法布里-珀羅干涉濾光器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種法布里?珀羅干涉濾光器(10A)包括：固定鏡(31)；和可動(dòng)鏡(41)，其經(jīng)由空隙(S)與固定鏡(31)相對(duì)而配置，通過(guò)靜電力來(lái)調(diào)整光透過(guò)區(qū)域(11)中的與固定鏡(31)的距離。在可動(dòng)鏡(41)中的包圍光透過(guò)區(qū)域(11)的包圍部(41a)形成有包圍光透過(guò)區(qū)域(11)的多個(gè)第1環(huán)狀槽(44)以及空隙(S)側(cè)和在其相反側(cè)開(kāi)口的多個(gè)第1貫通孔(45)。
【專利說(shuō)明】
法布里-拍羅干涉濾光器
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本發(fā)明涉及法布里-珀羅干涉濾光器?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]例如在專利文獻(xiàn)1提供一種法布里-珀羅干涉濾光器，其具有隔著空隙彼此相對(duì)配置的固定鏡和可動(dòng)鏡，在可動(dòng)鏡形成有包圍光透過(guò)區(qū)域的一個(gè)環(huán)狀槽和位于該環(huán)狀槽的外側(cè)的多個(gè)貫通孔。在該法布里-珀羅干涉濾光器中，通過(guò)1個(gè)環(huán)狀槽，能夠?qū)崿F(xiàn)驅(qū)動(dòng)時(shí)(通過(guò)靜電力調(diào)整光透過(guò)區(qū)域中的固定鏡和可動(dòng)鏡的距離時(shí))的光透過(guò)區(qū)域的可動(dòng)鏡的平坦化。 此外，位于環(huán)狀槽的外側(cè)的多個(gè)貫通孔，在通過(guò)蝕刻形成固定鏡和可動(dòng)鏡之間的空隙時(shí)，作為蝕刻孔被利用。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0004]專利文獻(xiàn)
[0005]專利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)平7-286809號(hào)公報(bào)
【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]發(fā)明想要解決的技術(shù)問(wèn)題
[0007]在上述那樣的法布里-珀羅干涉濾光器中，期待驅(qū)動(dòng)時(shí)的光透過(guò)區(qū)域的可動(dòng)鏡的平坦性的提尚和可動(dòng)鏡的耐久性的提尚。
[0008]所以，本發(fā)明的目的在于提供一種能夠?qū)崿F(xiàn)驅(qū)動(dòng)時(shí)的光透過(guò)區(qū)域的可動(dòng)鏡的平坦性的提高和可動(dòng)鏡的耐久性的提高的法布里-珀羅干涉濾光器。
[0009]用于解決技術(shù)問(wèn)題的技術(shù)方案
[0010]本發(fā)明的一側(cè)面的法布里-珀羅干涉濾光器，其特征在于，包括:固定鏡;可動(dòng)鏡， 其經(jīng)由空隙與固定鏡相對(duì)而配置，通過(guò)靜電力調(diào)整光透過(guò)區(qū)域中的與固定鏡的距離，在可動(dòng)鏡中的包圍光透過(guò)區(qū)域的包圍部形成有包圍光透過(guò)區(qū)域的多個(gè)第1環(huán)狀槽以及在空隙側(cè)及其相反側(cè)開(kāi)口的多個(gè)第1貫通孔。
[0011]在該法布里-珀羅干涉濾光器中，在可動(dòng)鏡中的包圍光透過(guò)區(qū)域的包圍部形成有包圍光透過(guò)區(qū)域的多個(gè)第1環(huán)狀槽。由此，在驅(qū)動(dòng)時(shí)(通過(guò)靜電力調(diào)整光透過(guò)區(qū)域中的固定鏡和可動(dòng)鏡的距離時(shí))包圍部容易變形。并且，在可動(dòng)鏡中的包圍光透過(guò)區(qū)域的包圍部形成在空隙側(cè)及其相反側(cè)開(kāi)口的多個(gè)第1貫通孔。由此，在驅(qū)動(dòng)時(shí)在可動(dòng)鏡產(chǎn)生的應(yīng)力的平衡變好。所以，能夠?qū)崿F(xiàn)驅(qū)動(dòng)時(shí)的光透過(guò)區(qū)域的可動(dòng)鏡的平坦性的提高。另外，通過(guò)在包圍部形成多個(gè)第1貫通孔，在驅(qū)動(dòng)時(shí)在可動(dòng)鏡產(chǎn)生的應(yīng)力被分散。所以，能夠?qū)崿F(xiàn)可動(dòng)鏡的耐久性的提尚。
[0012]在本發(fā)明的一個(gè)方面的法布里-珀羅干涉濾光器中，可以在可動(dòng)鏡中的包圍部的內(nèi)側(cè)的部分形成在空隙側(cè)及其相反側(cè)開(kāi)口的多個(gè)第2貫通孔。在該情況下，在通過(guò)蝕刻形成固定鏡和可動(dòng)鏡之間的空隙時(shí)，將多個(gè)第1貫通孔和多個(gè)第2貫通孔用作蝕刻孔，能夠?qū)崿F(xiàn)空隙的形成所需要的時(shí)間的縮短。
[0013]在本發(fā)明的一側(cè)面的法布里-珀羅干涉濾光器中，可以在固定鏡，在固定鏡和可動(dòng)鏡相對(duì)的相對(duì)方向上，形成有與多個(gè)第1環(huán)狀槽分別對(duì)應(yīng)的多個(gè)第2環(huán)狀槽，在固定鏡中的多個(gè)第2環(huán)狀槽的外側(cè)的部分以包圍光透過(guò)區(qū)域的方式設(shè)置有第1驅(qū)動(dòng)電極，在可動(dòng)鏡為了產(chǎn)生靜電力而設(shè)置有在與第1驅(qū)動(dòng)電極之間施加電壓的第2驅(qū)動(dòng)電極。在該情況下，通過(guò)多個(gè)第2環(huán)狀槽，使第1驅(qū)動(dòng)電極和固定鏡中的多個(gè)第2環(huán)狀槽的內(nèi)側(cè)的部分電絕緣，因此，能夠?qū)崿F(xiàn)驅(qū)動(dòng)時(shí)的光透過(guò)區(qū)域的可動(dòng)鏡的平坦性的進(jìn)一步提高。
[0014]在本發(fā)明的一側(cè)面的法布里-珀羅干涉濾光器中，可以在固定鏡以包含光透過(guò)區(qū)域的方式設(shè)置有連接于與第2驅(qū)動(dòng)電極同電位的補(bǔ)償電極，補(bǔ)償電極在相對(duì)方向上相對(duì)于第1驅(qū)動(dòng)電極位于第2驅(qū)動(dòng)電極的相反側(cè)。在該情況下，以包含光透過(guò)區(qū)域的方式形成在固定鏡的補(bǔ)償電極與設(shè)置在可動(dòng)鏡的第2驅(qū)動(dòng)電極成為相同電位，因此，能夠?qū)崿F(xiàn)驅(qū)動(dòng)時(shí)的光透過(guò)區(qū)域的可動(dòng)鏡的平坦性的進(jìn)一步提高。而且，補(bǔ)償電極不位于第1驅(qū)動(dòng)電極和第2驅(qū)動(dòng)電極之間，因此，能夠在第1驅(qū)動(dòng)電極和第2驅(qū)動(dòng)電極之間適當(dāng)產(chǎn)生與被施加的電壓相應(yīng)的靜電力。
[0015]在本發(fā)明的一側(cè)面的法布里-珀羅干涉濾光器，可以在固定鏡以包含光透過(guò)區(qū)域的方式設(shè)置有連接于與第2驅(qū)動(dòng)電極相同電位的補(bǔ)償電極，補(bǔ)償電極經(jīng)由多個(gè)第2環(huán)狀槽位于第1驅(qū)動(dòng)電極的內(nèi)側(cè)。在該情況下，以包含光透過(guò)區(qū)域的方式形成于固定鏡的補(bǔ)償電極與設(shè)置在可動(dòng)鏡的第2驅(qū)動(dòng)電極為相同電位，因此，能夠?qū)崿F(xiàn)驅(qū)動(dòng)時(shí)的光透過(guò)區(qū)域的可動(dòng)鏡的平坦性的進(jìn)一步提高。而且，配置在固定鏡內(nèi)的同一平面上的第1驅(qū)動(dòng)電極和補(bǔ)償電極，通過(guò)多個(gè)第2環(huán)狀槽能夠可靠地實(shí)現(xiàn)第1驅(qū)動(dòng)電極和補(bǔ)償電極之間的電絕緣。
[0016]發(fā)明效果
[0017]根據(jù)本發(fā)明，能夠提供能夠?qū)崿F(xiàn)驅(qū)動(dòng)時(shí)的光透過(guò)區(qū)域的可動(dòng)鏡的平坦性的提高和可動(dòng)鏡的耐久性的提高的法布里-珀羅干涉濾光器【附圖說(shuō)明】
[0018]圖1是應(yīng)用了第1實(shí)施方式的法布里-珀羅干涉濾光器的分光傳感器的分解立體圖。
[0019]圖2是沿圖1的I1-1I線的法布里-珀羅干涉濾光器的截面圖。
[0020]圖3是設(shè)置有第1驅(qū)動(dòng)電極的多晶硅層的平面圖。[0021 ]圖4是設(shè)置有補(bǔ)償電極的多晶硅層的平面圖。
[0022]圖5是設(shè)置有第2驅(qū)動(dòng)電極的多晶硅層的平面圖。
[0023]圖6是第1實(shí)施方式的法布里-珀羅干涉濾光器的一部分放大截面圖。
[0024]圖7是驅(qū)動(dòng)時(shí)的第1實(shí)施方式的法布里-珀羅干涉濾光器的截面圖。
[0025]圖8是第2實(shí)施方式的法布里-珀羅干涉濾光器的截面圖。
[0026]圖9是第3實(shí)施方式的法布里-珀羅干涉濾光器的截面圖?！揪唧w實(shí)施方式】
[0027]以下、參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。此外，在各圖中對(duì)相同或相當(dāng)?shù)牟糠謽?biāo)注相同的附圖標(biāo)記，省略重復(fù)的說(shuō)明。[〇〇28][第1實(shí)施方式][0〇29][分光傳感器]
[0030]如圖1所示，分光傳感器1包括配線基板2、光檢測(cè)器3、多個(gè)間隔件4和法布里-珀羅干涉濾光器10A。在配線基板2設(shè)置有安裝有光檢測(cè)器3的安裝部2a、安裝有例如熱敏電阻等的溫度補(bǔ)償用元件(省略圖示省略)的安裝部2b和電極焊盤(pán)2c、2d。安裝部2a通過(guò)配線2e與電極焊盤(pán)2c電連接。安裝部2b通過(guò)配線2e與電極焊盤(pán)2d電連接。光檢測(cè)器3例如為紅外線檢測(cè)器，使用InGaAs等的量子型傳感器、或熱電堆、熱釋電傳感器或者測(cè)輻射熱計(jì)等的熱傳感器。此外，在檢測(cè)紫外、可視和近紅外的各區(qū)域的光的情況下，作為光檢測(cè)器3能夠使用硅光電二極管等。
[0031]法布里-珀羅干涉濾光器10A隔著多個(gè)間隔件4固定在配線基板2上。在該狀態(tài)下， 光檢測(cè)器3在配線基板2和法布里-珀羅干涉濾光器10A之間與法布里-珀羅干涉濾光器10A 的光透過(guò)區(qū)域11相對(duì)。法布里-珀羅干涉濾光器10A和各間隔件4的固定，為了抑制熱應(yīng)力對(duì)法布里-珀羅干涉濾光器10A的影響，而使用具有可撓性的樹(shù)脂材料。該樹(shù)脂材料優(yōu)選從室溫硬化或者150°C以下的低溫硬化的材料中選擇。多個(gè)間隔件4在法布里-珀羅干涉濾光器 10A中特別為了緩和多個(gè)間隔件4和被固定的部分的熱膨脹系數(shù)差，優(yōu)選利用例如石英或者硅等、構(gòu)成法布里-珀羅干涉濾光器10A的基板14和熱膨脹系數(shù)差相同的材料、或者熱膨脹系數(shù)差小的材料形成。此外，替代利用分別形成配線基板2和各間隔件4的結(jié)構(gòu)，可以采用一體形成配線基板2和各間隔件4的結(jié)構(gòu)。另外，配線基板2也優(yōu)選利用例如石英或者硅等、構(gòu)成法布里-珀羅干涉濾光器10A的基板14和熱膨脹系數(shù)差相等的材料、或者熱膨脹系數(shù)差小的材料形成。
[0032]雖然未圖示，但是，配線基板2、光檢測(cè)器3、多個(gè)間隔件4和法布里-珀羅干涉濾光器10A，在配線基板2固定在基座(stem)上且法布里-珀羅干涉濾光器10A的光透過(guò)區(qū)域與間隙的光透過(guò)窗相對(duì)的狀態(tài)下，收納在CAN封裝內(nèi)。配線基板2的各電極焊盤(pán)2c、2d和法布里-珀羅干涉濾光器10A的各端子12、13通過(guò)貫通基座的多個(gè)引線銷各自和引線接合而電連接。 對(duì)光檢測(cè)器3和溫度補(bǔ)償用素子(省略圖示)的電信號(hào)的輸入輸出，通過(guò)引線銷、電極焊盤(pán) 2c、配線2e和安裝部2a進(jìn)行。對(duì)法布里-珀羅干涉濾光器10A的電壓的施加，通過(guò)引線銷和各端子12、13進(jìn)行。此外，對(duì)光檢測(cè)器3和溫度補(bǔ)償用素子的電信號(hào)的輸入輸出等，可以通過(guò)光檢測(cè)器3和溫度補(bǔ)償用素子各自的端子由引線接合而電連接的引線銷進(jìn)行。
[0033]在如以上方式構(gòu)成的分光傳感器1中，測(cè)定光從配線基板2的相反側(cè)入射法布里-珀羅干涉濾光器10A的光透過(guò)區(qū)域11時(shí)，氣隙根據(jù)施加于法布里-珀羅干涉濾光器10A的電壓而變化，具有規(guī)定波長(zhǎng)的光通過(guò)法布里-珀羅干涉濾光器10A的光透過(guò)區(qū)域11。而且，透過(guò)光透過(guò)區(qū)域11的光被光檢測(cè)器3檢測(cè)。如上所述，在分光傳感器1中，一邊使向法布里-珀羅干涉濾光器10A施加的電壓變化，一邊利用光檢測(cè)器3檢測(cè)透過(guò)光透過(guò)區(qū)域11的光，能夠獲得分光光譜。[〇〇34][法布里-珀羅干涉濾光器][〇〇35]如圖2所示，法布里-珀羅干涉濾光器10A具備例如正方形板狀的基板14?；?4的光入射側(cè)的表面14a按順序?qū)盈B有反射防止層15、第1層疊體30、支承層16和第2層疊體40。 第1層疊體30和第2層疊體40之間通過(guò)框狀的支承層16形成有作為氣隙的空隙S?？驙畹闹С袑?6其中央部分作為犧牲層通過(guò)蝕刻被除去而形成。在法布里-珀羅干涉濾光器10A的中央部劃分有例如圓柱狀的光透過(guò)區(qū)域11?；?4例如由硅、石英或者玻璃等的光透過(guò)性材料形成。反射防止層15和支承層16例如由氧化硅形成。支承層16的厚度優(yōu)選為能夠使中心透過(guò)波長(zhǎng)(法布里-珀羅干涉濾光器10A透過(guò)的光的波長(zhǎng)范圍的中央値的波長(zhǎng))的1/2的整數(shù)倍，例如為150nm?1 Oym 〇
[0036]與第1層疊體30中的面對(duì)空隙S的區(qū)域?qū)?yīng)的部分作為固定鏡31發(fā)揮功能。第1層疊體30例如通過(guò)將多個(gè)多晶硅層32和多個(gè)氮化硅層33—層一層地交替層疊而構(gòu)成。更具體而言，在由二氧化硅等形成的反射防止層15上按順序?qū)盈B有多晶硅層32a、氮化硅層33a、多晶硅層32b、氮化硅層33b和多晶硅層32c。多晶硅層32和氮化硅層33各自的光學(xué)厚度優(yōu)選為中心透過(guò)波長(zhǎng)的1/4的整數(shù)倍，例如為50nm?2_。[〇〇37]與第2層疊體40中的面對(duì)空隙S的區(qū)域?qū)?yīng)的部分作為可動(dòng)鏡41發(fā)揮功能?？蓜?dòng)鏡 41隔著空隙S與固定鏡31相對(duì)配置。第2層疊體40例如通過(guò)將多個(gè)多晶硅層42和多個(gè)氮化硅層43—層一層地交替層疊而構(gòu)成。更具體而言，在支承層16上按順序?qū)盈B有多晶硅層42a、 氮化娃層43a、多晶娃層42b、氮化娃層43b和多晶娃層42c。多晶娃層42和氮化娃層43各自的光學(xué)厚度優(yōu)選為中心透過(guò)波長(zhǎng)的1/4的整數(shù)倍，例如為50nm?2_。[〇〇38] 如圖1和圖2所示，端子12以當(dāng)從固定鏡31和可動(dòng)鏡41相對(duì)的相對(duì)方向D觀看時(shí)隔著光透過(guò)區(qū)域11相對(duì)的方式設(shè)置有一對(duì)。各端子12配置在從第2層疊體40的表面40a(即，第 2層疊體40的多晶硅層42c的表面)至第1層疊體30的多晶硅層32c的貫通孔內(nèi)。端子13以當(dāng)從相對(duì)方向D觀看時(shí)隔著光透過(guò)區(qū)域11相對(duì)的方式設(shè)置有一對(duì)。各端子13配置在從第2層疊體40的表面40a至第2層疊體40的多晶娃層42a的貫通孔內(nèi)。此外，一對(duì)端子12相對(duì)的方向和一對(duì)端子13相對(duì)的方向正交。
[0039]如圖2和圖3所示，在固定鏡31以包圍光透過(guò)區(qū)域11的方式設(shè)置有例如圓環(huán)狀的第 1驅(qū)動(dòng)電極17。并且，在固定鏡31以從第1驅(qū)動(dòng)電極17沿著與相對(duì)方向D垂直的方向延伸至各端子12的正下方的方式設(shè)置有一對(duì)配線21。第1驅(qū)動(dòng)電極17和一對(duì)配線21通過(guò)在多晶硅層 32c的規(guī)定部分摻雜雜質(zhì)來(lái)使該規(guī)定部分低電阻化而形成。第1驅(qū)動(dòng)電極17通過(guò)各端子12與各配線21的端部21a連接，而與各端子12電連接。
[0040]如圖2和圖4所示，在固定鏡31以包含光透過(guò)區(qū)域11的方式設(shè)置有例如圓形狀的補(bǔ)償電極18。并且，在固定鏡31以從補(bǔ)償電極18沿與相對(duì)方向D垂直的方向延伸至各端子13的正下方的方式設(shè)置有一對(duì)配線22。補(bǔ)償電極18和一對(duì)配線22通過(guò)在多晶硅層32b的規(guī)定部分摻雜雜質(zhì)而使該規(guī)定部分低電阻化而形成。補(bǔ)償電極18通過(guò)各端子13經(jīng)由配線23與各配線22的端部22a連接，與各端子13電連接。配線23從各配線22的端部22a沿相對(duì)方向D延伸至各端子13的正下方，配置在從第2層疊體40的多晶硅層42a至第1層疊體30的多晶硅層32b的貫通孔內(nèi)。
[0041]如圖2和圖5所示，在可動(dòng)鏡41以在相對(duì)方向D上第1驅(qū)動(dòng)電極17和補(bǔ)償電極18相對(duì)的方式設(shè)置有例如圓形狀的第2驅(qū)動(dòng)電極19。并且，在可動(dòng)鏡41以從第2驅(qū)動(dòng)電極19沿與相對(duì)方向D垂直的方向延伸至各端子13的正下方的方式設(shè)置有一對(duì)配線24。第2驅(qū)動(dòng)電極19和一對(duì)配線24通過(guò)在多晶硅層42a的規(guī)定部分摻雜雜質(zhì)而使該規(guī)定部分低電阻化而形成。第2 驅(qū)動(dòng)電極19通過(guò)各端子13與各配線24的端部24a連接，而與各端子13電連接。
[0042]如圖2所示，在法布里-珀羅干涉濾光器10A中，連接于與第2驅(qū)動(dòng)電極19相同電位的補(bǔ)償電極18,在相對(duì)方向D上相對(duì)于第1驅(qū)動(dòng)電極17位于第2驅(qū)動(dòng)電極19的相反側(cè)。即，第1 驅(qū)動(dòng)電極17和補(bǔ)償電極18在固定鏡31上不配置在同一平面上，補(bǔ)償電極18與第1驅(qū)動(dòng)電極17相比離開(kāi)第2驅(qū)動(dòng)電極19。[〇〇43]在第1層疊體30的表面30a(即，第1層疊體30的多晶硅層32c的表面)形成有包圍配線23的環(huán)狀槽25。環(huán)狀槽25例如呈圓環(huán)狀延伸。環(huán)狀槽25的底面到達(dá)第1層疊體30的氮化硅層33b。在環(huán)狀槽25內(nèi)配置有例如由氧化硅形成的絕緣部件。由此，配線23與第1驅(qū)動(dòng)電極17 電絕緣。環(huán)狀槽25的寬度例如為0.1?100M。此外，環(huán)狀槽25例如可以以呈同心圓狀排列的方式形成有多個(gè)。[〇〇44]在第2層疊體40的表面40a形成有包圍端子12的環(huán)狀槽26。環(huán)狀槽26例如呈圓環(huán)狀延伸。環(huán)狀槽26的底面到達(dá)支承層16。環(huán)狀槽26內(nèi)成為空隙。由此，端子12與第2驅(qū)動(dòng)電極19 電絕緣。環(huán)狀槽26的寬度例如為0.1?lOOwii。此外，環(huán)狀槽26例如可以以呈同心圓狀排列的方式形成有多個(gè)。
[0045]在基板14的光出射側(cè)的表面14b按順序?qū)盈B有反射防止層51、第3層疊體52、中間層53和第4層疊體54。反射防止層51和中間層53各自具有與反射防止層15和支承層16相同的結(jié)構(gòu)。第3層疊體52和第4層疊體54各自以基板14為基準(zhǔn)具有與第1層疊體30和第2層疊體 40對(duì)稱的層疊結(jié)構(gòu)。通過(guò)這些反射防止層51、第3層疊體52、中間層53和第4層疊體54構(gòu)成層疊體50。[〇〇46]在層疊體50的光出射側(cè)的表面50b形成用于遮蔽測(cè)定光的遮光層27。遮光層27例如由鋁形成。在遮光層27和層疊體50以包含光透過(guò)區(qū)域11的方式形成有例如圓柱狀的開(kāi)口 50a。開(kāi)口50a在光出射側(cè)開(kāi)口，開(kāi)口50a的底面到達(dá)反射防止層51。在遮光層27的表面和開(kāi)口 50a的內(nèi)表面形成有保護(hù)層28。保護(hù)層28例如由氧化鋁形成。此外，通過(guò)將保護(hù)層28的厚度減薄至30nm程度，能夠無(wú)視因保護(hù)層28導(dǎo)致的光學(xué)的影響。[〇〇47]如圖2和圖6所示，在可動(dòng)鏡41劃分有包圍光透過(guò)區(qū)域11的包圍部41a。包圍部41a 劃分為例如圓筒狀。在包圍部41a形成有包圍光透過(guò)區(qū)域11的多個(gè)(例如3各)第1環(huán)狀槽44。 各第1環(huán)狀槽44例如呈圓環(huán)狀延伸，各第1環(huán)狀槽44內(nèi)成為空隙。多個(gè)第1環(huán)狀槽44以在著眼于相鄰的第1環(huán)狀槽44的情況下一方的第1環(huán)狀槽44被另一方的第1環(huán)狀槽44包圍的方式 (即，例如成同心圓狀)排列。各第1環(huán)狀槽44在空隙S的相反側(cè)開(kāi)口，多個(gè)多晶硅層42和多個(gè)氮化硅層43各自形成為部分進(jìn)入空隙S側(cè)。各第1環(huán)狀槽44的寬度例如為0.1?lOOwii。相鄰的第1環(huán)狀槽44間的距離例如為1?250mi。此外，各第1環(huán)狀槽44不限于連續(xù)的環(huán)狀，例如可以為斷續(xù)的環(huán)狀。另外，相鄰的第1環(huán)狀槽44的一部分可以相連。[〇〇48]并且，在包圍部41a形成有在空隙S側(cè)及其相反側(cè)開(kāi)口的多個(gè)第1貫通孔45(在圖2 中，省略圖示)。多個(gè)第1貫通孔45的至少一部分位于相鄰的第1環(huán)狀槽44間。各第1貫通孔45 例如形成為圓柱狀，各第1貫通孔45的直徑例如為1?1 Own那樣的方式，比在徑方向上的包圍部41a的寬度(多個(gè)第1環(huán)狀槽44呈同心圓狀排列的情況下，最外側(cè)的第1環(huán)狀槽44的外周半徑和最內(nèi)側(cè)的第1環(huán)狀槽44的內(nèi)周半徑之差)小。多個(gè)第1貫通孔45中，相鄰的第1貫通孔 45間的距離例如為10?1 OOwii，均勻地分散形成。另外，在可動(dòng)鏡41中的包圍部4 la的內(nèi)側(cè)的部分(由包圍部41a包圍的部分)形成有在空隙S側(cè)及其相反側(cè)開(kāi)口的多個(gè)第2貫通孔46(在圖2中，省略圖示)。各第2貫通孔46例如形成為圓柱狀，各第2貫通孔46的直徑例如為1?10y m。多個(gè)第2貫通孔46中，相鄰的第2貫通孔46間的距離例如為10?lOOwii，均勻地分散形成。 [〇〇49]在固定鏡31，在相對(duì)方向D上形成有與多個(gè)第1環(huán)狀槽44各自對(duì)應(yīng)的多個(gè)第2環(huán)狀槽34。各第2環(huán)狀槽34例如呈圓環(huán)狀延伸，各第2環(huán)狀槽34內(nèi)成為空隙。多個(gè)第2環(huán)狀槽34以在著眼于相鄰的第2環(huán)狀槽34的情況下一方的第2環(huán)狀槽34被另一方的第2環(huán)狀槽34包圍的方式(即，例如呈同心圓狀)排列。各第2環(huán)狀槽34在空隙S側(cè)開(kāi)口，沿著第1驅(qū)動(dòng)電極17的內(nèi)緣將多晶硅層32c部分除去而形成。即，第1驅(qū)動(dòng)電極17設(shè)置在固定鏡31中的多個(gè)第2環(huán)狀槽 34的外側(cè)的部分。各第2環(huán)狀槽34的寬度例如為0.1?lOOwii。相鄰的第2環(huán)狀槽34間的距離例如為1?250wii。
[0050]在如以上方式構(gòu)成的法布里-珀羅干涉濾光器10A中，經(jīng)由各端子12、13對(duì)第1驅(qū)動(dòng)電極17和第2驅(qū)動(dòng)電極19之間施加電壓時(shí)，與該電壓相應(yīng)的靜電力在第1驅(qū)動(dòng)電極17和第2 驅(qū)動(dòng)電極19之間產(chǎn)生。由此，如圖7所示，可動(dòng)鏡41主要在包圍部41a及其外側(cè)的部分發(fā)生變形，在可動(dòng)鏡41中與光透過(guò)區(qū)域11對(duì)應(yīng)的部分一邊維持平坦性一邊被拉向固定鏡31側(cè)。如上所述，光透過(guò)區(qū)域11中的固定鏡31和可動(dòng)鏡41的距離通過(guò)產(chǎn)生的靜電力、以及被施加的電壓來(lái)調(diào)整。透過(guò)法布里-珀羅干涉濾光器10A的光的波長(zhǎng)依賴于光透過(guò)區(qū)域11中的固定鏡 31和可動(dòng)鏡41的距離，因此，通過(guò)調(diào)整對(duì)第1驅(qū)動(dòng)電極17和第2驅(qū)動(dòng)電極19之間施加的電壓， 能夠適當(dāng)選擇透過(guò)的光的波長(zhǎng)。[〇〇511以上，如說(shuō)明的方式，在法布里-珀羅干涉濾光器10A中，在可動(dòng)鏡41中的包圍光透過(guò)區(qū)域11的包圍部41a形成有包圍光透過(guò)區(qū)域11的多個(gè)第1環(huán)狀槽44。由此，驅(qū)動(dòng)時(shí)(通過(guò)靜電力調(diào)整光透過(guò)區(qū)域11中的固定鏡31和可動(dòng)鏡41的距離時(shí))包圍部41a容易發(fā)生變形。并且，在包圍部41a形成有在空隙S側(cè)及其相反側(cè)開(kāi)口的多個(gè)第1貫通孔45。由此，在驅(qū)動(dòng)時(shí)在可動(dòng)鏡41產(chǎn)生的應(yīng)力的平衡變好。所以，能夠?qū)崿F(xiàn)驅(qū)動(dòng)時(shí)的光透過(guò)區(qū)域11的可動(dòng)鏡41的平坦性的提高。另外，在包圍部41a形成有多個(gè)第1貫通孔45,能夠使在驅(qū)動(dòng)時(shí)在可動(dòng)鏡41產(chǎn)生的應(yīng)力分散。所以，能夠?qū)崿F(xiàn)可動(dòng)鏡41的耐久性的提高。
[0052]另外，在法布里-珀羅干涉濾光器10A被施加熱的狀況下，產(chǎn)生熱變形，但是如上所述，在可動(dòng)鏡41產(chǎn)生的應(yīng)力的平衡變好，因此，可動(dòng)鏡41的變形也變得均勻。所以，能夠抑制可動(dòng)鏡41的變形引起的分解能(透過(guò)波長(zhǎng)特性)的降低。[〇〇53]另外，在法布里-珀羅干涉濾光器10A中，在可動(dòng)鏡41中的包圍部41a的內(nèi)側(cè)的部分形成有在空隙S側(cè)及其相反側(cè)開(kāi)口的多個(gè)第2貫通孔46。因此，在通過(guò)蝕刻形成固定鏡31和可動(dòng)鏡41之間的空隙S時(shí)，通過(guò)將多個(gè)第1貫通孔45和多個(gè)第2貫通孔46用作蝕刻孔，能夠?qū)崿F(xiàn)空隙S的形成所需要的時(shí)間的縮短化。[〇〇54]另外，在法布里-珀羅干涉濾光器10A中，在固定鏡31形成多個(gè)第2環(huán)狀槽34,在固定鏡31中的多個(gè)第2環(huán)狀槽34的外側(cè)的部分設(shè)置有第1驅(qū)動(dòng)電極17。由此，第1驅(qū)動(dòng)電極17和固定鏡31中的多個(gè)第2環(huán)狀槽34的內(nèi)側(cè)的部分(S卩，多個(gè)第2環(huán)狀槽34的內(nèi)側(cè)的多晶硅層 32c)電絕緣，因此，能夠?qū)崿F(xiàn)驅(qū)動(dòng)時(shí)的光透過(guò)區(qū)域11的可動(dòng)鏡41的平坦性的進(jìn)一步提高。
[0055]此外，在固定鏡31形成有多個(gè)第2環(huán)狀槽34的情況下，其外側(cè)的部分和內(nèi)側(cè)的部分電絕緣，與在固定鏡31形成1個(gè)第2環(huán)狀槽34的情況相比，變得可靠。這是因?yàn)椋词乖诙鄠€(gè)第2環(huán)狀槽34中的一部分的第2環(huán)狀槽34產(chǎn)生缺陷而能夠產(chǎn)生漏電流的狀態(tài)下，也通過(guò)剩余的第2環(huán)狀槽34阻止該漏電流。另外，在所有的第2環(huán)狀槽34產(chǎn)生缺陷而能夠產(chǎn)生漏電流的狀態(tài)，漏電流也變得容易繞道。
[0056]另外，在法布里-珀羅干涉濾光器10A中，在固定鏡31設(shè)置有連接于與第2驅(qū)動(dòng)電極 19相同電位的補(bǔ)償電極18,補(bǔ)償電極18在相對(duì)方向D上相對(duì)于第1驅(qū)動(dòng)電極17位于第2驅(qū)動(dòng)電極19的相反側(cè)。由此，以包含光透過(guò)區(qū)域11的方式形成在固定鏡31的補(bǔ)償電極18與設(shè)置在可動(dòng)鏡41的第2驅(qū)動(dòng)電極19成為相同電位，因此，能夠?qū)崿F(xiàn)驅(qū)動(dòng)時(shí)的光透過(guò)區(qū)域11的可動(dòng)鏡41的平坦性的進(jìn)一步提高。而且，補(bǔ)償電極18不位于第1驅(qū)動(dòng)電極17和第2驅(qū)動(dòng)電極19,因此，能夠在第1驅(qū)動(dòng)電極17和第2驅(qū)動(dòng)電極19之間適當(dāng)產(chǎn)生與被施加的電壓相應(yīng)的靜電力。 [〇〇57]此外，越增加第1環(huán)狀槽44的個(gè)數(shù)，與例如增加1個(gè)第1環(huán)狀槽44的寬度的情況相比，驅(qū)動(dòng)時(shí)的光透過(guò)區(qū)域11的可動(dòng)鏡41的平坦性的提高越顯著。另外，如上述所述，越增加第2環(huán)狀槽34的個(gè)數(shù)，其外側(cè)的部分和內(nèi)側(cè)的部分的電絕緣越可靠，因此，增加第2環(huán)狀槽34 的個(gè)數(shù)也有助于驅(qū)動(dòng)時(shí)的光透過(guò)區(qū)域11的可動(dòng)鏡41的平坦性的提高。[〇〇58][法布里-珀羅干涉濾光器的制造方法]
[0059]參照?qǐng)D2和圖6對(duì)上述的法布里-珀羅干涉濾光器10A的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。首先， 在基板14的表面14a層疊反射防止層15。與此同時(shí)，在基板14的表面14b層疊反射防止層 51g。接著，在反射防止層15上按順序?qū)盈B成為第1層疊體30的一部分的多晶硅層32a、氮化硅層33a和多晶硅層32b。與此同時(shí)，在反射防止層51上按順序?qū)盈B成為第3層疊體52的一部分的多晶娃層、氮化娃層和多晶娃層。接著，在多晶娃層3 2b的規(guī)定部分摻雜雜質(zhì)而使該規(guī)定部分低電阻化，形成補(bǔ)償電極18和一對(duì)配線22。
[0060]接著，在多晶硅層32b上層疊成為第1層疊體30的一部分的氮化硅層33b。與此同時(shí)，在成為第3層疊體52的一部分的多晶硅層上層疊成為第3層疊體52的一部分的氮化硅層。接著，將氮化硅層33b的規(guī)定部分通過(guò)蝕刻除去，形成用于配置配線23的貫通孔的一部分。
[0061]接著，在氮化硅層33b上層疊成為第1層疊體30的一部分的多晶硅層32c。與此同時(shí)，在成為第3層疊體52的一部分的氮化硅層上層疊成為第3層疊體52的一部分的多晶硅層。接著，在多晶硅層32c的規(guī)定部分摻雜雜質(zhì)而使該規(guī)定部分低電阻化，形成第1驅(qū)動(dòng)電極 17和一對(duì)配線21。另外，將多晶硅層32c的規(guī)定部分通過(guò)蝕刻除去，形成環(huán)狀槽25和多個(gè)第2 環(huán)狀槽34、以及用于配置配線23的貫通孔的一部分。此外，為了將多晶硅層32c的規(guī)定部分有選擇地除去，可以預(yù)先設(shè)置蝕刻阻擋件。接著，在環(huán)狀槽25內(nèi)配置例如由氧化硅形成的絕緣部件。
[0062]接著，在多晶硅層32c上層疊支承層16。與此同時(shí)，在成為第3層疊體52的一部分的多晶硅層上層疊中間層53。此時(shí)，在支承層16的表面，通過(guò)支承層16部分進(jìn)入在形成在多晶硅層32c的多個(gè)第2環(huán)狀槽34內(nèi)，而形成有仿制多個(gè)第2環(huán)狀槽34的多個(gè)環(huán)狀槽。接著，將支承層16的規(guī)定部分通過(guò)蝕刻除去，形成用于配置配線23的貫通孔的一部分、和用于取出各端子12的貫通孔的一部分。接著，在從支承層16的表面至第1層疊體30的多晶硅層32b的貫通孔內(nèi)配置配線23。[〇〇63]接著，在支承層16上層疊成為第2層疊體40的一部分的多晶硅層42a。與此同時(shí)，在中間層53上層疊成為第4層疊體54的一部分的多晶硅層。接著，在多晶硅層42a的規(guī)定部分摻雜雜質(zhì)而使該規(guī)定部分低電阻化，形成第2驅(qū)動(dòng)電極19和一對(duì)配線24。[〇〇64]接著，在多晶硅層42a上按順序?qū)盈B成為第2層疊體40的一部分的氮化硅層43a、多晶娃層42b、氮化娃層43b和多晶娃層42c。與此同時(shí)，在成為第4層疊體54的一部分的多晶娃層上按順序?qū)盈B成為第4層疊體54的一部分的氮化硅層、多晶硅層、氮化硅層和多晶硅層。 此時(shí)，在第2層疊體40的表面40a(即，第2層疊體40的多晶硅層42c的表面)，多個(gè)多晶硅層42 和多個(gè)氮化硅層43各自部分進(jìn)入形成在支承層16的表面的多個(gè)環(huán)狀槽，仿制多個(gè)第2環(huán)狀槽34的多個(gè)第1環(huán)狀槽44形成在第2環(huán)狀槽34的正上方。[〇〇65]接著，將第2層疊體40和支承層16的規(guī)定部分通過(guò)蝕刻除去，形成從第2層疊體40 的表面40a至第1層疊體30的多晶硅層32c的貫通孔。另外，將第2層疊體40的規(guī)定部分通過(guò)蝕刻除去，形成從第2層疊體40的表面40a至第2層疊體40的多晶硅層42a的貫通孔。接著，在從第2層疊體40的表面40a至第1層疊體30的多晶硅層32c的貫通孔內(nèi)配置導(dǎo)電部件，形成端子12。另外，在從第2層疊體40的表面40a至第2層疊體40的多晶娃層42a的貫通孔內(nèi)配置導(dǎo)電部件，形成端子13。[〇〇66]接著，將第2層疊體40的規(guī)定部分通過(guò)蝕刻除去，形成從第2層疊體40的表面40a至支承層16的第1貫通孔45、第2貫通孔46和環(huán)狀槽26。接著，在第4層疊體54上層疊遮光層27。 接著，將第3層疊體52、中間層53、第4層疊體54和遮光層27的規(guī)定部分通過(guò)蝕刻除去，形成開(kāi)口 50a。接著，在遮光層27的表面和開(kāi)口 50a的內(nèi)表面形成保護(hù)層28。此外，遮光層27可以在蝕刻之后或者蝕刻的途中形成。[〇〇67]接著，通過(guò)經(jīng)由第1貫通孔45和第2貫通孔46的蝕刻將支承層16的規(guī)定部分(中央部分)作為犧牲層除去，而形成空隙S。為了在由氧化硅形成的支承層16形成空隙S，而實(shí)施利用氫氟酸氣體的氣相蝕刻時(shí)，能夠防止第1層疊體30的多個(gè)多晶硅層32和多個(gè)氮化硅層 33、以及第2層疊體40的多個(gè)多晶硅層42和多個(gè)氮化硅層43的侵食。此時(shí)，由氧化硅形成的反射防止層51在開(kāi)口 50a的底面，被由氧化鋁形成的保護(hù)層28覆蓋，因此，也能夠防止該反射防止層51的侵食。
[0068]以上的制造工序，對(duì)包含成為基板14的部分的晶圓實(shí)施。在以上的制造工序?qū)嵤┲螅瑢⒕A個(gè)片化，能夠獲得法布里-珀羅干涉濾光器10A。此外，晶圓的個(gè)片化優(yōu)選通過(guò)激光的照射而在基板14的內(nèi)部等形成改性區(qū)域，以該改性區(qū)域?yàn)槠瘘c(diǎn)對(duì)晶圓進(jìn)行分割的內(nèi)部加工型的激光加工技術(shù)。當(dāng)采用內(nèi)部加工型的激光加工技術(shù)時(shí)，在將晶圓個(gè)片化時(shí)，能夠抑制膜狀的可動(dòng)鏡41發(fā)生損傷。
[0069]以上，如說(shuō)明的方式，在法布里-珀羅干涉濾光器10A的制造方法中，在通過(guò)蝕刻在支承層16形成空隙S時(shí)，除了多個(gè)第2貫通孔46之外，還能夠?qū)⒍鄠€(gè)第1貫通孔45用作蝕刻孔，因此，能夠?qū)崿F(xiàn)空隙S的形成所需要的時(shí)間的縮短化。
[0070]但是，已知氮化硅和氫氟酸氣體發(fā)生反應(yīng)，產(chǎn)生氟化銨類的殘?jiān)?參照B.DU B0IS， HF ETCHING OF S1-OXIDES AND S1-NITRIDES FOR SURFACE MICROMACHINING,Sensor Technology 2001,Proceedings of the Sensor Technology Conference 2001，held in Enschede，The Netherlands，14_15May，2001，pp 131-136)。在法布里-?羅干涉濾光器 10A 的制造工序中，為了在由氧化硅形成的支承層16形成空隙S而實(shí)施利用氫氟酸氣體的氣相蝕刻時(shí)，在固定鏡31中在多個(gè)第2環(huán)狀槽34的底面露出氮化硅層33b，但是與在包含多個(gè)第2 環(huán)狀槽34那樣的1個(gè)環(huán)狀槽的底面露出氮化硅層33b的情況相比，能夠抑制殘?jiān)漠a(chǎn)生。此夕卜，氟化銨類的殘?jiān)軌蛲ㄟ^(guò)真空烘培等而升華進(jìn)行除去。
[0071][第2實(shí)施方式]
[0072]如圖8所示，法布里-珀羅干涉濾光器10B，在第1驅(qū)動(dòng)電極17和補(bǔ)償電極18配置在固定鏡31內(nèi)的同一平面上這點(diǎn)，與上述的法布里-珀羅干涉濾光器10A主要不同。在法布里-珀羅干涉濾光器10B中，補(bǔ)償電極18隔著多個(gè)第2環(huán)狀槽34位于第1驅(qū)動(dòng)電極17的內(nèi)側(cè)。即， 補(bǔ)償電極18與第1驅(qū)動(dòng)電極17—起設(shè)置在第1層疊體30的多晶硅層32c。第1驅(qū)動(dòng)電極17和補(bǔ)償電極18通過(guò)在多晶硅層32c的規(guī)定部分摻雜雜質(zhì)使該規(guī)定部分低電阻化而形成。[〇〇73] 補(bǔ)償電極18經(jīng)由一對(duì)配線29與各配線23連接，而與各端子13電連接。各配線29包括配線29a、29b。一對(duì)配線29a以從各配線23的端部沿與相對(duì)方向D垂直的方向向補(bǔ)償電極 18的緣部的正下方延伸的方式設(shè)置在第1層疊體30的多晶硅層32b。一對(duì)配線29a通過(guò)在多晶硅層32b的規(guī)定部分摻雜雜質(zhì)而使該規(guī)定部分低電阻化而形成。一對(duì)配線29b從補(bǔ)償電極 18的緣部沿相對(duì)方向D延伸至各配線29a的端部，配置在從補(bǔ)償電極18至多晶硅層32b的貫通孔內(nèi)。
[0074]在如以上方式構(gòu)成的法布里-珀羅干涉濾光器10B中，與上述的法布里-珀羅干涉濾光器10A同樣，在可動(dòng)鏡41的包圍部41a形成多個(gè)第1環(huán)狀槽44和多個(gè)第1貫通孔45。由此， 能夠?qū)崿F(xiàn)驅(qū)動(dòng)時(shí)的光透過(guò)區(qū)域11的可動(dòng)鏡41的平坦性的提高和可動(dòng)鏡41的耐久性的提高。
[0075]另外，在法布里-珀羅干涉濾光器10B中，連接于與第2驅(qū)動(dòng)電極19相同電位的補(bǔ)償電極18隔著多個(gè)第2環(huán)狀槽34位于第1驅(qū)動(dòng)電極17的內(nèi)側(cè)。由此，關(guān)于在固定鏡31內(nèi)的同一平面上配置的第1驅(qū)動(dòng)電極17和補(bǔ)償電極18,能夠?qū)崿F(xiàn)它們之間的電絕緣，能夠?qū)崿F(xiàn)驅(qū)動(dòng)時(shí)的光透過(guò)區(qū)域11的可動(dòng)鏡41的平坦性的進(jìn)一步提高。[〇〇76][第3實(shí)施方式]
[0077]如圖9所示，法布里-珀羅干涉濾光器10C，在固定鏡31設(shè)置有補(bǔ)償電極18這點(diǎn)、在固定鏡31形成有多個(gè)第2環(huán)狀槽34這點(diǎn)、和在可動(dòng)鏡41的包圍部41a通過(guò)蝕刻形成有多個(gè)第 1環(huán)狀槽44這點(diǎn)，與上述的法布里-珀羅干涉濾光器10A主要不同。在法布里-珀羅干涉濾光器10C中，通過(guò)蝕刻除去第2層疊體40的規(guī)定部分，形成從第2層疊體40的表面40a至第2層疊體40的多晶硅層42a的多個(gè)第1環(huán)狀槽44。此外，為了將第2層疊體40的規(guī)定部分有選擇地除去，可以預(yù)先設(shè)置有蝕刻阻擋件。
[0078]在如以上方式構(gòu)成的法布里-珀羅干涉濾光器10C中，與上述的法布里-珀羅干涉濾光器10A同樣，在可動(dòng)鏡41的包圍部41a形成有多個(gè)第1環(huán)狀槽44和多個(gè)第1貫通孔45。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)驅(qū)動(dòng)時(shí)的光透過(guò)區(qū)域11的可動(dòng)鏡41的平坦性的提高和可動(dòng)鏡41的耐久性的提尚。[〇〇79]另外，在法布里-珀羅干涉濾光器10C中，在固定鏡31不形成多個(gè)第2環(huán)狀槽34,因此，第1驅(qū)動(dòng)電極17和多晶硅層3 2 c中的第1驅(qū)動(dòng)電極17的內(nèi)側(cè)的部分電連接。由此，多晶硅層32c中的第1驅(qū)動(dòng)電極17的內(nèi)側(cè)的部分和第2驅(qū)動(dòng)電極19之間也產(chǎn)生電位差而產(chǎn)生靜電力，所以，能夠降低為了調(diào)整固定鏡31和可動(dòng)鏡41的距離而對(duì)第1驅(qū)動(dòng)電極17和第2驅(qū)動(dòng)電極19之間施加的電壓。
[0080]另外，在法布里-珀羅干涉濾光器10C中，為了在由氧化硅形成的支承層16形成空隙S而實(shí)施利用氫氟酸氣體的氣相蝕刻，在固定鏡31不形成多個(gè)第2環(huán)狀槽34,氮化硅層33b 不露出，因此，能夠進(jìn)一步抑制氟化銨類的殘?jiān)漠a(chǎn)生。
[0081]以上，對(duì)本發(fā)明的第1、第2和第3實(shí)施方式進(jìn)行了說(shuō)明，但是，本發(fā)明不限于上述的第1、第2和第3實(shí)施方式。例如，構(gòu)成第1層疊體30的多晶硅層32和氮化硅層33的層數(shù)和膜厚以及構(gòu)成第2層疊體40的多晶硅層42和氮化硅層43的層數(shù)和膜厚，能夠根據(jù)各法布里-珀羅干涉濾光器10A、10B、10C透過(guò)的光的波長(zhǎng)的分解能和適用范圍而適當(dāng)變更。另外，可動(dòng)鏡41 的貫通孔并不在包圍部41a及其內(nèi)側(cè)的區(qū)域，可以形成在包圍部41a的外側(cè)的區(qū)域。另外，光透過(guò)區(qū)域11不限于比開(kāi)口 50a窄的范圍的情況，例如在比開(kāi)口 50a寬的范圍的測(cè)定光入射的情況下，可以通過(guò)開(kāi)口 50a劃定光透過(guò)區(qū)域11。另外，各法布里-珀羅干涉濾光器10A、10B、 10C的各構(gòu)成不限于上述材料和形狀，能夠應(yīng)用各種材料和形狀。[〇〇82] 工業(yè)上的可利用性
[0083]根據(jù)本發(fā)明，能夠提供能夠?qū)崿F(xiàn)驅(qū)動(dòng)時(shí)的光透過(guò)區(qū)域的可動(dòng)鏡的平坦性的提高和可動(dòng)鏡的耐久性的提高的法布里-珀羅干涉濾光器。
[0084] 附圖標(biāo)記說(shuō)明
[0085] 10A、10B、10C…法布里-珀羅干涉濾光器；n…光透過(guò)區(qū)域；17…第1驅(qū)動(dòng)電極18… 補(bǔ)償電極；19…第2驅(qū)動(dòng)電極;31…固定鏡;34…第2環(huán)狀槽;41…可動(dòng)鏡;41a…包圍部;44-" 第1環(huán)狀槽;45…第1貫通孔;46…第2貫通孔;S…空隙。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種法布里-珀羅干涉濾光器，其特征在于，包括:固定鏡；可動(dòng)鏡，其經(jīng)由空隙與所述固定鏡相對(duì)而配置，通過(guò)靜電力調(diào)整光透過(guò)區(qū)域中的與所 述固定鏡的距離，在所述可動(dòng)鏡中的包圍所述光透過(guò)區(qū)域的包圍部形成有包圍所述光透過(guò)區(qū)域的多個(gè) 第1環(huán)狀槽以及在所述空隙側(cè)及其相反側(cè)開(kāi)口的多個(gè)第1貫通孔。2.如權(quán)利要求1所述的法布里-珀羅干涉濾光器，其特征在于:在所述可動(dòng)鏡中的所述包圍部的內(nèi)側(cè)的部分形成有在所述空隙側(cè)及其相反側(cè)開(kāi)口的 多個(gè)第2貫通孔。3.如權(quán)利要求1或2所述的法布里-珀羅干涉濾光器，其特征在于:在所述固定鏡，在所述固定鏡和所述可動(dòng)鏡相對(duì)的相對(duì)方向上，形成有與所述多個(gè)第1 環(huán)狀槽分別對(duì)應(yīng)的多個(gè)第2環(huán)狀槽，在所述固定鏡中的所述多個(gè)第2環(huán)狀槽的外側(cè)的部分以包圍所述光透過(guò)區(qū)域的方式設(shè) 置有第1驅(qū)動(dòng)電極，在所述可動(dòng)鏡，為了產(chǎn)生所述靜電力而設(shè)置有在與所述第1驅(qū)動(dòng)電極之間施加電壓的 第2驅(qū)動(dòng)電極。4.如權(quán)利要求3所述的法布里-珀羅干涉濾光器，其特征在于:在所述固定鏡以包含所述光透過(guò)區(qū)域的方式設(shè)置有連接于與所述第2驅(qū)動(dòng)電極相同電 位的補(bǔ)償電極，所述補(bǔ)償電極在所述相對(duì)方向上相對(duì)于所述第1驅(qū)動(dòng)電極位于所述第2驅(qū)動(dòng)電極的相 反側(cè)。5.如權(quán)利要求3所述的法布里-珀羅干涉濾光器，其特征在于:在所述固定鏡以包含所述光透過(guò)區(qū)域的方式設(shè)置有連接于與所述第2驅(qū)動(dòng)電極相同電 位的補(bǔ)償電極，所述補(bǔ)償電極經(jīng)由所述多個(gè)第2環(huán)狀槽而位于所述第1驅(qū)動(dòng)電極的內(nèi)側(cè)。
【文檔編號(hào)】G02B5/28GK105992964SQ201580007963
【公開(kāi)日】2016年10月5日
【申請(qǐng)日】2015年2月3日
【發(fā)明人】柴山勝己, 笠原隆, 廣瀬真樹(shù), 川合敏光
【申請(qǐng)人】浜松光子學(xué)株式會(huì)社