光刻方法及晶圓的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本申請(qǐng)公開(kāi)了一種光刻方法及晶圓。該光刻方法包括以下步驟：測(cè)量獲得晶圓的表面形貌，并獲得晶圓中的待曝光區(qū)的厚度H1；將晶圓傾斜置于光刻系統(tǒng)中的最佳焦距面上并計(jì)算獲得焦距范圍值H，且H＝H1+H2，其中H2為晶圓中的待曝光區(qū)與最佳焦距面之間的距離；光刻系統(tǒng)根據(jù)焦距范圍值H對(duì)晶圓的位置進(jìn)行調(diào)節(jié)，并通過(guò)傾斜調(diào)焦工藝對(duì)晶圓中的待曝光區(qū)進(jìn)行曝光。該光刻方法通過(guò)將晶圓傾斜置于光刻系統(tǒng)中的最佳焦距面上并計(jì)算獲得焦距范圍值H，并根據(jù)焦距范圍值H對(duì)晶圓的位置進(jìn)行調(diào)節(jié)，以使得晶圓更精確地處于最佳焦距面上，從而使得通過(guò)傾斜調(diào)焦工藝對(duì)晶圓中的待曝光區(qū)進(jìn)行曝光時(shí)的景深得以增加。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
光刻方法及晶圓
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體集成電路的技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種光刻方法及晶圓。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著半導(dǎo)體集成電路業(yè)的迅速發(fā)展，半導(dǎo)體器件的工藝制程已經(jīng)進(jìn)入到納米級(jí)，特別是28納米及以下節(jié)點(diǎn)工藝逐漸成為發(fā)展的主要方向。相應(yīng)地，半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵尺寸和工藝窗口也越來(lái)越小，使得光刻工藝的要求愈發(fā)嚴(yán)苛。所謂光刻工藝是通過(guò)一系列生產(chǎn)步驟將晶圓表面薄膜的特定部分除去，從而在晶圓上形成特征圖形的工藝。
[0003]隨著半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵尺寸的逐漸減小(特別是關(guān)鍵尺寸小于SOnm時(shí))，光刻過(guò)程中景深的控制越來(lái)越難。目前，通常通過(guò)傾斜調(diào)焦(Focus drilling)來(lái)增加光刻過(guò)程中的景深。傾斜調(diào)焦的工藝原理為:將光刻系統(tǒng)中的晶圓載片臺(tái)(Wafer Stage)在x軸輕微傾斜，并使得晶圓載片臺(tái)在Z軸逐漸移動(dòng)，同時(shí)沿著Y軸對(duì)晶圓進(jìn)行掃描曝光，這樣就可以使得晶圓中的待曝光區(qū)在最佳焦距的一定失范圍內(nèi)連續(xù)曝光，從而增加了景深和圖像對(duì)比度。通過(guò)傾斜調(diào)焦可以減小半導(dǎo)體工藝后段制程(BEOL)中形貌變化帶來(lái)的使景深的增加。例如，在28nm工藝制程中傾斜調(diào)焦工藝能夠?qū)⒕吧钐岣叽蠹s15nm。
[0004]雖然上述傾斜調(diào)焦能夠增加景深，但是也會(huì)給生產(chǎn)工藝帶來(lái)不利影響，例如導(dǎo)致曝光容許度減小、關(guān)鍵尺寸均勻性變差以及曝光最佳能量增加等?？紤]到這些不利影響，傾斜調(diào)焦對(duì)景深的增加十分有限。同時(shí)，隨著半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵尺寸的進(jìn)一步減小，特別是關(guān)鍵尺寸處于28納米及以下節(jié)點(diǎn)時(shí)，景深還有待于進(jìn)一步增加。因此，如何進(jìn)一步增加光刻過(guò)程中的景深，成為目前亟待解決的技術(shù)難題之一。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本申請(qǐng)旨在提供一種光刻方法及晶圓，以增加光刻過(guò)程中的景深。
[0006]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N光刻方法，該光刻方法包括以下步驟:測(cè)量獲得晶圓的表面形貌，并獲得晶圓中的待曝光區(qū)的厚度Hl ;將晶圓傾斜置于光刻系統(tǒng)中的最佳焦距面上并計(jì)算獲得焦距范圍值H，且H = H1+H2，其中H2為晶圓中的待曝光區(qū)與最佳焦距面之間的距離；光刻系統(tǒng)根據(jù)焦距范圍值H對(duì)晶圓的位置進(jìn)行調(diào)節(jié)，并通過(guò)傾斜調(diào)焦工藝對(duì)晶圓中的待曝光區(qū)進(jìn)行曝光。
[0007]進(jìn)一步地，晶圓中的待曝光區(qū)與最佳焦距面之間的距離H2通過(guò)以下步驟獲得:獲得晶圓與最佳焦距面之間的夾角Θ ;獲得晶圓和最佳焦距面的相交線(xiàn)與待曝光區(qū)之間的距離R，那么H2 = sin Θ.R0
[0008]進(jìn)一步地，獲得晶圓與最佳焦距面之間的夾角Θ的步驟包括:設(shè)定焦距范圍的預(yù)估值為S，并獲得有效曝光區(qū)寬度為L(zhǎng)，那么Θ = arctan (S/L) ο
[0009]進(jìn)一步地，S= 8 ?12mm。
[0010]進(jìn)一步地，對(duì)晶圓的位置進(jìn)行調(diào)節(jié)的步驟中，根據(jù)焦距范圍值H和焦距范圍的預(yù)估值S的差值對(duì)晶圓的位置進(jìn)行自動(dòng)調(diào)節(jié)。
[0011]進(jìn)一步地，測(cè)量獲得晶圓的表面形貌的步驟包括:分別采用壓力測(cè)量法和光學(xué)測(cè)量法對(duì)測(cè)試晶圓的表面形貌進(jìn)行測(cè)量，以獲得形貌測(cè)量偏差圖；采用光學(xué)測(cè)量法對(duì)晶圓進(jìn)行測(cè)量以獲得厚度測(cè)量值，并根據(jù)形貌測(cè)量偏差圖對(duì)厚度測(cè)量值進(jìn)行校正以得晶圓中的待曝光區(qū)的厚度Hl。
[0012]進(jìn)一步地，采用壓力測(cè)量法和光學(xué)測(cè)量法對(duì)測(cè)試晶圓進(jìn)行測(cè)量的步驟中，將測(cè)試晶圓平行地置于最佳焦距面上。
[0013]進(jìn)一步地，壓力測(cè)量法采用的氣體為氮?dú)饣蚩諝狻?br>[0014]進(jìn)一步地，在對(duì)晶圓中的待曝光區(qū)進(jìn)行曝光之后，光刻方法還包括對(duì)晶圓中的待曝光區(qū)進(jìn)行刻蝕，以在晶圓中形成器件結(jié)構(gòu)的步驟。
[0015]進(jìn)一步地，器件結(jié)構(gòu)為通孔或凹槽。
[0016]同時(shí)，本申請(qǐng)還提供了一種晶圓，該晶圓經(jīng)本申請(qǐng)?zhí)峁┑墓饪谭椒ㄌ幚矶伞?br>[0017]本申請(qǐng)通過(guò)將晶圓傾斜置于光刻系統(tǒng)中的最佳焦距面上并計(jì)算獲得焦距范圍值H，并根據(jù)焦距范圍值H對(duì)晶圓的位置進(jìn)行調(diào)節(jié)，以使得晶圓更精確地處于最佳焦距面上，從而使得通過(guò)傾斜調(diào)焦工藝對(duì)晶圓中的待曝光區(qū)進(jìn)行曝光時(shí)的景深得以增加。
【附圖說(shuō)明】
[0018]構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分的說(shuō)明書(shū)附圖用來(lái)提供對(duì)本申請(qǐng)的進(jìn)一步理解，本申請(qǐng)的示意性實(shí)施例及其說(shuō)明用于解釋本申請(qǐng)，并不構(gòu)成對(duì)本申請(qǐng)的不當(dāng)限定。在附圖中:
[0019]圖1示出了本申請(qǐng)實(shí)施方式所提供的光刻方法的流程示意圖；
[0020]圖2示出了本申請(qǐng)實(shí)施方式所提供的光刻方法的工藝原理示意圖；以及
[0021]圖3a至圖3c示出了本申請(qǐng)實(shí)施方式所提供的光刻方法中，傾斜調(diào)焦的工藝過(guò)程的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0022]需要說(shuō)明的是，在不沖突的情況下，本申請(qǐng)中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。下面將參考附圖并結(jié)合實(shí)施例來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本申請(qǐng)。
[0023]需要注意的是，這里所使用的術(shù)語(yǔ)僅是為了描述【具體實(shí)施方式】，而非意圖限制根據(jù)本申請(qǐng)的示例性實(shí)施方式。如在這里所使用的，除非上下文另外明確指出，否則單數(shù)形式也意圖包括復(fù)數(shù)形式，此外，還應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)在本說(shuō)明書(shū)中使用術(shù)語(yǔ)“包含”和/或“包括”時(shí)，其指明存在特征、步驟、操作、器件、組件和/或它們的組合。
[0024]為了便于描述，在這里可以使用空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)，如“在……之上”、“在……上方”、“在……上表面”、“上面的”等，用來(lái)描述如在圖中所示的一個(gè)器件或特征與其他器件或特征的空間位置關(guān)系。應(yīng)當(dāng)理解的是，空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)旨在包含除了器件在圖中所描述的方位之外的在使用或操作中的不同方位。因而，示例性術(shù)語(yǔ)“在……上方”可以包括“在……上方”和“在……下方”兩種方位。該器件也可以其他不同方式定位(旋轉(zhuǎn)90度或處于其他方位)，并且對(duì)這里所使用的空間相對(duì)描述作出相應(yīng)解釋。
[0025]正如【背景技術(shù)】中所介紹的，現(xiàn)有光刻方法中的景深有待于進(jìn)一步提高。為此，本申請(qǐng)的發(fā)明人提供了一種光刻方法。如圖1所示，該光刻方法包括以下步驟:測(cè)量獲得晶圓的表面形貌，并獲得晶圓中的待曝光區(qū)的厚度Hl ;將晶圓傾斜置于光刻系統(tǒng)中的最佳焦距面上并計(jì)算獲得焦距范圍值H，且H = H1+H2，其中H2為晶圓中的待曝光區(qū)與最佳焦距面之間的距離；光刻系統(tǒng)根據(jù)焦距范圍值H對(duì)晶圓的位置進(jìn)行調(diào)節(jié)，并通過(guò)傾斜調(diào)焦工藝對(duì)晶圓中的待曝光區(qū)進(jìn)行曝光。其中，H、Hl和H2的關(guān)系可以通過(guò)圖2得出。
[0026]上述光刻方法通過(guò)將晶圓傾斜置于光刻系統(tǒng)中的最佳焦距面上并計(jì)算獲得焦距范圍值H，并根據(jù)焦距范圍值H對(duì)晶圓的位置進(jìn)行調(diào)節(jié)，以使得晶圓更精確地處于最佳焦距面上，從而使得通過(guò)傾斜調(diào)焦工藝對(duì)晶圓中的待曝光區(qū)進(jìn)行曝光時(shí)的景深得以增加。
[0027]下面將更詳細(xì)地描述根據(jù)本申請(qǐng)?zhí)峁┑墓饪谭椒ǖ氖纠詫?shí)施方式。然而，這些示例性實(shí)施方式可以由多種不同的形式來(lái)實(shí)施，并且不應(yīng)當(dāng)被解釋為只限于這里所闡述的實(shí)施方式。應(yīng)當(dāng)理解的是，提供這些實(shí)施方式是為了使得本申請(qǐng)的公開(kāi)徹底且完整，并且將這些示例性實(shí)施方式的構(gòu)思充分傳達(dá)給本領(lǐng)域普通技術(shù)人員。
[0028]首先，測(cè)量獲得晶圓的表面形貌，并獲得晶圓中的待曝光區(qū)的厚度H1。在一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，測(cè)量獲得晶圓的表面形貌的步驟包括:分別采用壓力測(cè)量法和光學(xué)測(cè)量法對(duì)測(cè)試晶圓的表面形貌進(jìn)行測(cè)量，以獲得形貌測(cè)量偏差圖；采用光學(xué)測(cè)量法對(duì)晶圓進(jìn)行測(cè)量以獲得厚度測(cè)量值，并根據(jù)形貌測(cè)量偏差圖對(duì)厚度測(cè)量值進(jìn)行校正以得晶圓中的待曝光區(qū)的厚度H1。該步驟中，測(cè)試晶圓平行地置于最佳焦距面上。
[0029]上述壓力測(cè)量法是指采用氣體吹向晶圓的表面，并對(duì)晶圓的表面產(chǎn)生壓力，再通過(guò)檢測(cè)壓力值獲得晶圓的表面高度。壓力測(cè)量法采用的氣體可以為氮?dú)饣蚩諝狻Ｉ鲜龉鈱W(xué)測(cè)量法是指使用掃描反射鏡對(duì)測(cè)量信號(hào)進(jìn)行調(diào)制，進(jìn)而使用相敏解調(diào)對(duì)光電轉(zhuǎn)換之后的電信號(hào)進(jìn)行解調(diào)，從而獲得與晶圓的表面高度一一對(duì)應(yīng)地電信號(hào)。上述方法的具體工藝可以參照現(xiàn)有技術(shù)，在此不再贅述。
[0030]其中，壓力測(cè)量法的測(cè)量準(zhǔn)確性要高于光學(xué)測(cè)量法，但是壓力測(cè)量法的測(cè)量速率比光學(xué)測(cè)量法低。為此，本申請(qǐng)通過(guò)分別采用壓力測(cè)量法和光學(xué)測(cè)量法對(duì)測(cè)試晶圓進(jìn)行測(cè)量，以獲得形貌測(cè)量偏差圖，然后采用光學(xué)測(cè)量法對(duì)晶圓進(jìn)行測(cè)量，并根據(jù)形貌測(cè)量偏差圖對(duì)厚度測(cè)量值進(jìn)行校正以得晶圓中的待曝光區(qū)的厚度H1，從而實(shí)現(xiàn)了更準(zhǔn)確、更快速的測(cè)量獲得晶圓的表面形貌的目的。
[0031]完成測(cè)量獲得晶圓的表面形貌，并獲得晶圓中的待曝光區(qū)的厚度Hl的步驟之后，將晶圓傾斜置于光刻系統(tǒng)中的最佳焦距面上并計(jì)算獲得焦距范圍值H，且H = H1+H2，其中H2為晶圓中的待曝光區(qū)與最佳焦距面之間的距離。優(yōu)選地，晶圓中的待曝光區(qū)與最佳焦距面之間的距離H2通過(guò)以下步驟獲得:獲得晶圓與最佳焦距面之間的夾角Θ ;獲得晶圓和最佳焦距面的相交線(xiàn)與待曝光區(qū)之間的距離R，那么H2 = sine.R，如圖2所示。
[0032]具體地，獲得晶圓與最佳焦距面之間的夾角Θ的步驟可以為:設(shè)定焦距范圍的預(yù)估值S，并獲得有效曝光區(qū)寬度為L(zhǎng)，那么Θ = arctan (S/L) ο焦距范圍的預(yù)估值S可以根據(jù)實(shí)際工藝需求進(jìn)行設(shè)定，優(yōu)選地，S = 8?12mm。
[0033]完成將晶圓傾斜置于光刻系統(tǒng)中的最佳焦距面上并計(jì)算獲得焦距范圍值H，且H= H1+H2，其中H2為晶圓中的待曝光區(qū)與最佳焦距面之間的距離的步驟之后，光刻系統(tǒng)根據(jù)焦距范圍值H對(duì)晶圓的位置進(jìn)行調(diào)節(jié)，并通過(guò)傾斜調(diào)焦工藝對(duì)晶圓中的待曝光區(qū)進(jìn)行曝光。在該步驟中，光刻系統(tǒng)能夠根據(jù)焦距范圍值H和焦距范圍的預(yù)估值S的差值對(duì)晶圓的位置進(jìn)行自動(dòng)調(diào)節(jié)。
[0034]光刻系統(tǒng)的工作臺(tái)一般由樣片整體運(yùn)動(dòng)臺(tái)、樣片相對(duì)運(yùn)動(dòng)臺(tái)、轉(zhuǎn)動(dòng)臺(tái)和樣片調(diào)平機(jī)構(gòu)等組成。在該步驟中，光刻系統(tǒng)能夠根據(jù)焦距范圍值H和焦距范圍的預(yù)估值S的差值，自動(dòng)調(diào)節(jié)工作臺(tái)，以實(shí)現(xiàn)對(duì)晶圓的位置進(jìn)行自動(dòng)調(diào)節(jié)的目的。
[0035]上述傾斜調(diào)焦的工藝過(guò)程為:將光刻系統(tǒng)中的晶圓載片臺(tái)(Wafer Stage)在x軸輕微傾斜，并使得晶圓載片臺(tái)在Z軸逐漸移動(dòng)，同時(shí)沿著Y軸對(duì)晶圓進(jìn)行掃描曝光，這樣就可以使得晶圓中的待曝光區(qū)在最佳焦距的一定失范圍內(nèi)連續(xù)曝光，從而增加了景深和圖像對(duì)比度，如圖3a至圖3c所示。另外，曝光的過(guò)程可以采用步進(jìn)掃描曝光。
[0036]在對(duì)晶圓中的待曝光區(qū)進(jìn)行曝光之后，本申請(qǐng)?zhí)峁┑墓饪谭椒ㄟ€包括對(duì)晶圓中的待曝光區(qū)進(jìn)行刻蝕，以在晶圓中形成器件結(jié)構(gòu)的步驟，器件結(jié)構(gòu)可以為通孔或凹槽。具體地，一般情況下光刻工藝要經(jīng)歷晶圓表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對(duì)準(zhǔn)曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕、檢測(cè)等工序，因此在曝光后還包括后烘、顯影、硬烘、刻蝕、檢測(cè)等工序。上述工藝的具體過(guò)程及參數(shù)可以參照現(xiàn)有技術(shù)，在此不再贅述。
[0037]同時(shí)，本申請(qǐng)還提供了一種晶圓，該晶圓經(jīng)本申請(qǐng)?zhí)峁┑墓饪谭椒ㄌ幚矶?。其中，光刻方法包括以下步驟:測(cè)量獲得晶圓的表面形貌，并獲得晶圓中的待曝光區(qū)的厚度Hl ;將晶圓傾斜置于光刻系統(tǒng)中的最佳焦距面上并計(jì)算獲得焦距范圍值H，且H = H1+H2，其中H2為晶圓中的待曝光區(qū)與最佳焦距面之間的距離；光刻系統(tǒng)根據(jù)焦距范圍值H對(duì)晶圓的位置進(jìn)行調(diào)節(jié)，并通過(guò)傾斜調(diào)焦工藝對(duì)晶圓中的待曝光區(qū)進(jìn)行曝光。其具體過(guò)程請(qǐng)參照前面相關(guān)描述。
[0038]采用上述光刻方法形成本申請(qǐng)?zhí)峁┑木A時(shí)，通過(guò)將晶圓傾斜置于光刻系統(tǒng)中的最佳焦距面上并計(jì)算獲得焦距范圍值H，并根據(jù)焦距范圍值H對(duì)晶圓的位置進(jìn)行調(diào)節(jié)，以使得晶圓更精確地處于最佳焦距面上，從而使得通過(guò)傾斜調(diào)焦工藝對(duì)晶圓中的待曝光區(qū)進(jìn)行曝光時(shí)的景深得以增加。
[0039]從以上的描述中，可以看出，本申請(qǐng)上述的實(shí)施例實(shí)現(xiàn)了如下技術(shù)效果:本申請(qǐng)通過(guò)將晶圓傾斜置于光刻系統(tǒng)中的最佳焦距面上并計(jì)算獲得焦距范圍值H，并根據(jù)焦距范圍值H對(duì)晶圓的位置進(jìn)行調(diào)節(jié)，以使得晶圓更精確地處于最佳焦距面上，從而使得通過(guò)傾斜調(diào)焦工藝對(duì)晶圓中的待曝光區(qū)進(jìn)行曝光時(shí)的景深得以增加。
[0040]以上所述僅為本申請(qǐng)的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本申請(qǐng)，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，本申請(qǐng)可以有各種更改和變化。凡在本申請(qǐng)的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本申請(qǐng)的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種光刻方法，其特征在于，所述光刻方法包括以下步驟: 測(cè)量獲得晶圓的表面形貌，并獲得所述晶圓中的待曝光區(qū)的厚度Hl ; 將所述晶圓傾斜置于光刻系統(tǒng)中的最佳焦距面上并計(jì)算獲得焦距范圍值H，且H =H1+H2，其中H2為所述晶圓中的待曝光區(qū)與所述最佳焦距面之間的距離； 所述光刻系統(tǒng)根據(jù)所述焦距范圍值H對(duì)所述晶圓的位置進(jìn)行調(diào)節(jié)，并通過(guò)傾斜調(diào)焦工藝對(duì)所述晶圓中的待曝光區(qū)進(jìn)行曝光。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻方法，其特征在于，所述晶圓中的待曝光區(qū)與所述最佳焦距面之間的距離H2通過(guò)以下步驟獲得: 獲得所述晶圓與所述最佳焦距面之間的夾角Θ ; 獲得所述晶圓和所述最佳焦距面的相交線(xiàn)與所述待曝光區(qū)之間的距離R，那么H2 =sin Θ.R03.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光刻方法，其特征在于，獲得所述晶圓與所述最佳焦距面之間的夾角Θ的步驟包括:設(shè)定所述焦距范圍的預(yù)估值為S，并獲得有效曝光區(qū)寬度為L(zhǎng)，那么 Θ = arctan (S/L)。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光刻方法，其特征在于，S= 8?12mm。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光刻方法，其特征在于，對(duì)所述晶圓的位置進(jìn)行調(diào)節(jié)的步驟中，根據(jù)所述焦距范圍值H和所述焦距范圍的預(yù)估值S的差值對(duì)所述晶圓的位置進(jìn)行自動(dòng)調(diào)節(jié)。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻方法，其特征在于，測(cè)量獲得所述晶圓的表面形貌的步驟包括: 分別采用壓力測(cè)量法和光學(xué)測(cè)量法對(duì)測(cè)試晶圓的表面形貌進(jìn)行測(cè)量，以獲得形貌測(cè)量偏差圖； 采用所述光學(xué)測(cè)量法對(duì)所述晶圓進(jìn)行測(cè)量以獲得厚度測(cè)量值，并根據(jù)所述形貌測(cè)量偏差圖對(duì)所述厚度測(cè)量值進(jìn)行校正以得所述晶圓中的待曝光區(qū)的厚度Hl。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光刻方法，其特征在于，采用壓力測(cè)量法和光學(xué)測(cè)量法對(duì)測(cè)試晶圓進(jìn)行測(cè)量的步驟中，將測(cè)試晶圓平行地置于最佳焦距面上。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光刻方法，其特征在于，所述壓力測(cè)量法采用的氣體為氮?dú)饣蚩諝狻?.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻方法，其特征在于，在對(duì)所述晶圓中的待曝光區(qū)進(jìn)行曝光之后，所述光刻方法還包括對(duì)所述晶圓中的待曝光區(qū)進(jìn)行刻蝕，以在所述晶圓中形成器件結(jié)構(gòu)的步驟。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光刻方法，其特征在于，所述器件結(jié)構(gòu)為通孔或凹槽。11.一種晶圓，其特征在于，所述晶圓經(jīng)權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)所述的光刻方法處理ntjD
【文檔編號(hào)】H01L21/027GK105988310SQ201510088074
【公開(kāi)日】2016年10月5日
【申請(qǐng)日】2015年2月26日
【發(fā)明人】李天慧, 王輝
【申請(qǐng)人】中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司