極位于像素電極的下方)。
[0039]而，本發(fā)明實(shí)施例中，相鄰的亞像素單元采用不同的像素結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，TopCom(第一亞像素單元601)和Top Pixel(第二亞像素單元602)交替出現(xiàn)。由于相鄰的亞像素單元中的公共電極和像素電極上下位置互換，因而，相鄰的亞像素單元中形成的電場(chǎng)方向也是相反的，如一個(gè)亞像素單元中的電場(chǎng)是由像素電極指向公共電極，而相鄰的亞像素單元中的電場(chǎng)則是由公共電極指向像素電極，從而相鄰的兩亞像素單元的極性可會(huì)相反，因而，采用上述結(jié)構(gòu)后，便可使用面反轉(zhuǎn)的驅(qū)動(dòng)方式，達(dá)到點(diǎn)反轉(zhuǎn)的顯示效果，從而達(dá)到功耗低，顯示畫質(zhì)佳的目的。
[0040]請(qǐng)?jiān)俅螀⒖紙D5，從圖5中可以看出，位于同一列的亞像素單元的薄膜晶體管504均與同一數(shù)據(jù)線502連接，且位于所述數(shù)據(jù)線502的同一側(cè)(圖5中薄膜晶體管504均位于對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線502的右側(cè))。該種結(jié)構(gòu)對(duì)各膜層對(duì)位精度要求不高，因而可降低制作工藝難度，避免了現(xiàn)有的“Z”反轉(zhuǎn)的像素結(jié)構(gòu)的不足。
[0041]請(qǐng)參考圖5，本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板還包括多條公共電極線503，所述公共電極線503與所述柵線501同層同材料設(shè)置，所述第一亞像素單元601中的公共電極506通過第一過孔507與所述公共電極線503連接，所述第二亞像素單元602中的公共電極506通過第二過孔508與所述公共電極線503連接，所述第一過孔507的孔深大于所述第二過孔508的孔深。[0042 ]請(qǐng)參考圖5，優(yōu)選地，本發(fā)明實(shí)施例中，位于同一行的亞像素單元的公共電極506與同一公共電極線503連接。
[0043]請(qǐng)參考圖6和圖7，圖6是本發(fā)明實(shí)施例的第一過孔的結(jié)構(gòu)示意圖，所述第一過孔507用于連接公共電極線503與所述第一亞像素單元601中的公共電極506，其中，公共電極線503和公共電極506之間還包括柵絕緣層510和中間絕緣層511，第一過孔507貫穿柵絕緣層510和中間絕緣層511。圖7是本發(fā)明實(shí)施例的第二過孔的結(jié)構(gòu)示意圖，所述第二過孔507用于連接公共電極線503與所述第二亞像素單元602中的公共電極506，其中，公共電極線503和公共電極506之間還包括柵絕緣層510，第二過孔508貫穿柵絕緣層510。
[0044]請(qǐng)參考圖5和圖8，本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板還包括第三過孔509，其中，第三過孔509是用于連接第二亞像素單元602中的像素電極505和薄膜晶體管504的漏極，所述第三過孔509貫穿位于像素電極505和薄膜晶體管504的漏極之間的中間絕緣層511。
[0045]本發(fā)明實(shí)施例中，第一亞像素單元601中的像素電極505可以直接搭接在薄膜晶體管504的漏極上，因而，可不需要過孔連接。
[0046]在一具體實(shí)施例中，本發(fā)明的陣列基板包括:
[0047]襯底基板；
[0048]同層同材料設(shè)置的柵電極、柵線和公共電極線；
[0049]柵極絕緣層；
[0050]有源層；
[0051]同層同材料設(shè)置的源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線；
[0052]第一透明電極層，所述第一透明電極層包括所述第一亞像素單元的像素電極和所述第二亞像素單元的公共電極，其中，所述第一亞像素單元的像素電極與漏電極連接，所述第二亞像素單元的公共電極通過貫穿所述柵極絕緣層的第二過孔與所述公共電極線連接；
[0053]絕緣層；
[0054]第二透明電極層，所述第二透明電極層包括所述第一亞像素單元的公共電極和所述第二亞像素單元的像素電極，其中，所述第二亞像素單元的像素電極與漏電極連接，所述第一亞像素單元的公共電極通過貫穿所述絕緣層和柵極絕緣層的第一過孔與所述公共電極線連接。
[0055]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示面板，包括上述任一實(shí)施例中的陣列基板。
[0056]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示裝置，包括上述顯示面板。
[0057]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，用于驅(qū)動(dòng)上述顯示裝置;所述方法包括:采用面反轉(zhuǎn)的驅(qū)動(dòng)方式驅(qū)動(dòng)所述顯示面板。
[0058]以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下，還可以作出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種陣列基板，其特征在于，包括襯底基板以及設(shè)置于所述襯底基板上的多條柵線、多條數(shù)據(jù)線和位于由所述多條柵線和多條數(shù)據(jù)線限定的區(qū)域中的多個(gè)亞像素單元，所述亞像素單元包括第一亞像素單元和第二亞像素單元，所述第一亞像素單和所述第二亞像素單元在行方向和列方向上均交替設(shè)置，每一所述亞像素單元均包括薄膜晶體管、像素電極和公共電極，所述第一亞像素單元中，公共電極位于像素電極的遠(yuǎn)離襯底基板的一側(cè)，所述第二亞像素單元中，公共電極位于像素電極的靠近襯底基板的一側(cè)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，位于同一列的亞像素單元的薄膜晶體管均與同一數(shù)據(jù)線連接，且位于所述數(shù)據(jù)線的同一側(cè)。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括多條公共電極線，所述公共電極線與所述柵線同層同材料設(shè)置，所述第一亞像素單元中的公共電極通過第一過孔與所述公共電極線連接，所述第二亞像素單元中的公共電極通過第二過孔與所述公共電極線連接。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，位于同一行的亞像素單元的公共電極與同一公共電極線連接。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，包括: 襯底基板； 同層同材料設(shè)置的柵電極、柵線和公共電極線； 柵極絕緣層； 有源層； 同層同材料設(shè)置的源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線； 第一透明電極層，所述第一透明電極層包括所述第一亞像素單元的像素電極和所述第二亞像素單元的公共電極，其中，像素電極與漏電極連接，公共電極通過貫穿所述柵極絕緣層的第二過孔與所述公共電極線連接； 絕緣層； 第二透明電極層，所述第二透明電極層包括所述第一亞像素單元的公共電極和所述第二亞像素單元的像素電極，其中，像素電極與漏電極連接，公共電極通過貫穿所述絕緣層和柵極絕緣層的第一過孔與所述公共電極線連接。6.—種顯示面板，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的陣列基板。7.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求6所述的顯示面板。8.—種顯示裝置的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，用于驅(qū)動(dòng)如權(quán)利要求7所述的顯示裝置;所述方法包括: 采用面反轉(zhuǎn)的驅(qū)動(dòng)方式驅(qū)動(dòng)所述顯示面板。
【文檔編號(hào)】G02F1/1343GK105974693SQ201610601660
【公開日】2016年9月28日
【申請(qǐng)日】2016年7月27日
【發(fā)明人】陳傳寶, 郭遠(yuǎn)輝, 李潤(rùn)復(fù)
【申請(qǐng)人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 合肥京東方光電科技有限公司