成像裝置和處理盒的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種成像裝置和處理盒，該成像裝置包括：電子照相感光體，其包括導電性基體和包含感光層的有機層；充電部件，其對電子照相感光體的表面進行充電；靜電潛像形成單元；顯影單元；轉印單元；以及清潔部件，其在電子照相感光體的表面上進行清潔，其中在電子照相感光體的軸向上，電子照相感光體和清潔部件的接觸區(qū)域比電子照相感光體和充電部件的接觸區(qū)域寬，并且在電子照相感光體的軸向上的兩個端部處均滿足關系式0.97≤d’/d≤1.03，0.97≤d”/d≤1.1和1.03≤d”max/d≤1.1，其中d、d’、d”和d”max分別為本申請中所限定的各部分處的有機層總膜厚的值。
【專利說明】
成像裝置和處理盒
技術領域
[0001] 本發(fā)明設及成像裝置和處理盒。
【背景技術】
[0002] 電子照相型成像裝置通常包括電子照相感光體（其可被稱為"感光體"）、充電單 元、靜電潛像形成單元、顯影單元、轉印單元、清潔單元、定影單元等。
[0003] 專利文獻1公開了一種成像裝置，其包括感光體和充電裝置。在專利文獻1公開 的成像裝置中，W運樣的方式獲得感光體：利用浸涂法在基材上形成感光膜并使其旋轉，并 且在利用浸涂形成感光膜時，充電裝置使得接觸充電部件沿著感光體的軸向與起始于對接 起始位置的區(qū)域接觸并對感光體進行充電，該對接起始位置設定為從位于上方側的感光體 的上端部直至內部。在專利文獻1公開的成像裝置中，當將感光體的壽命預定旋轉數(shù)設為 A (轉）、感光體每旋轉一轉的感光膜磨損量設為B ( μ m)、感光體的充電裝置產(chǎn)生的充電電 勢（絕對值）設為C(V)、化及感光體的充電電壓施加期間的介電擊穿場強度設為D(V/ym) 時，接觸充電部件的對接起始位置設定在W下部位：在該部位處，感光體中的感光膜的膜厚 度為由式"C今D+AXB"獲得的值至成像區(qū)域中的感光膜的平均膜厚減去2 μπι所得的值。
[0004] 專利文獻2公開了一種電子照相裝置，其至少包括電子照相感光體和清潔部件。 在該電子照相裝置中，電子照相感光體包括依次位于支持部件上的電荷產(chǎn)生層和電荷傳輸 層，其中電荷傳輸層至少包含電荷傳輸材料和作為粘結劑樹脂的粘均分子量為50, 000 W 上的鏈狀熱塑性樹脂，并且膜厚分布滿足下式（1)，并且作為清潔部件的橡膠刮刀與電子照 相感光體接觸。
[0005] (距離涂布起始位置7mm位置處的膜厚）>(涂布中屯、部的膜厚）Χ0. 75:式（1)
[0006] (其中，涂布中屯、部的膜厚為22 μ m W上）。
[0007] 專利文獻3公開了一種處理速度為250mm/sec W上的電子照相裝置，其中電子照 相感光體包括依次位于支持部件上的電荷產(chǎn)生層和電荷傳輸層，電荷傳輸層具有滿足下式 (1)的膜厚分布，并且具有橡膠刮刀作為清潔部件與電子照相感光體接觸。
[0008] (距離涂布起始位置7mm位置處的膜厚）>(涂布中屯、部的膜厚）X0. 80 :式（1)
[0009] 專利文獻4公開了一種電子照相感光體，其具有通過浸涂形成于基體上的感光 膜。在專利文獻4公開的電子照相感光體中，感光膜具有成像區(qū)域和覆蓋成像區(qū)域的充電 區(qū)域，并且充電區(qū)域中在成像區(qū)域的外部中的浸涂時位于下方的部分的膜厚度A大于成像 區(qū)域中的浸涂時位于下方的端部的膜厚度B。
[0010] 專利文獻5公開了一種電子照相裝置，其包括電子照相感光體和設置為與感光體 接觸的充電用部件，膜厚度di與膜厚度d 2的比率在0.50《cU/di^ 1.20(式（1))的范圍 內，膜厚度di為電子照相感光體的表面層的中屯、部區(qū)域的厚度，膜厚度cU為其端部側區(qū)域 的厚度，并且充電用部件的充電寬度區(qū)域中的端部側部分的電阻值W比中屯、部的部分的電 阻值大的方式分布。
[0011] 專利文獻6公開了一種成像方法，其利用在圓筒狀導電性基體上包括至少具有感 光層的涂層的電子照相感光體并重復進行充電工序、曝光工序、利用了含有調色劑的顯影 劑的顯影工序、調色劑圖像轉印工序、W及用清潔單元除去電子照相感光體上的殘留調色 劑的工序來形成圖像。在專利文獻6公開的成像方法中，當將電子照相感光體的成像寬度 方向上的涂層中屯、部處的膜厚平均值設為P(ym)、成像區(qū)域之外的區(qū)域的膜厚的最大平均 值設為Pmax ( μ m)、且從具有最大值的點至涂層端部的距離平均值設為D ( μ m)時，形狀同 時滿足下式（1)和（2)，并且充電工序中的充電是通過使充電部件與電子照相感光體接觸 而進行的。 陽01引 0<Pmax<2P 式（1) 陽01引 2《（Pmax/D) X 100《50 式似
[0014] 專利文獻 1 :JP-A-2007-121887
[0015] 專利文獻 2 :JP-A-2004-157316
[0016] 專利文獻 3 :JP-A-2004-157315
[0017] 專利文獻 4 :JP-A-11-160899
[0018] 專利文獻 5 :JP-A-8-286393
[0019] 專利文獻6 :日本專利No. 4134698

【發(fā)明內容】

[0020] 本發(fā)明的目的是提供一種成像裝置，其包括：
[0021] 電子照相感光體，其包括導電性基體和設置在該導電性基體上的至少包含感光層 的有機層；
[0022] 充電部件，其接觸電子照相感光體的表面并且對電子照相感光體的表面進行充 電；化及
[0023] 清潔部件，其接觸電子照相感光體的表面從而在電子照相感光體的表面上進行清 潔；并且
[0024] 與在電子照相感光體的軸向上電子照相感光體和清潔部件的接觸區(qū)域比電子 照相感光體和充電部件的接觸區(qū)域寬、且在電子照相感光體的一個端部滿足關系式d' / d<0. 97、d"/d<0. 97和d"max/d<l. 03的情況相比，該成像裝置抑制了因電子照相感光體的 軸向端部的介電擊穿所引起的圖像缺陷的發(fā)生，
[0025] 其中將位于與充電部件接觸的區(qū)域中的有機層的平均總膜厚設為d，將位于不與 充電部件接觸的區(qū)域中且從電子照相感光體軸向上的與充電部件接觸的區(qū)域的端部至與 清潔部件接觸的區(qū)域的端部的區(qū)域A中的有機層的總膜厚設為d'，將位于不與清潔部件接 觸的區(qū)域中且從電子照相感光體軸向上的與清潔部件接觸的區(qū)域的端部至最大總膜厚部 的區(qū)域B中的有機層的總膜厚設為d"，并且將有機層的最大總膜厚部的總膜厚設為d"max。 [00%] 上述目的通過W下構造而得W實現(xiàn)。
[0027] 根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種成像裝置，包括：
[0028] 電子照相感光體，其包括導電性基體和設置在該導電性基體上的至少包含感光層 的有機層；
[0029] 充電部件，其接觸電子照相感光體的表面并且對電子照相感光體的表面進行充 電；
[0030] 靜電潛像形成單元，其在電子照相感光體的表面上形成靜電潛像；
[0031] 顯影單元，其利用包含調色劑的顯影劑將形成于電子照相感光體的表面上的靜電 潛像顯影，W形成調色劑圖像； 陽0巧轉印單元，其將調色劑圖像轉印到記錄介質的表面上；W及
[0033] 清潔部件，其接觸電子照相感光體的表面從而在電子照相感光體的表面上進行清 潔，
[0034] 其中在電子照相感光體的軸向上，電子照相感光體和清潔部件的接觸區(qū)域比電子 照相感光體和充電部件的接觸區(qū)域寬，
[0035] 電子照相感光體軸向上的兩個端部處的最大總膜厚部分別被包括在不與清潔部 件接觸的區(qū)域中，其中在最大總膜厚部處，有機層的總膜厚變?yōu)樽畲?，并?br>[0036] 在將位于與充電部件接觸的區(qū)域中的有機層的平均總膜厚設為d，將位于不與充 電部件接觸的區(qū)域中且從電子照相感光體軸向上的與充電部件接觸的區(qū)域的端部至與清 潔部件接觸的區(qū)域的端部的區(qū)域A中的有機層的總膜厚設為d'，將位于不與清潔部件接觸 的區(qū)域中且從電子照相感光體軸向上的與清潔部件接觸的區(qū)域的端部至最大總膜厚部的 區(qū)域B中的有機層的總膜厚設為d"，并且將有機層的最大總膜厚部的總膜厚設為d"max時， 在電子照相感光體的軸向上的兩個端部均滿足W下所有的關系式（1)至（3):
[0037] 0. 97《d，/d《1. 03 (1)
[0038] 0. 97《d，，/d《1. 1 (2)
[0039] 1. 03《d"max/d《1. 1 做。
[0040] 根據(jù)本發(fā)明的第二方面，在根據(jù)第一方面所述的成像裝置中，關系式（1)滿足W 下關系：
[0041] 0. 98《d，/d《1. 02。
[0042] 根據(jù)本發(fā)明的第Ξ方面，在根據(jù)第一方面所述的成像裝置中，關系式（2)滿足W 下關系：
[0043] 0. 98《d，，/d《1. 05。
[0044] 根據(jù)本發(fā)明的第四方面，在根據(jù)第一方面所述的成像裝置中，關系式（3)滿足W 下關系：
[0045] 1. 03《d"max/d《1. 05。
[0046] 根據(jù)本發(fā)明的第五方面，在根據(jù)第一方面所述的成像裝置中，當將區(qū)域A在電子 照相感光體軸向上的長度設為a時，滿足W下關系：
[0047] 1mm《a《5mm。
[0048] 根據(jù)本發(fā)明的第六方面，在根據(jù)第一方面所述的成像裝置中，當將區(qū)域A在電子 照相感光體軸向上的長度設為a時，滿足W下關系：
[0049] 1mm《a《3mm。
[0050] 根據(jù)本發(fā)明的第屯方面，在根據(jù)第一或第二方面所述的成像裝置中，當將區(qū)域B 在電子照相感光體軸向上的長度設為b時，滿足W下關系：
[0051] 0. 1mm《b《10mm。
[0052] 根據(jù)本發(fā)明的第八方面，在根據(jù)第一或第二方面所述的成像裝置中，當將區(qū)域B 在電子照相感光體軸向上的長度設為b時，滿足W下關系：
[0053] 0. 1mm《b《5mm。
[0054] 根據(jù)本發(fā)明的第九方面，在根據(jù)第一至第Ξ方面中任一方面所述的成像裝置中， 所述電子照相感光體從導電性基體側起包括底涂層和感光層作為有機層，其中感光層包括 電荷產(chǎn)生層和電荷傳輸層，并且
[005引有機層的平均總膜厚d在20μηι至70μηι的范圍內。
[0056] 根據(jù)本發(fā)明的第十方面，在根據(jù)第一至第Ξ方面中任一方面所述的成像裝置中， 所述電子照相感光體從導電性基體側起包括底涂層、電荷產(chǎn)生層、電荷傳輸層和保護層作 為有機層，并且
[0057] 有機層的平均總膜厚d在20μηι至60μηι的范圍內。
[0058] 根據(jù)本發(fā)明的第十一方面，在根據(jù)第一至第Ξ方面中任一方面所述的成像裝置 中，所述電子照相感光體包括單層型感光層作為有機層，并且
[0059] 有機層的平均總膜厚d在15 μ m至40 μ m的范圍內。
[0060] 根據(jù)本發(fā)明的第十二方面，提供了一種處理盒，其能從成像裝置上拆卸下來，該處 理盒包括：
[0061] 電子照相感光體，其包括導電性基體和設置在該導電性基體上的至少包含感光層 的有機層；
[0062] 充電部件，其接觸電子照相感光體的表面并且對電子照相感光體的表面進行充 電；
[0063] 清潔部件，其接觸電子照相感光體的表面從而在電子照相感光體的表面上進行清 潔， W64] 其中在電子照相感光體的軸向上，電子照相感光體和清潔部件的接觸區(qū)域比電子 照相感光體和充電部件的接觸區(qū)域寬， 陽0化]電子照相感光體軸向上的兩個端部處的最大總膜厚部分別被包括在不與清潔部 件接觸的區(qū)域中，其中在最大總膜厚部處，有機層的總膜厚變?yōu)樽畲螅?br>[0066] 在將位于與充電部件接觸的區(qū)域中的有機層的平均總膜厚設為d，將位于不與充 電部件接觸的區(qū)域中且從電子照相感光體軸向上的與充電部件接觸的區(qū)域的端部至與清 潔部件接觸的區(qū)域的端部的區(qū)域A中的有機層的總膜厚設為d'，將位于不與清潔部件接觸 的區(qū)域中且從電子照相感光體軸向上的與清潔部件接觸的區(qū)域的端部至最大總膜厚部的 區(qū)域B中的有機層的總膜厚設為d"，并且將有機層的最大總膜厚部的總膜厚設為d"max時， 在電子照相感光體的軸向上的兩個端部均滿足W下所有的關系式（1)至（3):
[0067] 0. 97《d，/d《1. 03 (1)
[0068] 0. 97《d"/d《1. 1 似
[0069] 1. 03《d"max/d《1. 1 做。
[0070] 根據(jù)本發(fā)明的第一至第四方面，提供了一種成像裝置，其包括電子照相感光體、充 電部件和清潔部件。電子照相感光體包括導電性基體和設置在該導電性基體上的至少包含 感光層的有機層。充電部件接觸電子照相感光體的表面從而對電子照相感光體的表面進行 充電。清潔部件接觸電子照相感光體的表面從而在電子照相感光體的表面上進行清潔。在 將位于與充電部件接觸的區(qū)域中的有機層的平均總膜厚設為d，將從電子照相感光體軸向 上的與充電部件接觸的區(qū)域的端部至與清潔部件接觸的區(qū)域的端部的區(qū)域A(該區(qū)域A為 不與充電部件接觸的區(qū)域）中的有機層的總膜厚設為d'，將從電子照相感光體軸向上的與 清潔部件接觸的區(qū)域的端部至最大總膜厚部的區(qū)域B(該區(qū)域B為不與清潔部件接觸的區(qū) 域）中的有機層的總膜厚設為d"，并且將有機層的最大總膜厚部處的總膜厚設為d"max時， 在電子照相感光體的軸向上，電子照相感光體和清潔部件的接觸區(qū)域比電子照相感光體和 充電部件的接觸區(qū)域寬，并且與在電子照相感光體的一個端部滿足關系式d' /d<0. 97、d"/ d<0. 97和d"max/d<l. 03的情況相比，因電子照相感光體的軸向端部的介電擊穿所引起的 圖像缺陷的發(fā)生得到抑制。
[0071] 根據(jù)本發(fā)明的第五和第六方面，提供了一種成像裝置，其中與在電子照相感光體 的至少一個端部處，區(qū)域A在電子照相感光體軸向上的長度a小于1mm或大于5mm的情況 相比，因充電部件的端部放電所引起的局部磨損得到抑制，或裝置尺寸得W降低。
[0072] 根據(jù)本發(fā)明的第屯和第八方面，提供了一種成像裝置，其中與在電子照相感光體 的至少一個端部處，區(qū)域B在電子照相感光體軸向上的長度b小于0. 1mm或大于10mm的情 況相比，有機層的磨損得W抑制，并且裝置尺寸得W降低。
[0073] 根據(jù)本發(fā)明的第九方面，提供了一種成像裝置，該成像裝置中的電子照相感光體 從導電性基體側起包括底涂層W及包含電荷產(chǎn)生層和電荷傳輸層的感光層作為有機層，與 有機層的平均總膜厚d小于20 μπι或大于70 μπι的情況相比，在電子照相感光體的軸向端 部抑制了因介電擊穿引起的圖像缺陷，并且抑制了材料成本的上升。
[0074] 根據(jù)本發(fā)明的第十方面，提供了一種成像裝置，該成像裝置中的電子照相感光體 從導電性基體側起包括底涂層、電荷產(chǎn)生層、電荷傳輸層和保護層作為有機層，與有機層的 平均總膜厚d小于20 μπι或大于60 μπι的情況相比，在電子照相感光體的軸向端部抑制了 因介電擊穿引起的圖像缺陷，并且抑制了材料成本的上升。
[0075] 根據(jù)本發(fā)明的第十一方面，提供了一種成像裝置，該成像裝置中的電子照相感光 體包括單層型感光層作為有機層，與有機層的平均總膜厚d小于15 μ m或大于40 μ m的情 況相比，在電子照相感光體的軸向端部抑制了因介電擊穿引起的圖像缺陷，并且抑制了材 料成本的上升。
[0076] 根據(jù)本發(fā)明的第十二方面，提供了一種處理盒，其包括電子照相感光體、充電部件 和清潔部件，電子照相感光體包括導電性基體和設置在該導電性基體上的至少包含感光層 的有機層，充電部件接觸電子照相感光體的表面并對電子照相感光體的表面進行充電，清 潔部件接觸電子照相感光體的表面從而在電子照相感光體的表面上進行清潔，在將位于與 充電部件接觸的區(qū)域中的有機層的平均總膜厚設為d，將位于不與充電部件接觸的區(qū)域中 且從電子照相感光體軸向上的與充電部件接觸的區(qū)域的端部至與清潔部件接觸的區(qū)域的 端部的區(qū)域A中的有機層的總膜厚設為d'，將位于不與清潔部件接觸的區(qū)域中且從電子照 相感光體軸向上的與清潔部件接觸的區(qū)域的端部至最大總膜厚部的區(qū)域B中的有機層的 總膜厚設為d"，并且將有機層的最大總膜厚部的總膜厚設為d"max時，在電子照相感光體 的軸向上，電子照相感光體和清潔部件的接觸區(qū)域比電子照相感光體和充電部件的接觸區(qū) 域寬，并且與在電子照相感光體的一個端部滿足關系式d' /d<0. 97、d"/d<0. 97和d"max/ d<l. 03的情況相比，因電子照相感光體的軸向端部的介電擊穿所引起的圖像缺陷的發(fā)生得 到抑制。
[0077] 附圖簡要說明
[0078] 下文將基于W下附圖對本發(fā)明的示例性實施方案進行詳細說明，其中：
[0079] 圖1是示出根據(jù)示例性實施方案的成像裝置的例子的示意性構造圖；
[0080] 圖2是示出根據(jù)示例性實施方案的電子照相感光體的層結構的例子的示意性截 面圖；
[0081] 圖3是示出根據(jù)示例性實施方案的電子照相感光體的層結構的另一例子的示意 性截面圖；
[0082] 圖4是針對根據(jù)示例性實施方案的電子照相感光體、充電部件和清潔部件之間的 關系，示出了電子照相感光體中的有機層的膜厚度的分解圖的示意圖；
[0083] 圖5是示出通過噴墨法由液滴噴頭噴出而落下的部分液滴的重疊狀態(tài)的示意圖；
[0084] 圖6是示出液滴噴頭的傾斜狀態(tài)（傾斜角Θ )的示意圖，該液滴噴頭通過噴墨法 將涂布液施加到圓筒狀的待涂布物上；W及
[0085] 圖7是示出根據(jù)示例性實施方案的成像裝置的另一例子的示意性結構圖。
【具體實施方式】
[0086] 下面將詳細說明根據(jù)示例性實施方案的成像裝置。
[0087] 根據(jù)示例性實施方案的成像裝置包括電子照相感光體、充電部件、靜電潛像形成 單元、顯影單元、轉印單元和清潔部件。電子照相感光體包括導電性基體和設置在該導電性 基體上的至少包含感光層的有機層。充電部件接觸電子照相感光體的表面并且對電子照相 感光體的表面進行充電。靜電潛像形成單元在電子照相感光體的表面上形成靜電潛像。顯 影單元利用包含調色劑的顯影劑將形成于電子照相感光體的表面上的靜電潛像顯影，W形 成調色劑圖像。轉印單元將調色劑圖像轉印到記錄介質的表面上。清潔部件接觸電子照相 感光體的表面從而在電子照相感光體的表面上進行清潔。在電子照相感光體的軸向上，電 子照相感光體和清潔部件的接觸區(qū)域比電子照相感光體和充電部件的接觸區(qū)域寬。電子照 相感光體軸向上的兩個端部處的最大總膜厚部分別被包括在不與清潔部件接觸的區(qū)域中， 其中在最大總膜厚部處，有機層的總膜厚變?yōu)樽畲?。在將位于與充電部件接觸的區(qū)域中的 有機層的平均總膜厚設為d，將位于不與充電部件接觸的區(qū)域中且從電子照相感光體軸向 上的與充電部件接觸的區(qū)域的端部至與清潔部件接觸的區(qū)域的端部的區(qū)域A中的有機層 的總膜厚設為d'，將位于不與清潔部件接觸的區(qū)域中且從電子照相感光體軸向上的與清潔 部件接觸的區(qū)域的端部至最大總膜厚部的區(qū)域B中的有機層的總膜厚設為d"，并且將有機 層的最大總膜厚部的總膜厚設為d"max時，在電子照相感光體的軸向上的兩個端部均滿足 W下所有的關系式（1)至（3):
[0088] 0. 97《d，/d《1. 03 (1)
[0089] 0. 97《d"/d《1. 1 似
[0090] 1. 03《d"max/d《1. 1 (3)。
[0091] 在根據(jù)示例性實施方案的成像裝置中的感光體的軸向端部處抑制了介電擊穿的 理由據(jù)推測如下。
[0092] 與利用電暈放電器的非接觸充電法相比，諸如充電漉等充電部件與電子照相感光 體的表面接觸從而對感光體的表面進行充電的接觸充電法具有較低的電壓和較小的臭氧 生成量。然而，由于充電部件與感光體的表面接觸，因此在重復成像過程中感光體表面層的 碎屑量變得明顯，特別是，易于發(fā)生偏向于感光體軸向的端部、而不是中屯、部的磨損（不均 勻磨損），因此可能會發(fā)生層剝離或介電擊穿。
[0093] 作為電子照相感光體，主要使用有機感光體，從方便性、高品質和高生產(chǎn)性的角度 考慮，該有機感光體主要通過浸涂法來制備。有機感光體是通過利用涂布液來形成感光層 等。涂布液包含對應于導電性基體上各層所要求的功能的材料、粘結劑樹脂、溶劑等。
[0094] 然而，在浸涂法中，涂布開始測（上端側）的涂膜理論上會由于重力而向下流動并 因此變薄。此外，在感光層的一部分變薄時該部分的電流強度變大，因此與厚膜部分相比更 易于發(fā)生磨損。由于厚度薄的膜原本就具有小的磨損裕度（wear margin)，因此易于在采用 接觸充電法的成像裝置中的感光體的上端側（涂布開始測）發(fā)生層剝離或介電擊穿。
[0095] 發(fā)明人進行了密切觀察，結果發(fā)現(xiàn)僅限定充電區(qū)域和感光體的有機層的膜厚作為 抑制因感光體軸向上的兩個端部的不均勻磨損而引起的發(fā)生介電擊穿情形的對策是不充 分的，因此需要適當限定包括與清潔部件接觸的區(qū)域的感光體有機層的膜厚度。具體來說， 如果殘留調色劑附著于作為成像裝置中的清潔部件而設置的清潔刮刀（下面可稱為刮刀） 的端部并且沿著感光體的圓周方向轉印到感光體時，在對應于刮刀的端部附近的位置處形 成了 W長條狀附著的調色劑（下面可稱為"調色劑長條（toner stripe)")。特別是，據(jù)認 為：如果在感光體的軸向上，刮刀的端部位置靠近充電漉的端部位置，則會促進感光體在調 色劑長條部的磨損，尤其是，如果在調色劑長條部，感光體的有機層薄的話，則容易發(fā)生介 電擊穿。
[0096] 相反，在根據(jù)示例性實施方案的成像裝置中，感光體和充電部件的接觸區(qū)域、感光 體和清潔部件的接觸區(qū)域W及感光體的有機層的總膜厚具有特定的關系。因此，認為抑制 了有機層的不均勻磨損，并且在感光體的軸向端部抑制了介電擊穿的發(fā)生。
[0097] 下面將描述根據(jù)示例性實施方案的成像裝置和處理盒的例子。然而，本發(fā)明不局 限于此。此外，對附圖中所示出的主要部分加 W說明，而將省略其他部分的說明?？墒÷詷?成根據(jù)示例性實施方案的成像裝置的部件的參考標號。
[009引圖1示意性示出了根據(jù)示例性實施方案的成像裝置的構造的例子。
[0099] 圖1中示出的成像裝置100包括：電子照相感光體7、充電裝置（充電單元的一個 例子）8、曝光裝置（靜電潛像形成單元的一個例子）9、轉印裝置（一次轉印裝置）40、中間 轉印部件50、W及清潔裝置13 (清潔單元的一個例子）。
[0100] 處理盒300支撐在殼體內作為一個整體的電子照相感光體7、充電裝置8 (充電單 元的一個例子）、顯影裝置11 (顯影單元的一個例子）和清潔裝置13 (清潔單元的一個例 子）。 陽101 ] 曝光裝置9布置在曝光裝置9可W通過處理盒300中的開口將光照射到電子照相 感光體7上的位置處。轉印裝置40布置在隔著中間轉印部件50與電子照相感光體7相對 的位置處。中間轉印部件50被布置為與電子照相感光體7局部地接觸。盡管未在圖中示 出，但是成像裝置還包括將已轉印到中間轉印部件50上的調色劑圖像轉印至記錄介質（例 如紙）上的二次轉印裝置。此外，中間轉印部件50、轉印裝置40(-次轉印裝置）和二次轉 印裝置（未示出）相當于轉印單元的例子。
[0102] W下，將詳細描述根據(jù)示例性實施方案的成像裝置的各個部件。在下面的描述中， 將對在接觸充電法中包括充電漉作為充電部件且清潔刮刀作為清潔部件的情況加 W說明。 然而，示例性實施方案中的充電部件和清潔部件不限于此。 陽103] 電子照相感光體
[0104] 根據(jù)示例性實施方案的電子照相感光體包括導電性基體和設置在導電性基體上 的至少包含感光層的有機層。
[01化]作為感光層，可W使用通過層疊含有電荷產(chǎn)生材料的電荷產(chǎn)生層和含有電荷傳輸 材料的電荷傳輸層而獲得的功能分離型感光層，或可W使用其中在一層中含有電荷產(chǎn)生材 料和電荷傳輸材料的單層型感光層。設置在導電性基體上的除感光層之外的有機層的例子 包括底涂層、中間層和保護層。底涂層設置在導電性基體和感光層之間。中間層設置在底 涂層和感光層之間。保護層設置在感光層之上。除感光層之外的運些有機層可W根據(jù)需要 設置。
[0106] 圖2示意性示出了根據(jù)示例性實施方案的電子照相感光體的層結構的例子。圖2 中示出的電子照相感光體具有其中底涂層4、電荷產(chǎn)生層2A、電荷傳輸層2B和保護層5依 次層疊在導電性支持部件1上的層結構。感光層2由電荷產(chǎn)生層2A和電荷傳輸層2B運兩 層構成。 陽107] 圖3示意性示出了根據(jù)示例性實施方案的電子照相感光體的層結構的另一個例 子。圖3中示出的電子照相感光體具有其中底涂層4、感光層6和保護層5依次層疊在導電 性支持部件1上的層結構。圖3中示出的電子照相感光體的感光層6是圖2中所示的電荷 產(chǎn)生層2A和電荷傳輸層2B的功能一體化的單層型感光層6。
[0108] 根據(jù)示例性實施方案的電子照相感光體不限于圖2和3中示出的層結構。例如， 電子照相感光體可不包括底涂層4和保護層5，或可包括位于底涂層4和感光層之間的中間 層。 陽109] 充電裝置
[0110] 作為充電裝置中的充電部件8,例如，使用導電性或半導電性的充電漉。采用接觸 充電法使根據(jù)示例性實施方案的成像裝置運轉，在該接觸充電法中，充電漉接觸電子照相 感光體7的表面并由此對電子照相感光體7的表面進行充電。
[0111] 作為根據(jù)示例性實施方案的充電漉8,可W使用已知的充電漉。例如，可W使用運 樣的漉狀部件，其包括圓筒狀或圓柱狀的棒狀部件（桿狀物）、設置在桿狀物的外周面上的 導電性彈性層W及設置在導電性彈性層的外周面上的表面層。
[0112] 根據(jù)示例性實施方案的成像裝置中的充電部件8不限于充電漉，也可W包括（例 如）充電刷、充電膜、充電橡膠刮化充電管，等等。 陽11引曝光裝置
[0114] 曝光裝置9可W是W預定的成像方式將電子照相感光體7的表面曝光于射線（如 半導體激光射線、LED射線和液晶快口射線）下的光學設備。光源的波長可W是在電子照 相感光體的光譜敏感波長范圍內的波長。作為半導體激光的波長，主要是激光發(fā)射波長在 780nm附近的近紅外波長。然而，可使用的激光射線波長并不局限于運種波長，并可使用發(fā) 射波長在600nm范圍的激光、或者作為藍色激光的具有在400nm至450nm范圍內的任意發(fā) 射波長的激光。為形成彩色圖像，使用能夠獲得多波束輸出的平面發(fā)光型激光光源是有效 的。 陽11引顯影裝置
[0116] 作為顯影裝置11，例如可使用與磁性或非磁性的單組分或雙組分顯影劑接觸或不 接觸來成像的常用顯影裝置。對運種顯影裝置11沒有特別限定，只要其具有上述功能即 可，并且可根據(jù)所需用途適當選擇。其例子包括利用刷或漉將單組分或雙組分顯影劑施加 至電子照相感光體7上的已知的顯影裝置。其中，使用在其表面上保持有顯影劑的顯影漉 的顯影裝置是優(yōu)選的。
[0117] 顯影裝置11中使用的顯影劑可W是僅由調色劑形成的單組分顯影劑、或者是由 調色劑和載體形成的雙組分顯影劑。此外，調色劑可為磁性的或非磁性的。作為顯影劑，可 使用已知的顯影劑。 陽11引清潔裝置
[0119] 清潔裝置13具有清潔刮刀131 (清潔部件的一個例子），并且清潔刮刀131設置為 與電子照相感光體7的表面接觸。
[0120] 作為示例性實施方案中的清潔部件，可W使用眾所周知的清潔刮刀。清潔刮刀131 可W具有單層結構，或由基材層和與電子照相感光體7接觸的表面層形成的雙層結構。理 想的形成清潔刮刀131的材料為由聚氨醋形成的彈性橡膠部件。 陽121] 示例性實施方案中的清潔部件除了使用了清潔刮刀131的實施方案之外，還可W 是導電性或絕緣性的纖維狀部件。作為示例性實施方案中的清潔部件，可W僅使用纖維狀 部件，或可W組合使用清潔刮刀131和用于輔助清潔的纖維狀部件。
[0122] 圖1示出了包括用于將潤滑劑14供應到電子照相感光體7的表面上的（漉狀） 纖維狀部件132和用于輔助清潔的（平刷狀）纖維狀部件133的例子。然而，運些部件可 W根據(jù)需要來設置。 陽123] 轉印裝置
[0124] 轉印裝置40的例子包括已知的轉印充電裝置自身，如使用帶、$昆、膜、橡膠刮刀等 的接觸型轉印充電裝置；利用電暈放電的柵格轉印充電裝置和利用電暈放電的電暈管轉印 充電裝置。 陽125] 中間轉印部件
[0126] 作為中間轉印部件50,可使用被賦予半導電性的由聚酷亞胺、聚酷胺酷亞胺、聚碳 酸醋、聚芳醋、聚醋、橡膠等構成的帶形式（中間轉印帶）。另外，除了帶形式W外，所述中間 轉印部件還可采取鼓的形式。 陽127] 圖4示意性示出了示例性實施方案中的電子照相感光體7、充電部件（充電漉）8 和清潔部件（清潔刮刀）131之間的關系。圖4示出了電子照相感光體中的有機層的膜厚 度的分解圖。
[0128] 在根據(jù)示例性實施方案的成像裝置中，在電子照相感光體7的軸向上，電子照相 感光體7和清潔部件131的接觸區(qū)域比電子照相感光體7和充電部件8的接觸區(qū)域寬。不 與清潔部件131接觸的區(qū)域在電子照相感光體7的兩個端部均具有最大總膜厚部，在該最 大總膜厚部處，有機層3的總膜厚變?yōu)樽畲蟆?br>[0129] 在對與充電部件8接觸的區(qū)域充電并通過曝光形成靜電潛像后，在電子照相感光 體7的表面上形成了調色劑圖像。調色劑圖像通過中間轉印部件轉印到記錄介質，或直接 轉印到記錄介質上。例如，如圖4所示，由于與充電部件8接觸的區(qū)域的內側成為形成調色 劑圖像的區(qū)域（圖像區(qū)域），因此調色劑易于殘留在電子照相感光體7的表面上的與充電部 件8接觸的區(qū)域中。在示例性實施方案中，清潔部件131在軸向上W比充電部件8接觸電 子照相感光體7的范圍更寬的范圍接觸電子照相感光體7。因此，確實可靠地除去了殘留在 電子照相感光體7的表面上的調色劑。
[0130] 當將從電子照相感光體軸向上的與充電部件接觸的區(qū)域的端部至與清潔部件接 觸的區(qū)域的端部的區(qū)域（該區(qū)域為不與充電部件接觸的區(qū)域）設為區(qū)域A，并將區(qū)域A的長 度設為a時，示例性實施方案的電子照相感光體在電子照相感光體的軸向上的兩個端部處 優(yōu)選均滿足W下關系：
[0131] 1mm《a《5mm。
[0132] 區(qū)域A的長度a為1mm W上抑制了因清潔部件的端部附近形成的調色劑長條和在 充電部件端部的放電所引起的局部磨損。區(qū)域A的長度a為5mm W下使得成像裝置的整體 尺寸得W降低。 陽13引從該角度出發(fā)，a《3mm是更優(yōu)選的。
[0134] 不與清潔部件131接觸的區(qū)域在電子照相感光體的兩個端部均具有最大總膜厚 部，在該最大總膜厚部，有機層的總膜厚變?yōu)樽畲螅c清潔部件131接觸的有機層的總膜厚 基本上是不變的。因此，因清潔部件131端部的接觸壓力集中而引起的感光體表面上的不 均勻磨損的影響得到抑制。
[0135] 有機層3的總膜厚是指設置在導電性基體上并且至少包含感光層的有機層3厚度 的合計厚度。有機層3的總膜厚等于在厚度方向上從導電性基體的表面至電子照相感光體 的最表面層的表面的厚度。
[0136] 例如，在僅具有單層型感光層作為有機層的單層型感光體的情況中，單層型感光 層的膜厚度成為有機層的總膜厚。例如，在層疊底涂層、電荷產(chǎn)生層和電荷傳輸層作為有 機層的Ξ層結構的情況中，運Ξ層的膜厚度的總和成為有機層的總膜厚。在運些層上還層 疊了保護層作為最表面層的四層結構的情況中，運四層的膜厚度的總和成為有機層的總膜 厚。
[0137] 作為根據(jù)示例性實施方案的電子照相感光體中的有機層的膜厚度，采用了通過滿 流膜厚計（FISCHER Co巧oration制造）W如下方式獲得的值。
[0138] 作為有機層的中屯、部的膜厚度的平均值d，測定中屯、部W及距離中屯、部80mm的各 截面上彼此垂直的方向（沿圓周方向間隔90° )上的四個位置處的12個地方，采用了通過 該方法獲得的平均值。
[0139] 有機層端部的膜厚度d'和d"通過在感光體的軸向上進行多點測量來評價。具體 來說，將有機層的端部設為0mm，并沿基體的軸向使測量位置偏移1mm。類似于中屯、部，測量 各截面上彼此垂直的方向（沿圓周方向間隔90° )上的四個位置，并取其平均值。運樣就 限定了軸向上各位置處的膜厚度。所測得的長度成為從有機層的端部至充電漉的接觸位置 的距離。
[0140] 運里，"在電子照相感光體的軸向上的兩個端部處有機層的總膜厚均變?yōu)樽畲蟮?'最大總膜厚部'"是指當對于全部有機層層疊在電子照相感光體中的區(qū)域測量軸向上的有 機層的總膜厚時，有機層的總膜厚在從電子照相感光體的軸向上的中屯、位置至各端部的厚 度分布中變?yōu)樽畲蟮牟糠帧?陽141] 在根據(jù)示例性實施方案的成像裝置中，不與清潔部件接觸的區(qū)域在電子照相感光 體軸向上的兩個端部處均具有有機層的最大總膜厚部。然而，兩個端部處的最大總膜厚部 的厚度不必彼此相同。從抑制有機層的不均勻磨損的角度出發(fā)，期望兩個端部處的最大總 膜厚部的厚度差距小。 陽142]當將電子照相感光體軸向上的從與清潔部件接觸的區(qū)域的端部至最大總膜厚部 的區(qū)域B (該區(qū)域B為不與清潔部件接觸的區(qū)域）的長度設為b時，在電子照相感光體的軸 向上的兩個端部處優(yōu)選滿足W下關系：
[014引 0. 1mm ^ b ^ lOmm。
[0144] 區(qū)域B的長度b為0. 1mm W上可抑制有機層的磨損受到促進的情況。抑制有機層 的磨損受到促進是由具有電子照相感光體的有機層的最大總膜厚部附近的膜厚度的區(qū)域 與清潔部件接觸而導致的。區(qū)域B的長度b為10mm W下使得裝置尺寸減小。
[0145] 從該角度出發(fā)，0. 是更優(yōu)選的。 陽146] 在根據(jù)示例性實施方案的成像裝置中，與充電部件接觸的區(qū)域中的有機層的平均 總膜厚d和區(qū)域A(其為不與充電部件接觸的區(qū)域且從電子照相感光體的軸向上的與充電 部件接觸的區(qū)域的端部至與清潔部件接觸的區(qū)域的端部）中的有機層的總膜厚d'滿足W 下關系式（1): 陽 147] 0. 97《d，/d《1. 03 (1)
[0148] 目P，區(qū)域A中的電子照相感光體的有機層的總膜厚d'在與充電部件接觸的區(qū)域中 的電子照相感光體的有機層的平均總膜厚d的±3%的范圍內。運樣，電子照相感光體的外 周面在整個與清潔部件接觸的區(qū)域中變平滑，從而抑制了局部異常磨損的發(fā)生。
[0149] 從該角度出發(fā)，0. 98《d' /d《1. 02是優(yōu)選的。
[0150] 與充電部件接觸的區(qū)域中的電子照相感光體的有機層的平均總膜厚d根據(jù)層結 構而變化。然而，從防止非均勻充電的角度出發(fā)，與充電部件接觸的區(qū)域中的電子照相感光 體的有機層的總膜厚優(yōu)選在軸向和圓周方向上均在±5%的范圍內，更優(yōu)選在±3%的范 圍內。 陽151] 在根據(jù)示例性實施方案的成像裝置中，與充電部件接觸的區(qū)域中的電子照相感光 體的有機層的平均總膜厚d和區(qū)域B (其位于不與清潔部件接觸的區(qū)域中并且從電子照相 感光體軸向上的與清潔部件接觸的區(qū)域的端部至最大總膜厚部）中的有機層的總膜厚d" 滿足W下關系式（2): 陽 15引 0. 97《d，，/d《1. 1 (2)。 陽153]目P，區(qū)域B中的電子照相感光體的有機層的總膜厚d"在與充電部件接觸的區(qū)域中 的電子照相感光體的有機層的平均總膜厚d的-3%至+10%的范圍內。運樣，在包括偏差 的范圍內，區(qū)域B中的電子照相感光體的有機層的總膜厚d"不小于平均總膜厚山并且抑制 了清潔部件的碎片的產(chǎn)生或端部磨損的影響。 陽154] 從該角度出發(fā)，0. 98《d"/d《1. 05是優(yōu)選的。
[0155] 與充電部件接觸的區(qū)域中的電子照相感光體的有機層的平均總膜厚d和有機層 中最大總膜厚部處的總膜厚d"max滿足W下關系式（3): 陽 156] 1. 03《d"max/d《1. 1 (3) 陽157]目P，電子照相感光體的有機層中的最大總膜厚部處的總膜厚d"max在與充電部件 接觸的區(qū)域中的電子照相感光體的有機層的平均總膜厚d的+3%至+10%的范圍內。運樣， 在區(qū)域A和區(qū)域B中抑制了電子照相感光體中有機層的劇烈變化，并在區(qū)域A中抑制了清 潔部件的碎片或端部磨損的發(fā)生。 陽158] 從該觀點出發(fā)，1. 03《d"max/d《1. 05是優(yōu)選的。
[0159] 有機層的成膜方法
[0160] 示例性實施方案中的電子照相感光體的有機層的成膜方法沒有特別限定，只要不 與清潔部件接觸的區(qū)域即端部（非圖像區(qū)域）具有在電子照相感光體的軸向上的兩個端部 的有機層的總膜厚均變?yōu)樽畲蟮淖畲罂偰ず癫?、并且有機層的總膜厚滿足全部關系式（1) 至（3)即可。 陽161] 包括運樣的方法：將各有機層形成用涂布液涂布到導電性基體上，干燥從而依次 成形。例如，當將圓筒狀導電性基體的一個端部設為上端，并將其另一端部設為下端，運樣 通過浸涂法將各有機層成膜時，在上端部膜厚容易變薄且在下端部膜厚容易變厚。尤其是， 在上端部側難W在不與清潔部件接觸的區(qū)域中形成有機層的最大總膜厚部。
[0162] 作為涂布各有機層形成用涂布液的方法，在示例性實施方案中，從高精度地控制 各有機層的膜厚度的觀點出發(fā)，包括噴墨法、電子束涂布法、噴嘴涂布法等方法。另外，合適 的是利用噴墨法、電子束涂布法或噴嘴涂布法噴出各有機層形成用涂布液從而從旋轉的導 電性基體的一個端部至另一端部依次進行涂布的方法。
[0163] 當有機層如感光層在導電性基體上成膜時，對于在預定條件下形成為與充電部件 接觸的區(qū)域的中屯、部（圖像區(qū)域），W滿足關系式（1)至（3)的方式在軸向上的兩個端部處 調節(jié)每單位時間的噴射量（流速），從而進行圖案成膜。具體來說，包括在恒定流速下使兩 個端部處的噴頭移動速度變緩、在恒定的噴頭移動速度下提高兩個端部處的流速，等等。
[0164] 例如，當制備在導電性基體上僅包括感光層作為有機層的單層型感光體時，對感 光層的厚度進行調節(jié)。
[0165] 在包括功能分離型感光層（其中層疊了電荷產(chǎn)生層和電荷傳輸層）的功能分離型 感光體中，電荷產(chǎn)生層的膜厚度通常比電荷傳輸層的膜厚度小得多，并且比根據(jù)需要而形 成的底涂層或保護層的膜厚度小得多。為此，例如，如圖3所示，在底涂層、電荷產(chǎn)生層、電 荷傳輸層和保護層依次層疊于導電性基體上的功能分離型電子照相感光體中，有機層的總 膜厚接近底涂層、電荷傳輸層和保護層的膜厚度總和?？蒞通過調節(jié)底涂層、電荷傳輸層和 保護層中某一層的厚度或兩層或多層的厚度來調節(jié)有機層的總膜厚。 陽166] 圖5和圖6示意性示出了使用噴墨法進行涂布的方法的例子。如圖6所示，W相對 于圓筒狀導電性基體的軸線傾斜的方式安裝液滴噴頭200,使得從噴嘴202噴射出液滴204 之后相鄰液滴204在降落于導電性基體表面上之后立即彼此郵連（如圖5所示）。如圖5 所示，噴射時的液滴的直徑基本上如由虛線所指示的那樣與噴嘴直徑相同。但是在液滴碰 到導電性基體206的表面并潤濕該表面之后，液滴的直徑如由實線所指示的那樣變大。因 此，相鄰的液滴彼此郵連，由此形成涂膜。
[0167] 具體來說，將導電性基體206安裝在進行水平旋轉的裝置中，并設置填充有涂布 液的液滴噴頭200使得液滴噴到導電性基體206上。在該狀態(tài)下，使導電性基體206旋轉， 并從噴嘴202中噴出涂布液。如圖6所示，使液滴噴頭200從導電性基體206的一端水平 移動到位于相反側的另一端。例如，在使用了運種液滴噴頭200的噴墨法中，通過使用涂布 液中的固形物濃度、每單位時間從液滴噴頭噴出的量、液滴噴頭相對于導電性基體的軸向 的傾斜角（θ)、液滴噴頭的移動速度、導電性基體的旋轉速度等來調節(jié)涂膜的厚度和均勻 性。 陽168] 作為噴墨法中的噴出技術，采用諸如連續(xù)型、間歇型（壓電型（壓電元件）、熱型、 靜電型等）的一般技術。然而，理想的是采用了壓電元件的連續(xù)型和間歇型。從生產(chǎn)性和 噴出穩(wěn)定性的觀點出發(fā)，更期望連續(xù)型。
[0169] 涂布后，通過加熱并干燥來進行固化，由此形成有機層。
[0170] 例如，當將受熱而聚合的單體用作有機層構成組分的材料時，單體由于受熱而聚 合，同時溶劑被除去，由此形成固化的有機層。此情況中的加熱溫度可根據(jù)單體的類型、溶 劑的沸點等來選擇。 陽171] 作為根據(jù)示例性實施方案的電子照相感光體的例子，下文將描述具有圖3中所示 的層結構的電子照相感光體。 陽172] 導電性基體 陽173] 導電性基體的例子包括使用了金屬（如侶、銅、鋒、銘、儀、鋼、饑、銅、金和銷）及其 合金（如不誘鋼）的金屬板、金屬鼓和金屬帶。此外，導電性基體的其它例子包括涂覆、沉 積或層合有導電性化合物（如導電性聚合物和氧化銅）、金屬（如侶、鈕和金）或其合金的 紙張、樹脂膜和帶。術語"導電性"是指體積電阻率小于l〇"Qcm。
[0174] 當在激光打印機中使用電子照相感光體時，為了防止在用激光照射時形成的干設 條紋，優(yōu)選將導電性基體的表面粗糖化使之具有0. 04 μ m至0. 5 μ m的中屯、線平均粗糖度 (Ra)。此外，當將非相干光用作光源時，用于防止干設條紋的表面粗糖化并沒有特別的必要 性，但是由于抑制了由導電性基體表面上的凹凸不平引起的缺陷的產(chǎn)生，因而適于實現(xiàn)更 長的使用壽命。
[0175] 用于表面粗糖化的方法的例子包括將研磨劑懸浮于水中并噴至支持部件上的濕 式巧磨、將導電性基體按壓在旋轉的磨石上從而進行連續(xù)磨削的無屯、磨削、W及陽極氧化 處理。 陽176] 用于表面粗糖化的方法的其它例子包括：通過在導電性基體的表面上形成其中分 散有導電性或半導電性顆粒的樹脂層，從而通過分散在該層中的顆粒實現(xiàn)表面粗糖化，而 不將導電性基體的表面粗糖化的表面粗糖化方法。
[0177] 在通過陽極氧化進行的表面粗糖化處理中，通過其中金屬（例如侶）導電性基體 作為陽極在電解液中被陽極氧化的陽極氧化處理，從而在導電性基體的表面上形成氧化 膜。電解液的例子包括硫酸溶液和草酸溶液。然而，通過陽極氧化而沒有加 W改性所形成 的多孔陽極氧化膜是化學活性的，易于被污染，根據(jù)環(huán)境的不同電阻變化大。因此，優(yōu)選進 行密封處理，在該密封處理中，在加壓水蒸汽或沸水中（其中可W加入金屬鹽如儀鹽）通過 由水合反應引起的體積膨脹來密封陽極氧化膜的細孔，從而將陽極氧化物轉化為更穩(wěn)定的 水合氧化物。
[0178] 陽極氧化膜的膜厚優(yōu)選為0. 3 μπι至15 μπι。當陽極氧化膜的厚度在上述范圍內 時，趨向于發(fā)揮對于注入的阻擋性，并且趨向于抑制由于重復使用而引起的殘留電勢的增 加。
[0179] 可W對導電性基體進行使用了酸性水溶液的處理或勃姆石處理。 陽180] 利用酸性處理液的處理如下進行。首先，制備包含憐酸、銘酸和氨氣酸的酸性處理 液。酸性處理液中憐酸、銘酸和氨氣酸的混合比（例如）為10重量％至11重量％的憐酸、 3重量％至5重量％的銘酸和0. 5重量％至2重量％的氨氣酸。酸性成分的總濃度優(yōu)選為 13.5重量％至18重量％的范圍。處理溫度優(yōu)選為（例如）42°(：至48°(：。膜的膜厚優(yōu)選為 0. 3 μηι 至 15 μηι。 陽181] 勃姆石處理是運樣進行的：將基體浸沒在溫度為90°C至100°C的純水中5分鐘至 60分鐘，或者使基體與溫度為9(TC至12(TC的熱水蒸汽接觸5分鐘至60分鐘。膜厚度優(yōu)選 為0. Ιμπι至5 μπι?？蒞使用對膜溶解性低的電解液（例如己二酸、棚酸、棚酸鹽、憐酸鹽、 鄰苯二甲酸鹽、馬來酸鹽、苯甲酸鹽、酒石酸鹽和巧樣酸鹽溶液）對膜進一步進行陽極氧化 處理。 陽182] 底涂層 陽183] 底涂層為（例如）包括無機顆粒和粘結劑樹脂的層。 陽184] 無機顆粒的例子包括粉末電阻（體積電阻率）約為102 Ω . cm至1〇11 Ω . cm的無 機顆粒。
[0185] 其中，作為具有上述電阻值的無機顆粒，優(yōu)選諸如氧化錫顆粒、氧化鐵顆粒、氧化 鋒顆粒、和氧化錯顆粒之類的金屬氧化物顆粒，更優(yōu)選氧化鋒顆粒。
[0186] 通過邸T法測定的無機顆粒的比表面積優(yōu)選為（例如）10m7g W上。
[0187] 無機顆粒的體積平均粒徑優(yōu)選為（例如）50nm至2, OOOnm (更優(yōu)選60nm至 1, OOOnm)。
[0188] 無機顆粒相對于粘結劑樹脂的含量優(yōu)選為（例如）10重量％至80重量％，更優(yōu)選 為40重量％至80重量％。
[0189] 無機顆?？蒞是經(jīng)過表面處理的無機顆粒?？蒞組合使用兩種或更多種經(jīng)過不同 的表面處理或具有不同粒徑的無機顆粒。
[0190] 表面處理劑的例子包括硅烷偶聯(lián)劑、鐵酸醋偶聯(lián)劑、侶偶聯(lián)劑和表面活性劑。硅烷 偶聯(lián)劑是特別優(yōu)選的，并且具有氨基的硅烷偶聯(lián)劑是更優(yōu)選的。
[0191] 具有氨基的硅烷偶聯(lián)劑的例子包括3-氨基丙基Ξ乙氧基硅烷、N-2-(氨基乙 基）-3-氨基丙基Ξ甲氧基硅烷、N-2-(氨基乙基）-3-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷和 N，N-雙（2-徑乙基）-3-氨基丙基Ξ乙氧基硅烷，但不限于此。
[0192] 可使用運些硅烷偶聯(lián)劑中的兩種或多種的混合物。例如，具有氨基的硅烷偶聯(lián) 劑可與另外的硅烷偶聯(lián)劑組合使用。硅烷偶聯(lián)劑的其它例子包括：乙締基Ξ甲氧基硅烷、 3-甲基丙締酷氧基丙基-Ξ (2-甲氧基乙氧基）硅烷、2-(3,4-環(huán)氧環(huán)己基）乙基Ξ甲氧 基硅烷、3-縮水甘油氧基丙基Ξ甲氧基硅烷、乙締基Ξ乙酷氧基硅烷、3-琉基丙基Ξ甲氧 基硅烷、3-氨基丙基二乙氧基硅烷、N-2-(氨基乙基）-3-氨基丙基二甲氧基硅烷、N-2-(氨 基乙基）-3-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、N，N-雙（2-徑乙基）-3-氨基丙基Ξ乙氧基硅烷 和3-氯丙基Ξ甲氧基硅烷，但不限于此。 陽193] 使用表面處理劑進行表面處理的方法可為已知方法中的任意一種方法，并且可W 是干法或濕法。
[0194] 用于處理的表面處理劑相對于無機顆粒的量優(yōu)選為（例如）0. 5重量％至10重 量％。
[01巧]運里，從電特性的長期穩(wěn)定性和載流子阻擋性（carrier blocking property)優(yōu) 異的角度考慮，底涂層中優(yōu)選包含無機顆粒和電子受體化合物（受體化合物）。
[0196] 電子受體化合物的例子包括電子傳輸材料，例如：釀類化合物，如四氯苯釀和四 漠苯釀；四氯基釀二甲燒化合物；巧酬類化合物，如2, 4, 7- Ξ硝基巧酬和2, 4, 5, 7-四硝 基-9-巧酬；嗯二挫類化合物，如2-(4-聯(lián)苯基）-5-(4-叔下基苯基）-1，3, 4-嗯二挫、 2, 5-雙（4-糞基）-1,3,4-嗯二挫W及2, 5-雙（4-二乙基氨基苯基）-1,3,4-嗯二挫；氧 雜蔥酬類化合物；嚷吩類化合物；W及聯(lián)苯釀類化合物，如3, 3'，5, 5' -四叔下基聯(lián)苯釀。 陽197] 特別是，作為電子受體化合物，具有蔥釀結構的化合物是優(yōu)選的。作為具有蔥釀結 構的電子受體化合物，優(yōu)選徑基蔥釀類化合物、氨基蔥釀類化合物和氨基徑基蔥釀類化合 物等，并且蔥釀、1，2-二徑基蔥釀、1，4-二徑基蔥釀、1，5-二徑基蔥釀和1，2, 4-Ξ徑基蔥釀 等是特別優(yōu)選的。
[0198] 電子受體化合物可與無機顆粒一起分散包含在底涂層中，或可W附著在無機顆粒 的表面而被包含在底涂層中。
[0199] 將電子受體化合物附著至無機顆粒表面的方法的例子包括干法和濕法。 陽200] 干法為運樣一種將電子受體化合物附著至無機顆粒表面的方法，其中在用具有高 剪切力的混合機等攬拌無機顆粒的同時，直接或W電子受體化合物溶解于有機溶劑中的溶 液的形式將電子受體化合物滴加到無機顆粒上，或將其與干燥空氣或氮氣一起噴到無機顆 粒上。電子受體化合物的滴加或噴霧優(yōu)選在不高于溶劑沸點的溫度下進行。在將電子受體 化合物滴加或噴霧后，可W進一步對無機顆粒在100°cw上的溫度下進行烘烤。烘烤可W在 能夠獲得所需的電子照相特性的任意溫度和時間下進行，而沒有限制。 陽201] 濕法為運樣一種將電子受體化合物附著到無機顆粒表面的方法，其中利用攬拌、 超聲波、砂磨機、娠磨機、球磨機等將無機顆粒分散于溶劑中，之后添加電子受體化合物，并 進一步攬拌或分散混合物，之后除去溶劑。作為除去溶劑的方法，通過過濾或蒸饋來除去溶 劑。在除去溶劑后，可W進一步對顆粒在l〇〇°CW上的溫度下進行烘烤。烘烤可W在能夠獲 得所需的電子照相特性的任意溫度和時間下進行，而沒有限制。在濕法中，可W在添加表面 處理劑之前除去無機顆粒中所含的水分，并且除去水分的方法的例子包括通過攬拌加熱溶 劑中的無機顆粒來除去水分的方法、或通過與溶劑共沸來除去水分的方法。 陽202] 此外，可W在使用表面處理劑對無機顆粒進行表面處理之前或之后進行電子受體 化合物的附著，電子受體化合物的附著也可W與利用表面處理劑進行的表面處理同時進 行。 陽203] 電子受體化合物相對于無機顆粒的含量優(yōu)選為（例如）0. 01重量％至20重量％， 更優(yōu)選為0. 01重量％至10重量％。
[0204] 底涂層中使用的粘結劑樹脂的例子包括已知材料，例如：已知的高分子化合物如 縮醒樹脂（如聚乙締醇縮下醒）、聚乙締醇樹脂、聚乙締醇縮醒樹脂、酪蛋白樹脂、聚酷胺樹 月旨、纖維素樹脂、明膠、聚氨醋樹脂、聚醋樹脂、不飽和聚醋樹脂、甲基丙締酸樹脂、丙締酸樹 月旨、聚氯乙締樹脂、聚醋酸乙締醋樹脂、氯乙締-醋酸乙締醋-馬來酸酢樹脂、有機娃樹脂、 有機娃-醇酸樹脂、脈醒樹脂、酪樹脂、酪醒樹脂、Ξ聚氯胺樹脂、氨基甲酸乙醋樹脂、醇酸 樹脂和環(huán)氧樹脂；錯馨合物；鐵馨合物；侶馨合物；鐵醇鹽化合物；有機鐵化合物；W及娃 燒偶聯(lián)劑。 陽205] 底涂層中所用的粘結劑樹脂的其它例子包括具有電荷輸送基團的電荷輸送樹脂 和導電性樹脂（例如聚苯胺）。 陽206] 其中，不溶于上層的涂布溶劑的樹脂適合作為底涂層中所用的粘結劑樹脂，并且 特別合適的是：通過熱固性樹脂反應而得到的樹脂，所述熱固性樹脂例如為脈醒樹脂、酪樹 月旨、酪醒樹脂、Ξ聚氯胺樹脂、氨基甲酸乙醋樹脂、不飽和聚醋樹脂、醇酸樹脂和環(huán)氧樹脂； W及通過使選自由聚酷胺樹脂、聚醋樹脂、聚酸樹脂、甲基丙締酸樹脂、丙締酸樹脂、聚乙締 醇樹脂W及聚乙締醇縮醒樹脂構成的組中的至少一種樹脂與固化劑反應而得到的樹脂。 陽207] 在運些粘結劑樹脂W兩種或更多種組合使用的情況下，混合比例酌情而定。 陽20引可W在底涂層中加入各種添加劑W提高電特性、環(huán)境穩(wěn)定性或圖像質量。
[0209] 添加劑的例子包括已知的材料，例如，多環(huán)縮合型或偶氮型電子傳輸顏料、錯馨合 物、鐵馨合物、侶馨合物、鐵醇鹽化合物、有機鐵化合物和硅烷偶聯(lián)劑。還可W將用于上述無 機顆粒的表面處理的硅烷偶聯(lián)劑加入到底涂層中作為添加劑。
[0210] 作為添加劑的硅烷偶聯(lián)劑的例子包括乙締基Ξ甲氧基硅烷、3-甲基丙締酷氧基丙 基-Ξ (2-甲氧基乙氧基）硅烷、2-(3,4-環(huán)氧環(huán)己基）乙基Ξ甲氧基硅烷、3-縮水甘油氧 基丙基二甲氧基硅烷、乙締基二乙酷氧基硅烷、3-琉基丙基二甲氧基硅烷、3-氨基丙基二 乙氧基硅烷、N-2-(氨乙基）-3-氨基丙基Ξ甲氧基硅烷、N-2-(氨乙基）-3-氨基丙基甲基 甲氧基硅烷、N, N-雙（2-徑乙基）-3-氨基丙基二乙氧基硅烷和3-氯丙基二甲氧基硅烷。 陽211] 錯馨合物的例子包括下醇錯、乙酷乙酸乙醋錯、Ξ乙醇胺錯、乙酷丙酬下醇錯、乙 酷乙酸乙醋下醇錯、醋酸錯、草酸錯、乳酸錯、麟酸錯、辛酸錯、環(huán)燒酸錯、十二酸錯、硬脂酸 錯、異硬脂酸錯、甲基丙締酸下醇錯、硬脂酸下醇錯和異硬脂酸下醇錯。
[0212] 鐵馨合物的例子包括鐵酸四異丙醋、鐵酸四正下醋、鐵酸下醋二聚物、四（2-乙基 己基）鐵酸醋、乙酷丙酬鐵、聚乙酷丙酬鐵、辛二醇鐵、乳酸鐵的錠鹽、乳酸鐵、乳酸鐵的乙 基醋、Ξ乙醇胺鐵和聚硬脂酸徑基鐵。
[0213] 侶馨合物的例子包括異丙醇侶、二異丙醇單下氧基侶、下醇侶、二乙基乙酷乙酸二 異丙醇侶和Ξ(乙基乙酷乙酸）侶。
[0214] 運些添加劑可W單獨使用，或作為兩種或更多種添加劑的混合物或縮聚物使用。
[0215] 底涂層的維氏硬度優(yōu)選為35 W上。
[0216] 將底涂層的表面粗糖度（微觀不平度十點高度（ten point hei曲t of irregularities))調節(jié)在（l/4)n λ 至（1/2) λ 的范圍內，W抑制莫爾圖像（moire image), 其中λ表示用于曝光的激光的波長，η表示上層的折射率。
[0217] 為了調節(jié)表面粗糖度，可W將樹脂顆粒等加入到底涂層中。樹脂顆粒的例子包括 有機娃樹脂顆粒和交聯(lián)聚甲基丙締酸甲醋樹脂顆粒。另外，為了調節(jié)表面粗糖度，可W對底 涂層的表面進行拋光。拋光方法的例子包括打磨拋光、噴砂處理、濕式巧磨和磨削處理。 [021引對底涂層的形成沒有特別限制，使用那些已知的形成方法。然而，例如，底涂層的 形成通過W下方式來進行：使底涂層形成用涂布液（該涂布液是通過將上述組分加入到溶 劑中而獲得的）形成涂膜，并干燥涂膜，之后根據(jù)需要進行加熱。
[0219] 用于制備底涂層形成用涂布液的溶劑的例子包括醇溶劑、芳族控溶劑、面代控溶 劑、酬溶劑、酬醇溶劑、酸溶劑和醋溶劑。 陽220] 運些溶劑的具體例子包括常見的有機溶劑，如甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、正下 醇、節(jié)醇、甲基溶纖劑、乙基溶纖劑、丙酬、甲乙酬、環(huán)己酬、醋酸甲醋、醋酸乙醋、醋酸正下 醋、二氧六環(huán)、四氨巧喃、二氯甲燒、氯仿、氯苯和甲苯。 陽221] 在底涂層形成用涂布液的制備中用于分散無機顆粒的方法的例子包括已知的方 法，例如使用漉磨機、球磨機、振動式球磨機、娠磨機、砂磨機、膠體磨和涂料振動器等的方 法。
[0222] 底涂層的膜厚度優(yōu)選設定為（例如）15 μηι W上的范圍，更優(yōu)選20 μηι至50 μηι。 陽223] 中間層
[0224] 盡管未在圖中示出，但是可W在底涂層和感光層之間設置中間層。
[0225] 中間層為（例如）包括樹脂的層。中間層中所用的樹脂的例子包括諸如縮醒樹脂 (如聚乙締醇縮下醒）、聚乙締醇樹脂、聚乙締醇縮醒樹脂、酪蛋白樹脂、聚酷胺樹脂、纖維 素樹脂、明膠、聚氨醋樹脂、聚醋樹脂、甲基丙締酸樹脂、丙締酸樹脂、聚氯乙締樹脂、聚乙酸 乙締醋樹脂、氯乙締-乙酸乙締醋-馬來酸酢樹脂、有機娃樹脂、有機娃-醇酸樹脂、酪醒樹 脂和Ξ聚氯胺樹脂等高分子化合物。
[0226] 中間層可W是包括有機金屬化合物的層。中間層中所用的有機金屬化合物的例子 包括含有諸如錯、鐵、侶、儘和娃等金屬原子的有機金屬化合物。 陽227] 中間層中所用的運些化合物可W單獨使用，或者作為多種化合物的混合物或縮聚 物使用。
[0228] 其中，包含含有錯原子或娃原子的有機金屬化合物的層是優(yōu)選的。
[0229] 對中間層的形成沒有特別限定，使用那些已知的形成方法。然而，例如，中間層的 形成通過W下方式來進行：使中間層形成用涂布液（所述涂布液是通過將上述組分加入到 溶劑中而獲得的）形成涂膜，并干燥涂膜，之后根據(jù)需要進行加熱。
[0230] 作為用于形成中間層的涂布方法，可使用常規(guī)的方法，例如浸涂法、擠出涂布法、 線棒涂布法、噴涂法、刮涂法、刀片涂布法和簾涂法。 陽23U 中間層的膜厚度優(yōu)選設定為（例如）〇. 1 μπι至3 μηι的范圍。此夕F，可W將中間層 用作底涂層。 陽2巧 電荷產(chǎn)生層 陽233] 電荷產(chǎn)生層為（例如）包含電荷產(chǎn)生材料和粘結劑樹脂的層。此外，電荷產(chǎn)生層 可為電荷產(chǎn)生材料的沉積層。電荷產(chǎn)生材料的沉積層適合于使用發(fā)光二極管（LED)和有機 電致發(fā)光巧L)圖像陣列等非相干光源的情況。 陽234] 電荷產(chǎn)生材料的例子包括：偶氮顏料，如雙偶氮顏料和Ξ偶氮顏料；稠合芳控顏 料，如二漠蔥嵌蔥酬（dibromoantant虹one)顏料；二糞嵌苯顏料；化咯并化咯顏料；獻菁顏 料；氧化鋒；和Ξ角砸。
[0235] 其中，為了對應于近紅外區(qū)的激光曝光，優(yōu)選使用金屬獻菁顏料或非金屬獻菁顏 料作為電荷產(chǎn)生材料，特別地，更優(yōu)選使用徑基嫁獻菁；氯嫁獻菁；二氯獻菁錫；和氧鐵獻 菁等。 陽236] 另一方面，為了對應于近紫外區(qū)的激光曝光，作為電荷產(chǎn)生材料，優(yōu)選的是：稠合 芳控顏料，如二漠蔥嵌蔥酬；硫說顏料；四氮雜化嘟（po巧hyrazine)化合物；氧化鋒；Ξ角 砸；雙偶氮顏料；等等。 陽237] 在使用發(fā)光中屯、波長為450皿至780皿的L邸和有機化圖像陣列等非相干光源 的情況下，可使用上述電荷產(chǎn)生材料，但是從分辨率的角度來看，在感光層W厚度為20 μm w下的薄膜的形式使用的情況下，感光層中的電氣強度加強，因此，易于發(fā)生從基體注入電 荷而導致的帶電減少，或者易于形成被稱為所謂的黑點的圖像缺陷。當使用了諸如Ξ角砸 和獻菁顏料等P型半導體運樣的容易產(chǎn)生暗電流的電荷產(chǎn)生材料時，運種現(xiàn)象變得明顯。
[0238] 就運點而言，在使用稠合芳控顏料、二糞嵌苯顏料、偶氮顏料等η型半導體作為電 荷產(chǎn)生材料時，不易產(chǎn)生暗電流，并且即使是在W薄膜形式使用的情況下也可抑制被稱為 黑點的圖像缺陷。η型電荷產(chǎn)生材料的例子包括JP-A-2012-155282中第[028引至[0291] 段中所述的化合物（CG-1)至（CG-27)，但不限于此。
[0239] 此外，η型的確定可W如下進行：采用通常使用的飛行時間法（time-of-fli曲t method),通過光電流的極性來進行確定，將與空穴相比電子作為載流子更容易流出的類型 定為η型。
[0240] 用于電荷產(chǎn)生層的粘結劑樹脂可選自范圍廣泛的絕緣樹脂，此外該粘結劑樹脂也 可W選自有機光電導性聚合物，如聚-Ν-乙締基巧挫、聚乙締基蔥、聚乙締基巧和聚硅烷。 陽241] 粘結劑樹脂的例子包括聚乙締醇縮下醒樹脂、聚芳醋樹脂（如雙酪和芳族二價簇 酸的縮聚物等）、聚碳酸醋樹脂、聚醋樹脂、苯氧基樹脂、氯乙締-醋酸乙締醋共聚物、聚酷 胺樹脂、丙締酸樹脂、聚丙締酷胺樹脂、聚乙締基化晚樹脂、纖維素樹脂、氨基甲酸乙醋樹 月旨、環(huán)氧樹脂、酪素、聚乙締醇樹脂和聚乙締基化咯燒酬樹脂。術語"絕緣性"在此是指體積 電阻率為10" Ω · cm W上。 陽242] 運些粘結劑樹脂可單獨使用，或者作為兩種或多種的混合物使用。
[0243] 此外，W重量比計，電荷產(chǎn)生材料與粘結劑樹脂的混合比優(yōu)選為10:1至1:10的范 圍。 陽244] 此外，還可向電荷產(chǎn)生層中加入已知的添加劑。 陽245] 對電荷產(chǎn)生層的形成沒有特別的限制，可使用已知的形成方法。然而，例如可通過 如下方式來形成電荷產(chǎn)生層：使電荷產(chǎn)生層形成用涂布液（所述涂布液是通過將上述組分 加入到溶劑中而獲得的）形成涂膜，并干燥涂膜，然后根據(jù)需要進行加熱。此外，還可通過 沉積電荷產(chǎn)生材料來形成電荷產(chǎn)生層。通過沉積來形成電荷產(chǎn)生層尤其適合于將稠合芳控 顏料或二糞嵌苯顏料用作電荷產(chǎn)生材料的情況。 陽246] 用于制備電荷產(chǎn)生層形成用涂布液的溶劑的例子包括甲醇、乙醇、正丙醇、正下 醇、節(jié)醇、甲基溶纖劑、乙基溶纖劑、丙酬、甲乙酬、環(huán)己酬、醋酸甲醋、醋酸正下醋、二氧六 環(huán)、四氨巧喃、二氯甲燒、氯仿、氯苯和甲苯。運些溶劑可W單獨使用，或者作為其兩種或更 多種的混合物使用。 陽247] 關于將顆粒（例如，電荷產(chǎn)生材料）分散于電荷產(chǎn)生層形成用涂布液中的方法，例 如可使用：介質分散機，如球磨機、振動球磨機、娠磨機、砂磨機和邸式砂磨機；或者無介質 分散機，如攬拌機、超聲分散機、漉磨機、或高壓均質器。高壓均質器的例子包括：通過在高 壓下使分散液撞擊液體或撞擊壁W將顆粒分散的碰撞系統(tǒng)；W及通過在高壓狀態(tài)下使分散 液穿過微細的流路從而將顆粒分散的貫穿系統(tǒng)（penetration system)。
[0248] 此外，在分散過程中，有效的是，電荷產(chǎn)生層形成用涂布液中的電荷產(chǎn)生材料的平 均粒徑為0. 5μπι W下，優(yōu)選為0. 3μπι W下，更優(yōu)選為0. 15μπι W下。 悅49] 電荷產(chǎn)生層的膜厚優(yōu)選設定為（例如）0. Ιμπι至5.0μπι，更優(yōu)選為0.2μπι至 2. 0 μ m〇 陽250] 電荷傳輸層 陽251] 電荷傳輸層為（例如）包含電荷傳輸材料和粘結劑樹脂的層。電荷傳輸層還可為 包含聚合物電荷傳輸材料的層。 陽252] 電荷傳輸材料的例子包括電子傳輸化合物，例如：釀系化合物，例如對苯釀、四氯 苯釀、四漠苯釀和蔥釀；四氯基釀二甲燒化合物；巧酬系化合物，如2, 4, 7-Ξ硝基巧酬；氧 雜蔥酬系化合物；二苯酬系化合物；氯基乙締基系化合物；和乙締系化合物。電荷傳輸材料 的其它例子包括空穴傳輸化合物，如Ξ芳基胺系化合物、聯(lián)苯胺系化合物、芳基燒控系化合 物、芳基取代乙締系化合物、巧系化合物、蔥系化合物W及腺系化合物。運些電荷傳輸材料 可W單獨使用或其兩種或更多種組合使用，但并不限于此。 陽253] 從電荷遷移率的角度來看，電荷傳輸材料優(yōu)選為由如下式（a-1)表示的Ξ芳基胺 衍生物、W及由如下式（a-2)表示的聯(lián)苯胺衍生物。 陽巧4]
悅對在上式（a-1)中，Ar"、A/2和Ar TS各自獨立地表示取代或未取代的芳 基、-C品-C(RT4) = C(RT5) (R?)、或-CsHa-CH = CH-CH ="護7) (rTs)，并且護4、護5、護6、護嘴 RTS各自獨立地表示氨原子、取代或未取代的烷基、或者取代或未取代的芳基。 陽巧6] 上述各基團的取代基的例子包括面素原子、具有1至5個碳原子的烷基和具有1 至5個碳原子的烷氧基。上述各基團的取代基的其它例子包括被具有1至3個碳原子的燒 基取代的取代氨基。 陽巧7]
悅加]在式（a-2)中，R?和R?2各自獨立地表示氨原子、面素原子、具有1至5個碳原 子的烷基、或具有1至5個碳原子的烷氧基；護1°1、護1°2、護111和rt"2各自獨立地表示面素原 子、具有1至5個碳原子的烷基、具有1至5個碳原子的烷氧基、被具有1或2個碳原子的 烷基取代的氨基、取代或未取代的芳基、-COT2) = C(rT") (R"4)、或-CH = CH-CH = C(R"5) 妒6);護12、護3、護4、rTI郝rT16各自獨立地表示氨原子、取代或未取代的烷基、或者取代或 未取代的芳基；并且Tml、Tm2、Tnl和Τη2各自獨立地表示0至2的整數(shù)。 陽巧9] 上述各基團的取代基的例子包括面素原子、具有1至5個碳原子的烷基和具有1 至5個碳原子的烷氧基。上述各基團的取代基的其它例子包括被具有1至3個碳原子的燒 基取代的取代氨基。
[0260] 運里，在由式（a-1)表示的Ξ芳胺衍生物和由式（a-2)表示的聯(lián)苯胺衍生物中，從 電荷遷移率的角度考慮，特別優(yōu)選具有"-C品-CH = CH-CH = C(R")(護8)"的；芳胺衍生物 和具有"-CH = CH-CH = C(R"5) (R?)"的聯(lián)苯胺衍生物。 陽261]作為聚合物電荷傳輸材料，使用已知的具有電荷傳輸性的材料，如聚-N-乙締基 巧挫和聚硅烷。特別優(yōu)選聚醋系聚合物電荷傳輸材料。此外，聚合物電荷傳輸材料可W單 獨使用，或者與粘結劑樹脂組合使用。 陽262] 用于電荷傳輸層中的粘結劑樹脂的例子包括：聚碳酸醋樹脂、聚醋樹脂、聚芳醋樹 月旨、甲基丙締酸樹脂、丙締酸樹脂、聚氯乙締樹脂、聚偏二氯乙締樹脂、聚苯乙締樹脂、聚乙 酸乙締醋樹脂、苯乙締-下二締共聚物、偏二氯乙締-丙締臘共聚物、氯乙締-醋酸乙締醋 共聚物、氯乙締-醋酸乙締醋-馬來酸酢共聚物、有機娃樹脂、有機娃醇酸樹脂、酪醒樹脂、 苯乙締-醇酸樹脂、聚N-乙締基巧挫、和聚硅烷。其中，聚碳酸醋樹脂和聚芳醋樹脂是合適 的。運些粘結劑樹脂可單獨使用，或者兩種或多種組合使用。 陽263] 此外，W重量比計，電荷傳輸材料和粘結劑樹脂的共混比優(yōu)選為10:1至1:5。 陽264] 另外，電荷傳輸層中可W包含已知的添加劑。 陽2化]對電荷傳輸層的形成方法沒有特別限定，可W使用已知的形成方法。然而，例如， 電荷傳輸層的形成通過W下方式進行：使電荷傳輸層形成用涂布液（所述涂布液是通過將 上述組分加入到溶劑中而獲得的）形成涂膜，并干燥該涂膜，然后根據(jù)需要進行加熱。 陽％6] 用于電荷傳輸層形成用涂布液的溶劑的例子包括常用的有機溶劑，如芳族控類， 如苯、甲苯、二甲苯和氯苯；酬類，如丙酬和2-下酬；脂肪族面代控類，如二氯甲燒、氯仿和 二氯乙燒；W及環(huán)狀或直鏈狀的酸類，如四氨巧喃和乙酸。運些溶劑可W單獨使用，或者W 其兩種或多種組合使用。
[0267] 電荷傳輸層的膜厚度優(yōu)選設為5 μηι至50 μηι的范圍，更優(yōu)選10 μηι至30 μηι。 悅側保護層 陽269] 根據(jù)需要在感光層上設置保護層。設置保護層的目的（例如）是為了防止在充電 時感光層發(fā)生化學變化，或者進一步提高感光層的機械強度。
[0270] 因而，可朗尋由固化膜（交聯(lián)膜）構成的層用作保護層。作為運些層，例如包括下 述1)或2)所描述的層。 陽271] 1)由組成中含有含反應性基團的電荷傳輸材料的固化膜構成的層（目Ρ，含有含反 應性基團的電荷傳輸材料的聚合物或交聯(lián)物的層），其中該含反應性基團的電荷傳輸材料 在同一分子中具有反應性基團W及電荷輸送骨架， 陽272] 2)由組成中含有非反應性電荷傳輸材料W及含反應性基團的非電荷傳輸材料的 固化膜構成的層（即，含有非反應性電荷傳輸材料W及含反應性基團的非電荷傳輸材料的 聚合物或交聯(lián)物的層），其中所述含反應性基團的非電荷傳輸材料具有反應性基團，而不具 有電荷輸送骨架。 陽273] 含反應性基團的電荷傳輸材料中的反應性基團的例子包括已知反應性基團，如鏈 聚合性基團、環(huán)氧基、-〇H、-〇R(其中R表示烷基）、-畑2、-甜、-C00H、和-SiR"3 〇。(〇護％。（其 中rw表示氨原子、烷基、取代芳基或未取代芳基，rw表示氨原子、烷基、或Ξ烷基甲娃烷基。 化表示1至3的整數(shù)）。
[0274] 對鏈聚合性基團沒有特別的限制，只要其為能夠自由基聚合的官能團即可。例如， 該鏈聚合性基團為具有至少包含碳雙鍵的基團的官能團。具體來說，鏈聚合基團的例子包 括：含有選自乙締基、乙締基酸基、乙締基硫酸基、苯乙締基、丙締酷基、甲基丙締酷基及其 衍生物中的至少一者的基團。其中，從具有優(yōu)異的反應性的方面來看，鏈聚合性基團優(yōu)選是 含有選自乙締基、苯乙締基、丙締酷基、甲基丙締酷基、及其衍生物中的至少一者的基團。 陽275] 對含反應性基團的電荷傳輸材料的電荷輸送骨架沒有特別的限制，只要該電荷輸 送骨架具有電子照相感光體中已知的結構即可。例如，電荷輸送骨架可W是衍生自含氮空 穴傳輸化合物（例如Ξ芳基胺系化合物、聯(lián)苯胺系化合物和腺系化合物）的骨架，并且包括 與氮原子共輛的結構。其中，優(yōu)選Ξ芳基胺化合物骨架。 陽276] 具有反應性基團W及電荷輸送骨架的運些含反應性基團的電荷傳輸材料、非反應 性電荷傳輸材料和含反應性基團的非電荷傳輸材料可選自已知材料。 陽277] 作為電荷傳輸材料，優(yōu)選由下式（I)表示的化合物。 悅 7引 F-((-R7-X)ni(RS)n3-Y)n2 (D 陽279] 在式訊中，F(xiàn)表示衍生自具有空穴傳輸性能的化合物的有機基團，R嘴RS分別表 示具有1至5個碳原子數(shù)的直鏈亞烷基或支鏈亞烷基，nl表示0或1，n2表示1至4的整數(shù)， 并且n3表示0或1。X表示氧、畑或硫原子，并且Y表示-〇山-〇邸3、-畑2、-甜或-〇)(^(已 經(jīng)包括在反應性基團中）。
[0280] 作為有機基團（所述有機基團由式（I)中的F表示且衍生自具有傳輸性能的化合 物）中具有空穴傳輸性能的化合物，適當?shù)氖?，包括芳基胺衍生物。作為芳基胺衍生物，適 當?shù)氖?，包括Ξ苯胺衍生物和四苯基?lián)苯胺衍生物。 陽2川作為由式訊表示的化合物的具體例子，包括如下所示的化合物（1-1)至（1-31)。 由式（I)表示的化合物不限于運些化合物。 陽282]
陽283]
陽284]
陽285] 另外，保護層可包含已知的添加劑。例如，保護層可包含含氣顆粒。對形成含氣顆 粒的材料沒有特別限定，只要該材料是含有氣原子的樹脂即可。例如，該材料可W由選自四 氣乙締樹脂（PTFE)、Ξ氣氯乙締樹脂、六氣丙締樹脂、氣乙締樹脂、偏二氣乙締樹脂、二氣二 氯乙締樹脂和運些物質的共聚物中的一種或兩種或多種形成。在運些氣樹脂中，優(yōu)選四氣 乙締樹脂或偏二氣乙締樹脂，并且特別優(yōu)選四氣乙締樹脂。 陽286] 對保護層的形成沒有特別的限制，可使用已知的形成方法。例如，可使用保護層形 成用涂布液來形成涂膜，其中該保護層形成用涂布液是通過將上述成分加入溶劑中而獲得 的。將涂膜干燥，并根據(jù)需要進行諸如加熱等固化處理。 陽287] 用于制備保護層形成用涂布液的溶劑的例子包括芳族溶劑，例如甲苯和二甲苯； 酬類溶劑，例如甲基乙基酬、甲基異下基酬和環(huán)己酬；醋類溶劑，例如乙酸乙醋和乙酸下醋； 酸類溶劑，例如四氨巧喃和二嗯燒；溶纖劑類溶劑，例如乙二醇單甲酸；醇類溶劑，例如異 丙醇和下醇；等等。運些溶劑可單獨使用、或者兩種或更多種組合使用。 陽28引保護層形成用涂布液可為不含溶劑的涂布液。 陽289] 保護層的膜厚度優(yōu)選設定在（例如）1 μ m至20 μ m的范圍內，更優(yōu)選設定在2 μ m 至10 μ m的范圍內。 陽290] 單層型感光層 陽291] 單層型感光層（電荷產(chǎn)生層/電荷傳輸層）（例如）為含有電荷產(chǎn)生材料和電荷 傳輸材料，并且根據(jù)需要還包含粘結劑樹脂和其它已知添加劑的層。運些材料與針對電荷 產(chǎn)生層和電荷傳輸層所描述的那些材料類似。 陽292] 此外，單層型感光層中的電荷產(chǎn)生材料的含量相對于全部的固形物優(yōu)選為10重 量％至85重量％，更優(yōu)選為20重量％至50重量％。此外，單層型感光層中的電荷傳輸材 料的含量相對于全部的固形物優(yōu)選為5重量％至50重量％。 陽293] 單層型感光層的形成方法與電荷產(chǎn)生層或電荷傳輸層的形成方法相同。 陽巧4] 單層型感光層的膜厚度（例如）可W優(yōu)選為5 μηι至50 μηι，更優(yōu)選為10 μηι至 40 μ m。 陽295] 示例性實施方案中的電子照相感光體的有機層的結構可W至少具有感光層。然 而，例如，電子照相感光體的有機層的結構和與充電部件接觸的區(qū)域中的有機層的平均總 膜厚d優(yōu)選具有如下關系。 陽296] 當電子照相感光體從導電性基體側起包括底涂層和具有電荷產(chǎn)生層和電荷傳輸 層的感光層作為有機層時，從充電特性、磨損壽命、生產(chǎn)性或材料成本的角度出發(fā)，有機層 的平均總膜厚d優(yōu)選在20 μ m至70 μ m的范圍內。
[0297] 當電子照相感光體從導電性基體側起包括底涂層、電荷產(chǎn)生層、電荷傳輸層和保 護層作為有機層時，從充電特性、磨損壽命、生產(chǎn)性或材料成本的角度出發(fā)，有機層的平均 總膜厚d優(yōu)選在20 μ m至60 μ m的范圍內。 陽29引當電子照相感光體包括單層型感光層作為有機層時，從充電特性、磨損壽命、生產(chǎn) 性或材料成本的角度出發(fā)，有機層的平均總膜厚d優(yōu)選在15 μ m至40 μ m的范圍內。 陽299] 作為根據(jù)示例性實施方案的成像裝置，采用已知的成像裝置：包括定影單元的裝 置，該定影單元將已轉印至記錄介質表面的調色劑圖像定影；直接轉印型裝置，其將形成于 電子照相感光體表面上的調色劑圖像直接轉印至記錄介質上；中間轉印型裝置，其將形成 于電子照相感光體表面上的調色劑圖像一次轉印至中間轉印部件的表面上，然后將已一次 轉印至中間轉印部件表面上的調色劑圖像二次轉印至記錄介質的表面上；包括清潔單元的 裝置，該清潔單元在充電之前在電子照相感光體的表面上進行清潔；包括除電單元的裝置， 在調色劑圖像轉印之后、充電之前，該除電單元利用除電光照射電子照相感光體的表面W 進行除電；包括電子照相感光體的加熱部件的裝置，該加熱部件用于提高電子照相感光體 的溫度從而降低相對溫度。
[0300] 在中間轉印型裝置的情況中，對于轉印單元，例如應用包括W下部件的構造：中間 轉印部件，調色劑圖像被轉印至該中間轉印部件的表面上；一次轉印單元，其將形成于圖像 保持部件的表面上的調色劑圖像一次轉印至中間轉印部件的表面上；和二次轉印單元，其 將已轉印至中間轉印部件的表面上的調色劑圖像二次轉印。 陽301] 根據(jù)示例性實施方案的成像裝置可為干式顯影型成像裝置和濕式顯影型（使用 液體顯影劑的顯影類型）成像裝置中的任意一種。
[0302] 在根據(jù)示例性實施方案的成像裝置中，例如，包括電子照相感光體、充電部件和清 潔部件的部分可為能夠從成像裝置上拆卸下來的盒結構（處理盒）。除了電子照相感光體、 充電部件和清潔部件之外，該處理盒可包括選自由（例如）靜電潛像形成單元、顯影單元和 轉印單元構成的組中的至少一者。 陽303] 圖7是示出了根據(jù)示例性實施方案的成像裝置的另一個例子的示意性構造圖。 陽304] 圖7中示出的成像裝置120為其中安裝有4個處理盒300的串聯(lián)型多色成像裝置。 在成像裝置120中，在中間轉印部件50上平行設置了 4個處理盒300,并且每個處理盒300 都具有使用了指定有一種顏色的一個電子照相感光體的構造。除了其為串聯(lián)型W外，成像 裝置120可具有與成像裝置100類似的構造。 陽305] 例子 陽306] 下面將描述實施例和比較例。然而，本發(fā)明的示例性實施方案不限于W下實施例。 陽307] 涂布液的制備 陽30引底涂層形成用涂布液的制備 陽309] 將100重量份的氧化鋒（平均粒徑：70皿，由化yea Co巧oration制造，比表面積 值：15mVg)與500重量份的四氨巧喃攬拌混合。加入1. 25重量份的KBM603 (由化in-Etsu 化emical Co.，Ltd制造）作為硅烷偶聯(lián)劑并攬拌2小時。然后，在減壓下對四氨巧喃進行 蒸饋從而將其蒸饋除去。在12(TC下烘烤3小時，由此獲得硅烷偶聯(lián)劑表面處理的氧化鋒顆 粒。
[0310] 將60重量份的經(jīng)過表面處理的氧化鋒顆粒、0. 6重量份的茜素、13. 5重量份的作 為固化劑的封端異氯酸醋（Sumidur 3173,由 Sumitomo Bayer urethane Co巧oration 制 造）和15重量份的下縮醒樹脂（S-LEC BM-1，由Sekisui chemical Co. ,Ltd.制造）溶于 85重量份的甲基乙基酬中，由此獲得溶液。將38重量份的該溶液和25重量份的甲基乙基 酬彼此混合，并將混合獲得的混合物使用直徑為1mm的玻璃珠在砂磨機中分散4小時。由 此獲得了分散液。 陽311] 將0. 005重量份的作為催化劑的二月桂酸二辛基錫和4. 0重量份的有機娃樹脂顆 粒（Tospearl 145,由 Momentive Performance Materials Inc.制造）加入到所獲得的分 散液中，從而獲得了底涂層形成用涂布液。
[0312] 電荷產(chǎn)生層形成用涂布液的制備
[0313] 將2.5重量份的氯嫁獻菁（其在X射線衍射光譜中在7.4°、16.6°、25.5° 和28. 3°的布拉格角（2 Θ ±0. 2° )處具有強衍射峰）和2. 5重量份的聚乙締醇縮下醒 (S-LEC BM-S，由Sekisui chemical Co. , Ltd.制造）混合于95重量份的環(huán)己酬中，將混合 而獲得的混合物與直徑為1mm的玻璃珠一起在油漆攬拌器中分散1小時。由此獲得了固形 物濃度約為5. ο重量％的電荷產(chǎn)生層形成用涂布液。
[0314] 電荷傳輸層形成用涂布液的制備
[0315] 電荷傳輸層形成用涂布液1 層感光體用
[0316] 將1重量份的四氣乙締樹脂顆粒、0.02重量份的氣接枝的聚合物、5重量份的四氨 巧喃和2重量份的甲苯充分攬拌混合，由此獲得了四氣乙締樹脂顆粒懸浮液。 陽317] 之后，將4重量份的作為電荷傳輸材料的Ν，Ν'-二苯基-Ν，Ν'-雙（3-甲基苯 基）-[1，Γ ]聯(lián)苯基-4, 4'-二胺與6重量份的雙酪Ζ型聚碳酸醋樹脂（粘均分子量40, 000) 混合并溶于含有23重量份四氨巧喃和10重量份甲苯的溶劑中。之后，向其中加入四氣乙 締樹脂顆粒懸浮液并攬拌混合，然后使用其中安裝有具有微細流路的貫穿型室的高壓均質 器（由化nomizer Inc.制造，產(chǎn)品名：LA-33巧將壓力提高至400k奸/畑12化92X10 ipa)的 分散處理重復六次，由此獲得了四氣乙締樹脂顆粒分散液?；旌?. 2重量份的2, 6-二叔下 基-4-甲基苯酪，由此獲得電荷傳輸層形成用涂布液1。
[0318] 電荷傳輸層形成用涂布液2 :具有保護層的四層感光體用
[0319] 將42重量份的N，Ν' -雙（3-甲基苯基）-N，Ν' -二苯基聯(lián)苯胺和58重量份的雙酪 Ζ型聚碳酸醋樹脂燈S2050,粘均分子量50, 000,由Teijin Ltd.制造）溶解并混合于含有 280重量份的四氨巧喃和120重量份的甲苯的溶劑中。由此獲得了電荷傳輸層形成用涂布 液2。
[0320] 保護層形成用涂布液的制備 陽321] 混合64重量份的PT陽顆粒（LUBR0N心2,平均粒徑：0. 2 μL?，由Da化in In化stries, Ltd.制造）、3. 2重量份的分散助劑（含氣梳型接枝聚合物GF400,由Toagosei Co.，Ltd.制造）和333重量份的環(huán)戊酬。用超聲波振蕩30分鐘，然后將振蕩所得物在 Nanomizer中分散。由此制備了含有16重量％的含氣顆粒（PT陽顆粒）的分散液。 陽322] 然后，混合下列組分并由此制備得到保護層形成用涂布液。 陽323] 含氣顆粒分散液：17. 8重量份
[0324] 電荷傳輸材料：35重量份 陽325] 熱固性樹脂（苯并脈胺）：2. 1重量份 陽326] 氧化抑制劑燈ris-TPM:雙（4-二乙氨基-2-甲基苯基）-(4-二乙氨基苯基）-甲 燒）：0. 2重量份 陽327]催化劑（NACURE5225,由 King Industries Inc.制造）：0.7 重量份 陽32引環(huán)戊酬：27. 7重量份 陽329] 環(huán)戊醇：18. 5重量份 陽330] 作為電荷傳輸材料，W 50/50的混合比（重量份）使用上述化合物（1-10)和 (1-25)〇 陽331] 單層型感光層形成用涂布液的制備 陽332] 將50重量份的作為粘結劑樹脂的雙酪Z型聚碳酸醋樹脂（粘均分子量：50, 000) 和40重量份的作為空穴傳輸材料的N，Ν' -二苯基-N，Ν' -雙（3-甲基苯基）-1，Γ -聯(lián)苯 基-4, 4' -二胺溶于含有250重量份的四氨巧喃和250重量份的甲苯的溶劑中，由此獲得感 光層形成用涂布液Ρ'。 陽333] 將1. 5重量份的作為電荷產(chǎn)生材料的V型徑基嫁獻菁顏料、50重量份的作為粘結 劑樹脂的雙酪z型聚碳酸醋樹脂（粘均分子量：50, 000)、11. 5重量份的作為具有w下結構 的電子傳輸材料的3, 3' -二叔戊基-聯(lián)糞釀、37重量份的作為空穴傳輸材料的N，Ν' -聯(lián)苯 基-Ν，Ν' -雙（3-甲基苯基）-1，Γ -聯(lián)苯基-4, 4' -二胺、250重量份的作為溶劑的四氨巧喃 和250重量份的甲苯混合，由此獲得混合物。該V型徑基嫁獻菁顏料在使用化Κ α特征X射 線的X射線衍射光譜中在至少7. 3°、16.0°、24.9°和28.0。的布拉格角（2Θ+0. 2° ) 的位置處具有衍射峰。將該混合物與分散處理前的感光層形成用涂布液Ρ'混合，并使用直 徑為1化瓜卿的玻璃珠在DYNO磨中將所得的混合物分散4小時。由此獲得了單層型感光層 形成用涂布液Ρ。
[0334] 電子照相感光體的制造
[0335] 通過使用如上所述制備的各涂布液來制備W下例子中描述的電子照相感光體。通 過使用前文所述的方法來測量各層的厚度和全部有機層的厚度（總膜厚）。 陽336] 實施例1 陽337] 底涂層形成工序 陽33引通過連續(xù)噴墨法將底涂層形成用涂布液涂布到直徑為30mm、長度為340mm、厚度 為1mm的圓筒狀侶基材（導電性基體）上。然后，在18(TC下進行干燥固化100分鐘。W噴 墨頭部的移動速度在軸向上的兩個端部（涂布開始時和涂布結束時）減小的方式使涂布所 形成的膜圖案化，由此形成了軸向上的中屯、部的厚度為22. 8 μπι的底涂層。成膜條件如下。 陽339] 頭部的噴嘴數(shù)：7 陽34〇] 噴嘴直徑：φ22.5 μηι 陽341] 噴嘴間的距離：0.5mm 陽34引一個噴嘴的流速：0. 3ml/min 陽34引 壓電驅動：正弦波65. 0曲Z
[0344] 施加電壓：3.0V
[0345] 間隙（噴嘴板面和圓筒狀基材之間的距離）：10mm 陽346] 頭部傾斜角：80.0°
[0347] 頭部移動速度（當在恒定速度下成膜時）：156. 8mm/min
[0348] 基材旋轉速度：224;rpm
[0349] 電荷產(chǎn)生層形成工序 陽350] 通過連續(xù)噴墨法將電荷產(chǎn)生層形成用涂布液涂布到底涂層上。然后，在120°C下加 熱干燥8分鐘，由此形成了厚度為0. 2 μπι的電荷產(chǎn)生層。成膜條件如下。 陽351] 頭部的噴嘴數(shù)：4 陽352] 噴嘴直徑：巧10 μ貓 陽35引 噴嘴間的距離：1mm 陽354] -個噴嘴的流速：0. 05ml/min 陽355] 壓電驅動：正弦波65. 0曲Z 陽356] 施加電壓：3.0V 陽357] 間隙：1mm 陽35引 頭部傾斜角：80.0° 陽359] 頭部移動速度：286. Imm/min
[0360] 基材旋轉速度：411. 9巧m 陽361] 電荷傳輸層形成工序 陽362] 通過連續(xù)噴墨法將電荷傳輸層形成用涂布液1涂布到已經(jīng)形成了電荷產(chǎn)生層的 基材上。然后，在135°C下干燥40分鐘，由此形成了厚度為37μπι的電荷傳輸層。涂布條件 如下。 陽363] 頭部的噴嘴數(shù)：4 [0364]噴嘴直徑：(p26,5 jam 陽3化]噴嘴間的距離：1mm 陽366] -個噴嘴的流速：0. 65ml/min 陽367] 壓電驅動：正弦波41. 3曲Z
[0368] 施加電壓：3.0V 陽369] 液滴溫度：60°C 陽370] 間隙：10mm 陽371] 頭部傾斜角：87°
[0372] 頭部移動速度（在恒定速度下成膜時）：140mm/min 陽373] 基材旋轉速度：280巧m
[0374] 通過所述工序制備了具有Ξ層結構有機層（軸向上的長度：329mm)的電子照相感 光體。 陽375] 實施例2 陽376] 按照與實施例1同樣的方式制備具有Ξ層結構有機層的電子照相感光體，與實施 例1中的不同之處在于，沿著軸向全部W恒定速度形成底涂層，并且W噴墨頭部的移動速 度在軸向上的兩個端部（從涂布開始時至涂布結束時）降低的方式使電荷傳輸層圖案化。 陽377] 實施例3
[0378] 按照與實施例1同樣的方式通過依次形成底涂層、電荷產(chǎn)生層和電荷傳輸層來制 備具有=層結構有機層的電子照相感光體，與實施例1中的不同之處在于，沿著軸向全部 W恒定速度形成底涂層使得其平均膜厚為22. 8 μ m，使用電荷傳輸層形成用涂布液2作為 電荷傳輸層形成用涂布液，并且將頭部移動速度變?yōu)?64mm/min且將基材旋轉速度變?yōu)?528rpm，由此使得電荷傳輸層的平均膜厚為18. 5 μπι。 陽3巧]保護層形成工序 陽380] 通過采用連續(xù)噴墨法將保護層形成用涂布液涂布到電荷傳輸層上。然后，在150°C 下干燥30分鐘，從而形成厚度約為7 μπι的保護層。W噴墨頭部的移動速度在軸向上的兩 個端部（涂布開始時至涂布結束時）降低的方式使得涂布所形成的膜圖案化。成膜條件如 下。 陽381] 頭部的噴嘴數(shù)：7 陽382] 噴嘴直徑：常U J μ現(xiàn) 陽383] 噴嘴間的距離：0. 5mm 陽384] -個噴嘴的流速：0. 07ml/min 陽385] 壓電驅動：正弦波65. Ο曲z 陽386] 施加電壓：3.0V 陽387] 間隙：1mm 陽38引 頭部傾斜角：80. 0。 陽389] 頭部移動速度：232. 4mm/min 陽390] 基材旋轉速度：764. 4巧m 陽391] 實施例4 陽392] 按照與實施例1同樣的方式通過依次形成底涂層、電荷產(chǎn)生層和電荷傳輸層來制 備具有=層結構有機層的電子照相感光體，與實施例1中的不同之處在于，在電荷傳輸層 的形成過程中，通過降低噴墨頭部的移動速度使得在兩個端部處進行圖案成膜，并且將兩 個端部處的厚度調節(jié)為40 μ m。 陽393] 實施例5 陽394] 按照與實施例3同樣的方式進行圖案成膜，不同之處在于，按照與實施例4同樣的 方式形成底涂層和電荷產(chǎn)生層，并且W噴墨頭部的移動速度在軸向上的兩個端部（涂布開 始時至涂布結束時）降低的方式使電荷傳輸層圖案化。按照與實施例3同樣的方式將保護 層在電荷傳輸層上圖案成膜，由此制得具有四層結構有機層的電子照相感光體。 陽3巧]實施例6
[0396] 使用單層型感光層形成用涂布液P在直徑為30mm、長度為340mm、厚度為1mm的圓 筒狀侶基材（導電性基體）上將單層型感光層圖案成膜，由此制備了單層型電子照相感光 體。該單層型感光層的成膜條件與實施例1中電荷傳輸層的成膜條件類似，不同之處在于， 通過降低噴墨頭部在兩個端部的移動速度來進行圖案成膜。
[0397] 比較例1 陽39引按照與實施例4同樣的方式制備具有Ξ層結構有機層的電子照相感光體，與實施 例4中的不同之處在于，在底涂層和電荷傳輸層的圖案成膜時，改變在兩個端部處形成的 圖案。
[0399] 比較例2
[0400] 電子照相感光體的制造
[0401] 通過浸涂法依次進行涂布并進行干燥，由此底涂層、電荷產(chǎn)生層和電荷傳輸層依 次形成在圓筒狀的侶基體（導電性基體）上。
[0402] 底涂層形成工序
[0403] 通過浸涂法將底涂層形成用涂布液涂布在直徑為30mm、長度為340mm、厚度為1mm 的圓筒狀侶基材（導電性基體）上。之后，在160°C下進行干燥固化100分鐘。
[0404] 將基體的升高速度設為160mm/分鐘并使基體沿軸向升高，W此方式進行涂布。當 在基體的上端部（涂布開始時）形成涂膜時，調節(jié)升高速度并形成涂膜。
[0405] 在升高后，擦掉下端部的涂膜。干燥后，獲得在軸向上的中屯、部的厚度為22.8 μπι 的底涂層。
[0406] 電荷產(chǎn)生層形成工序
[0407] 通過浸涂法將電荷產(chǎn)生層形成用涂布液涂布到已經(jīng)形成了底涂層的基材上。然 后，在120°C下加熱干燥8分鐘，由此形成了厚度為0. 2 μπι的電荷產(chǎn)生層。將基體的升高速 度設為150mm/分鐘，W此方式進行涂布。升高后，擦掉下端部的涂膜。 陽40引電荷傳輸層形成工序
[0409] 通過浸涂法將電荷傳輸層形成用涂布液1涂布到已經(jīng)形成了電荷產(chǎn)生層的基材 上。然后，在115°C下干燥40分鐘，由此形成了厚度為37 μm的電荷傳輸層。
[0410] 將基體的升高速度設為200mm/分鐘并使基體沿軸向升高，W此方式進行涂布。當 在基體的上端部（涂布開始時）形成涂膜時，調節(jié)升高速度并形成涂膜。
[0411] 比較例3
[0412] W與比較例2同樣的方式，通過浸涂法在侶基材上形成底涂層和電荷產(chǎn)生層。
[0413] 電荷傳輸層形成工序
[0414] 通過浸涂法將電荷傳輸層形成用涂布液2涂布到已經(jīng)形成了電荷產(chǎn)生層的基材 上。然后，在115°C下干燥40分鐘，由此形成了厚度為18. 5 μπι的電荷傳輸層。
[0415] 將基體的升高速度設為120mm/分鐘并使基體沿軸向升高，W此方式進行涂布。當 在基體的上端部（涂布開始時）形成涂膜時，調節(jié)升高速度并形成涂膜。
[0416] 保護層形成工序
[0417] 通過浸涂法將保護層形成用涂布液涂布到電荷傳輸層上。然后，在150°C下干燥 30分鐘，由此形成厚度約為7 μπι的保護層。將基體的升高速度設為150mm/分鐘并使基體 沿軸向升高，W此方式進行涂布。當在基體的上端部（涂布開始時）形成涂膜時，調節(jié)升高 速度并形成涂膜。
[0418] 比較例4
[0419] 采用浸涂法將單層型感光層形成用涂布液P成形為具有圖案，W此方式在直徑為 30mm、長度為340mm、厚度為1mm的圓筒狀侶基材（導電性基體）上將單層型感光層圖案成 膜，由此制備了單層型電子照相感光體。將基體的升高速度設為150mm/分鐘并使基體沿軸 向升高，W此方式進行涂布。當在基體的上端部（涂布開始時）形成涂膜時，調節(jié)升高速度 并形成涂膜。
[0420] 關于各例子中制得的電子照相感光體，在下表1中示出了除電荷產(chǎn)生層之外的有 機層的成膜條件。 陽421] 表1
[0422]
陽42引評價
[0424] 將上述各例子中制得的電子照相感光體安裝在單色顯影系統(tǒng)的臺式機中，并進行 300X1，000循環(huán)的復印。W此方式觀察因感光體軸向端部處的泄漏而導致的圖像缺陷（印 刷樣品上的帶狀線）的出現(xiàn)。 陽42引在全部的例子中，充電漉和清潔刮刀均具有W下構造。 陽伯6] 充電漉
[0427] 與感光體的接觸區(qū)域的材料：其中分散有導電劑的聚酷胺樹脂
[042引軸向上的表面層長度（與感光體的接觸區(qū)域的長度）：312mm
[0429] 清潔刮刀
[0430] 與感光體的接觸區(qū)域的材料：聚氨醋橡膠
[0431] 刮刀的寬度（與感光體的接觸區(qū)域的長度）：316mm
[0432] 電子照相感光體中的有機層的總膜厚、區(qū)域A在軸向上的長度a、區(qū)域B在軸向上 的長度b W及評價結果在下表2中示出。區(qū)域A是從電子照相感光體和充電部件的接觸區(qū) 域的端部至電子照相感光體和清潔部件的接觸區(qū)域的端部的區(qū)域。區(qū)域B是從電子照相感 光體與清潔部件的接觸區(qū)域的端部至有機層的最大總膜厚部的區(qū)域。
[0433]
[0434] 提供對本發(fā)明示例性實施方案的上述描述是為了舉例和說明。并非旨在窮舉或將 本發(fā)明限制為所公開的精確形式。明顯地，對于本領域技術人員而言，許多變型和修改將是 顯而易見的。選擇并描述運些實施方案為的是更好地說明本發(fā)明的原理及其實際應用，從 而使得本領域技術人員理解本發(fā)明的多種實施方案，并且其多種變型適用于所預期的特定 用途。本發(fā)明的范圍旨在通過所附權利要求及其等同形式來限定。
【主權項】
1. 一種成像裝置，包括： 電子照相感光體，其包括導電性基體和設置在該導電性基體上的至少包含感光層的有 機層； 充電部件，其接觸所述電子照相感光體的表面并且對所述電子照相感光體的表面進行 充電； 靜電潛像形成單元，其在所述電子照相感光體的表面上形成靜電潛像； 顯影單元，其利用包含調色劑的顯影劑將形成于所述電子照相感光體的表面上的靜電 潛像顯影，以形成調色劑圖像； 轉印單元，其將所述調色劑圖像轉印到記錄介質的表面上；以及 清潔部件，其接觸所述電子照相感光體的表面從而在所述電子照相感光體的表面上進 行清潔， 其中在所述電子照相感光體的軸向上，所述電子照相感光體和所述清潔部件的接觸區(qū) 域比所述電子照相感光體和所述充電部件的接觸區(qū)域寬， 在所述電子照相感光體的軸向上的兩個端部處的最大總膜厚部分別被包括在不與所 述清潔部件接觸的區(qū)域中，其中在所述最大總膜厚部，所述有機層的總膜厚變?yōu)樽畲?，并?在將位于與所述充電部件接觸的區(qū)域中的所述有機層的平均總膜厚設為d，將位于不 與所述充電部件接觸的區(qū)域中且從所述電子照相感光體的軸向上的與所述充電部件接觸 的區(qū)域的端部至與所述清潔部件接觸的區(qū)域的端部的區(qū)域A中的所述有機層的總膜厚設 為d'，將位于不與所述清潔部件接觸的區(qū)域中且從所述電子照相感光體軸向上的與所述清 潔部件接觸的區(qū)域的端部至所述最大總膜厚部的區(qū)域B中的所述有機層的總膜厚設為d"， 并且將所述有機層的所述最大總膜厚部的總膜厚設為d"max時，在所述電子照相感光體的 軸向上的兩個端部均滿足以下所有的關系式（1)至（3): 0· 97 彡 d，/d 彡 1. 03 (1) 0· 97 彡 d'，/d 彡 1. 1 (2) 1. 03 < d" max/d < 1. 1 (3) 〇2. 根據(jù)權利要求1所述的成像裝置，其中所述關系式（1)滿足以下關系： 0· 98 彡 d' /d 彡 1. 02。3. 根據(jù)權利要求1所述的成像裝置，其中所述關系式（2)滿足以下關系： 0· 98 彡 d"/d 彡 1. 05〇4. 根據(jù)權利要求1所述的成像裝置，其中所述關系式（3)滿足以下關系： 1. 03 < d"max/d < 1. 05。5. 根據(jù)權利要求1所述的成像裝置，其中當將所述區(qū)域A在所述電子照相感光體的軸 向上的長度設為a時，滿足以下關系： 1mm a 5mm〇6. 根據(jù)權利要求1所述的成像裝置，其中當將所述區(qū)域A在所述電子照相感光體的軸 向上的長度設為a時，滿足以下關系： 1mm < a < 3mm〇7. 根據(jù)權利要求1或2所述的成像裝置，其中當將所述區(qū)域B在所述電子照相感光體 的軸向上的長度設為b時，滿足以下關系： 0. 1mm b 10mm 〇8. 根據(jù)權利要求1或2所述的成像裝置，其中當將所述區(qū)域B在所述電子照相感光體 的軸向上的長度設為b時，滿足以下關系： 0. 1mm b 5mm〇9. 根據(jù)權利要求1至3中任一項所述的成像裝置，其中所述電子照相感光體從所述導 電性基體側起包括底涂層和感光層作為有機層，其中所述感光層包括電荷產(chǎn)生層和電荷傳 輸層，并且 所述有機層的平均總膜厚d在20 μ m至70 μ m的范圍內。10. 根據(jù)權利要求1至3中任一項所述的成像裝置，其中所述電子照相感光體從所述導 電性基體側起包括底涂層、電荷產(chǎn)生層、電荷傳輸層和保護層作為有機層，并且 所述有機層的平均總膜厚d在20 μπι至60 μπι的范圍內。11. 根據(jù)權利要求1至3中任一項所述的成像裝置，其中所述電子照相感光體包括單層 型感光層作為有機層，并且 所述有機層的平均總膜厚d在15 μπι至40 μπι的范圍內。12. -種處理盒，其能從成像裝置上拆卸下來，該處理盒包括： 電子照相感光體，其包括導電性基體和設置在該導電性基體上的至少包含感光層的有 機層； 充電部件，其接觸所述電子照相感光體的表面并且對所述電子照相感光體的表面進行 充電；以及 清潔部件，其接觸所述電子照相感光體的表面從而在所述電子照相感光體的表面上進 行清潔， 其中在所述電子照相感光體的軸向上，所述電子照相感光體和所述清潔部件的接觸區(qū) 域比所述電子照相感光體和所述充電部件的接觸區(qū)域寬， 在所述電子照相感光體的軸向上的兩個端部處的最大總膜厚部分別被包括在不與所 述清潔部件接觸的區(qū)域中，其中在所述最大總膜厚部，所述有機層的總膜厚變?yōu)樽畲螅? 在將位于與所述充電部件接觸的區(qū)域中的所述有機層的平均總膜厚設為d，將位于不 與所述充電部件接觸的區(qū)域中且從所述電子照相感光體的軸向上的與所述充電部件接觸 的區(qū)域的端部至與所述清潔部件接觸的區(qū)域的端部的區(qū)域A中的所述有機層的總膜厚設 為d'，將位于不與所述清潔部件接觸的區(qū)域中且從所述電子照相感光體的軸向上的與所述 清潔部件接觸的區(qū)域的端部至所述最大總膜厚部的區(qū)域B中的所述有機層的總膜厚設為 d"，并且將所述有機層的所述最大總膜厚部的總膜厚設為d"max時，在所述電子照相感光 體的軸向上的兩個端部均滿足以下所有的關系式（1)至（3): 0· 97 彡 d，/d 彡 1. 03 (1) 0· 97 彡 d'，/d 彡 1. 1 (2) 1. 03 < d" max/d < 1. 1 (3) 〇
【文檔編號】G03G5/05GK105988323SQ201510649642
【公開日】2016年10月5日
【申請日】2015年10月9日
【發(fā)明人】多田幸, 多田一幸, 牧浦伸哉
【申請人】富士施樂株式會社