一種壓印板、檢測方法及檢測裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種壓印板、檢測方法及檢測裝置。其中壓印板包括：第一區(qū)域和位于該第一區(qū)域周邊的第二區(qū)域；所述第一區(qū)域上設(shè)置有第一壓印結(jié)構(gòu)，用于將目標(biāo)基板產(chǎn)品區(qū)上的基材壓印成第一膜層圖形；所述第二區(qū)域設(shè)置有第二壓印結(jié)構(gòu)，用于將目標(biāo)基板產(chǎn)品區(qū)周邊的基材壓印成第二膜層圖形，所述第二膜層圖形用于評估所述第一膜層圖形的壓印質(zhì)量。本發(fā)明的方案可以通過檢測第二膜層圖形，來進(jìn)一步評估出第一膜層圖形的壓印質(zhì)量。由于該第二膜層圖形不作為基板的產(chǎn)品圖形，因此測量過程中，即便對第二膜層圖形造成損傷也不會影響到基板產(chǎn)品質(zhì)量，特別適用于評估納米級別的超精細(xì)壓印圖形。
【專利說明】
一種壓印板、檢測方法及檢測裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及壓印技術(shù)，特別是涉及一種壓印板、檢測方法及檢測裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]半導(dǎo)體業(yè)朝著不斷縮小特征尺寸的方向發(fā)展，隨之而來的技術(shù)進(jìn)步導(dǎo)致了設(shè)備的成本以指數(shù)增長。由于成本的增長，人們對納米壓印光刻這一低成本圖形轉(zhuǎn)移技術(shù)的關(guān)注越來越多。通過避免使用昂貴的光源和投影光學(xué)系統(tǒng)，納米壓印光刻比傳統(tǒng)光刻方法大大降低了成本。
[0003]納米壓印光刻技術(shù)的研究始于普林斯頓大學(xué)納米結(jié)構(gòu)實(shí)驗(yàn)室的StephenY.Chou教授，將一具有納米圖案的模版以機(jī)械力(高溫、高壓)在涂有高分子材料的硅基板上等比例壓印復(fù)制納米圖案，其加工分辨力只與模版圖案的尺寸有關(guān)，而不受光學(xué)光刻的最短曝光波長的物理限制，目前該技術(shù)已經(jīng)可以制作線寬在5nm以下的圖案。由于省去了光學(xué)光刻掩模版和使用光學(xué)成像設(shè)備的成本。因此納米壓印光刻技術(shù)具有低成本、高產(chǎn)出的經(jīng)濟(jì)優(yōu)勢。
[0004]而目前，納米壓印大面積的均勻性成為了該技術(shù)能否大面積推廣的關(guān)鍵性問題，由于圖形尺度的微型化，當(dāng)線寬在納米尺度范圍時，均勻性的監(jiān)控與檢測顯得尤為重要。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的是提供一種針對納米級別的壓印圖形的質(zhì)量檢測方案。
[0006]為實(shí)現(xiàn)上述目的，一方面，本發(fā)明提供一種壓印板，包括:
[0007]第一區(qū)域和位于該第一區(qū)域周邊的第二區(qū)域；
[0008]所述第一區(qū)域上設(shè)置有第一壓印結(jié)構(gòu)，用于將目標(biāo)基板產(chǎn)品區(qū)上的基材壓印成第一膜層圖形；
[0009]所述第二區(qū)域設(shè)置有第二壓印結(jié)構(gòu)，用于將目標(biāo)基板產(chǎn)品區(qū)周邊的基材壓印成第二膜層圖形，所述第二膜層圖形用于評估所述第一膜層圖形的壓印質(zhì)量。
[0010]可選地，所述第一壓印結(jié)構(gòu)具有對應(yīng)所述第一膜層圖形的第一壓印圖形，所述第二壓印結(jié)構(gòu)具有對應(yīng)所述第二膜層圖形的第二壓印圖形；
[0011]所述第一壓印圖形的凹槽深度小于所述第二壓印圖形的凹槽深度。
[0012]可選地，所述第二膜層圖形的壓印圖形的面積大于所述第一壓印結(jié)構(gòu)的壓印圖形的面積。
[0013]可選地，在所述第二壓印圖形的深度方向上，所述第二壓印圖形的橫截面的面積是逐漸變小的。
[0014]可選地，所述第二壓印圖形為錐形。
[0015]另一方面，本發(fā)明還一種壓印質(zhì)量的檢測方法，應(yīng)用于上述壓印板進(jìn)行壓印的目標(biāo)基板，包括:
[0016]測量目標(biāo)基板上的第二膜層圖形的形狀數(shù)據(jù)；
[0017]基于測量到的所述形狀數(shù)據(jù)，確定所述第二膜層圖形的壓印完成度；
[0018]根據(jù)所述第二膜層圖形的壓印完成度，評估所述目標(biāo)基板產(chǎn)品區(qū)的第一膜層圖形的壓印質(zhì)量。
[0019]可選地，所述壓印板的第一壓印結(jié)構(gòu)具有對應(yīng)第一膜層圖形的第一壓印圖形，所述壓印板的第二壓印結(jié)構(gòu)具有對應(yīng)所述第二膜層圖形的第二壓印圖形，所述第一壓印圖形的凹槽深度大于所述第二壓印圖形的凹槽深度；
[0020]所述形狀數(shù)據(jù)為所述第二膜層圖形的高度；
[0021]根據(jù)測量到的所述形狀數(shù)據(jù)確定所述第二膜層圖形的壓印完成度，包括:
[0022]將測量到的所述第二膜層圖形的高度，與所述第二壓印圖形的凹槽深度進(jìn)行比對，確定所述第二膜層圖形的壓印完成度。
[0023]可選地，在所述壓印板的第二壓印圖形的深度方向上，所述第二壓印圖形的橫截面的面積是逐漸變小的；
[0024]所述形狀數(shù)據(jù)為所述第二膜層圖形的頂部的橫截面積；
[0025]根據(jù)測量到的所述形狀數(shù)據(jù)確定所述第二膜層圖形的壓印完成度，包括:
[0026]將測量到的所述第二膜層圖形的頂部的橫截面積，與所述第二壓印圖形的開口面積進(jìn)行比對，確定所述第二膜層圖形的壓印完成度。
[0027]可選地，根據(jù)所述第二膜層圖形的壓印完成度，評估所述目標(biāo)基板產(chǎn)品區(qū)的第一膜層圖形的壓印質(zhì)量，包括:
[0028]若所述第二膜層圖形的壓印完成度達(dá)到目標(biāo)閾值，則確定所述目標(biāo)基板產(chǎn)品區(qū)的第一膜層圖形的壓印質(zhì)量合格，否則確定所述目標(biāo)基板產(chǎn)品區(qū)的第一膜層圖形的壓印質(zhì)量不合格。
[0029]此外，本發(fā)明還提供一種壓印質(zhì)量的檢測裝置，應(yīng)用于使用上述壓印板進(jìn)行壓印的目標(biāo)基板，其特征在于，包括:
[0030]測量模塊，用于測量目標(biāo)基板上的第二膜層圖形的形狀數(shù)據(jù)；
[0031]確定模塊，用于基于測量到的所述形狀數(shù)據(jù)，確定所述第二膜層圖形的壓印完成度；
[0032]評估模塊，用于根據(jù)所述第二膜層圖形的壓印完成度，評估所述目標(biāo)基板產(chǎn)品區(qū)的第一膜層圖形的壓印質(zhì)量。
[0033]可選地，所述壓印板的第一壓印結(jié)構(gòu)具有對應(yīng)第一膜層圖形的第一壓印圖形，所述壓印板的第二壓印結(jié)構(gòu)具有對應(yīng)所述第二膜層圖形的第二壓印圖形，所述第一壓印圖形的凹槽深度大于所述第二壓印圖形的凹槽深度；
[0034]所述形狀數(shù)據(jù)為所述第二膜層圖形的高度；
[0035]所述確定模塊包括:
[0036]第一確定單元，用于將測量到的所述第二膜層圖形的高度，與所述第二壓印圖形的凹槽深度進(jìn)行比對，確定所述第二膜層圖形的壓印完成度。
[0037]可選地，在所述第二壓印圖形的深度方向上，所述第二壓印圖形的橫截面的面積是逐漸變小的；
[0038]所述形狀數(shù)據(jù)為所述第二膜層圖形的頂部的橫截面積；
[0039]所述確定模塊包括:
[0040]第二確定單元，用于將測量到的所述第二膜層圖形的頂部的橫截面積，與所述第二壓印圖形的開口面積進(jìn)行比對，確定所述第二膜層圖形的壓印完成度。
[0041]可選地，所述評估模塊用于，若所述第二膜層圖形的壓印完成度達(dá)到目標(biāo)閾值，則確定所述目標(biāo)基板產(chǎn)品區(qū)的第一膜層圖形的壓印質(zhì)量合格，否則確定所述目標(biāo)基板產(chǎn)品區(qū)的第一膜層圖形的壓印質(zhì)量不合格。
[0042]本發(fā)明的上述方案具有如下有益效果:
[0043]本發(fā)明的方案可以通過檢測第二膜層圖形，來進(jìn)一步評估出第一膜層圖形的壓印質(zhì)量。由于該第二膜層圖形不作為基板的產(chǎn)品圖形，因此測量過程中，即便對第二膜層圖形造成損傷也不會影響到基板產(chǎn)品質(zhì)量，特別適用于評估納米級別的超精細(xì)壓印圖形。
【附圖說明】
[0044]圖1為本發(fā)明的壓印板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0045]圖2為使用圖1所示壓印板對基板進(jìn)行壓印后，在基板形成的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0046]圖3為本發(fā)明的壓印板的詳細(xì)結(jié)構(gòu)圖；
[0047]圖4為使用圖3所示壓印板對基板進(jìn)行壓印的示意圖；
[0048]圖5為使用圖3所示壓印板對基板進(jìn)行壓印后，在基板形成的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0049]圖6為基板的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0050]圖7為本發(fā)明的檢測裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0051]附圖標(biāo)記:
[0052]11-壓印板的第一區(qū)域，12-壓印板的第二區(qū)域，13-第一壓印結(jié)構(gòu)，14-第二壓印結(jié)構(gòu)，21-由第一壓印結(jié)構(gòu)壓印出的第一膜層圖形，22-由第二壓印結(jié)構(gòu)壓印出的第二膜層圖形，23-基板上待壓印的基材;6-基板，61 -產(chǎn)品區(qū)。
【具體實(shí)施方式】
[0053]為使本發(fā)明要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具體實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0054]本發(fā)明針對納米級別的壓印產(chǎn)品，提供一種質(zhì)量檢測的方案。
[0055]一方面，本發(fā)明提供一種壓印板，包括:
[0056]第一區(qū)域11和位于該第一區(qū)域周邊的第二區(qū)域12。
[0057]其中，第一區(qū)域11上設(shè)置有第一壓印結(jié)構(gòu)13，用于將目標(biāo)基板產(chǎn)品區(qū)上的基材壓印成第一膜層圖形;第二區(qū)域12設(shè)置有第二壓印結(jié)構(gòu)14，用于將目標(biāo)基板產(chǎn)品區(qū)周邊的基材壓印成第二膜層圖形。
[0058]作為示例性介紹，針對圖1所示的壓印板結(jié)構(gòu)，最終可以在基板上形成如圖2所示的基板結(jié)構(gòu)。在圖2中，基板包括有產(chǎn)品區(qū)上的第一膜層圖形21和位于產(chǎn)品區(qū)周邊的第二膜層圖形22。
[0059]顯然，基于本實(shí)施例的設(shè)計，第二膜層圖形可以代替第一膜層圖形進(jìn)行檢測，從而避免在測量過程中，損傷到作為基板產(chǎn)品一部分的第一膜層圖形，進(jìn)而提高基板的良品率。
[0060]在實(shí)際應(yīng)用中，如圖1所示，本實(shí)施例的第一壓印結(jié)構(gòu)11具有對應(yīng)第一膜層圖形的第一壓印圖形，第二壓印結(jié)構(gòu)12具有對應(yīng)第二膜層圖形的第二壓印圖形。其中，該第一壓印圖形的凹槽深度要大于第二壓印圖形的凹槽深度，從而保證壓印完成后，圖2中的第二膜層圖形22的高度h2要大于第一膜層圖形21的高度hi。
[0061]可以知道的是，基于上述結(jié)構(gòu)設(shè)計，當(dāng)?shù)诙訄D形22能夠被完整壓印出來，那么第一膜層圖形21也必然能夠被完整的壓印，基于這一特點(diǎn)，在檢測過程中，只要確定出第二壓印圖形22的完整度，即可判出基板上的第一膜層圖形的壓印是否合格。
[0062]下面結(jié)合一個實(shí)現(xiàn)方式對本實(shí)施例的壓印板進(jìn)行介紹。
[0063]參考圖3，在本實(shí)現(xiàn)方式中，壓印板包括第一壓印結(jié)構(gòu)13和第二壓印結(jié)構(gòu)14。第一壓印結(jié)構(gòu)13對應(yīng)基板的產(chǎn)品區(qū)，第二壓印結(jié)構(gòu)14則設(shè)置在產(chǎn)品區(qū)的周邊位置。
[0064]其中，第二壓印結(jié)構(gòu)14所對應(yīng)的第二壓印圖形的凹槽深度h4要大于第一壓印結(jié)構(gòu)所對應(yīng)的第一壓印圖形的凹槽深度h3，且該第二壓印圖形凹槽的開口面積K2也要大于第一壓印圖形凹槽的開口面積Kl，從而使得該第二膜層圖形的壓印圖形的面積大于第一壓印結(jié)構(gòu)的壓印圖形的面積?；谠摻Y(jié)構(gòu)設(shè)計，在壓印完成后，基板上形成的第二膜層圖形的尺寸要大于第一膜層圖形，方便后續(xù)進(jìn)行檢測。
[0065]在具體壓印過程中，參考圖4，使用圖3所示的壓印板，對涂布有基材23的基板進(jìn)行壓印，從而使基板最終形成圖5所示的結(jié)構(gòu)，包括由第一壓印結(jié)構(gòu)13壓印成型的第一膜層圖形21，以及由第二壓印結(jié)14壓印成型的第二膜層圖形22。
[0066]通過上文描述可以知道，若第二膜層圖形22被完整壓印出來，則呈錐形結(jié)構(gòu)，作為示例性介紹，假設(shè)圖2中，只有右下方的第二膜層圖形22未能夠完整壓印出來，則本實(shí)施例可以確定出靠近該位置的第一膜層圖形21也未能得到完整壓印。
[0067]具體地，對應(yīng)上述方案，本發(fā)明的另一實(shí)施例還提供一種壓印質(zhì)量的檢測方法，應(yīng)用于上述壓印板進(jìn)行壓印的目標(biāo)基板，包括:
[0068]步驟SI，測量目標(biāo)基板上的第二膜層圖形的形狀數(shù)據(jù)；
[0069]步驟S2，基于測量到的形狀數(shù)據(jù)，確定第二膜層圖形的壓印完成度；
[0070]步驟S3，根據(jù)第二膜層圖形的壓印完成度，評估目標(biāo)基板產(chǎn)品區(qū)的第一膜層圖形的壓印質(zhì)量。
[0071]顯然，本實(shí)施例的檢測方法只需要通過檢測第二膜層圖形的壓印完成度，即可評估出產(chǎn)品區(qū)第一膜層圖形的壓印質(zhì)量。在實(shí)際應(yīng)用中，第二膜層圖形可以被制作成更大體積的形狀，從而更方便的測量形狀數(shù)據(jù)。且在檢測過程中，對第二膜層圖形造成的損壞也不會對基板產(chǎn)品區(qū)的第一膜層圖形造成影響，從而保證了基板的良品率。
[0072]下面對本實(shí)施例的檢測方法進(jìn)行詳細(xì)介紹。
[0073]示例性地，本發(fā)明可以根據(jù)基板上的第二膜層圖形的高度，來確定第一膜層圖形的壓印質(zhì)量。
[0074]參考圖4所示的已經(jīng)完成壓印的基板，假設(shè)只有右下角第二膜層圖形22存在殘缺，本實(shí)現(xiàn)方式二可以檢測該第二膜層圖形22的高度數(shù)值，之后與圖3所示的壓印板的第二壓印圖形的凹槽深度h4進(jìn)行對比(若第二膜層圖形的能夠被完整地壓印出來，其高度值應(yīng)接近第二壓印圖形的凹槽深度)。作為示例性介紹，假設(shè)殘缺的第二膜層圖形22的高度僅為第二壓印圖形的凹槽深度h4的1/2，則可以推斷出該殘缺的第二膜層圖形22的完整度只有一半，即壓印板在該位置進(jìn)行壓印時，力度小于其他位置。
[0075]假設(shè)，當(dāng)壓印板的壓印力度剛好能夠壓印出完整的第一膜層圖形21時，對應(yīng)的第二膜層圖形22的完整度為60%，則該完整度為60%即可作為判斷第一膜層圖形21壓印質(zhì)量的評估標(biāo)準(zhǔn)。
[0076]在實(shí)際應(yīng)用中，可以將60%作為一個預(yù)設(shè)的標(biāo)志閾值，圖4中完整度只有一半的第二膜層圖形22要低于該標(biāo)準(zhǔn)閾值60%，因此則可以確定其附近的第一膜層圖形21未能壓印完整，該情況可直接確定基板上第一膜層圖形21的壓印質(zhì)量不合格。
[0077]同理，若壓印板恰好壓印出完整的第一膜層圖形21時，第二膜層圖形22的完整度為40%，則將該40%即作為為判斷第一膜層圖形21壓印質(zhì)量的預(yù)設(shè)標(biāo)志閾值。參考圖4，即便右下角的第二膜層圖形22的完整度只有正常的一半，但依然要高于標(biāo)準(zhǔn)閾值40%，S卩，表示其附近的第一膜層圖形21壓印完整，該情況可以直接確定出第一膜層圖形的壓印質(zhì)量合格。
[0078]此外作為其他可行的檢測方案，本發(fā)明可以根據(jù)基板上的第二膜層圖形的頂部的橫截面積，來確定第一膜層圖形的壓印質(zhì)量。
[0079]同理，本實(shí)施例可以先測量出殘缺的第二膜層圖形22頂部的橫截面積，之后與圖3中第二壓印圖形的開口面積K2進(jìn)行對比，顯然，該比值與也同樣能夠反映出殘缺的第二膜層圖形的完成度。
[0080]之后，根據(jù)確定出第二膜層圖形的完成度，再進(jìn)一步評估第一膜層圖形的壓印質(zhì)量。
[0081]可見，基于本發(fā)明的壓印板以及檢測方法，具有如下有意效果:
[0082]I)當(dāng)?shù)谝荒訄D形為納米級別的結(jié)構(gòu)時，難以對其壓印完整度進(jìn)行測量，而本發(fā)明是通過第二膜層圖形壓印的完整度來間接推斷出第一膜層圖形壓印的完整度，因此第二膜層圖形可以適當(dāng)制作成更大的體積，方便檢測過程中進(jìn)行測量；
[0083]2)在實(shí)際應(yīng)用中，可以使用測量工具測量第二膜層圖形的形狀數(shù)據(jù)，特別是一些需要與第二膜層圖形進(jìn)行物理接觸的才能測量的工具，由于第二膜層圖形并不作為基板產(chǎn)品的一部分，即便在于測量工具接觸過程中造成損傷，也不影響產(chǎn)品區(qū)的第一膜層圖形。
[0084]3)如圖6所示，在實(shí)際生產(chǎn)過程中，一個基板上包括有多個待進(jìn)行壓印的產(chǎn)品區(qū)，一般情況下，這些產(chǎn)品區(qū)所對應(yīng)的位置最后需要被切割出來，成為一個一個的產(chǎn)品，顯然，在切割前，基板上的產(chǎn)品區(qū)之間都會保留一定的間距，該位置即本發(fā)明的壓印板需要壓印第二膜層圖形的位置;可見，本發(fā)明的方案在基板側(cè)并不需要進(jìn)行改進(jìn)，僅僅是利用了基板上的現(xiàn)有空間，因此整個方案很容易在實(shí)際生生產(chǎn)線中實(shí)施。
[0085]此外，本發(fā)明的另一實(shí)施例還提供一種壓印質(zhì)量的檢測裝置，應(yīng)用于本發(fā)明的壓印板進(jìn)行壓印的目標(biāo)基板，如圖7所示，本實(shí)施例的檢測裝置包括:
[0086]測量模塊，用于測量目標(biāo)基板上的第二膜層圖形的形狀數(shù)據(jù)；
[0087]確定模塊，用于基于測量到的所述形狀數(shù)據(jù)，確定所述第二膜層圖形的壓印完成度；
[0088]評估模塊，用于根據(jù)所述第二膜層圖形的壓印完成度，評估所述目標(biāo)基板產(chǎn)品區(qū)的第一膜層圖形的壓印質(zhì)量。
[0089]顯然，本實(shí)施例的檢測裝置只需要通過檢測第二膜層圖形的壓印完成度，即可評估出產(chǎn)品區(qū)第一膜層圖形的壓印質(zhì)量。在實(shí)際應(yīng)用中，第二膜層圖形可以被制作成更大體積的形狀，從而更方便的測量形狀數(shù)據(jù)。且在檢測過程中，對第二膜層圖形造成的損壞也不會對基板產(chǎn)品區(qū)的第一膜層圖形造成影響，從而保證了基板的良品率。
[0090]具體地，本實(shí)施例可以根據(jù)第二膜層圖形的壓印出的高度，評估第一壓印圖形的質(zhì)量。
[0091]即上述壓印板的第一壓印結(jié)構(gòu)具有對應(yīng)第一膜層圖形的第一壓印圖形，第二壓印結(jié)構(gòu)具有對應(yīng)所述第二膜層圖形的第二壓印圖形，其中，第一壓印圖形的凹槽深度大于第二壓印圖形的凹槽深度；
[0092]在檢測過程中，上述測量模塊具體測量第二膜層圖形的高度；
[0093]上述確定模塊包括有第一確定單元，用于將測量到的第二膜層圖形的高度，與第二壓印圖形的凹槽深度進(jìn)行比對，確定第二膜層圖形的壓印完成度。
[0094]之后，評估模塊子再進(jìn)一步根據(jù)第二膜層圖形的壓印完成度，確定出第一膜層圖形的壓印質(zhì)量。
[0095]或者，本實(shí)施例也可以根據(jù)第二膜層圖形的壓印出的頂部橫截面積，評估第一壓印圖形的質(zhì)量。
[0096]其中，在第二壓印圖形的深度方向上，本實(shí)施例的第二壓印圖形的橫截面的面積是逐漸變小的；
[0097]在檢測過程中，上述測量模塊具體測量第二膜層圖形的頂部的橫截面積；
[0098]上述確定模塊具體包括有第二確定單元，用于將測量到的第二膜層圖形的頂部的橫截面積，與第二壓印圖形的開口面積進(jìn)行比對，確定第二膜層圖形的壓印完成度。
[0099]之后，評估模塊子再進(jìn)一步根據(jù)第二膜層圖形的壓印完成度，確定出第一膜層圖形的壓印質(zhì)量。
[0100]其中，本實(shí)施例可以根據(jù)針對第二膜層圖形的壓印完成度設(shè)置一個目標(biāo)閾值，該目標(biāo)閾值是壓印板剛好能夠完整壓印出第一膜層圖形下，第二膜層圖形的壓印完成度。
[0101]在本實(shí)施例評估模塊具體工作中，若基板上的第二膜層圖形的實(shí)際壓印完成度達(dá)到該目標(biāo)閾值，則可以確定目標(biāo)基板產(chǎn)品區(qū)的第一膜層圖形的壓印質(zhì)量合格，否則確定目標(biāo)基板產(chǎn)品區(qū)的第一膜層圖形的壓印質(zhì)量不合格。
[0102]基于本實(shí)施例的原理，在具體應(yīng)用中，本發(fā)明的評估模塊并不局限與評估第一膜層圖形的壓印質(zhì)量合格與否，還能確定出壓印過程中的壓力的分布狀態(tài)。即，根據(jù)目標(biāo)基板上的所有第二膜層圖形的完成度，進(jìn)一步評估出壓印過程中的壓力均勻性。例如，在壓印完成后，目標(biāo)基板一側(cè)的第二膜層圖形的完成度在57%至65%之間，另一側(cè)第二膜層圖形的完成度在15至25%之間，顯然第二膜層圖形完成度較高的側(cè)邊在壓印過程中受到了更高壓力，即，反映出印設(shè)備在出現(xiàn)異常的工作情況，本實(shí)施例的評估模塊將這一分析結(jié)果作為警示提供給相關(guān)的技術(shù)人員，以便能夠及時對壓印設(shè)備進(jìn)行檢查。
[0103]顯然，本實(shí)施例的檢測裝置與本發(fā)明的壓印質(zhì)量的檢測方法相對應(yīng)，因此能夠?qū)崿F(xiàn)相同的技術(shù)效果。
[0104]以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下，還可以作出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種壓印板，其特征在于，包括: 第一區(qū)域和位于該第一區(qū)域周邊的第二區(qū)域； 所述第一區(qū)域上設(shè)置有第一壓印結(jié)構(gòu)，用于將目標(biāo)基板產(chǎn)品區(qū)上的基材壓印成第一膜層圖形； 所述第二區(qū)域設(shè)置有第二壓印結(jié)構(gòu)，用于將目標(biāo)基板產(chǎn)品區(qū)周邊的基材壓印成第二膜層圖形，所述第二膜層圖形用于評估所述第一膜層圖形的壓印質(zhì)量。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓印板，其特征在于， 所述第一壓印結(jié)構(gòu)具有對應(yīng)所述第一膜層圖形的第一壓印圖形，所述第二壓印結(jié)構(gòu)具有對應(yīng)所述第二膜層圖形的第二壓印圖形； 所述第二壓印圖形的凹槽深度大于所述第一壓印圖形的凹槽深度。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的壓印板，其特征在于， 所述第二膜層圖形的壓印圖形的面積大于所述第一壓印結(jié)構(gòu)的壓印圖形的面積。4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的壓印板，其特征在于， 在所述第二壓印圖形的深度方向上，所述第二壓印圖形的橫截面的面積是逐漸變小的。5.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的壓印板，其特征在于， 所述第二壓印圖形為錐形。6.—種壓印質(zhì)量的檢測方法，應(yīng)用于使用如權(quán)利要求1-5所述的壓印板進(jìn)行壓印的目標(biāo)基板，其特征在于，包括: 測量目標(biāo)基板上的第二膜層圖形的形狀數(shù)據(jù)； 基于測量到的所述形狀數(shù)據(jù)，確定所述第二膜層圖形的壓印完成度； 根據(jù)所述第二膜層圖形的壓印完成度，評估所述目標(biāo)基板產(chǎn)品區(qū)的第一膜層圖形的壓印質(zhì)量。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的檢測方法，其特征在于， 所述壓印板的第一壓印結(jié)構(gòu)具有對應(yīng)第一膜層圖形的第一壓印圖形，所述壓印板的第二壓印結(jié)構(gòu)具有對應(yīng)所述第二膜層圖形的第二壓印圖形，所述第一壓印圖形的凹槽深度大于所述第二壓印圖形的凹槽深度； 所述形狀數(shù)據(jù)為所述第二膜層圖形的高度； 根據(jù)測量到的所述形狀數(shù)據(jù)確定所述第二膜層圖形的壓印完成度，包括: 將測量到的所述第二膜層圖形的高度，與所述第二壓印圖形的凹槽深度進(jìn)行比對，確定所述第二膜層圖形的壓印完成度。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的檢測方法，其特征在于， 在所述壓印板的第二壓印圖形的深度方向上，所述第二壓印圖形的橫截面的面積是逐漸變小的； 所述形狀數(shù)據(jù)為所述第二膜層圖形的頂部的橫截面積； 根據(jù)測量到的所述形狀數(shù)據(jù)確定所述第二膜層圖形的壓印完成度，包括: 將測量到的所述第二膜層圖形的頂部的橫截面積，與所述第二壓印圖形的開口面積進(jìn)行比對，確定所述第二膜層圖形的壓印完成度。9.根據(jù)權(quán)利要求6-8任一項(xiàng)所述的檢測方法，其特征在于， 根據(jù)所述第二膜層圖形的壓印完成度，評估所述目標(biāo)基板產(chǎn)品區(qū)的第一膜層圖形的壓印質(zhì)量，包括: 若所述第二膜層圖形的壓印完成度達(dá)到目標(biāo)閾值，則確定所述目標(biāo)基板產(chǎn)品區(qū)的第一膜層圖形的壓印質(zhì)量合格，否則確定所述目標(biāo)基板產(chǎn)品區(qū)的第一膜層圖形的壓印質(zhì)量不合格。10.—種壓印質(zhì)量的檢測裝置，應(yīng)用于使用如權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的壓印板進(jìn)行壓印的目標(biāo)基板，其特征在于，包括: 測量模塊，用于測量目標(biāo)基板上的第二膜層圖形的形狀數(shù)據(jù)； 確定模塊，用于基于測量到的所述形狀數(shù)據(jù)，確定所述第二膜層圖形的壓印完成度；評估模塊，用于根據(jù)所述第二膜層圖形的壓印完成度，評估所述目標(biāo)基板產(chǎn)品區(qū)的第一膜層圖形的壓印質(zhì)量。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的檢測裝置，其特征在于， 所述壓印板的第一壓印結(jié)構(gòu)具有對應(yīng)第一膜層圖形的第一壓印圖形，所述壓印板的第二壓印結(jié)構(gòu)具有對應(yīng)所述第二膜層圖形的第二壓印圖形，所述第一壓印圖形的凹槽深度大于所述第二壓印圖形的凹槽深度； 所述形狀數(shù)據(jù)為所述第二膜層圖形的高度； 所述確定模塊包括: 第一確定單元，用于將測量到的所述第二膜層圖形的高度，與所述第二壓印圖形的凹槽深度進(jìn)行比對，確定所述第二膜層圖形的壓印完成度。12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的檢測裝置，其特征在于， 在所述第二壓印圖形的深度方向上，所述第二壓印圖形的橫截面的面積是逐漸變小的； 所述形狀數(shù)據(jù)為所述第二膜層圖形的頂部的橫截面積； 所述確定模塊包括: 第二確定單元，用于將測量到的所述第二膜層圖形的頂部的橫截面積，與所述第二壓印圖形的開口面積進(jìn)行比對，確定所述第二膜層圖形的壓印完成度。13.根據(jù)權(quán)利要求10-12任一項(xiàng)所述的檢測裝置，其特征在于， 所述評估模塊用于，若所述第二膜層圖形的壓印完成度達(dá)到目標(biāo)閾值，則確定所述目標(biāo)基板產(chǎn)品區(qū)的第一膜層圖形的壓印質(zhì)量合格，否則確定所述目標(biāo)基板產(chǎn)品區(qū)的第一膜層圖形的壓印質(zhì)量不合格。
【文檔編號】G03F7/00GK105974731SQ201610591504
【公開日】2016年9月28日
【申請日】2016年7月25日
【發(fā)明人】關(guān)峰, 姚繼開, 王英濤, 何曉龍, 周婷婷
【申請人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司