顯示裝置、光掩模以及使用該光掩模制造顯示裝置的方法
【專(zhuān)利摘要】示例性實(shí)施例涉及一種顯示裝置、一種光掩模以及一種使用該光掩模制造顯示裝置的方法。所述顯示裝置包括：第一基底和面向第一基底的第二基底；薄膜晶體管，設(shè)置在第一基底上；第一絕緣層，設(shè)置在薄膜晶體管上；擋光構(gòu)件，設(shè)置在第一絕緣層上。擋光構(gòu)件包括：間隔件，用于保持第一基底和第二基底之間的盒間隙；主擋光部分，具有比間隔件的上表面低的上表面，擋光構(gòu)件還包括位于間隔件和主擋光部分之間的邊界處的溝，溝的表面比主擋光部分的上表面低。
【專(zhuān)利說(shuō)明】顯示裝置、光掩模以及使用該光掩模制造顯示裝置的方法
[0001 ] 本申請(qǐng)要求于2015年3月19日提交的第10-2015-0038458號(hào)韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，為了像在此充分闡述一樣的所有目的，該韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)通過(guò)引用被包含于此。
技術(shù)領(lǐng)域
[0002]示例性實(shí)施例涉及一種顯示裝置、一種光掩模以及一種使用該光掩模制造顯示裝置的方法，更具體地說(shuō)，涉及具有設(shè)置在同一基底上的擋光構(gòu)件和薄膜晶體管的顯示裝置、光掩模以及使用該光掩模制造顯示裝置的方法。
【背景技術(shù)】
[0003]諸如液晶顯示器(IXD)或有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的顯示裝置包括具有開(kāi)關(guān)元件的多個(gè)像素、多條信號(hào)線設(shè)置在其上的顯示面板以及驅(qū)動(dòng)器。
[0004]作為一種廣泛應(yīng)用的顯示裝置的液晶顯示器包括，其上形成有場(chǎng)產(chǎn)生電極的至少一個(gè)顯示面板和液晶層。液晶顯示器將電壓施加到場(chǎng)產(chǎn)生電極以使液晶層的液晶分子重新排列，以控制光透射并顯示期望的圖像。
[0005]對(duì)于包括兩個(gè)顯示面板的液晶顯示器，場(chǎng)產(chǎn)生電極可以分別地設(shè)置在彼此面對(duì)的兩個(gè)顯示面板中，或者兩個(gè)場(chǎng)產(chǎn)生電極可以設(shè)置在一個(gè)顯示面板中。被施加數(shù)據(jù)電壓的場(chǎng)產(chǎn)生電極的像素電極，以及多個(gè)薄膜晶體管可以以矩陣形式布置在彼此面對(duì)的顯示面板的一個(gè)中。用于表示諸如紅、綠和藍(lán)的原色的濾色器以及用于防止像素之間的光泄漏的擋光構(gòu)件可以形成在其他顯示面板中。
[0006]然而，在上述液晶顯示器中，由于像素電極、薄膜晶體管以及濾色器或擋光構(gòu)件形成在不同的顯示面板中，所以難以在像素電極和濾色器之間或者在像素電極和擋光構(gòu)件之間進(jìn)行準(zhǔn)確的對(duì)準(zhǔn)。因此，采用這樣構(gòu)造的顯示設(shè)備會(huì)具有對(duì)準(zhǔn)誤差，從而引起缺陷或顯示質(zhì)量劣化。
[0007]為解決所述問(wèn)題，可以使用用于在與像素電極和薄膜晶體管相同的顯示面板中形成擋光構(gòu)件的結(jié)構(gòu)。在這樣的構(gòu)造中，濾色器可以形成在與像素電極相同的顯示面板中。這樣，擋光構(gòu)件可以一體地形成在形成有像素電極和薄膜晶體管的顯示面板中，從而實(shí)現(xiàn)液晶顯不器的尚開(kāi)口率和尚透射率。
[0008]當(dāng)包括兩個(gè)顯示面板時(shí)，LCD可以包括用于保持兩個(gè)顯示面板之間的盒間隙的多個(gè)間隔件。多個(gè)間隔件包括主間隔件和具有比主間隔件低的高度的子間隔件。當(dāng)外部壓力或力施加到LCD以引起兩個(gè)顯示面板之間的盒間隙改變時(shí)，子間隔件可以用于保持兩個(gè)顯示面板之間的盒間隙以及防止主間隔件變形至無(wú)法恢復(fù)主間隔件的原始形狀的程度。
[0009]在該【背景技術(shù)】部分中公開(kāi)的上述信息僅是為了加強(qiáng)發(fā)明構(gòu)思的背景的理解，因此，其可能包含不構(gòu)成對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)在該國(guó)家中已經(jīng)知曉的現(xiàn)有技術(shù)的信息。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0010]示例性實(shí)施例公開(kāi)了一種顯示裝置、一種光掩模以及一種用于制造顯示裝置的方法，以減少在顯示裝置制造工藝中用于形成間隔件的數(shù)量，其中，在顯示裝置制造工藝中在設(shè)置有像素電極和薄膜晶體管的顯示面板上形成擋光構(gòu)件。
[0011]另外的方面將在隨后的詳細(xì)描述中進(jìn)行闡述，并且部分將通過(guò)所述公開(kāi)而清楚，或者可通過(guò)發(fā)明構(gòu)思的實(shí)踐而被獲知。
[0012]示例性實(shí)施例公開(kāi)了一種顯示裝置、一種光掩模、一種用于制造顯示裝置的方法，以形成小的間隔件，從而在使用光掩模形成擋光構(gòu)件和間隔件的制造工藝中的高分辨率顯示裝置以及通過(guò)使用該制造工藝制造的顯示裝置上容易地形成間隔件。
[0013]示例性實(shí)施例公開(kāi)了一種顯示裝置，所述顯示裝置包括:第一基底和面對(duì)第一基底的第二基底;薄膜晶體管，設(shè)置在第一基底上;第一絕緣層，設(shè)置在薄膜晶體管上;擋光構(gòu)件，設(shè)置在第一絕緣層上。擋光構(gòu)件包括:間隔件，用于保持第一基底和第二基底之間的盒間隙；主擋光部分，具有比間隔件的上表面低的上表面，并且擋光構(gòu)件還包括位于間隔件和主擋光部分之間的邊界處的溝，溝的表面比主擋光部分的上表面低。
[0014]示例性實(shí)施例還公開(kāi)了一種用于制造顯示裝置的方法，所述方法包括:在第一基底上形成薄膜晶體管;在薄膜晶體管上形成第一絕緣層；以及在第一絕緣層上涂覆擋光材料層并使用光掩模來(lái)將擋光材料層曝光。光掩模包括:島型第一區(qū)域，用于透射光的至少一部分；多個(gè)環(huán)型不透明區(qū)域，設(shè)置在第一區(qū)域周?chē)⒈舜朔珠_(kāi);第二區(qū)域，設(shè)置在多個(gè)環(huán)型不透明區(qū)域之間并透射光的至少一部分。
[0015]示例性實(shí)施例也公開(kāi)一種用于制造顯示裝置的光掩模，所述光掩模包括:島型第一區(qū)域，構(gòu)造為透射光的至少一部分;多個(gè)環(huán)型不透明區(qū)域，設(shè)置在島型第一區(qū)域周?chē)⒈舜朔珠_(kāi);第二區(qū)域，設(shè)置在多個(gè)環(huán)型不透明區(qū)域之間并被構(gòu)造為透射光的至少一部分。
[0016]根據(jù)示例性實(shí)施例，在顯示裝置制造工藝中可以減少用于形成間隔件的光掩模的數(shù)量，其中，在所述顯示裝置制造工藝中在設(shè)置有像素電極和薄膜晶體管的顯示面板上形成擋光構(gòu)件。
[0017]根據(jù)示例性實(shí)施例，可以通過(guò)單個(gè)光掩模形成較小的間隔件，以針對(duì)在使用光掩模形成擋光構(gòu)件和間隔件的制造工藝中的高分辨率顯示裝置以及通過(guò)使用制造工藝制造的顯示裝置，容易地形成間隔件。
[0018]前述的一般描述和下面的詳細(xì)描述是示例性和解釋性的，并意圖提供對(duì)要求保護(hù)的主題的進(jìn)一步說(shuō)明。
【附圖說(shuō)明】
[0019]包括附圖以提供對(duì)發(fā)明構(gòu)思的進(jìn)一步理解，而且附圖并入本說(shuō)明書(shū)中，并構(gòu)成本說(shuō)明書(shū)的一部分，附圖示出了發(fā)明構(gòu)思的示例性實(shí)施例，并且與說(shuō)明書(shū)一起用于解釋發(fā)明構(gòu)思的原理。
[0020]圖1示出根據(jù)示例性實(shí)施例的顯示裝置的像素的布局圖。
[0021]圖2是根據(jù)示例性實(shí)施例的在圖1中所示的顯示裝置相對(duì)于剖面線I1-1I的剖視圖。
[0022]圖3示出在根據(jù)示例性實(shí)施例的顯示裝置的制造工藝的一個(gè)階段中的中間產(chǎn)品相對(duì)于圖1中所示的剖面線I1-1I的剖視圖。
[0023]圖4示出在根據(jù)示例性實(shí)施例的顯示裝置的制造工藝中用于形成擋光構(gòu)件的光掩模的透射率。
[0024]圖5示出根據(jù)示例性實(shí)施例在顯示裝置的制造工藝中用于形成擋光構(gòu)件的光掩模，以及穿過(guò)光掩模的光的強(qiáng)度。
[0025]圖6示出根據(jù)示例性實(shí)施例在顯示裝置的制造工藝中用于形成擋光構(gòu)件的光掩模以及包括與光掩模對(duì)應(yīng)形成的擋光構(gòu)件的顯示裝置相對(duì)于圖1中示出的線I1-1I的剖視圖。
[0026]圖7(a)示出根據(jù)相關(guān)領(lǐng)域用于形成擋光構(gòu)件的光掩模的透射率，圖7(b)示出通過(guò)使用圖7(a)中所示的光掩模形成的擋光構(gòu)件的俯視圖，圖7(c)示出圖7(b)中所示的擋光構(gòu)件相對(duì)于剖面線A-A的剖視圖。
[0027]圖8(a)示出根據(jù)示例性實(shí)施例用于形成擋光構(gòu)件的光掩模的透射率，圖8(b)示出通過(guò)使用圖8(a)中所示的光掩模形成的擋光構(gòu)件的俯視圖，圖8(c)示出圖8(b)中所示的擋光構(gòu)件相對(duì)于剖面線B-B的剖視圖。
[0028]圖9(c)示出根據(jù)示例性實(shí)施例用于形成擋光構(gòu)件的光掩模的透射率，圖9(b)示出通過(guò)使用圖9(a)中所示的光掩模形成的擋光構(gòu)件的俯視圖，圖9(c)示出圖9(b)中所示的擋光構(gòu)件相對(duì)于剖面線C-C的剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0029]為了說(shuō)明的目的，在下面的描述中闡述了許多具體的細(xì)節(jié)以提供對(duì)各種示例性實(shí)施例的透徹理解。然而，明顯的是，可以在沒(méi)有這些具體細(xì)節(jié)或一個(gè)或更多個(gè)等同布置的情況下實(shí)現(xiàn)各種示例性實(shí)施例。在其他情況下，公知的結(jié)構(gòu)和裝置以框圖的形式示出，以避免使各個(gè)示例性實(shí)施例不必要地模糊。
[0030]在附圖中，為了清晰和描述的目的，會(huì)夸大層、膜、面板、區(qū)域等的尺寸和相對(duì)尺寸。另外，同樣的附圖標(biāo)記表示同樣的元件。
[0031 ]當(dāng)元件或?qū)颖环Q(chēng)作“在”另一元件或?qū)印吧稀薄ⅰ斑B接到”或“結(jié)合到”另一元件或?qū)訒r(shí)，該元件或?qū)涌芍苯釉谒隽硪辉驅(qū)由?、直接連接到或直接結(jié)合到所述另一元件或?qū)?，或者可以存在中間元件或中間層。然而，當(dāng)元件或?qū)颖环Q(chēng)作“直接在”另一元件或?qū)印吧稀?、“直接連接到”或“直接結(jié)合到”另一元件或?qū)訒r(shí)，不存在中間元件或中間層。為了本公開(kāi)的目的，“X、Y和Z中的至少一個(gè)”以及“從由Χ、Υ和Z組成的組中選擇的至少一個(gè)”可被解釋為只有X、只有Y、只有Ζ、或者Χ、Υ和Z中的兩個(gè)或更多個(gè)的任意組合，諸如以ΧΥΖ、ΧΥΥ、ΥΖ和ZZ為例。同樣的標(biāo)號(hào)始終表示同樣的元件。如這里所用的，術(shù)語(yǔ)“和/或”包括一個(gè)或更多個(gè)相關(guān)列出的項(xiàng)的任何和全部組合。
[0032]雖然在這里可使用術(shù)語(yǔ)第一、第二等來(lái)描述各種元件、組件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)該受這些術(shù)語(yǔ)限制。這些術(shù)語(yǔ)用來(lái)將一個(gè)元件、組件、區(qū)域、層和/或部分與另一個(gè)元件、組件、區(qū)域、層和/或部分區(qū)分開(kāi)。因此，在不脫離本公開(kāi)的教導(dǎo)的情況下，下面討論的第一元件、組件、區(qū)域、層和/或部分可被稱(chēng)為第二元件、組件、區(qū)域、層和/或部分。
[0033]為了描述的目的，在這里可使用諸如“在…之下”、“在...下方”、“下”、“在...上方”、“上”等的空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)，并由此來(lái)描述如圖中所示的一個(gè)元件或特征與其它元件或特征的關(guān)系。除了附圖中描繪的方位之外，空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)意圖包括裝置在使用、操作和/或制造中的不同方位。例如，如果附圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，則被描述為在其它元件或特征“之下”或“下方”的元件將隨后被定位為在所述其它元件或特征“上方”。因此，示例性術(shù)語(yǔ)“在...下方”可包含“在...上方”和“在...下方”兩種方位。此外，設(shè)備可被另外定位(例如，旋轉(zhuǎn)90度或者在其它方位)，這樣，相應(yīng)地解釋這里使用的空間相對(duì)描述符。
[0034]這里使用的術(shù)語(yǔ)是出于描述特定實(shí)施例的目的，并非意圖限制。如這里所使用的，除非上下文另外清楚地指出，否則單數(shù)形式“一個(gè)(種/者)”和“該/所述”也意圖包括復(fù)數(shù)形式。此外，當(dāng)在本說(shuō)明書(shū)中使用術(shù)語(yǔ)“包含” “包括”和/或其變型時(shí)，說(shuō)明存在所述特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組，但不排除存在或附加一個(gè)或更多個(gè)其他特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組。
[0035]這里參照作為理想化示例性實(shí)施例和/或中間結(jié)構(gòu)的示意圖的剖面圖來(lái)描述各種示例性實(shí)施例。如此，預(yù)計(jì)將出現(xiàn)例如由制造技術(shù)和/或公差引起的示出的形狀的變化。因此，這里公開(kāi)的示例性實(shí)施例不應(yīng)被解釋為局限于具體示出的區(qū)域的形狀，而是將包括由例如制造導(dǎo)致的形狀的偏差。例如，示出為矩形的注入?yún)^(qū)域?qū)⑼ǔＴ谄溥吘壧幘哂袌A形的或彎曲的特征和/或注入濃度的梯度，而不是從注入?yún)^(qū)域到非注入?yún)^(qū)域的二元變化。同樣地，由注入形成的埋區(qū)域可導(dǎo)致在埋區(qū)域和發(fā)生注入的表面之間的區(qū)域中出現(xiàn)一定程度的注入。因此，附圖中所示的區(qū)域?qū)嶋H上是示意性的，它們的形狀不意圖示出裝置的區(qū)域的實(shí)際形狀，并且不意圖是限制性的。
[0036]除非另有定義，否則這里使用的所有術(shù)語(yǔ)(包括技術(shù)術(shù)語(yǔ)和科技術(shù)語(yǔ))具有與本公開(kāi)是一部分的領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員所通常理解的意思相同的意思。除非這里明確地如此定義，否則術(shù)語(yǔ)(諸如在通用字典中定義的術(shù)語(yǔ))應(yīng)該被解釋為具有與它們?cè)谙嚓P(guān)領(lǐng)域的上下文中的意思一致的意思，并且將不以理想化或者過(guò)于形式化的含義來(lái)解釋。
[0037]圖1示出根據(jù)示例性實(shí)施例的顯示裝置的像素的布局圖，圖2是根據(jù)示例性實(shí)施例的在圖1中所示的顯示裝置相對(duì)于剖面線I1-1I的剖視圖。
[0038I 參照?qǐng)D1和圖2，顯示裝置包括彼此面對(duì)的下面板100和上面板200，以及設(shè)置在下面板100和上面板200之間的液晶層3。
[0039]上面板200包括具有透明的玻璃或塑料的基底210。取向?qū)?未示出)可以涂覆在基底210的內(nèi)側(cè)上。取向?qū)涌梢允撬饺∠驅(qū)?。取向?qū)涌梢匝仡A(yù)定的方向摩擦。然而，取向?qū)涌梢园ü夥磻?yīng)材料并可以是光取向的。
[0040]關(guān)于下面板100，包括多條柵極線121的柵極導(dǎo)體設(shè)置在包括透明的玻璃或塑料的絕緣基底110上。
[0041]柵極線121可以傳輸柵極信號(hào)并可以主要沿基本上水平方向延伸。柵極線121包括柵電極124。柵極線121可以包括或由鋁基金屬(諸如鋁(Al)或鋁合金)、銀基金屬(諸如銀(Ag)或銀合金)、銅基金屬(諸如銅(Cu)或銅合金)、鉬基金屬(諸如鉬(Mo)或鉬合金)、鉻(Cr)、鉭(Ta)、鈦(Ti)等制成。柵極線121可以具有包括具有不同物理性質(zhì)的至少兩個(gè)導(dǎo)電層的多層結(jié)構(gòu)。
[0042]包括氮化硅(SiNx)或氧化硅(S1x)的柵極絕緣層140設(shè)置在柵極導(dǎo)體上。柵極絕緣層140可以具有包括具有不同物理性質(zhì)的至少兩個(gè)絕緣層的多層結(jié)構(gòu)。
[0043]半導(dǎo)體154設(shè)置在柵極絕緣層140上。半導(dǎo)體154可以包括非晶硅、多晶硅或金屬氧化物。
[0044]歐姆接觸件163和歐姆接觸件165可以設(shè)置在半導(dǎo)體154上。歐姆接觸件163和歐姆接觸件165可以包括或者由以高濃度摻雜有諸如磷等的η型雜質(zhì)的材料(諸如η+氫化的非晶硅等)制成，或者可以由硅化物制成。歐姆接觸件163和歐姆接觸件165可以是成對(duì)地設(shè)置在半導(dǎo)體154上。如果半導(dǎo)體154是氧化物半導(dǎo)體，則可以省略歐姆接觸件163和歐姆接觸件165。
[0045]包括源電極173的數(shù)據(jù)線171設(shè)置在歐姆接觸件163和柵極絕緣層140上，包括漏電極175的數(shù)據(jù)導(dǎo)體設(shè)置在歐姆接觸件165和柵極絕緣層140上。
[0046]數(shù)據(jù)線171可以傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)并可以沿垂直于柵極線121的方向延伸以與柵極線121交叉。數(shù)據(jù)線171與柵極線121絕緣。
[0047]數(shù)據(jù)線171可以周期性地彎曲以提高透射率。根據(jù)示例性實(shí)施例，數(shù)據(jù)線171可以包括多個(gè)彎曲部分，每個(gè)彎曲部分設(shè)置為在兩個(gè)相鄰的彎曲部分之間具有規(guī)則的間隔。例如，如圖1中所示，數(shù)據(jù)線171可以在與一個(gè)像素PX和其他像素的水平中心線(未示出)對(duì)應(yīng)的部分處彎曲。圖1中的數(shù)據(jù)線171與豎直方向之間的夾角01和02可以是大約5度到大約7度，但所述角度不限制于此。數(shù)據(jù)線171可以在水平中心線附近再次彎曲至少一次或更多次，附圖中設(shè)置在水平中心線附近的數(shù)據(jù)線171與豎直方向之間的夾角可以是大約7度到大約15度，但所述夾角不限制于此。
[0048]數(shù)據(jù)線171包括源電極173。根據(jù)示例性實(shí)施例，如圖1中所示，源電極173可以不從數(shù)據(jù)線171突出并且可被設(shè)置為數(shù)據(jù)線171的一部分。
[0049]漏電極175面向源電極173。漏電極175可以包括:基本上與源電極173平行地延伸的條形部分，以及設(shè)置在條形部分的相對(duì)側(cè)上的延伸部。
[0050]數(shù)據(jù)導(dǎo)體可由諸如鉬、鉻、鉭、鈦或其合金的難熔金屬制成，并可以具有包括難熔金屬層(未示出)和低電阻導(dǎo)電層(未示出)的多層結(jié)構(gòu)。多層結(jié)構(gòu)的示例包括鉻或鉬(合金)下層和鋁(合金)上層的雙層，以及鉬(合金)下層、招(合金)中間層和鉬(合金)上層的三層。除上述材料之外，數(shù)據(jù)線171和漏電極175可以由各種金屬或?qū)w制成。
[0051 ]柵電極124、源電極173和漏電極175與半導(dǎo)體154—起形成薄膜晶體管(TFT)，薄膜晶體管的溝道形成在源電極173和漏電極175之間的半導(dǎo)體154上。
[0052]第一絕緣層180a可以設(shè)置在數(shù)據(jù)導(dǎo)體、柵極絕緣層140和半導(dǎo)體154的暴露的部分上。第一絕緣層180a可以包括有機(jī)絕緣材料或者無(wú)機(jī)絕緣材料。
[0053]濾色器230可以設(shè)置在第一絕緣層180a上。濾色器230可以適當(dāng)?shù)乇硎驹囊环N。原色的示例可以包括諸如紅、綠和藍(lán)的三原色以及諸如黃、青和品紅的三原色或者四原色。根據(jù)示例性實(shí)施例，濾色器230還可以包括顯示除原色之外的原色的混合色或白色的濾色器。濾色器230可以沿像素列或像素行延伸。
[0054]濾色器230可以包括設(shè)置在漏電極175的延伸部上的開(kāi)口(未示出)。
[0055]第二絕緣層180b可以設(shè)置在濾色器230上。第二絕緣層180b可以由無(wú)機(jī)絕緣層或有機(jī)絕緣體制成，可以作為濾色器230的保護(hù)層來(lái)防止濾色器230被暴露，并可以提供平坦的表面。第二絕緣層180b可以防止雜質(zhì)(諸如濾色器230的顏料)流入液晶層3。根據(jù)某些構(gòu)造可以省略第二絕緣層180b。
[0056]共電極270可以設(shè)置在第二絕緣層180b上。共電極270可以具有基本上平面的形狀，并可以在基底110的前側(cè)上形成為整個(gè)表面。設(shè)置在鄰近像素PX上的共電極270可以彼此連接以施加具有預(yù)定值的共電壓Vcom。共電極270可以由諸如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(ΙΖ0)的透明導(dǎo)電材料制成。
[0057]共電極270可以具有與漏電極175的延伸部對(duì)應(yīng)的開(kāi)口 273。
[0058]第三絕緣層180c可以設(shè)置在共電極270上。第三絕緣層180c可以由有機(jī)絕緣材料或無(wú)機(jī)絕緣材料制成。
[0059]第一絕緣層180a、第二絕緣層180b和第三絕緣層180c可以包括用于暴露漏電極175的一部分的接觸孔185a。正如所示，接觸孔185a可以設(shè)置在共電極270的開(kāi)口 273中。例如，共電極270的開(kāi)口 273可以大于接觸孔185a從而當(dāng)從與基底110的頂表面垂直的方向觀察時(shí)，共電極270的開(kāi)口 273圍繞接觸孔185a。
[0060]像素電極191可以設(shè)置在第三絕緣層180c上。像素電極191可以包括:與共電極270疊置的多個(gè)分支電極192、用于連接分支電極192的端部的連接件(未示出)、用于接近另一層的突出部(未示出)。
[0061]去除了電極材料的縫隙92形成在像素電極191的鄰近的分支電極192之中。
[0062]像素電極191的分支電極192可以基本上與數(shù)據(jù)線171平行地延伸。像素電極191的多個(gè)分支電極192可以相對(duì)于圖1中的豎直方向以斜角傾斜，并且可以以數(shù)據(jù)線171的同樣的方式在像素電極191的水平中心線(未示出)處彎曲。像素電極191可以被劃分成多個(gè)域，所述多個(gè)域具有分支電極192相對(duì)于像素PX的水平中心線的不同傾斜方向。例如，如圖1中所示，位于相對(duì)于水平中心線上側(cè)的分支電極192可以在右上方向上延伸，位于相對(duì)于水平中心線下側(cè)的分支電極192可以在右下方向上延伸。然而，多個(gè)方面不限制為此。例如，位于相對(duì)于水平中心線上側(cè)的分支電極192可以在左上方向上延伸，位于相對(duì)于水平中心線下側(cè)的分支電極192可以在左下方向上延伸。
[0063]像素電極191的突出部可以通過(guò)第一絕緣層180a、第二絕緣層180b和第三絕緣層180c的接觸孔185a物理上且電連接到漏電極175，并且可以施加有來(lái)自漏電極175的電壓。
[0064]像素電極191可以由諸如ITO或IZO的透明導(dǎo)電材料制成。
[0065]根據(jù)示例性實(shí)施例，像素電極191和共電極270的堆疊位置可以是可交換的。更具體地說(shuō)，像素電極191可以設(shè)置在第二絕緣層180b上，第三絕緣層180c可以設(shè)置在像素電極191上，共電極270可以設(shè)置在第三絕緣層180c上。在這種情況下，接觸孔185a可以不形成在第三絕緣層180c中(但僅形成在第一絕緣層180a和第二絕緣層180b中)，共電極270可以不具有開(kāi)口 273。此外，像素電極191可以是占據(jù)像素PX的大部分區(qū)域的平面形狀，共電極270可以包括與像素電極191疊置的多個(gè)分支電極(未示出)。
[0066]與圖2不同，像素電極191可以設(shè)置在下面板100上，共電極270可以設(shè)置在上面板200上。像素電極191和共電極270的構(gòu)造和布置可以以各種方式改變而不受限于所示的附圖。
[0067]擋光構(gòu)件220可以設(shè)置在像素電極191上。擋光構(gòu)件220可以是黑矩陣，它可以防止像素PX中的光泄漏。擋光構(gòu)件220可以包括諸如炭黑的顏料，并可以包括具有感光性的有機(jī)材料。
[0068]參照?qǐng)D2，擋光構(gòu)件220可以包括具有不同厚度的部分。更具體地說(shuō)，擋光構(gòu)件220可以包括間隔件221和主擋光部分222。
[0069]主擋光部分222的上表面低于間隔件221的上表面。主擋光部分222包括用于覆蓋柵極線121并基本上平行于柵極線121延伸的部分，并且還可以包括用于覆蓋數(shù)據(jù)線171并基本上平行于數(shù)據(jù)線171延伸的部分。
[0070]主擋光部分222可以包括用于覆蓋薄膜晶體管的部分，并可以包括用于覆蓋暴露漏電極175的一部分的接觸孔185a的部分。因此，主擋光部分222可以填充設(shè)置在接觸孔185a附近的大臺(tái)階或大凹部以使表面平坦。用于覆蓋接觸孔185a的主擋光部分222可以防止在接觸孔185a的周?chē)l(fā)生光泄漏?？梢愿鶕?jù)某些構(gòu)造省略用于覆蓋數(shù)據(jù)線171的擋光構(gòu)件 220 0
[0071]其上未設(shè)置有間隔件221的主擋光部分222的上表面基本上可以是平坦的。
[0072]主擋光部分222可以是大約Ιμπι至大約2.5μπι高，但主擋光部分222的高度不限制于此。
[0073]間隔件221可以保持下面板100和上面板200之間的盒間隙。間隔件221可以是主間隔件或者低于主間隔件的子間隔件。
[0074]在一般條件下，主間隔件可以保持并支撐上面板200和下面板100之間的盒間隙。如果間隔件221是主間隔件，則間隔件221的上表面幾乎可以到達(dá)上面板200的一側(cè)。在這種情況下，間隔件221從底部到頂部的高度可以是大約2.5μπι至大約4.Ομπι。
[0075]如果向顯示裝置施加外部壓力，則子間隔件保持上面板200和下面板100之間的盒間隙以支撐主間隔件。子間隔件可以起防止主間隔件變形以及不能恢復(fù)到其初始的形狀或狀態(tài)的作用。如果間隔件221是子間隔件，則間隔件221的上表面可以與上面板200的一側(cè)保持一定距離。在這種情況下，間隔件221從底部到頂部的高度可以是大約2.Ομπι至大約3.5μmD
[0076]間隔件221的寬度W4可以是大約5μπι至大約15μπι，但寬度不限制于此。間隔件221可以連接到主擋光部分222。
[0077]間隔件221可以與薄膜晶體管和/或連接到薄膜晶體管的諸如柵極線121或數(shù)據(jù)線171的信號(hào)線疊置。
[0078]參照?qǐng)D2，溝20Η可以設(shè)置在間隔件221的邊緣上。溝20Η可以沿間隔件221的邊緣(例如，間隔件221和主擋光部分222之間的邊界)形成，它可以形成圍繞間隔件221的閉合曲線。溝20Η可以是圍繞間隔件221的圓形的溝。
[0079]溝20Η可以形成為比設(shè)置在溝20Η附近的主擋光部分222的上表面低，以主擋光部分222的上表面為參照物，溝20Η的深度Η2可以等于或小于主擋光部分222的厚度Hl的25%。
[0080]間隔件221可以在用于制造包括防止光泄漏的主擋光部分222和間隔件221的顯示裝置的工藝中通過(guò)使用一個(gè)光掩模來(lái)形成。在這種情況下，光掩模可以包括光透射穿過(guò)的透射區(qū)域、用于阻擋光的非透射區(qū)域以及部分光透射穿過(guò)的半色調(diào)區(qū)域，半色調(diào)區(qū)域可以與主擋光部分222對(duì)應(yīng)。
[0081]如果濾色器230、擋光構(gòu)件220和薄膜晶體管設(shè)置在下面板100上，則容易使擋光構(gòu)件220與濾色器230對(duì)準(zhǔn)并使像素電極191與薄膜晶體管對(duì)準(zhǔn)以減少對(duì)準(zhǔn)誤差。因此，可以防止由各構(gòu)成元件之間的未對(duì)準(zhǔn)而引起的液晶顯示器的光泄漏或開(kāi)口率的劣化，并且透射率不會(huì)降低。
[0082]取向?qū)涌梢酝扛苍趽豕鈽?gòu)件220上。取向?qū)涌梢允撬饺∠驅(qū)?。取向?qū)涌梢栽陬A(yù)定的方向上摩擦。根據(jù)示例性實(shí)施例，取向?qū)涌梢园ü夥磻?yīng)材料并且可以是光取向的。
[0083]液晶層3包括具有介電各向異性的液晶分子(未示出)。液晶分子可以取向，使得當(dāng)未向液晶層3施加電場(chǎng)時(shí)，液晶分子的長(zhǎng)軸與面板100和面板200的頂表面平行，在這種情況下，液晶分子可以具有正介電各向異性。
[0084]液晶分子可以是向列相液晶分子，其中，向列相液晶分子的長(zhǎng)軸方向從下顯示面板100到上顯示面板200螺旋地向上扭曲。在沒(méi)有對(duì)液晶層3施加電場(chǎng)時(shí)，液晶分子的長(zhǎng)軸可以相對(duì)于顯示面板100和顯示面板200的頂表面基本上垂直地取向，液晶分子可以具有負(fù)介電各向異性。在這種情況下，像素電極191和共電極270的布置和構(gòu)造可以改變，所述布置和構(gòu)造與圖1和圖2中所示的構(gòu)造不同。
[0085 ]像素電極191可以被提供有來(lái)自薄膜晶體管的數(shù)據(jù)電壓，共電極270可以被提供有共電壓Vcom。然后，作為兩個(gè)場(chǎng)產(chǎn)生電極的像素電極191和共電極270在液晶層3中產(chǎn)生電場(chǎng)，結(jié)果，位于兩個(gè)電極191和270之間的液晶層3的液晶分子重新排列。穿過(guò)液晶層3的光的偏振根據(jù)重新排列的液晶分子而變化，因此可以顯示期望亮度的圖像。圖1和圖2中所示的像素電極191的分支電極192與共電極270—起，在液晶層3中形成邊緣場(chǎng)以確定液晶分子的排列方向。因此，當(dāng)包括在一個(gè)像素電極191中的分支電極192具有不同方向的斜率時(shí)，液晶分子的傾斜方向是變化的，結(jié)果，可以放大液晶顯示器的參考視角。
[0086]將參照?qǐng)D3到圖6并與上面描述的附圖一起對(duì)制造根據(jù)示例性實(shí)施例的顯示裝置的方法進(jìn)行描述。
[0087]圖3示出在根據(jù)示例性實(shí)施例的顯示裝置的制造工藝的一個(gè)階段中的中間產(chǎn)品相對(duì)于圖1中所示的剖面線I1-1I的剖視圖，圖4示出在根據(jù)示例性實(shí)施例的顯示裝置的制造工藝中用于形成擋光構(gòu)件的光掩模的透射率，圖5示出根據(jù)示例性實(shí)施例在顯示裝置的制造工藝中用于形成擋光構(gòu)件的光掩模，以及穿過(guò)光掩模的光的強(qiáng)度，圖6示出根據(jù)示例性實(shí)施例在顯示裝置的制造工藝中用于形成擋光構(gòu)件的光掩模以及包括與光掩模對(duì)應(yīng)形成的擋光構(gòu)件的顯示裝置相對(duì)于圖1中所示的剖面線I1-1I的剖視圖。
[0088]參照?qǐng)D3，將導(dǎo)電材料堆疊并圖案化在基底110上?；卓梢杂刹ＡЩ蛩芰现瞥?。
[0089]可以將諸如無(wú)機(jī)絕緣材料或有機(jī)絕緣材料的絕緣材料堆疊在柵極導(dǎo)體上以形成柵極絕緣層140。
[0090]可以將半導(dǎo)體材料和導(dǎo)電材料順序地堆疊并圖案化在柵極絕緣層140上，以形成半導(dǎo)體層154以及包括數(shù)據(jù)線171和漏電極175的數(shù)據(jù)導(dǎo)體。這里，可以使用利用包括半色調(diào)區(qū)域的光掩模的曝光工藝。
[0091]可以將有機(jī)絕緣材料或無(wú)機(jī)絕緣材料堆疊在數(shù)據(jù)導(dǎo)體和半導(dǎo)體154的暴露部分上以形成第一絕緣層180a。
[0092]濾色器材料可以涂覆在第一絕緣層180a上，并且可以被曝光和顯影以形成多個(gè)濾色器230。
[0093]可以將絕緣材料堆疊在濾色器230上以形成第二絕緣層180b。
[0094]可以將諸如ITO或IZO的透明導(dǎo)電材料堆疊并圖案化在第二絕緣層180b上以形成共電極270。
[0095]可以將有機(jī)絕緣材料或無(wú)機(jī)絕緣材料堆疊在共電極270上以形成第三絕緣層180c。
[0096]可以使第一絕緣層180a、第二絕緣層180b和第三絕緣層180c圖案化以形成用于暴露漏電極175的一部分的接觸孔185a。
[0097]可以將諸如ITO或IZO的導(dǎo)電材料堆疊并圖案化在第三絕緣層180c上以形成多個(gè)像素電極191。
[0098]擋光材料可以涂覆在像素電極191上以形成擋光材料層20。擋光材料層20的厚度可以是大約3.5μηι至大約6.5μηι，但厚度不限制于此。
[0099]可通過(guò)使用圖3和圖4中所示的光掩模50來(lái)使擋光材料層20曝光。
[0100]光掩模50包括具有不同的透射率值的多個(gè)區(qū)域，多個(gè)區(qū)域可以指示至少三個(gè)不同的透射率值。多個(gè)區(qū)域可以包括:具有最大透光率的透明區(qū)域Τ、用于透射光的一部分的至少一個(gè)半色調(diào)區(qū)域S、以及具有最小透光率的不透明區(qū)域O。例如，透明區(qū)域T可以允許透射大部分光，所以其透光率可以基本上為100%。不透明區(qū)域O可以阻擋大部分的入射光，所以其透光率可以基本上為0%，半色調(diào)區(qū)域S的透光率可以是例如大約20%。
[0101]光掩模50的透明區(qū)域T可以是島型并與將形成上述間隔件221(參見(jiàn)圖2)的區(qū)域?qū)?yīng)。與將形成間隔件221的區(qū)域?qū)?yīng)的透明區(qū)域T的寬度可以是大約5μπι至大約15μπι，但所述寬度不限制于此。
[0102]光掩模50的半色調(diào)區(qū)域S包括與將形成主擋光部分222(見(jiàn)圖2)的區(qū)域?qū)?yīng)的主部分。
[0103]光掩模50的不透明區(qū)域O可以包括將形成像素電極191的大部分區(qū)域，S卩，與像素PX的透射區(qū)域?qū)?yīng)的部分。此外，光掩模50的不透明區(qū)域O包括沿透明區(qū)域T的周?chē)纬傻亩鄠€(gè)環(huán)型不透明區(qū)域Orl和0r2，所述透明區(qū)域T與將形成間隔件221的區(qū)域?qū)?yīng)。
[0104]如圖3和圖4中所示，沿透明區(qū)域T的周?chē)纬刹⒈舜朔珠_(kāi)的環(huán)型不透明區(qū)域Orl和0r2可以包括:第一環(huán)型不透明區(qū)域Orl，沿透明區(qū)域T的周?chē)纬桑坏诙h(huán)型不透明區(qū)域0r2，與第一環(huán)型不透明區(qū)域Orl分開(kāi)并被設(shè)置到第一環(huán)型不透明區(qū)域Orl的外側(cè)。如圖4中所示，第二環(huán)型不透明區(qū)域0r2可以圍繞第一環(huán)型不透明區(qū)域Orl?？梢詫⒀赝该鲄^(qū)域T的周?chē)纬傻沫h(huán)型不透明區(qū)域Orl和0r2設(shè)置在透明區(qū)域T和半色調(diào)區(qū)域S之間。將更詳細(xì)地描述將兩個(gè)分開(kāi)的環(huán)型不透明區(qū)域Orl和0r2設(shè)置在透明區(qū)域T的周?chē)氖纠?br>[0105]環(huán)型不透明區(qū)域Orl和0r2對(duì)應(yīng)于將形成在間隔件221的周?chē)械臏?0H。環(huán)型不透明區(qū)域Orl和0r2可以形成閉合曲線以圍繞透明區(qū)域T。
[0106]第一環(huán)型不透明區(qū)域Orl的寬度Wl和第二環(huán)型不透明區(qū)域0r2的寬度W3可以基本上大于Ομπι并且等于或小于大約2μπι。第一環(huán)型不透明區(qū)域Orl的寬度Wl和第二環(huán)型不透明區(qū)域0r2的寬度W3可以彼此相同或者彼此不同。
[0107]半色調(diào)區(qū)域S還包括設(shè)置在環(huán)型不透明區(qū)域Orl和0r2之間的至少一個(gè)中間半色調(diào)區(qū)域Sri。根據(jù)示例性實(shí)施例，可以將中間半色調(diào)區(qū)域Srl設(shè)置在第一環(huán)型不透明區(qū)域Orl和第二環(huán)型不透明區(qū)域0r2之間，并且中間半色調(diào)區(qū)域Srl形成例如環(huán)的閉合曲線。
[0108]中間半色調(diào)區(qū)域Srl與第一環(huán)型不透明區(qū)域Orl和第二環(huán)型不透明區(qū)域0r2—起對(duì)應(yīng)于將形成在間隔件221的周?chē)械臏?0H。如果第一環(huán)型不透明區(qū)域Orl和第二環(huán)型不透明區(qū)域0r2形成閉合曲線，則中間半色調(diào)區(qū)域Srl可以形成如上所述的閉合曲線。
[0109]中間半色調(diào)區(qū)域Srl的寬度W2可以基本上大于Ομπι并且等于或小于大約2μπι。中間半色調(diào)區(qū)域Srl的寬度W2可以與第一環(huán)型不透明區(qū)域Orl的寬度Wl或第二環(huán)型不透明區(qū)域0r2的寬度W3相同或者不同。
[0110]可以將半色調(diào)區(qū)域S的主部分設(shè)置到第一環(huán)型不透明區(qū)域Orl和第二環(huán)型不透明區(qū)域0r2以及中間半色調(diào)區(qū)域Srl之中的最外側(cè)設(shè)置的第二環(huán)型不透明區(qū)域0r2的外側(cè)。
[0111]根據(jù)示例性實(shí)施例，光掩模50的與將形成間隔件221的區(qū)域?qū)?yīng)的透明區(qū)域T可以不是透明的，但可以允許一部分光以半色調(diào)區(qū)域S的同樣方式透射。例如，島型透明區(qū)域T可以具有與半色調(diào)區(qū)域S的主部分基本上相同的透射率。
[0112]根據(jù)示例性實(shí)施例，中間半色調(diào)區(qū)域Srl可以是用于允許大部分光以透明區(qū)域T同樣的方式來(lái)透射穿過(guò)的透明區(qū)域。
[0113]在本構(gòu)造中，擋光材料層20可以具有當(dāng)被入射光照射時(shí)保留的負(fù)感光性?？蛇x擇地，如果將擋光材料層20配置為具有正感光性，則上述光掩模50的透明度可以改變?yōu)橄喾吹摹?br>[0114]參照?qǐng)D5，當(dāng)光穿過(guò)光掩模50照射在擋光材料層20上時(shí)，已經(jīng)穿過(guò)透明區(qū)域T的光強(qiáng)度最大，已經(jīng)穿過(guò)半色調(diào)區(qū)域S和中間半色調(diào)區(qū)域Srl的光強(qiáng)度比已經(jīng)穿過(guò)透明區(qū)域T的光強(qiáng)度小，已經(jīng)穿過(guò)環(huán)型不透明區(qū)域Orl和0r2的光強(qiáng)度最小。此外，環(huán)型不透明區(qū)域Orl和0r2可以比不透明區(qū)域O相對(duì)透明。
[0115]當(dāng)通過(guò)光掩模50來(lái)使擋光材料層20曝光并顯影時(shí)，與透明區(qū)域T對(duì)應(yīng)的擋光材料層20大部分保留，與包括環(huán)型不透明區(qū)域Orl和0r2的不透明區(qū)域O對(duì)應(yīng)的擋光材料層20大部分被去除，與包括中間半色調(diào)區(qū)域Srl的半色調(diào)區(qū)域S對(duì)應(yīng)的擋光材料層20被部分地去除。因此，間隔件221形成在與透明區(qū)域T對(duì)應(yīng)的區(qū)域中，溝20H形成在與第一環(huán)型不透明區(qū)域Orl和第二環(huán)型不透明區(qū)域0r2以及中間半色調(diào)區(qū)域Srl對(duì)應(yīng)的區(qū)域中，主擋光部分222形成在與半色調(diào)區(qū)域S對(duì)應(yīng)的區(qū)域中，將與排除第一環(huán)型不透明區(qū)域Orl和第二環(huán)型不透明區(qū)域0r2的不透明區(qū)域O對(duì)應(yīng)的區(qū)域的擋光材料層20去除，以與像素PX的透射區(qū)域?qū)?yīng)。在顯微鏡視圖中，如圖8(c)中所示，溝20H可以具有在兩個(gè)溝之間具有小突出的兩個(gè)溝的形狀。盡管中間半色調(diào)區(qū)域Srl具有比第一環(huán)型不透明區(qū)域Orl和第二環(huán)型不透明區(qū)域0r2高的透射率，但是由于中間半色調(diào)區(qū)域Srl和第一環(huán)型不透明區(qū)域Orl以及第二環(huán)型不透明區(qū)域0r2的相對(duì)狹窄的寬度，所以由中間半色調(diào)區(qū)域Srl和第一環(huán)型不透明區(qū)域Orl以及第二環(huán)型不透明區(qū)域0r2形成的溝可以與圖9(c)中所示的溝(與圖8(c)中示出的溝相比是相對(duì)淺的溝)相似。
[0116]與通過(guò)分別使用多個(gè)光掩模來(lái)形成間隔件和主擋光部分的傳統(tǒng)技術(shù)相比，根據(jù)上述構(gòu)造，通過(guò)使用一個(gè)光掩模50來(lái)形成間隔件221和主擋光部分222，從而減少用于光掩模的成本，并減少顯示裝置的生產(chǎn)成本并簡(jiǎn)化制造工藝。
[0117]環(huán)型不透明區(qū)域Orl和0r2中的至少一個(gè)形成在光掩模50的與間隔件221對(duì)應(yīng)的透明區(qū)域T周?chē)缓蟊黄毓?，將位于間隔件221周?chē)膿豕獠牧蠈?0去除以形成間隔件221的寬度W4(如圖2中所示)并減小間隔件221的水平方向的尺寸。因此，由于可在根據(jù)上述制造工藝的高分辨率顯示裝置中形成較小的間隔件221，所以可以容易地形成間隔件221。
[0118]此外，可以在設(shè)置在光掩模50的透明區(qū)域T周?chē)沫h(huán)型不透明區(qū)域Orl和0r2之間設(shè)置中間半色調(diào)區(qū)域Srl，所以可以通過(guò)照射的光來(lái)減小溝20H的深度，從溝20H來(lái)去除在間隔件221周?chē)膿豕獠牧蠈?0。更具體地說(shuō)，可以以主擋光部分222的上表面為參照物將溝20H的深度H2減小為等于或小于主擋光部分222的厚度Hl的大約25%，以防止位于間隔件221周?chē)闹鲹豕獠糠?22變得過(guò)薄。因此，可以使主擋光部分222的厚度形成為在某種程度上是恒定的，從而防止當(dāng)主擋光部分222部分變薄時(shí)可能出現(xiàn)的諸如光泄漏的顯示故障。由于對(duì)于所描述的高分辨率顯示裝置而言會(huì)需要間隔件221來(lái)保持小的尺寸，所以可以容易地將上述構(gòu)造應(yīng)用于具有相對(duì)小的像素PX的高分辨率顯示裝置。
[0119]將參照?qǐng)D7(a)、圖7(b)、圖7 (C)、圖 8(a)、圖 8(b)、圖8(c)、圖 9(a)、圖9(b)和圖 9(C)，與相關(guān)領(lǐng)域相比較來(lái)對(duì)根據(jù)示例性實(shí)施例的效果進(jìn)行描述。
[0120]圖7(a)示出根據(jù)相關(guān)領(lǐng)域用于形成擋光構(gòu)件的光掩模的透射率，圖7(b)示出通過(guò)使用圖7(a)中所示的光掩模形成的擋光構(gòu)件的俯視圖，圖7(c)示出圖7(b)中所示的擋光構(gòu)件相對(duì)于剖面線A-A的剖視圖。圖8(a)示出根據(jù)示例性實(shí)施例用于形成擋光構(gòu)件的光掩模的透射率，圖8(b)示出通過(guò)使用圖8(a)中所示的光掩模形成的擋光構(gòu)件的俯視圖，圖8(c)示出圖8(b)中所示的擋光構(gòu)件相對(duì)于剖面線B-B的剖視圖。圖9(a)示出根據(jù)示例性實(shí)施例用于形成擋光構(gòu)件的光掩模的透射率，圖9(b)示出通過(guò)使用圖9(a)中所示的光掩模形成的擋光構(gòu)件的俯視圖，圖9(c)示出圖9(b)中所示的擋光構(gòu)件相對(duì)于剖面線C-C的剖視圖。
[0121]參照?qǐng)D7(a)，用于形成擋光構(gòu)件的光掩模50_cl包括:透明區(qū)域T，位于與將形成間隔件的區(qū)域?qū)?yīng)的部分中；半色調(diào)區(qū)域S，設(shè)置在透明區(qū)域T周?chē)?br>[0122]參照?qǐng)D7(a)到圖7(c)，如果通過(guò)使用圖7(a)中所示的光掩模50cl來(lái)將擋光材料層曝光，則形成圖案化的擋光構(gòu)件220_cI ο更具體地說(shuō)，與光掩模50_c I的透明區(qū)域T對(duì)應(yīng)的擋光材料層保留并形成間隔件221_cl，與半色調(diào)區(qū)域S對(duì)應(yīng)的擋光材料層被部分地去除以形成主擋光部分222_cl。
[0123]以上述方式形成的主擋光部分222_cl的厚度可以與圖2中所示的擋光構(gòu)件220的主擋光部分222的厚度Hl對(duì)應(yīng)。然而，間隔件221_cl的寬度Wc變得遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于圖2中所示的間隔件221的寬度W4。這是由于半色調(diào)區(qū)域S被設(shè)置在透明區(qū)域T周?chē)┻^(guò)半色調(diào)區(qū)域S的光影響與透明區(qū)域T對(duì)應(yīng)的擋光材料層，這與用于通過(guò)使用設(shè)置有不透明區(qū)域的光掩模來(lái)形成與透明區(qū)域T對(duì)應(yīng)的間隔件并單獨(dú)地形成擋光構(gòu)件的方法不同。與圖8(a)到圖8(c)和圖9
(a)到圖9(c)中所示的構(gòu)造相比，比主擋光部分222_cl高的間隔件221_cl的水平方向的尺寸增大。例如，當(dāng)主擋光部分222_cl的厚度與厚度Hl對(duì)應(yīng)時(shí)，間隔件221_cl的水平方向的寬度(Wc)大于20μπι。因此，圖7(a)、圖7(b)和圖7(c)中所示的光掩模50_cl以及通過(guò)使用光掩模50_cl形成的間隔件221_cl可能不適合于高分辨率顯示裝置。
[0124]參照?qǐng)D8(a)，用于形成擋光構(gòu)件的光掩模50_c2包括:透明區(qū)域T，位于與將形成間隔件的區(qū)域?qū)?yīng)的部分上；環(huán)型不透明區(qū)域(Or)，設(shè)置在透明區(qū)域T周?chē)?；半色調(diào)區(qū)域S，設(shè)置在環(huán)型不透明區(qū)域(Or)外部。
[0125]參照?qǐng)D8(b)和圖8(c)，如果通過(guò)使用圖8(a)中所示的光掩模50_c2來(lái)將擋光材料層曝光，則形成擋光構(gòu)件220_c2。更具體地說(shuō)，與光掩模50_c2的透明區(qū)域T對(duì)應(yīng)的擋光材料層保留并形成間隔件221_c2，與半色調(diào)區(qū)域S對(duì)應(yīng)的擋光材料層被部分地去除以形成主擋光部分222_c2，與環(huán)型不透明區(qū)域(Or)對(duì)應(yīng)的擋光材料層被去除以形成圍繞間隔件221_c2的深溝200H。
[0126]以上述方式形成的主擋光部分222_c2的厚度可以與圖2中所示的擋光構(gòu)件220的主擋光部分222的厚度Hl對(duì)應(yīng)。然而，以主擋光部分222_c2的上表面為參照物，深溝200H的深度H3變?yōu)榇笥谥鲹豕獠糠?22_c2的厚度Hl的大約50%。因此，主擋光部分222_(:2的厚度大幅度減小，這會(huì)引起部分光泄漏或擋光功能不足的問(wèn)題。然而，為了建立較小的間隔件，至少可以使間隔件221_c2的水平方向的寬度大幅度減小。
[0127]圖9(a)示出用于形成與圖2中所示的構(gòu)造相似的擋光構(gòu)件的光掩模50。如上所述，光掩模50包括:透明區(qū)域T，位于與將形成間隔件221的區(qū)域?qū)?yīng)的部分;至少兩個(gè)環(huán)型不透明區(qū)域Or I和0r2，設(shè)置在透明區(qū)域T周?chē)?；中間半色調(diào)區(qū)域Sr I，設(shè)置在環(huán)型不透明區(qū)域Or I和0r2之間；半色調(diào)區(qū)域S，設(shè)置在環(huán)型不透明區(qū)域0r2外部。
[0128]參照?qǐng)D9(b)和圖9(c)，如果通過(guò)使用圖9(a)中所示的光掩模50來(lái)將擋光材料層曝光，則形成擋光構(gòu)件220。更具體地說(shuō)，與光掩模50的透明區(qū)域T對(duì)應(yīng)的擋光材料層保留以形成間隔件221，與半色調(diào)區(qū)域S對(duì)應(yīng)的擋光材料層被部分地去除以形成主擋光部分222，與環(huán)型不透明區(qū)域Orl和0r2以及中間半色調(diào)區(qū)域Srl對(duì)應(yīng)的擋光材料層比主擋光部分222被進(jìn)一步去除，以形成圍繞間隔件221的溝20H。如上所述，以主擋光部分222的上表面為參照物，溝20H的深度H2可以等于或小于主擋光部分222的厚度Hl的大約25%。因此，防止主擋光部分222變得過(guò)薄，而且間隔件221的水平方向的寬度W4可以被控制并且形成為足夠窄，所以在高分辨率顯示裝置中可以容易地形成較小的間隔件。
[0129]雖然在這里描述了特定的示例性實(shí)施例和實(shí)施方式，但是，其他實(shí)施例和修改通過(guò)本描述將是顯而易見(jiàn)的。因此，發(fā)明構(gòu)思不限于這樣的實(shí)施例，而是相反，限于所提出的權(quán)利要求、各種明顯的修改及等同布置的更寬的范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括: 第一基底和面向所述第一基底的第二基底； 薄膜晶體管，設(shè)置在所述第一基底上； 第一絕緣層，設(shè)置在所述薄膜晶體管上；以及 擋光構(gòu)件，設(shè)置在所述第一絕緣層上， 其中，所述擋光構(gòu)件包括用于保持所述第一基底和所述第二基底之間的盒間隙的間隔件以及具有比所述間隔件的上表面低的上表面的主擋光部分， 其中，所述擋光構(gòu)件還包括位于所述間隔件和所述主擋光部分之間的邊界處的溝，所述溝的表面比所述主擋光部分的上表面低。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于: 以所述主擋光部分的所述上表面為參照物，所述溝的深度等于或小于所述主擋光部分的厚度的25 %。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其特征在于: 所述溝具有圍繞所述間隔件的閉合曲線。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其特征在于: 所述間隔件的寬度是5μπι至15μπι。5.一種用于制造顯示裝置的方法，其特征在于，所述方法包括: 在第一基底上形成薄膜晶體管； 在所述薄膜晶體管上形成第一絕緣層；以及 在所述第一絕緣層上涂覆擋光材料層并使用光掩模來(lái)將所述擋光材料層曝光， 其中，所述光掩模包括: 島型第一區(qū)域，用于透射光的至少一部分； 多個(gè)環(huán)型不透明區(qū)域，設(shè)置在所述第一區(qū)域周?chē)⒈舜朔珠_(kāi)；以及 第二區(qū)域，設(shè)置在所述多個(gè)環(huán)型不透明區(qū)域之間并透射光的至少一部分。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于: 所述環(huán)型不透明區(qū)域的寬度大于Ομπι且在2μπι以下，所述第二區(qū)域的寬度大于Ομπι且在2μπι以下。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于: 所述光掩模還包括設(shè)置在所述多個(gè)環(huán)型不透明區(qū)域外部并透射光的一部分的半色調(diào)區(qū)域。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于: 所述環(huán)型不透明區(qū)域和所述第二區(qū)域分別形成閉合曲線。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于: 所述第一區(qū)域是具有比所述半色調(diào)區(qū)域高的透光率的透明區(qū)域；以及 所述透明區(qū)域的寬度是5μηι至15μηι。10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于: 所述第一區(qū)域是具有比所述半色調(diào)區(qū)域高的透光率的透明區(qū)域；以及 所述第二區(qū)域是透射光的一部分的半色調(diào)區(qū)域。11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于:所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域是透射光的一部分的半色調(diào)區(qū)域。
【文檔編號(hào)】H01L27/12GK105988256SQ201610027677
【公開(kāi)日】2016年10月5日
【申請(qǐng)日】2016年1月15日
【發(fā)明人】張昶順, 金熙羅, 沈怡燮, 許澈
【申請(qǐng)人】三星顯示有限公司